DE1564821B2 - Elektrischer Kondensator - Google Patents
Elektrischer KondensatorInfo
- Publication number
- DE1564821B2 DE1564821B2 DE19661564821 DE1564821A DE1564821B2 DE 1564821 B2 DE1564821 B2 DE 1564821B2 DE 19661564821 DE19661564821 DE 19661564821 DE 1564821 A DE1564821 A DE 1564821A DE 1564821 B2 DE1564821 B2 DE 1564821B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- tantalum
- bismuth
- metal layer
- capacitors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 26
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 11
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035876 healing Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf elektrische Kondensatoren, bei denen eine Belegung aus Tantal besteht
und bei dem auf dem Tantal eine dielektrische Oxidschicht angeordnet ist, auf der sich eine Metallschicht
als zweite Belegung befindet.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf sogenannte Dünnfilmkondensatoren, das sind Kondensatoren,
bei denen die Tantalschicht durch Kathodenzerstäubung auf einer isolierenden Unterlage, wie z. B.
Glas, erzeugt wurde.
Bei solchen Kondensatoren ist es erwünscht, daß sie bei einem elektrischen Durchschlag während des
Betriebes nicht unbrauchbar werden, sondern einen Ausheilprozeß durchmachen, d. h., daß die Durchschlagsstelle
keinen dauernden Kurzschluß zwischen den Belegungen ergibt. Bei der Herstellung von
solchen Kondensatoren, insbesondere bei Dünnfilmkondensatoren, wird die Ausbeute dadurch vermindert,
daß bei einigen Kondensatoren ein dauernder Kurzschluß zwischen den Belegungen gleich nach
Beendigung des Herstellungsprozesses vorhanden ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, diese Nachteile der bekannten Kondensatoren zu vermeiden unter gleichzeitiger
Aufrechterhaltung ihrer sonstigen Eigenschaften, nämlich von niedrigen Verlusten und einem
geringen Reststrom.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß die geschilderten Nachteile zu einem großen Teil von der
zweiten Belegung verursacht werden.
Man hat diese zweite Belegung schon aus Gold hergestellt (Bell Labs. Rec, Februar 1963, S. 46 bis 50).
Solche Kondensatoren haben den Nachteil, daß bei einem Durchschlag zwischen den Belegungen ein
dauernder Kurzschluß entsteht, d. h., daß schlechte Stellen sich nicht von selbst ausheilen.
Um Kondensatoren mit besseren Ausheileigenschaften zu erhalten, hat man die zweite Belegung
aus Aluminium hergestellt (Solid-State Electronics, Juli 1961, S. 74, 75). Es hat sich jedoch gezeigt, daß
Kondensatoren mit einer Belegung aus Aluminium zwar gute Ausheileigenschaften zeigen, daß aber die
Aluminiumschicht sehr anfällig gegen Korrosion ist, so daß beispielsweise durch Einwirkung von Feuchtigkeit
eine Zerstörung des Kondensators eintritt. Solche Korrosionen treten insbesondere dann auf, wenn in
der Nähe der Aluminiumschicht Schichten aus Edelmetall, z. B. Leitsilberbahnen, vorhanden sind.
Es sind auch bereits elektrische Kondensatoren mit einer Belegung aus Tantal und einer dielektrischen
Tantaloxidschicht bekannt, bei denen die zweite Belegung aus einer auf die Tantaloxidschicht aufgebrachten
Schicht aus Aluminium oder Gold in einer Dicke von 0.1 bis 0.2 μΐη besteht (deutsche Ausleseschrift
1149 113).
Schließlich hat man bei selbstheilenden Kondensatoren schon Beläge aus Legierungen von Wismut
und Kadmium verwendet, die so hergestellt sein können, daß die beiden Komponenten in zwei Schichten
übereinander kondensiert werden (deutsche Auslegeschrift 1 086 345). Hierbei handelt es sich aber
nicht um Tantalkondensatoren.
Der elektrische Kondensator gemäß der Erfindung mit einer ersten Belegung aus Tantal, einer darauf
angeordneten dielektrischen Schicht aus Tantaloxid und einer auf der Oxidschicht angeordneten Metallschicht
als zweite Belegung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Wismutschicht
und einer auf dieser angeordneten Edelmetallschicht besteht.
Solche Tantalkondensatoren haben gute Ausheileigenschaften, können mit guter Ausbeute hergestellt
werden und zeigen keine Korrosionserscheinungen.
Durch die Wismutschicht werden gute Ausheileigenschaften erzielt, jedoch hat Wismut, im Gegensatz
zum Aluminium, viel edleren Charakter, so daß Korrosionserscheinungen durch Feuchtigkeit nicht
auftreten. Die geringere Leitfähigkeit der Wismutschicht wird dadurch ausgeglichen, daß auf der Wismutschicht
eine Edelmetallschicht angeordnet wird.
Für die zweite Schicht hat sich insbesondere Silber wegen seiner guten Leitfähigkeit bewährt.
Es hat sich gezeigt, daß die besten Eigenschaften, wie Kapazität, Verlustwinkel und Reststrom, dann
erzielt werden, wenn sowohl die Wismutschicht als auch die Silberschicht je eine Dicke von etwa 0,1 μΐη
haben.
Besonders vorteilhaft ist es, die beiden Schichten durch Aufdampfen im Vakuum auf die durch anodische
Behandlung erzeugte Tantaloxidschicht aufzubringen.
Obwohl die Verwendung einer Belegung aus Wismut und Silber besonders vorteilhaft bei Tantaldünnfilmkondensatoren
ist, ist die Erfindung doch nicht auf solche Kondensatoren beschränkt.
Ein Kondensator gemäß der Erfindung besteht beispielsweise aus einem Glasplättchen, auf das durch
Kathodenzerstäubung eine Tantalschicht mit einer Dicke von 0,2 am aufgebracht wurde. Diese wurde
mit Ausnahme einer Anschlußstelle durch anodische Oxydation oberflächlich oxydiert. Auf die Oxidschicht
wurde durch Aufdampfen im Vakuum zunächst eine 0,1 μΐη dicke Schicht aus Wismut und anschließend
eine 0,1 μΐη dicke Schicht aus Silber aufgebracht. Ein
solcher Kondensator hatte eine Kapazität von 8,27 μΡ,
einen Verlustfaktor von 0,55% bei 1 kHz und einen solchen von 54,4% bei 800 kHz sowie einen Reststrom
von 0,14 μΑ.
Claims (4)
1. Elektrischer Kondensator mit einer ersten Belegung aus Tantal, einer darauf angeordneten
dielektrischen Schicht aus Tantaloxid und einer auf der Oxidschicht angeordneten Metallschicht
als zweite Belegung, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Wismutschicht
und einer auf dieser angeordneten Edelmetallschicht besteht.
2. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Edelmetallschicht aus Silber
besteht.
3. Kondensator nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wismut- und Edelmetallschicht
je etwa 0,1 μηι Dicke haben.
4. Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß in an sich bekannter Weise auf einer isolierenden Unterlage, wie Glas, durch
Kathodenzerstäubung eine Tantalschicbt erzeugt, diese mit Ausnahme einer Anschlußstelle durch
naodische Oxydation oberflächlich oxydiert wird und daß dann auf die Oxidschicht im Vakuum
eine Wismutschicht und auf diese eine Silberschicht aufgedampft wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEST026107 | 1966-11-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1564821A1 DE1564821A1 (de) | 1970-01-02 |
DE1564821B2 true DE1564821B2 (de) | 1970-06-25 |
Family
ID=7460852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661564821 Withdrawn DE1564821B2 (de) | 1966-11-12 | 1966-11-12 | Elektrischer Kondensator |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1564821B2 (de) |
GB (1) | GB1134277A (de) |
-
1966
- 1966-11-12 DE DE19661564821 patent/DE1564821B2/de not_active Withdrawn
-
1967
- 1967-11-09 GB GB5107167A patent/GB1134277A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1134277A (en) | 1968-11-20 |
DE1564821A1 (de) | 1970-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1521256B2 (de) | Elektrische verbindung zwischen der metallbelegung eines elektrischen kondensators und ihrer drahtfoermigen stromzufuehrung | |
DE1910736B2 (de) | Verfahren zum herstellen von gegeneinander elektrisch isolierten, aus aluminium bestehenden leiterbahnen und anwendung des verfahrens | |
DE1564821C (de) | Elektrischer Kondensator | |
DE1564821B2 (de) | Elektrischer Kondensator | |
DE1590786B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mikro-Miniatur-Schaltungen bzw.Schaltungsbauelementen | |
DE2543079C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren | |
DE2532971C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trocken-Elektrolytkondensators | |
DE898468C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden | |
DE2513509A1 (de) | Duennschicht-chipkondensator | |
DE914041C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrisch hochwertigen, als Kondensatordielektrikum oder Isolierstoff dienenden Metalloxyden | |
DE675191C (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrostatischen Kondensators hoher Durchschlagsfestigkeit | |
DE971697C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE1813537C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von stabilen elektrischen Dünnschicht Widerstandselementen aus Ventilmetall | |
DE887680C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters | |
DE1159529B (de) | Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern | |
AT233674B (de) | Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Metallfilm-Widerstandes | |
DE1589907A1 (de) | Selbstheilender elektrischer Duennschichtkondensator sowie Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE1590786C (de) | Verfahren zur Herstellung von Mikro Miniatur Schaltungen bzw Schaltungsbauele menten | |
DE1829089U (de) | Elektrischer kondensator. | |
DE964705C (de) | Anschlusselektrode fuer elektrische Wickelkondensatoren od. dgl. | |
AT229425B (de) | Selengleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung | |
AT238338B (de) | Verfahren zur Herstellung eines gepolten Sperrschichtkondensators erhöhter Kapazität | |
AT224774B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators | |
DE3004728A1 (de) | Aluminium-elektrolytkondensator und verfahren zu seiner herstellung | |
CH544992A (de) | Verfahren zur Herstellung von Aluminium-Elektrolytkondensatoren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |