DE1915322B2 - Duennschichtkondensator - Google Patents
DuennschichtkondensatorInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 21
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 29
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 4
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum titanium gold gold Chemical compound 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- VJPLIHZPOJDHLB-UHFFFAOYSA-N lead titanium Chemical compound [Ti].[Pb] VJPLIHZPOJDHLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/085—Vapour deposited
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
il.
Einwirkung auf den fertigen Dünnschichtkondensator, für die jedoch noch keine ausreichende Begründung
gegeben werden kann. Eine Temperatur von"mehr als 300° C führt zu einer groben Struktur der Oberfläche
des Basisbelags, die die Ursache für eine verminderte Kapazität des fertigen Dünnschichtkondensators sein
kann.
Es wurde festgestellt, daß bei einem aus Titan hergestellten Basisbelag mit einer Titanoxidschicht der
Kondensator eine größere Kapazität aufweist als mit einem aus Aluminium bestehenden Basisbelag, welches
Metall bisher weitgehend verwendet wurde, wie aus der Tabelle 1 zu ersehen ist.
In der nachstehenden Tabelle 1 sind die Kapazitätswerte von zwei Arten von Dünnschichtkondensatoren
angeführt, die auf die gleiche Weise hergestellt wurden mit der Ausnahme, daß für den Basisbelag verschiedene
Materialien verwendet wurden. Bei beiden Kondensatoren wies die dielektrische Schicht eine Dicke von
1500 Ä auf und wurde aus einer zusammengesetzten Kathode aufgedampft, die aus 50 Atomprozenten
Blei und aus 50 Atomprozenten Titan bestand. Das Aufdampfen wurde in sauerstoffhaltigem Argongas
bei einem Druck von 2 · 10-' Torr durchgeführt.
weise im wesentlichen aus einem Gemisch von 8 bis 22 Gewichtsprozent Blei und 78 bis 92 Gewichtsprozent
Titan, wie aus der nachstehenden Tabelle 3 zu ersehen ist.
Anteil des Bleis | Anteil des Titans | Kapazität in |
in der Kathode in | in der Kathode in | Mikrofarad pro |
Gewichtsprozent | Gewichtsprozent | cms |
0 | 100 | 0,5 |
5 | 95 | 0,6 |
8 | 92 | 0,8 |
10 | 90 | 1,0 |
20 | 80 | 0,8 |
22 | 78 | 0,6 |
30 | 70 | 0,3 |
50 | 50 | 0,25 |
100 | 0 | 0.25 |
Basisbelag: Titan mit einer Dicke von 3000 A. Gegenbelag: Gold mit einer Dicke von 2000 A.
Dicke der dielektrischen Schicht: 1500 A. Dicke der Oxidschicht: ungefähr 50 A.
Sauerstoffteildruck während des Aufdampfens: 2 ■ 10-1 Torr.
Temperatur der Unterlage während des Niederschlagen-,
der dielektrischen Sc.iicht: 200° C.
Die zusammengesetzte Kathode kann nach jedem 30 geeigneten Verfahren hergestellt werden. Nach einem
zu bevorzugenden Verfahren wird ein Gemisch aus Blei- und Titanpulver mit einer Partikelgröße von 48
bis 145 μίτι unter einem Druck von 2100 bis 5250 kg
pro cm2 zusammengepreßt. 3ei Verwendung einer Aus der nachstehenden Tabelle 2 ist d;e Einwirkung 35 solcher, zusammengesetzten Kathode, die im wesentder
Temperatur der Unterlage auf die Kapazität der liehen aus 8 bis 22 Gewichtsprozent Blei und 78 bis
Dünnschichtkondensatoren zu ersehen, die ebenfalls 92 Gewichtsprozent Titan besteht, kann ein Dünnin
der gleichen Weise hergestellt wurde. Aus der schichtkondensator hergestellt werden, dessen di-Tabelle2
ist ferner zu ersehen, daß die brauchbaren elektrische Schicht eine Blei-Titan-Phase mit einer
Temperaturen 100 bis 3000C betragen, wobei Tempe- 4° großen Dielektrizitätskonstante aufweist.
Basisbelag Material |
Gegenbelag Material |
Kapazität pro cm2 in Mikro farad |
Aluminium Titan |
Gold Gold |
0,6 1,0 |
raturen von 150 bis 2500C zu bevorzugen sind.
Tabelle 2 Es wurde festgestellt, daß dem Dünnschichtkondensator eine bessere Isolierungsfähigkeit verliehen werden kann, wenn das Aufdampfen in einer oxydierenden, sauerstoffhaltigen Atmosphäre bei einem Tiefdruck
Tabelle 2 Es wurde festgestellt, daß dem Dünnschichtkondensator eine bessere Isolierungsfähigkeit verliehen werden kann, wenn das Aufdampfen in einer oxydierenden, sauerstoffhaltigen Atmosphäre bei einem Tiefdruck
von 2 · IO-4 bis 2 · 10-3Torr durchgeführt wird. Bei
einem Sauerstoff teildruck von weniger als 2 · 10~4 Torr
weist der fertige Dünnschichtkondensator keine gute Isolierfähigkeit auf. Dasselbe gilt für Teildrücke oberhalb
von 2· 10-3Torr.
Zur Erläuterung der Erfindung werden nachstehend noch zwei Beispiele für die Herstelling von Dünnschieiitkondensatoren
angeführt.
Es wurde ein Dünnschichtkondensator hergestellt
Der Basisbelag bestand aus Titan mit einer Dicke unter Verwendung einer herkömmlichen Verdampfungseinrichtung
und einer herkömmlichen Aufdampfungseinrichtung mit ebener Elektrode. Durch Aufdampfung
im Vakuum bei einem restlichen Gasdruck'
Unterlage | Kapazität pro |
Temperatur 'n | cm2 in Mikro- |
0C | fr.rad |
70 | 0,2 |
100 | 0,4 |
150 | 0,9 |
200 | 1,0 |
250 | 0,95 |
300 | 0,4 |
330 | 0,1 |
voη 3000 Ä, während der Gegenbelag aus Gold mit
einer Dicke von 2000 A bestand. Die Dicke de: dielektrischen Schicht betrug 1500 A.
Die zusammengesetzte Kathode in der Aufdamp- 6° von weniger aL 1 -10^6 Torr wurde auf cmc
fungseinrichüine besteht zu IO Gewichtsprozent aus unterlage mit einer Dicke von 0,7 mm ein Basisbelag
fungseinrichüine besteht zu IO Gewichtsprozent aus unterlage mit einer Dicke von 0,7 mm ein Basisbelag
aus Titan mit einer Dicke von ungefähr 3000 A aufgetragen. Auf diesen Basisbelag wurde in einer aus einem
Gemisch aus Argon und Sauerstoff bestehenden oxydierenden Atmosphäre durch Zerstäubung einer aus
Blei und Titan bestehenden Kathode eine dielektrische
Schicht aus einem Metalloxidgemisch von Bleioxid, Titanoxid und deren Zusammensetzungen mit einer
Blei und zu 90 Gewichtsprozent aus Titan. Die Oxidschicht wies eine Dicke von ungefähr 50 A auf. Das
Aufdampfen wurde in Sauerstoff bei einem Druck von 2 · 10 ' Torr durchgeliihrt.
Die Kathode in der Aufdampfungseinrichtung, mit der die Dünnschichtkondensatoren mit der größten
Kapazität hergestellt werden können, besteht Vorzugs-
Dicke von ungefähr 1500 A aufgebracht. Diese Kathode bestand aus 10 Gewichtsprozent Blei und
90 Gewichtsprozent Titan. Der Gesamtdruck des Gasgemisches betrug ungefähr 1 · 10~2 Torr, während
der Teildruck des Sauerstoff gases ungefähr 2-10 4 Torr
betrug. Während der Durchführung des Verfahrens wurde die Unterlage auf ungefähr 2000C erhitzt. Auf
die dielektrische Schicht wurde bei einem restlichen Gasdruck von weniger als 1 · 10~e Torr ein aus Gold
bestehender Gegenbelag mit einer Dicke von ungefähr 2000 A aufgedampft. Die beiden Beläge wurden mit je
einem Golddrahtleiter mit einer Dicke von 0,1 mm verbunden. Der fertige Dünnschichtkondensator wies
eine Kapazität von ungefähr 1 μΡ/οπι3, einen Verlustfaktor
von 10°/„ und weniger und eine Durchschlagsspannung
von 7,5 Volt und höher auf.
Es wurde ein Dünnschichtkondensator hergestellt unter Verwendung einer herkömmlichen Vakuum-Verdampfungseinrichtung
und einer Magnetronzerstäubungseinrichtung. In dieser Einrichtung wurde in einem Magnetfeld mit einer Stärke von 3000 Gauß
und in reinem Argon bei einem Druck von 1 · 10"4Torr
von einer Titankathode aus auf eine Glasunterlage mit einer Dicke von 0,7 mm ein Basisbelag mit einer
Dicke von ungefähr 3000 A aufgetragen, die aus Titan bestand. Auf diesen Basisbelag wurde aus einer aus
blei und Titan bestehenden zusammengesetzten Kathode in einer oxydierenden Atmosphäre aus Argon
und Sauerstoff unter Verwendung einer Magnetroneinrichtung in einem Magnetfeld mit einer Stärke von
7000 Gauß eine dielektrische Schicht mit einer Dicke von ungefähr 1500 A aufgebracht. Die zusammengesetzte
Kathode bestand aus 10 Gewichtsprozent Blei und 90 Gewichtsprozent Titan. Der Gesamtdruck
des Gasgemisches betrug ungefähr 6 · 1O-4 Torr, während der Teildruck des Sauerstoffgases ungefähr
2 · 10"4 Torr betrug. Während des Zerstäubens wurde die Unterlage auf ungefähr 2000C erhitzt. Durch
Niederschlagen im Vakuum bei einem restlichen Gasdruck von weniger als 1 · 10~e Torr wurde auf der
dielektrischen Schicht ein Gegenbelag in Form eines Goldbelages mit einer Dicke von ungefähr 2000 A erso
zeugt. Mit den beiden Belägen wurde je ein Golddraht mit einem Durchmesser von 0,1 mm verbunden. Der
fertige Dünnschichtkondensator wies eine Kapazitäl von ungefähr 1 μΡ/cm2, einen Verlustfaktor von 1 °/,
und weniger und eine Durchschlagsspannung vor 15 Volt und höher auf.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Dünnschichtkondensator, bestehend aus einem besteht. Ein derart gekennzeichneter Dünnschicht-Basisbelag
aus Titan, der auf einer Unterlage aus- 5 kondensator hat eine hohe Kapazität, einen niedrigen
gebildet ist, einer dielektrischen Schicht aus Titan- Verlustfaktor und eine hohe Durchbruchsspannung,
oxid und einem Gegenbelag, dadurch ge- Eine Weiterentwicklung der Erfindung liegt ir; einem
kennzeichnet, daß zwischen der Schicht Verfahren zur Herstellung des oben angegebenen
aus Titanoxid und dem Gegenbelag eine weitere Dünnschichtkondensators, welches dadurch gekenndielektrische
Schicht liegt, die im wesentlichen aus io zeichnet ist, daß das gemischte Metalloxid durch
einem Gemisch von Bleioxid, Titanoxid und deren Kathodenzerstäubung in oxydierender Atmosphäre
Zusammensetzungen besteht. aogeschieden wird, wobei die Kathode aus einem Ge-
2. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht- misch von 8 bis 22 Gewichtsprozent Blei und 78 bis
kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekenn- 92 Gewichtsprozent Titan besteht, der Sauerstoffteilzeichnet,
daß das gemischte Metalloxid durch 15 druck 2 · 10~4 bis 2 · 10~3 Torr beträgt und die Tem-Kathodenzer^täubung
in oxydierender Atmosphäre peratur der zu beschichtenden Unterlage zwischen abgeschieden wird, wobei die Kathode aus einem 100 und 3000C liegt, und daß die aus Titanoxid beGemisch
von 8 bis 22 Gewichtsprozent Blei und stehende dielektrische Schicht durch Oxydation des
78 bis 92 Gewichtsprozent Titan besteht, der Basisbelags an der dem gemischten Metalloxid zuge-Sauerstoffteildruck
2 · 10~4 bis 2-10"3Torr be- 20 wandten Fläche während der Kathodenzerstäubung
trägt und die Temperatur der zu beschichtenden hergestellt wird.
Unterlage zwischen 100 und 300° C liegt, und daß Nach diesem Verfahren kann ein Dünnschicht-
die aus Titanoxid bestehende dielektrische Schicht kondensator mit den oben angegebenen Merkmalen
durch Oxydation des Basisbelags an der dem ge- und Vorteilen sehr einfach und leicht hergestellt wer-
mischten Metalloxid zugewandten Fläche während 25 den.
der Kathodenzerstäubung hergestellt wird. Nachstehend wird eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Der in der Figur dargestellte
Dünnschiclickondensator 10 nach der Erfin-
dung weist eine dielektrische Schicht 4 auf, die zwischen
30 einem Gegenbelag 5 und einem Basisbelag 2 aus Titan auf einer Unterlage 1 angeordnet ist. Der Basisbelag 2
Die Erfindung betrifft einen Dünnschichtkondei:sa- aus Titan ist an der der dielektrischen Schicht 4 zulor,
bestehend aus einem Basisbelag aus Titan, der auf gewandten Seite mit einer Oxidschicht 3 versehen. Die
einer Unterlage ausgebildet ist, einer dielektrischen dielektrische Schicht 4 besteht im wesentlichen aus
Schicht aus Titanoxid und einem Gegenbelag. 35 Bleioxid, Titanoxid oder deren Zusammensetzungen.
Es sind verschiedene Kondensatoren bekannt, die Mit den beiden Belägen 5 und 2 sind zwei Leiter-Verschiedene
dielektrische Materialien verwenden. Die drähte 6 verbunden.
deutsche Auslegeschrift 1 149 113 offenbart einen Der Titan-Basisbelag 2 weist eine Dicke von 2000
elektrischen Kondensator mit anodischen dielektri- bis 5000 A auf, während die dielektrische Schicht 4
sehen Filmen, die auf einer Basiselektrode (Tantal, 4° eine Dicke von 1000 bis 5000 A aufweist. Der Gegen-
Aluminium, Titan und Niobium) ausgebildet sind. Die belag 5 kann aus jedem herkömmlichen leitenden
französische Patentschrift 812 180 offenbart, daß es Metall, z. B. aus Gold hergestellt werden und weist
vorteilhaft ist, Bleioxid zu Titanoxiddielektrika hinzu- eine Dicke von 1000 bis 3000 A auf. Die Unterlage 1
zufügen. kann aus einem geeigneten plättchenförmigen Material
Bei diesem Stand der Technik ist es nachteilig, daß 45 hergestellt werden, z. B. aus Aluminiumoxid, Glas oder
die Kapazität des erhaltenen Kondensators nicht aus einem anderen Material, das eine glatte Oberfläche
größer a!s 0,3 μΡ/οτη- gemacht werden kann und der aufweist.
Kondensator einen großen Raum einnimmt. Die Der in der F i g. 1 dargestellte Dünnschichtjungste
Entwicklung in der elektronischen Industrie kondensator 10 nach der Erfindung kann in der Weise
erfordert jedoch höhere Kapazitätswerte je cma für die 5° hergestellt werden, daß zuerst auf die Unterlage 1
Verwendung bei einigen elektronischen Mikroschal- eine dünne Titanmetallsrhicht aufgebracht wird, die
tungen, wie z.B. Tonverstärkern. Solche höheren als Basisbelag 2 dient. Hiernach wird auf den dünnen
Werte können auf verschiedenen Wegen erreicht wer- Titanmetallfilm 2 eine im wesentlichen aus Bleioxid,
den. Zum Beispiel besteht ein Verfahren darin, die Titanoxid oder deren Zusammensetzungen bestehende
Dicke des dielektrischen Materials zu verringern, das 55 dielektrische Schicht 4 von einer zusPTimengesetzten
aus einem Basisbelag aus Titan auf einer Unterlage, Kathode aus aufgestäubt, die im wesentlichen aus Blei
einer dielektrischen Schicht aus Titanoxid und einem und Titan besteht, welches Aufstäuben in einer oxydie-Gegenbelag
besteht. Dabei ist es jedoch nachteilig, daß renden Atmosphäre erfolgt. Hierbei wird bewirkt, daß
ein solches sehr dünnes dielektrisches Material eine der Titanmetallfilm 2 an der der dielektrischen
niedrige Ditrchbruclisspannung und einen hohen Ver- 60 Schicht 4 zugewandten Seite oxydiert wird, wobei eine
lustfaktor aufweist. Titanoxidschicht 3 erzeugt wird. Danach wird auf die Aufgabe der Erfindung ist die Schaffungeines Dünn- Schicht 4 ein weiterer dünner Metallfilm aufgetragen,
Schichtkondensators mit einer hohen Kapazität, einem der als Gegenbelag 5 O'ent. Die Metallfilme dei geniedrigen
Verlustfaktor und einer hohen Durchbruchs- nannten beiden Beläge können z. B. durch herkömmspann
π ng, der nur einen kleinen Raum einnimmt. 65 liches Niederschlagen im Vakuum erzeugt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Bei der Durchführung dieses Verfahrens wird die
DünnschiclUkondcnsator gelöst, der dadurch gekenn- Unterlage vorzugsweise auf einer Temperatur von 100
Z'.-.chnet ist, daß zwischen der Schicht aus Titanoxid bis 300°C gehalten. Diese Temperatur hat eine große
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985168 | 1968-03-25 | ||
JP1985168A JPS547959B1 (de) | 1968-03-25 | 1968-03-25 | |
JP6639068 | 1968-09-13 | ||
JP6639068 | 1968-09-13 | ||
JP6639168 | 1968-09-13 | ||
JP6638968 | 1968-09-13 | ||
JP6638968 | 1968-09-13 | ||
JP6639168 | 1968-09-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1915322A1 DE1915322A1 (de) | 1969-10-23 |
DE1915322B2 true DE1915322B2 (de) | 1972-11-30 |
DE1915322C DE1915322C (de) | 1973-06-20 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL146323B (nl) | 1975-06-16 |
US3579063A (en) | 1971-05-18 |
DE1915322A1 (de) | 1969-10-23 |
FR2004645A1 (de) | 1969-11-28 |
GB1262319A (en) | 1972-02-02 |
NL6904423A (de) | 1969-09-29 |
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