DE1567468C3 - Verfahren zur Abtrennung von Chlor silanen aus gasförmigen Reaktionspro dukten - Google Patents
Verfahren zur Abtrennung von Chlor silanen aus gasförmigen Reaktionspro duktenInfo
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Description
irhitzen auf eine Temperatur, weiche zwischen der
Siedetemperatur des Chlorsilans und der des Absorpionsmittels
liegt in einer Austreibvorrichtung vom Absorptionsmittel wieder abgetrennt wird.
Es ist zwar bekannt, zur Herstellung sehr reiner. Siliciumhalogenide die noch Verunreinigungen enthal-
:enden Ausgangsstoffe in einem organischen Absorpdonsmittel, z. B. einem Kohlenwasserstoff, zu lösen,
wobei ein Teil der Verunreinigungen ausfällt, und diese von der Siliciumhalogenid enthaltenden Lösung durch
Filtration zu trennen. In einer weiteren Behandlung wird die Lösung mit einer mit dem Halogenid nicht
mischbaren Säure zur Abtrennung weiterer Verunreinigungen
versetzt und anschließend die Trennung des Halogenide von organischem Lösungsmittel durch
Destillation vorgenommen; '
Eine Übertragung dieser bekannten Verfahrensweise zur Lösung vorliegender Aufgabenstellung lag jedoch
auch unter Berücksichtigung der Verwendung organischer Absorptionsmittel, infolge der sehr unterschiedlichen,
die Verunreinigungen darstellenden Stoffe, nicht nahe. '■ : ·' " ; · λ
Es wurde festgestellt, daß sich die Chlorsilane sowohl teilweise als auch vollständig aus den beschriebenen
Chlorierungsgasen am vorteilhaftesten durch einen Waschprozeß entfernen lassen. Es wurde ferner gebunden,
daß sich von der Vielzahl als Waschflüssigkeit ;n Frage kommender organischer Flüssigkeiten die unbegrenzt
mit Chlorsilänen mischbar sind, folgende am besten eignen: Kohlenwasserstoffe und: Chlorkohlen-Wasserstoffe,*
insbesondere Paräffinöl und Chloroaräffin;'
Kieselsäureester, z.^ B. Oktylsilikat ■ oder
Äthylsilikat, und schließlich Phosphorsäureester, z.B.
Trikresylphosphat. ·:- ■ ' r\'': '■:-' '■ \ .■"■ ■'■'.'*■'-■'
Die genannten organischen Flüssigkeifen haben
olgende für den erfindungsgemäßen Zweck erforderiche gemeinsame Eigenschaften:
a) Sie sind inert gegenüber Chlorsilänen;
3) sie weisen ein gutes Absorptionsvermögen für Chlorsilane auf;
a) Sie sind inert gegenüber Chlorsilänen;
3) sie weisen ein gutes Absorptionsvermögen für Chlorsilane auf;
:) sie können mit üblichen Mitteln wieder von den
Chlorsilänen getrennt werden;
j) ihre Siedepunkte liegen genügend weit über denen
j) ihre Siedepunkte liegen genügend weit über denen
der Chlorsilane; und
i) sie zersetzen sich selbst bei längerem Erhitzen und
i) sie zersetzen sich selbst bei längerem Erhitzen und
in Anwesenheit von Chlorsilänen nicht.
Die flüssigen Gemische aus diesen organischen Flüssigkeiten und Chlorsilänen können daher an sich durch einfaches Erhitzen praktisch wieder vollständig η ihre Bestandteile zerlegt werden. Hierzu ist jedoch ein Erhitzen auf Siedetemperatur des Absorptionsnittels erforderlich, bei höhersiedenden Absorbentien ,ind also höhe Temperaturen erforderlich. So enthält Daraffinöl, wenn man beispielsweise ein gewichts-,deiches Gemisch von Paräffinöl und SiCl4 auf ZOO0C erhitzt, immer noch 2 bis 3 Gewichtsprozent SiCl4. Um nun praktisch eine vollständige SiCl4-Freiieit des Öles zu erreichen, müßte man Temperaturen on wenigstens 300° C anwenden. Derartig hohe Temperaturen über 2000C sind jedoch für alle hier geiannten organischen Flüssigkeiten von Nachteil. Außerdem würde das Verfahren von der Energieseite ier zu sehr belastet werden.
Die flüssigen Gemische aus diesen organischen Flüssigkeiten und Chlorsilänen können daher an sich durch einfaches Erhitzen praktisch wieder vollständig η ihre Bestandteile zerlegt werden. Hierzu ist jedoch ein Erhitzen auf Siedetemperatur des Absorptionsnittels erforderlich, bei höhersiedenden Absorbentien ,ind also höhe Temperaturen erforderlich. So enthält Daraffinöl, wenn man beispielsweise ein gewichts-,deiches Gemisch von Paräffinöl und SiCl4 auf ZOO0C erhitzt, immer noch 2 bis 3 Gewichtsprozent SiCl4. Um nun praktisch eine vollständige SiCl4-Freiieit des Öles zu erreichen, müßte man Temperaturen on wenigstens 300° C anwenden. Derartig hohe Temperaturen über 2000C sind jedoch für alle hier geiannten organischen Flüssigkeiten von Nachteil. Außerdem würde das Verfahren von der Energieseite ier zu sehr belastet werden.
Es wurde nun weiterhin gefunden, daß eine völlige >der gezielte teilweise Trennung der organischen
7lüssigkeiten von den Chlorsilanen auch bei wesent- :ch tieferen Temperaturen erreicht werden kann,
venn man die Temperaturbehandlung mit einer Inertgasspülung derart kombiniert, daß man entweder
während der Temperaturbehandlung oder auch nachfolgend einen Inertgasstrom über oder in das zu
trennende Gemisch leitet, wobei im Bereich höherer Temperaturen geringere und bei tieferen Temperaturen
größere Mengen Inertgas erforderlich sind. .: ,.
Zweckmäßigerweise lassen sich solche Inertgase zur
Spülung einsetzen, wie sie bereits in dem Reaktionsgemisch vorhanden sind, nämlich Wasserstoff und/oder
Kohlenmonoxid ;und/oder Kohlendioxid. Dadurch
ergibt sich die Möglichkeit zur Rückführung der zu
Spülung benutzten und mit Chlorsilanen beladenen
Inertgase in den Waschprozeß. , , , .
Durch Anlage eines Vakuums kann das Austreiben
des gelösten Chlorsilans erheblich gefördert werden,
indem man dann mit tieferen Temperaturen auskommt. Aufbauend auf diesen vorgenannten Erkenntnissen
gliedert. - sich das erfindungsgemäße Verfahren in
folgende Verfahrensschritte:. ■ ..■· .....·
A) Absorption der Chlorsilane im Absorptionsmittel ._.. durch Gegenstromführung der Chlorierungsgase
und des Absorptionsmittels in einem mit Füll- ; körpern beschickten Turm; Speicherung der den
Turm oben .verlassenden chlorsilanfreien Gase.
B) Desorption der Chlorsilane in einer geeigneten
Vorrichtung, durch Erhitzung des chlorsilanhältigen Absorptiohsmittels, Kondensation und Speicherung
der Chlorsilane. / :
C) Weitere oder völlige Desorption der Chlorsilane in der gleichen oder einer anderen Vorrichtung
. bei gleicher oder, einer, anderen Temperatur durch
Spülung rnjt einem von Chlorsilanen freien oder , weitgehend, von diesen freien Teilgasstroni aus
.. VerfahrensstüfeI A'. '.'·..'" ·' * ' "' ' ' p'rv\
D) Rückführung sowohl der chlorsilanhaltigen. Spül-.
gase als auch des chlorsilanfreien oder weitgehend freien Absorptionsmittels aus Verfahrensstufe C)
in den Absorptionsturm der Stufe A).
Es ist möglich, diesen Absorptions-Desorptions-Zyklus so auszuführen, daß die Chlorsilane nicht vollständig,
sondern zum überwiegenden oder auch nur geringen Teil von den übrigen Chlorierungsgasen abgetrennt
werden. Das kann dadurch geschehen, daß man die Menge an Absorptionsflüssigkeit im Waschturm
so abstimmt, daß die den Turm über Kopf verlassenden Chlorierungsgase einen genau bestimmten
Gehalt an Chlorsilanen aufweisen. Es kann ferner auch dadurch geschehen, daß man bei den Verfahrensstufen
B) und C)' nur bis zu einem bestimmten Chlorsilangehalt desorbiert und das noch chlorsilanhaltige
Absorptionsmittel als Waschflüssigkeit auf den Absorptionsturm der Stufe A) zurückführt, wobei der
restliche und definierte Chlorsilangehalt mit den im Turm aufsteigenden Chlorierungsreaktionsgasen abgetrieben
wird. Die Gase, welche nunmehr einen gewünschten Gehalt an Chlorsilanen aufweisen, können
anschließend entweder in Gasometern, sofern der Taupunkt tief genug liegt, gespeichert oder auch direkt
dem Prozeß der Flammenhydrolyse zur Herstellung hochdisperser Kieselsäuren zugeführt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich auch vorteilhaft für die Trennung von Chlorierungsgasen,
die nur geringe Mengen Chlorsilane enthalten, beispielsweise Gasgemische aus SiCl4 und H2 im Molverhältnis
1:10 bis 1:50, einsetzen. Es ist auch in diesem Falle möglich, den Chlorsilananteil praktisch
vollständig abzutrennen.
Die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird an Hand folgender Beispiele weiter erläutert.
Ein Gasgemisch, enthaltend 1 m3 Wasserstoff,
0,45 m3 gasförmiges SiCl4 (das sind etwa 3,2 kg SiCl4)
und 0,05 m3 SiHCl3 (das sind etwa 0,25 kg SiHCl3)
wird in einer Absorptionssäule (230 cm lang und 40 mm .0 im Verlauf von 10 Stunden mit 3,5 kg
Paraffinöl im Gegenstrom geführt. Die ablaufende Mischung (etwa 7 kg) hat einen SiCl4ZSiHCl3-GeIIaIt
von etwa 50 Gewichtsprozent, während der die Säule über Kopf verlassende Wasserstoff praktisch frei von
SiCl4 und SiHCl3 ist.
Die abgelaufene Mischung (7 kg) wird auf 180° C
erhitzt, wobei der weitaus größte Teil des in der Mischung enthaltenen SiCl4 und SiHCl3 verdampft und
so durch nachfolgende Kondensation in reiner Form gewonnen werden kann.
Es bleiben 3,7 kg einer Mischung zurück, die noch 0,2 kg SiCl4 enthält, das sind 5,5 Gewichtsprozent.
Zur restlosen Entfernung des SiCI4-Äriteils begast man
die Mischung mit 100 1 vom Kopf des Absorptionssäule abgezweigtem, reinen Wasserstoff. Nach der
Spülung mit Wasserstoff bleibt ein praktisch SiCl4- und
SiHCl-freies Paraffinöl zurück, während der mit SiCl4-beladene Wasserstoff wieder der Absorptionssäule zugeführt wird. Das Paraffinöl wird in den
Absorptionskreislauf zurückgeführt.
Ein Gasgemisch, das aus Kohlenmonoxid und gasförmigem Siliziumtetrachlorid besteht (Molverhältnis
CO zu SiCl4 = 2,85:1) wird durch eine Absorptionssäule von 230 cm Länge und 4 cm 0 geleitet, wobei
dem Gasstrom n-Oktylsilikat über Raschigringe entgegenfließt. Während des Durchsatzes von insgesamt
2,3 m3 Gasmischung (1,7 m3 CO und 0,6 m3 gasf. SiCl4, das entspricht 4,46 kg SiCl4) in 12 Stunden
durch die Säule, werden 16,05 kg n-Oktylsilikat zur Absorption eingesetzt. Das SiCl4-freie Kohlenmonoxid
verläßt die Säule über Kopf, während das niedergewaschene SiCl4 in Mischung mit n-Oktylsilikat unten
abfließt.
ίο Die abgelaufene Mischung (20,51 kg) mit einem
SiCl4-Gehalt von 21,74% wird in einer Destillierblase
auf 200° C erhitzt, wobei ein großer Teil des gelösten Siliziumtetrachlorides in reiner Form über eine
Rektifiziersäule abdestilliert und in einem Kühler kondensiert, während n-Oktylsilikat mit einem Gehalt
von 6,1 % SiCl4 (das entspricht 1,05 kg SiCl4) in der
Blase zurückbleibt.
Zur restlosen Austreibung des SiCl4 leitet man mit
Hilfe einer Gasdusche 0,15 m3 Kohlenmonoxid durch das 200° C heiße n-Oktylsilikat. Das SiCl4-freie
n-Oktylsilikat und das CO/SiCl4-Gasgemisch führt
man in den Absorptionskreislauf zurück.
1,18 m3 eines Gasgemisches aus CO2 und SiCl4 der
molaren Zusammensetzung CO2 zu SiCl4 = 2,58:1
wird in der in Beispiel 2 beschriebenen Weise mit 21,4 kg Trikresylphosphat getrennt. Man erhält 23,9 kg
Mischung Trikresylphosphat/SiCl4 mit 2,5 kg SiCl4
und praktisch SiCl4-freies CO2.
Das flüssige Gemisch mit 10,5 % SiCl4 wird sodann
auf 150° C erhitzt, dabei destillieren 1,95 kg SiCl4 ab.
Die verbleibende Mischung enthält noch 2,5% SiCl4, entsprechend 0,55 kg, die bei gleicher Temperatur mit
0,20 m3 CO2 ausgetrieben und in den Absorptionskreislauf zurückgeführt werden.
Claims (7)
1. Verfahren zur Abtrennung von Chlorsilanen hochdispersem Siliziumdioxid durch Flammenhydroaus
den bei der Chlorierung oder Hydrochlorierung 5 lyse Verwendung finden. Bei der Herstellung von hochvon
Silizium und Silizium enthaltenden Ausgangs- dispersem Siliziumdioxid werden aber allgemein
materialien anfallenden Reaktionsgemischen aus Chlorsilan/H2-Gemische anderer molarer Zusammen-Chlorsilanen
und Kohlenmonoxid und/oder Koh- Setzung benötigt, z. B. SiCl4/H2 wie 1:2 bis 1:3, so daß
lendioxid oder Wasserstoff, durch Absorption in eine Erhöhung des Wasserstoffgehaltes bzw. eine
flüssigen Medien und anschließendes Austreiben io Erniedrigung des Chlorsilan-Gehaltes in den Reakder
ChlorsHane aus dem Absorptionsmittel, da- tionsgasgemischen unumgänglich ist. Die Erhöhung
durch gekennzeichnet, daß das Gasgemisch des Wasserstoffanteils durch Zuführung reinen Wasbei
Temperaturen unterhalb des Siedepunktes des serstoffs zum genannten Gasgemisch setzt aber voraus,
unbegrenzt mit Chlorsilanen mischbaren Absorp- daß dieser im erforderlichen Umfang von außen außertionsmittels
in einem mit demselben beschickten' 15 halb des Chlorierungsprozesses zur Verfugung gestellt
Absorptionsraum im Gegenstrom eingeleitet wird, wird.
dann das Chlorsilan vom Absorptionsmittel durch Hinzu kommt, daß die leistungsmäßige Abstimmung
Erhitzen auf eine Temperatur, welche zwischen der einer technischen Chlorierungsanlage mit einer Anlage
Siedetemperatur des Chlorsilans und der des Ab- zur Herstellung von Siliziumdioxid ohne Zwischensorptionsmittels
liegtj in einer Aushebvorrichtung 20 speicherung der Chlorierungsprodukte praktisch ausabgetrennt wird...:.:.:: T:: geschlossen ist. Eine Zwischenspeicherung des bei dem
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- genannten Chlorierungsprozeß anfallenden Gäsgezeichnet,
daß die Austreibung der Chlorsilane aus misches, beispielsweise in Gasometern, scheidet aber
dem Absorptionsmittel mit einer Inertgasspülung aus, denn dieses Gemisch besitzt einen Taupunkt von
derartig kombiniert wird, daß ein Inertgasstrom 25 etwa 26°C, d. h., unterhalb dieser Temperatur-verentweder
während der Temperaturbehandlung oder ändert sich die Gaszusammensetzung infolge Teilauch
hieran anschließend über oder in das zu kondensation von Chlorsilan, wobei das auskondentrennende
Gemisch geleitet wird. ' sierte Chlorsilan zu weiteren Schwierigkeiten, bei-
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und. 2, spielsweise bei der pneumatischen Sperrung des
dadurch gekennzeichnet, daß als Inertgasstrom die 30 Gasometers, Anlaß geben kann.
aus dem Absorptionsraum austretenden, vom Es ergibt sich also die Notwendigkeit einer teilweisen
Chlorsilan befreiten Gase verwendet werden. oder quantitativen Abtrennung der Chlorsilane aus den
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3,-da- genannten Reaktionsgasen.
durch gekennzeichnet, daß der mit dem Chlorsilan Die teilweise* Kondensation der Chlorsilane zur
beladene Inertgasstrom und das Absorptionsmittel 35 gezielten Einstellung eines bestimmten Chlorsilan/H2-
im Kreislauf wieder eingesetzt werden, Molverhältnisses durch Abkühlung der Gase kommt
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- nicht in Betracht, denn bei 26° C scheidet sich gerade
durch gekennzeichnet, daß als Absorptionsmittel noch kein Chlorsilan, bei 150C aber bereits etwa 50%
ein Kohlenwasserstoff oder Chlorkohlenwasser- der in Gasphase vorhandenen Chlorsilane aus, so daß
stoff, insbesondere Paraffin oder ein Chlorparaffin, 4° schon eine geringfügige, nicht beherrschbare Tempeverwendet
werden. ^ . :. N raturänderung zu starken Schwankungen des Chlor-
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- silan/H2-Verhältnisses führen würde. Eine völlige
durch gekennzeichnet, daß als Absorptionsmittel Abtrennung der Chlorsilane durch Tiefkühlung ist
ein Kieselsäureester, z." B. Oktylsilikat oder wegen den anzuwendenden sehr tiefen Temperaturen,
Aethylsilikat, verwendet wird. 45 etwa —500C und tiefer, wirtschaftlich nicht zu er-
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- reichen, da beispielsweise der Dampfdruck selbst des
durch gekennzeichnet, daß als Absorptionsmittel SiCl4 bei —20°C immer noch 25 Torr beträgt, so daß
ein Phosphorsäureester, insbesondere Trikresyl- auch dann noch erhebliche Mengen Chlorsilane in der
phosphat, verwendet wird.■ ·■',■ ::'- ,1 ■■>.■·;■■,/-■■ Gasphase verbleiben. .;>
.·.:■
. :. , ,; . , . (. , j.i",<
50 . Der Erfindung lag daher die Aufgabenstellung zugrunde, ein Verfahren zur Abtrennung von Chlor-
' ...... : silanen aus den bei der Chlorierung von Silizium und
Silizium enthaltenden Stoffen anfallenden (gasförrrii-...
,- ■·;.-... .·■ : gen) Reaktionsgemischen; bestehend aus Chlorsilanen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abtrennung 55 und Kohlenmonoxid und/oder Kohlendioxid oder
von Chlorsilanen aus gasförmigen Reaktionsgemischen, Wasserstoff, durch Absorption in flüssigen Medien
bestehend aus Chlorsilanen und/oder Kohlendioxyd anzugeben, welches sowohl eine völlige Abtrennung
und/oder Kohlenmonoxid oder Wasserstoff, wie sie der Chlorsilane aus den gasförmigen Reaktionsprobei
der Chlorierung oder Hydrochlorierung von SiIi- dukten als auch eine teilweise und gezielte Abtrennung
zium, Siliziumlegierungen und Silizium enthaltenden. 60 zur Erreichung eines definierten Chlorsilan/Wasser-Verbindungen,
wie Suiziden und (bei Zusatz eines stoff-Verhältnisses ermöglicht.
Reduktionsmittels) Kieselsäuren, anfallen durch Ab- Das Kennzeichnende der Erfindung ist darin zu
sorption in flüssigen Medien. sehen, daß das Gasgemisch aus Chlorsilanen und
Bei der Chlorierung von metallischem Silizium, Kohlendioxid und/oder Kohlenmonoxid oder Wasserbeispielsweise
von Suiziden mit Chlorwasserstoff, 65 stoff in einem Absorptionsraum im Gegenstrom zum
entstehen nach den Gleichungen unbegrenzt mit Chlorsilanen mischbaren Absorptions-
(Me)Si + 4 HCl->- SiCl4 + 2 H2 mittel bei Temperaturen unterhalb des Siedepunktes
(Me)Si + 3 HCl^-SiHCl3 + H2 des letzteren geführt und dann das Chlorsilan durch
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DED0051691 | 1966-12-02 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1567468A1 DE1567468A1 (de) | 1970-08-06 |
DE1567468B2 DE1567468B2 (de) | 1973-04-26 |
DE1567468C3 true DE1567468C3 (de) | 1973-11-22 |
Family
ID=7053578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1567468A Expired DE1567468C3 (de) | 1966-12-02 | 1966-12-02 | Verfahren zur Abtrennung von Chlor silanen aus gasförmigen Reaktionspro dukten |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3500613A (de) |
DE (1) | DE1567468C3 (de) |
GB (1) | GB1139497A (de) |
NO (1) | NO121268B (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3139705C2 (de) * | 1981-10-06 | 1983-11-10 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Aufarbeitung der bei der Siliciumabscheidung und der Siliciumtetrachlorid-Konvertierung anfallenden Restgase |
-
1966
- 1966-12-02 DE DE1567468A patent/DE1567468C3/de not_active Expired
-
1967
- 1967-12-01 US US687095A patent/US3500613A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-01 GB GB54898/67A patent/GB1139497A/en not_active Expired
- 1967-12-01 NO NO170787A patent/NO121268B/no unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3500613A (en) | 1970-03-17 |
DE1567468B2 (de) | 1973-04-26 |
GB1139497A (en) | 1969-01-08 |
DE1567468A1 (de) | 1970-08-06 |
NO121268B (de) | 1971-02-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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