DE1564864C2 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum des Gebildes her angebracht werden, die dem Träger

Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei welchem abgewandt ist.

mehrere Zonen mit p- bzw. n-I.eitung an einer Die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung Fläche des Halbleiterkörpers so gebildet werden, daß hergestellten Halbleiteranordnungen haben die Form wenigstens ein dazwischenliegender pn-übergang an 5 von einzelnen, voneinander durch Luft getrennten dieser Fläche endet, auf dieser Fläche ein Isolier- Halbleiterinseln, die auf dem bleibenden Träger material gebildet wird, in dem wenigstens eine Öff- sitzen, wobei die pn-Übergänge wenigstens zum Teil nung enthalten ist, durch welche die von dem an der dem Träger zugewandten Auflagefläche enden pn-übergang umschlossene Zone frei liegt, und und das Isoliermaterial und das die ohmschen Konleitendes Material auf das Isoliermaterial so auf- io takte zu den umschlossenen Zonen herstellende gebracht wird, daß ein ohmscher Kontakt zu dieser leitende Material zwischen dieser Auflagefläche und Zone hergestellt wird, wobei sich das leitende dem bleibenden Träger liegen. Es bestehen dabei Material über den pn-übergang bzw. die pn- keine Einschränkungen hinsichtlich der Art und der Übergänge erstreckt und über dem Halbleiterkörper Anordnung der elektrischen Verbindungen, die ohne liegt. 15 weiteres auch in mehreren, voneinander isolierten

Bei Halbleiteranordnungen dieser Art besteht das Schichten angeordnet sein können. Die in den einProblem der gegenseitigen Isolierung der einzelnen zelnen Halbleiterpyramiden gebildeten Schaltungs-Schaltungselemente. In den meisten Fällen werden elemente sind voneinander durch Luft isoliert, so zu diesem Zweck im Halbleiterkörper entsprechend daß vor allem die Streukapazitäten gering sind; vorgespannte pn-Übergänge vorgesehen. Diese 20 außerdem ist ihre Rückseite zur Anbringung weiterer Lösung ist jedoch insbesondere bei hohen Frequen- Kontakte gut zugänglich. Die mechanische Festigkeit zen wegen der beträchtlichen kapazitiven Kopplung der ganzen Anordnung ist durch den bleibenden mit Nachteilen verbunden. Außerdem bestehen Ein- Träger bestimmt und kann beliebig groß gemacht schränkungen hinsichtlich der freien Wahl der werden.

anzulegenden Spannungen und hinsichtlich der 25 Ein weiterer Vorteil dieser Ausbildung besteht

anwendbaren Störstoffkonzentrationen. darin, daß die Größe der Zonen der Schaltungs-

In der USA.-Patentschrift 3 158 788 ist eine Halb- elemente nicht mehr durch das Problem des mecha-

leiteranordnung beschrieben, bei welcher zur gegen- nischen Zusammenhalts beeinflußt ist.

seitigen Isolierung der in einem Halbleiterkörper Bei den üblichen integrierten Halbleiteranordnun-

gebildeten Schaltungselemente Halbleitermaterial ent- 30 gen werden Transistoren beispielsweise so hergestellt,

fernt wird und die entstehenden Zwischenräume mit daß die Kollektorfläche in Kontakt mit einem HaIb-

einem Isoliermaterial gefüllt werden, so daß wieder leitersubstrat steht. Daher sind bei einem planar

ein kompakter Block entsteht. Dabei müssen die diffundierten Transistor die Basis- und Emitterzonen

Eigenschaften des Isoliermaterials, insbesondere der zwar verhältnismäßig klein, aber in eine verhältnis-

Wärmeausdehnungskoeffizient, auf die Eigenschaften 35 mäßig dicke Kollektorzone von großer Fläche ein-

des Halbleitermaterials abgestimmt sein. gebettet. Da der Querschnitt der Kollektorzone groß

Bei der in der belgischen Patentschrift 657 023 ist, besteht eine große Streukapazität zwischen dem beschriebenen Halbleiteranordnung wird gleichfalls Kollektor und dem Gehäuse des Bauelements. Eine Halbleitermaterial zur gegenseitigen Isolierung der solche Kapazität ist beim Hochfrequenzbetrieb ge-Schaltungselemente entfernt; die Schaltungselemente 40 wohnlich unerwünscht. Ferner kann die Halbleiterbleiben dann nur noch durch die metallischen Ver- anordnung nicht beliebig klein gebaut werden, weil bindungsleiter mechanisch miteinander verbunden, die Kollektorzone stets größer als derjenige Teil des so daß eine Luftisolation zwischen den Schaltungs- Kollektors ist, der für die Transistorwirkung auselementen besteht. Die Verbindungsleiter müssen zu genutzt wird. Diese Einschränkungen gelten nicht diesem Zweck mindestens an den Überbrückungs- 45 nur für Transistoren, sondern auch für andere Halbstellen sehr dick und kräftig ausgeführt sein, und leitervorrichtungen, wie Kondensatoren, Dioden, dennoch ist die mechanische Festigkeit des erhal- Feldeffekttransistoren u. dgl.

tenen Gebildes gering. Außerdem bestehen Ein- Demgegenüber ermöglicht das Verfahren gemäß

schränkungen hinsichtlich der Art und Lage der der Erfindung die Herstellung von Halbleiteranord-

möglichen Verbindungen. 5° nungen, deren Transistoren einen verringerten

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Kollektorquerschnitt und damit eine niedrigere Verfahrens der eingangs angegebenen Art, mit Streukapazität haben. Ganz allgemein sind der welchem Halbleiteranordnungen hergestellt werden Querschnitt und die Streukapazität der aktiven Zone können, die alle Vorteile der Luftisolierung zwischen bei den nach der Erfindung hergestellten Halbleiterden Schaltungselementen aufweisen und dennoch 55 anordnungen verringert,
eine große mechanische Festigkeit haben. Die Erfindung wird im folgenden an Hand der

Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht, Zeichnung beschrieben. Darin zeigt

daß ein bleibender Träger an der Seite des Gebildes F i g. 1 eine Schnittansicht einer herkömmlichen

angebracht wird, an der sich das Isoliermaterial und Halbleiteranordnung, in der durch Diffusion zwei

das leitende Material auf die dem Träger abgewandte ^6o Transistoren gebildet sind,

Seite aufgebracht und mit Ausnahme der Stellen, die F i g. 2 eine Schnittansicht einer nach der Erfinsich über dem pn-übergang bzw. den pn-Über- dung hergestellten Halbleiteranordnung entsprechend gangen befinden, entfernt wird, daß das Halbleiter- derjenigen von F i g. 1 im halbfertigen Zustand,
material von dem Teil des Halbleiterkörpers entfernt Fig. 3 die nach der Erfindung hergestellte Halbwird, über den sich das zuletzt aufgebrachte leitende 65 leiteranordnung im fertigen Zustand,
Material nicht erstreckt, und daß Anschlußleiter Fig. 4a das Schaltbild einer Schaltung, die als ohmisch an dem sich über den bzw. die pn-Über- integrierte Schaltungsanordnung nach der Erfindung gänge erstreckenden leitenden Material von der Seite herstellbar ist,

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Fig. 4b eine Oberansicht eines diffundierten monolithischen Aufbau. Wie zu erkennen ist, sind

Transistors, der für die Schaltung von F i g. 4 a die beiden Kollektorzonen 3 und 9 verhältnismäßig

verwendbar ist, großflächig und unmittelbar miteinander verbunden.

F i g. 4 c eine Oberansicht eines diffundierten In F i g. 2 und 3 ist dargestellt, wie eine Halbleiter-Widerstands, der bei der Schaltung von Fig. 4a 5 anordnung mit zwei durch Diffusion in einem Halbverwendbar ist, leiterplättchen gebildeten Transistoren nach dem vor-

F i g. 5 eine integrierte Schaltungsanordnung, liegenden Verfahren hergestellt werden kann. Die

welche dem Schaltbild von F i g. 4 a entspricht, Beschränkung auf zwei Transistoren soll nur der

Fig. 6 eine Schnittansicht eines Halbleiterplätt- Vereinfachung der Beschreibung dienen. Auch ist es

chens mit einer durch Dampfätzung und erneutes io nur als Beispiel anzusehen, daß ein Halbleiterplätt-

Einbringen von dotiertem Halbleitermaterial darin chen aus Silizium verwendet wird, in das npn-

angebrachten Halbleiterzone, Siliziumtransistoren eindiffundiert werden.

F i g. 7 eine Schnittansicht des Plättchens von Andererseits könnte auch ein einziges Halbleiter-

Fig. 6 mit in die Halbleiterzone eindiffundierten schaltungselement, beispielsweise ein Transistor, auf

Basis- und Emitterzonen, 15 diese Weise gebildet werden, indem nur ein einziger

Fig. 8 eine Schnittansicht der Anordnung von Transistor in das Plättchen eindiffundiert wird. Das

Fig. 7 nach der Anbringung auf einer isolierenden Plättchen kann aus η-leitendem oder p-leitendem

Unterlage, Silizium, Germanium oder irgendeinem anderen

Fig. 9 eine Schnittansicht einer fertigen Halb- verfügbaren Halbleitermaterial bestehen, und die

leiteranordnung, die aus der Anordnung von F i g. 8 20 Zahl der Transistoren ist völlig beliebig. Es ist auch

gefertigt ist, jede Kombination von npn-Schaltungselementen und

F i g. 10 eine perspektivische Ansicht der Anord- pnp-Schaltungselementen möglich. Die Schaltungs-

nung von F i g. 9, anordnung könnte auch Widerstände (wie in F i g. 4 a

Fig. 11 das Schaltbild einer einfachen Schaltung, bis 4c dargestellt) und Kondensatoren (nicht darge-

die ebenfalls leicht als integrierte Halbleiterschal- 25 stellt) enthalten, wobei alle diese Schaltungselemente

tungsanordnung nach der Erfindung herstellbar ist, entsprechend der nachfolgenden Beschreibung her-

und gestellt werden können.

F i g. 12 eine perspektivische Ansicht einer nach Zur Durchführung des vorliegenden Verfahrens

der Erfindung hergestellten integrierten Schaltungs- wird zunächst eine herkömmliche Halbleiteranord-

anordnung, die dem Schaltbild von Fig. 11 ent- 30 nung der in Fig. 1 gezeigten Art hergestellt. Wie in

spricht. F i g. 2 dargestellt ist, wird die Anordnung von

F i g. 1 zeigt ein Halbleiterplättchen 1 aus einer F i g. 1 umgekehrt und unter Verwendung eines schwach dotierten epitaktischen Siliziumschicht mit (nicht dargestellten) isolierenden Klebstoffs, wie η-Leitung auf einer Siliziumunterlage mit η+-Lei- Zement, Glas oder Epoxydharz, auf einer Keramiktung. In der η-leitenden Schicht sind durch die 35 unterlage 12 befestigt, so daß die eine Fläche der üblichen planaren Diffusionsverfahren unter An- Vorrichtung an dieser Unterlage haftet. Wahlweise Wendung von herkömmlichen Photoätzschutzmitteln wäre es auch möglich, das Isoliermaterial 12 auf das und Siliziumoxidmasken zwei npn-Transistoren 2 Siliziumplättchen aufzutragen, beispielsweise durch und 8 gebildet. Der Transistor 2 besteht aus einem Aufbringen einer dicken Quarzschicht. Die entgegenKollektor 3, einer diffundierten Basis 4 und einem 40 gesetzte Fläche wird dann gleichmäßig bis auf eine diffundierten Emitter 5, und der Transistor 8 besteht Dicke von etwa 25 μηι abgeschliffen oder abgeätzt, aus einem Kollektor 9, einer Basis 10 und einem wobei ein Teil des Materials mit n+-Leitung entEmitter 11. Als Abänderung gegenüber dem darge- fernt wird, damit das spätere stellenweise Ätzen verstellten doppeltdiffundierten epitaktischen Kollektor einfacht wird. Dann wird Gold oder Gold über könnte an Stelle der epitaktischen Schicht mit n- oder 45 Molybdän auf die Oberseite aufgedampft und stellenn+-Leitung auch eine eigenleitende oder p-leitende weise wieder entfernt, mit Ausnahme der Stellen, die Schicht verwendet werden, in welcher ein npn-Schal- später die Mesaoberseiten darstellen, so daß GoIdtungselement durch Dreifachdiffusion gebildet wird. kontakte 27 und 28 zurückbleiben. Die freiliegende Bei diesem Verfahren wird eine eigenleitende oder Seite wird dann stellenweise nach dem Lichtdruckp-leitende Unterlage verwendet, damit durch 5° verfahren so maskiert, daß Stellen 13 und 14 aus entpn-Übergänge oder das eigenleitende Material eine wickeltem Photoätzschutzmaterial übrigbleiben, die Isolierung zwischen den Bauelementen erhalten wird. als Masken bei dem nachfolgenden Ätzvorgang die-Wenn für das Plättchen 1 Silizium mit n- oder nen. Natürlich könnte der Maskierungsvorgang auch η+-Leitung verwendet wird, bildet das Plättchen vor dem Anbringen der Vorrichtung auf der Unterden Kollektor, so daß nur eine Basisdiffusion und 55 lage vorgenommen werden. Dann wird ein selektiveine Emitterdiffusion notwendig sind. Nach der wirkendes Ätzmittel, beispielsweise die in »Ätzpraxis Basisdiffusion und der Emitterdiffusion werden ein für Halbleiter«, München, (1967), S. 68, herausgemetallisierter Basiskontakt 7 und ein metallisierter geben von A. F. B ο gen se hut z, beschriebene Ätz-Emitterkontakt 29 an dem Transistor 2 sowie ein lösung CP-8 (2 Volumenanteile konz. Salpetersäure, metallisierter Emitterkontakt 30 und ein metallisier- 60 1 Volumenanteil Eisessig, 1 Volumenanteil Flußsäure ter Basiskontakt 31 an dem Transistor 8 angebracht. (48 °/oig) auf die maskierte Fläche aufgetragen, damit Diese Kontakte werden durch Aufdampfen, Aufsprit- das Halbleitermaterial an den Stellen 15, 16 und 17 zen od. dgl. hergestellt. Die Siliziumoxidmaske 6 bil- sowie Teile der Oxidschicht 6 (die bei 18, 19 und 20 det ein übliches Mittel zum stellenweisen Aufbringen gezeigt sind) entfernt werden und blanke Abschnitte der metallisierten Kontakte auf die Emitter- und 65 der metallisierten Kontaktzonen 7, 29, 30 und 31 Basiszonen der beiden Transistoren. freigelegt werden.

Die in Fig. 1 gezeigte Halbleiteranordnung ist Wie in Fig. 3 zu erkennen ist, sind nun die beiden

als solche verwendbar und entspricht dem üblichen durch die Ätzung nicht entfernten Teile des Halb-

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leiterplättchens mesaförmig, wobei sich die Kollek- gen, beispielsweise durch eine Perlenverbindung. Die torkontakte 27 und 28 auf der Oberseite befinden. Unterlage 12, die aus irgendeinem der Materialien An diesen Kontakten werden dann Kollektordrähte bestehen kann, die in Zusammenhang mit der Unter-22 und 25 angebracht, beispielsweise durch eine lage 12 von F i g. 2 erwähnt worden sind, kann auf Perlenverbindung. In- gleicher Weise werden die 5 einem (nicht dargestellten) Sockel befestigt werden, Emitter- und Basisdrähte 23 und 21 an dem einen damit schließlich eine eingekapselte Anordnung erTransistor 2 und die Emitter- und'Basis-Drähte 24 halten wird.

und 26 an dem anderen Transistor 8 angebracht, so Die Anordnung von F i g. 4 a und 5 ist natürlich

daß eine Anordnung erhalten wird, die zwei Tran- nur ein Beispiel für die zahlreichen Schaltungsanord-

sistoren mit allen erforderlichen Anschlußdrähten io nungen, die als integrierte Schaltungen auf diese

enthält, einen festen mechanischen Aufbau hat und Weise hergestellt werden können,

eine Luftisolation zwischen den Transistoren auf- Gemäß einer Weiterbildung des beschriebenen

weist. Verfahrens werden eine oder mehrere »Inseln« aus

Fig. 4b zeigt eine Unteransicht eines Transistors Halbleitermaterial hoher Leitfähigkeit zwischen den 42 und Fig.4c eine Unteransicht eines Widerstands x5 metallisierten Kontakten so angeordnet, daß sie 38, die Teile einer in Fig.4a dargestellten Schal- in inniger Verbindung mit den aktiven Halbleitertung sind, deren konstruktiver Aufbau in F i g. 5 dar- zonen eines bestimmten Schaltungselements und den gestellt ist. Die Unteransichten von Fig. 4b und 4c Metallbelägen stehen, an denen Anschlußdrähte anlassen die Bodenseite der in F i g. 5 perspektivisch gebracht werden können. Zur Erläuterung dieser dargestellten pyramidenförmigen Gebilde erkennen, zo Maßnahme ist in F i g. 6 ein Halbleiterplättchen 101 Der in Fig.4b dargestellte Transistor42 enthält dargestellt, das beispielsweise aus sehr stark dotiereine Kollektorzone48, die in einer eigenleitenden tem η-leitendem Silizium (üblicherweise als η+-Lei-Zone 47 geformt ist, eine Basiszone 49 und eine tung bezeichnet) besteht, das eine Oxidschicht 102 Emitterzone 53. An diesen Zonen sind metallisierte aufweist. Durch herkömmliche selektive Maskierungs-Kontakte angebracht, nämlich der Kollektorkontakt 25 und Ätzverfahren wird ein Abschnitt der Schicht 102 52, der Basiskontakt 50 und der Emitterkontakt 51. entfernt und dann wird in einem Gebiet des Plätt-Das kleine Rechteck 54 stellt ein Gebiet dar, in wel- chens 101 durch Dampf ätzung ein nicht dargestellter chem das (nicht dargestellte) Siliziumoxid entfernt Hohlraum gebildet. Nach der Dampfätzung wird der ist, so daß durch die entstehende Öffnung hindurch Hohlraum mit einem schwächer dotierten n-Silizium der metallisierte Kontakt eine elektrische Verbindung 30 103 durch ein übliches Wiederauf bringungsverf ahren zu der Halbleiterzone herstellt. Der in Fig. 4c dar- ausgefüllt.

gestellte Widerstand 38 besteht aus einer Zone 46 F i g. 7 zeigt, wie in der dadurch gebildeten Kolaus Halbleitermaterial mit p- oder η-Leitung, die in lektorzone 103 ein Transistor geformt wird, der eine dem eigenleitenden Material 54 gebildet ist. An den übliche diffundierte Basiszone 104 und eine übliche beiden Schmalseiten der Zone 46 sind metallisierte 35 Emitterzone 105 aufweist. Die beiden diffundierten Kontakte 36 und 37 durch die in dem (nicht darge- Zonen werden durch die in der Halbleitertechnik allstellten) Siliziumoxid vorgesehenen Öffnungen 45 gemein bekannten Photomaskierungs- und Diffusionsangebracht. verfahren erhalten. Dann werden metallisierte Kon-

Eine einfache Schaltung gemäß der Darstellung takte 106 und 107 durch ein übliches Aufdampfver-

von F i g. 4 a, die aus zwei Transistoren und zwei 40 fahren an der Emitterzone 105 bzw. der Basiszone

Widerständen besteht, wird entsprechend der Dar- 104 angebracht. Die Kontaktschicht 107 ragt auch so

stellung von F i g. 5 in einem Halbleiterplättchen in durch die Oxidschicht 102, daß sie einen Kontakt

ähnlicher Weise gebildet wie die Schaltung von F ig. 1 108 mit der Zone 101 mit n+-Leitung bildet, und

bis 3 mit den beiden Transistoren, mit dem Unter- die Kontaktschicht 106 ragt durch die Oxidschicht

schied, daß die Herstellung der Widerstände 38 und 45 102, so daß ein Kontakt 109 mit der Zone 101 mit

41 normalerweise nur einen einzigen Diffusionsvor- n+-Leitung entsteht.

gang erfordert und die Widerstände keine gleich- Die in F i g. 7 dargestellte Anordnung enthält nur richtenden Übergänge enthalten. Natürlich könnte einen durch Diffusion in einem Halbleiterplättchen rings um jeden Widerstand durch Diffusion ein Ge- gebildeten Transistor, doch stellt dies nur ein einbiet gebildet werden, das den entgegengesetzten Lei- 50 faches Beispiel dar, um die in Fig. H und 12 weiter tungstyp wie die Widerstände hat, wie dies bei den unten erläuterten wesentlichen Maßnahmen besser üblichen Diffusionsverfahren zur Herstellung von hervorzuheben. Auch ist das Verfahren nicht darauf Widerständen mit pn-Übergangsisolation erfolgt, beschränkt, daß ein Halbleiterplättchen aus Silizium doch ist dies bei der dargestellten Ausführungsform verwendet wird, in dem ein npn-Siliziumtransistor der Erfindung nicht erforderlich. Die Schaltung von 55 durch Diffusion gebildet wird. Das Plättchen könnte F i g. 4 a ist bewußt einfach gewählt, damit klarer zu aus Silizium oder Germanium mit n- oder p-Leitung erkennen ist, wie eine betriebsfähige Schaltung her- oder aus irgendeinem anderen verfügbaren Halbgestellt werden kann. F i g. 5 zeigt die Widerstände leitermaterial bestehen, und es kann eine beliebige 38 und 41 mit ihren metallisierten Kontakten. Sie Anzahl von Transistoren oder irgendeine andere zeigt ferner die Transistoren 42 und 43 mit den 60 Kombination von npn- und pnp-Schaltungselementen Zwischenverbindungen, die zur Vervollständigung vorgesehen werden, die alle zu einer Schaltung verder Schaltung von Fig.4a erforderlich sind. Alle bunden werden. Die Schaltung kann auch Widerdargestellten äußeren Anschlußleiter32, 33, 34 und stände (wie in Fig. 11 und 12 gezeigt) und (nicht 35 stehen in ohmschem Kontakt mit den metallisier- dargestellte) Kondensatoren enthalten, wobei alle ten Kontakten der Schaltungselemente, und dies gilt 65 diese Schaltungselemente in der beschriebenen Weise auch für die durch metallisierte Gebiete hergestellten gebildet werden können.

inneren Verbindungen. Das Anbringen der Anschluß- Wie in F i g. 8 dargestellt ist, wird die Anordnung

leiter kann auf irgendeine herkömmliche Weise erfol- von F i g. 7 umgekehrt und auf einer Keramikunter-

lage 111 befestigt, wobei ein isolierender Klebstoff 110, beispielsweise Zement, Glas oder Epoxidharz verwendet wird, damit eine Fläche der Anordnung auf der Unterlage haftet. Wahlweise könnte das Isoliermaterial 111 auch auf das Siliziumplättchen aufgetragen werden, beispielsweise durch Aufbringen einer dicken Quarzschicht. Die entgegengesetzte Oberseite 101 wird dann bis auf eine Dicke von etwa 25 μπι abgeschliffen oder abgeätzt, wodurch ein Teil 101' des Materials mit dem Leitungstyp n+ entfernt wird, damit das anschließende stellenweise Ätzen erleichtert wird. Dann wird Gold oder Gold über Molybdän auf die Oberseite aufgedampft und stellenweise entfernt, außer den Stellen, die später die Oberseiten der Mesa-Strukturen darstellen, so daß Goldkontakte 115, 116 und 117 übrigbleiben. Dann wird diese Fläche stellenweise durch ein Photoätzschutzverfahren für den anschließenden Ätzvorgang maskiert. Natürlich könnte die Maskierung auch vor dem Befestigen der Anordnung auf der Unterlage erfolgen. Nun wird ein selektiv wirkendes Ätzmittel, beispielsweise die zuvor auf Seite 9 Abs. 1 erwähnte Ätzlösung, auf die maskierte Fläche aufgetragen, damit das Halbleitermaterial 101 zwischen den »Inseln« 112, 113 und 114 entfernt wird, wie in F i g. 9 dargestellt ist.

Wie in F i g. 9 und 10 erkennbar ist, sind die »Inseln« des Halbleiterplättchens 101, die durch die Ätzung nicht entfernt worden sind, nun mesaförmig, wobei sich die metallisierten Kontakte 115, 116 und 117 auf der Oberseite befinden. An diesen Kontakten werden dann äußere Anschlußdrähte 118, 119 bzw. 120 angebracht, wodurch eine Anordnung entsteht, die einen Transistor mit allen erforderlichen Anschlußleitern enthält, einen festen mechanischen Aufbau hat, Luftisolation zwischen den Schaltungselementen aufweist und einen verringerten Kollektorquerschnitt mit einer entsprechend niedrigeren Streukapizität ergibt.

Gegenüber den Ausführungsformen von F i g. 2, 3 und 5 ergibt diese Weiterbildung den Vorteil, daß die unter den Halbleiterpyramiden liegenden Leiter nicht mehr für das Anbringen der Anschlußdrähte zugänglich sein müssen, und daß diese Anschlußdrähte alle an großflächigen Kontakten angebracht werden können, die an der Oberseite der Anordnung gut zugänglich sind.

Fig. 12 zeigt eine einfache Schaltungsanordnung, die dem Schaltbild von Fig. 11 entspricht und zwei Transistoren 123 und 124 sowie zwei Widerstände 121 und 122 enthält. Diese Anordnung wird in einem Halbleiterplättchen in ähnlicher Weise hergestellt, wie dies für den einzigen Transistor von F i g. 9 erläutert worden ist, mit dem Unterschied, daß die Herstellung der Widerstände 121 und 122 normalerweise nur einen einzigen Diffusionsvorgang erfordern und die Widerstände keine gleichrichtenden Übergänge enthalten. Natürlich könnte durch Diffusion rings um jeden der Widerstände ein Gebiet gebildet werden, das den entgegengesetzten Leitungstyp wie der Widerstand hat, wie dies bei den üblichen Diffusionsverfahren zur Herstellung von Widerständen mit pn-Übergangsisolationen geschieht, doch ist dies bei der dargestellten Ausführungsform nicht notwendig. Die in Fi g. 11 dargestellte Schaltung ist bewußt einfach gehalten, damit klarer erkennbar ist, wie eine betriebsfähige Schaltung hergestellt werden kann.

Fic. 12 zei«t die Widerstände 121 und 122 mit ihren metallisierten Kontakten. Sie zeigt ferner die Transistoren 123 und 124 mit den Zwischenverbindungen, die zur Vervollständigung der Schaltung von Fig. 11 erforderlich sind. Es ist hervorzuheben, daß die Transistoren dieser Schaltung, ebenso wie der einzige Transistor von Fig.9, eine verkleinerte Kollektorzone und eine kleinere Kapazität aufweisen. Alle äußeren Anschlußleiter 129,130,131 und 132 stehen in ohmschem Kontakt mit den metallisierten Kontakten der Schaltungselemente, und dies gilt auch für die metallisierten inneren Verbindungen. Alle Anschlußdrähte können nach einem üblichen Verfahren angebracht werden. Die Unterlage 133, die aus einem der Materialien bestehen kann, die in Verbindung mit der Unterlage 111 von F i g. 9 erwähnt worden sind, kann dann auf einem (nicht dargestellten) Sockel befestigt werden, so daß schließlich eine eingekapselte Anordnung erhalten wird.

Die Schaltung von Fig. 11 und 12 stellt natürlich nur ein einfaches Beispiel für die Vielzahl von Schaltungen vor, die nach dem beschriebenen Verfahren als integrierte Schaltungsanordnung hergestellt werden können.

Insbesondere eignet sich dieses Verfahren in gleicher Weise für kompliziertere Anordnungen, bei denen eine Vielzahl von Schaltungselementen isoliert voneinander in einer einzigen Einheit gebildet werden.

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei welchem mehrere Zonen mit p- bzw. η-Leitung an einer Fläche des Halbleiterkörpers so gebildet werden, daß wenigstens ein dazwischenliegender pn-übergang an dieser Fläche endet, auf dieser Fläche ein Isoliermaterial gebildet wird, in dem wenigstens eine Öffnung enthalten ist, durch welche die von dem pn-übergang umschlossene Zone frei liegt, und leitendes Material auf das Isoliermaterial so aufgebracht wird, daß ein ohmscher Kontakt zu dieser Zone hergestellt wird, wobei sich das leitende Material über den pn-übergang bzw. die pn-Übergänge erstreckt und über dem Halbleiterkörper liegt, dadurch gekennzeichnet, daß ein bleibender Träger an der Seite des Gebildes angebracht wird, an der sich das Isoliermaterial und das leitende Material befinden, daß dann leitendes Material auf die dem Träger abgewandte Seite aufgebracht und mit Ausnahme der Stellen, die sich über dem pn-übergang bzw. den pn-Übergängen befinden, entfernt wird, daß das Halbleitermaterial von dem Teil des Halbleiterkörpers entfernt wird, über den sich das zuletzt aufgebrachte leitende Material nicht erstreckt, und daß Anschlußleiter ohmisch an dem sich über den bzw. die pn-Übergänge erstreckenden leitenden Material von der Seite des Gebildes her angebracht werden, die dem Träger abgewandt ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zugleich mit dem Entfernen von Halbleitermaterial von dem Halbleiterkörper ein Teil des Isoliermaterials so entfernt wird, daß das leitende Material zum ohmschen Anbringen des Anschlußleiters freigelegt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge-

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kennzeichnet, daß zur Herstellung eines elektrischen Kontakts an einer Halbleiterzone eine öffnung in dem Isoliermaterial über der Halbleiterzone angebracht wird, daß ein weiterer Abschnitt des Halbleiterkörpers durch das Isoliermaterial hindurch freigelegt wird, daß das lei-

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tende Material so auf das Isoliermaterial aufgetragen wird, daß ein ohmscher Kontakt. zu der Halbleiterzone und zu dem weiteren Abschnitt des Halbleiterkörpers hergestellt wird,' und daß der Anschlußleiter an "dem weiteren Abschnitt des Halbleiterkörpers angebracht wird.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen