DE1159529B - Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern - Google Patents

Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern

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DE1159529B
DE1159529B DES72197A DES0072197A DE1159529B DE 1159529 B DE1159529 B DE 1159529B DE S72197 A DES72197 A DE S72197A DE S0072197 A DES0072197 A DE S0072197A DE 1159529 B DE1159529 B DE 1159529B
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DE
Germany
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layer
aluminum intermediate
sio
insulating layer
layers
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DES72197A
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Dipl-Phys Dr Isolde Dietrich
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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    • H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/30—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the intermediate layers, e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
    • H—ELECTRICITY
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    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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Description

  • Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern Die Erfindung betrifft eine Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern, z. B. dünnen, elektrisch leitfähigen und magnetisierbaren Schichten. Derartige Schichten werden beispielsweise für Bauteile von magnetisierbaren Gedächtniselementen verwendet.
  • Es ist bereits bekannt, daß sich aufgedampfte Si0-Schichten als isolierende Schicht zwischen elektrisch leitfähigen und gegebenenfalls magnetisierbaren Körpern, Schichten od. dgl. eignen. So hat man z. B. bereits magnetisierbare Eisenbleche für Transformatoren u. dgl. mit SiO-Schichten zur gegenseitigen Isolierung überzogen.
  • Da es bei dem Aufbau von magnetisierbaren Gedächtniselementen besonders auf sehr dünne Isolierschichten ankommt, die auf einfache Weise, nämlich durch Aufdampfen hergestellten SiO-Schichten bei geringer Schichtdicke aber einen verhältnismäßig kleinen übergangswiderstand aufweisen, standen der Verwendung dieser Isolierschichten in diesem Falle große Hindernisse im Wege. Insbesondere bei der Verwendung von edleren Metallen wurde der geringe übergangswiderstand in der dünnen Isolierschicht vermutlich durch die verhältnismäßig große Oberflächenbeweglichkeit der Metallatorne, die in die Si0-Schicht eindiffundieren, hervorgerufen. Sowohl bei Silber als auch bei Permalloy oder anderen metallischen Schichten zeigt sich ein verhältnismäßig geringer Übergangswiderstand bei der Verwendung von dünnen. SiO-Isolierschichten.
  • Die Erfindung hat die Aufgabe, diese Nachteile zu vermeiden, um unterVerwendung der einfachen Herstellungsweise dünner SiO-Isolierschichten trotzdem zu guten Isoliereigenschaften, d. h. relativ hohen übergangswiderständen, zu gelangen.
  • Die Erfindung bei einer Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern, z. B. leitfähigen und magnetisierbaren Schichten, in Form einer insbesondere dünnen SiO-Schicht besteht darin, daß zwischen der SiO-Schicht und denelektrischenLeitemAluminiumzwischenschichten angeordnet sind.
  • Die Ausbildung derartiger erfindungsgemäßer Aluminiumzwischenschichten geschieht in einfacher Weise durch beispielsweiseAufdampfen einerdünnen Aluminiumzwischenschicht auf die elektrischeLeiterunterlage. Hierauf wird bei dem gleichen Druck (10-5 Torr oder weniger) eine SiO-Schicht und darauf wiederum eine dünne Aluminiumschicht aufgedampft. Infolge der großen Affinität des Aluminiums zu Sauerstoff bildet sich vermutlich sofort nach der Aufdampfung auch im Hochvakuum eine einige Angström dicke Aluminiumoxydschicht, die erstens die Oberflächenbeweglichkeit der Aluminiumatome verkleinert und zweitens bereits eine dünne porenfreie Isolierschicht liefert. Nunmehr wird der andere elektrische Leiter, z. B. eine magnetisierbare Schicht aus Permalloy, auf der zweiten Alunminiumschicht beispielsweise ebenfalls durch Aufdampfen niedergeschlagen.
  • Die Aufbringung der Aluminiumzwischenschichten kann auch in anderer Weise, z. B. durch Kathodenzerstäubung oder elektrolytischen Niederschlag, vorgenommen werden.
  • In der Figur ist ein Beispiel für die erfindungsgemäße Isolierschicht angegeben.
  • Auf einen Glaskörper 1 als Unterlage ist eine Permalloyschicht 2 mit einer Schichtdicke von 500 A durch Aufdampfen bei einem Druck von weniger als 1.0-5 Torr niedergeschlagen. Darüber ist eine Aluminiumschicht 3 in demselben Gefäß bei demselben Druck mit einer Schichtdicke von 100 Ä und darauf eine SiO-Schicht 4 von 400 bis 1000 A in demselben Gefäß bei demselben Druck aufgedampft. Dabei bildet sich zwischen Aluminiumschicht und Si0-Schicht wahrscheinlich eine dünne Aluminiumoxydschicht aus. Nach dem Aufdampfen der SiO-Schicht 4 ist erneut eine zweite dünne Aluminiumschicht 5 von der Schichtdicke 100 A aufgedampft, wobei sich vermutlich wiederum dazwischen eine oberflächliche A120 .-Schicht auszubilden vermag. Schließlich ist der zweite Stromleiter wiederum als Permalloyschicht 6 mit der Schichtdicke von 500 A auf der Aluminiumschicht 5 durch Aufdampfen niedergeschlagen. Es zeigt sich, daß die Haftfestigkeit dieser Schichten aneinander außerordentlich groß ist. Dabei wurde ein übergangswiderstand von mehr als 105 Ohm pro Quadratzentimeter Fläche bei einer Durchschlagsspannung von mehr als 2 V festgestellt. Eine gleiche Anordnung ohne die erfindungsgemäße oberflächlich oxydierte Aluminiumzwischenschicht ergab nur einen übergangswiderstand von etwa 5 Ohni-Bei der Wahl der Schichtdicke der Aluminiumschicht ist zu beachten, daß dieselbe in der Größenordnung von etwa 50 A oder dicker auszubilden ist, um eine derart bedeutende Erhöhung des übergangswiderstandes zu erreichen.

Claims (2)

  1. PATENTAINSPRÜCHE: 1. Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern, z. B. elektrisch leitfähigen und magnetisierbaren Schichten in Form einer insbesondere dünnen SiO-Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der SiO-Schicht und den elektrischen Leitern Aluminiumzwischenschichten angeordnet sind.
  2. 2. Isolierschicht nach Anspruch 1, dadurch ge- kennzeichnet, daß die Aluminiumzwischenschicht etwa 50 A oder dicker ausgebildet ist. 3. Isolierschicht nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Aluminiumzwischenschicht und SiO-Schicht eine dünne Al 20 .-Schicht ausgebildet ist. 4. Verfahren zur Herstellung einer Isolierschicht nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf einen elektrischen Leiter eine dünne Aluminiumzwischenschicht, darüber eineSiO-Schicht und darüber wiederum eine Aluminiumzwischenschicht aufgebracht und diese mit dem anderen elektrischen Leiter verbunden wird. 5. Verfahren nach Ansprach 4, dadurch gekennzeichnet, daß die, Aluminiumzwischenschichten durch Aufdampfen hergestellt werden. 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumzwischenschichten durch Kathodenzerstäubung hergestellt werden. 7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumzwischenschichten durch elektrolytische Abscheidung hergestellt werden. 8. Verfahren nach Ansprach 4, dadurch gekennzeichnet, daß die SiO-Schicht aufgedampft wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 281110, 895 687.
DES72197A 1961-01-25 1961-01-25 Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern Pending DE1159529B (de)

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DES72197A DE1159529B (de) 1961-01-25 1961-01-25 Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern
CH1113161A CH397803A (de) 1961-01-25 1961-09-25 Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern
GB295362A GB932146A (en) 1961-01-25 1962-01-25 Improvements in or relating to insulating layers

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DES72197A DE1159529B (de) 1961-01-25 1961-01-25 Isolierschicht zwischen elektrischen Leitern

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GB (1) GB932146A (de)
NL (1) NL273920A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1590750B1 (de) * 1965-10-01 1971-04-22 Texas Instruments Inc Verfahren zur herstellung von isolierschichten fuer elektrischevorrichtungen

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2343308B (en) * 1998-10-30 2000-10-11 Nikolai Franz Gregor Schwabe Magnetic storage device
US20040017721A1 (en) 1998-10-30 2004-01-29 Schwabe Nikolai Franz Gregoe Magnetic storage device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE281110C (de) *
DE895687C (de) * 1941-11-11 1953-11-05 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Schichten aus Metalloxyden

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE281110C (de) *
DE895687C (de) * 1941-11-11 1953-11-05 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Schichten aus Metalloxyden

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1590750B1 (de) * 1965-10-01 1971-04-22 Texas Instruments Inc Verfahren zur herstellung von isolierschichten fuer elektrischevorrichtungen

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NL273920A (de)
CH397803A (de) 1965-08-31

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