DE1564537C - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter Schaltungsmoduls - Google Patents

Description

dung einer neuen planaren Scheibe aneinander befestigt werden, und daß aus dieser neuen Scheibe wenigstens ein Abschnitt entfernt wird, der wenigstens zwei Schaltungskomponenten des nicht umgewendeten Teiles und mindestens zwei Schaltungskomponenten des umgewendeten Teiles enthält, die unter Bildung des Schaltungsmoduls elektrisch miteinander verbunden werden.

Das Verfahren ist besonders vorteilhaft zur Herstellung von integrierten Festkörperschaltungen, beispielsweise aus Dioden. Als Ausführungsbeispiel der Erfindung wird das Verfahren im folgenden im Zusammenhang mit der Herstellung von Gleichrichter-Reihenschaltungen bzw. Gleichrichterbrücken beschrieben. In der Zeichnung zeigt

F i g. 1 in Teildarstellung eine Vorderansicht einer Scheibe aus Halbleitermaterial, die beim Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen gemäß der Erfindung verwendet wird,

F i g. 2 in Teildarstellung die Scheibe nach F i g. 1 nach einem ersten Verfahrensschritt,

Fig. 3 im Teilquerschnitt einen Induktionsofen und in verkleinerter Darstellung die Teile der Scheibe und ein Substrat in zerlegter Anordnung bei einer weiteren Verfahrensstufe,

F i g. 4 in einer Teilansicht die Scheibe und das Substrat, die unter Bildung eines Blockes miteinander verbunden sind; die gestrichelten Linien stellen die Ebenen dar, längs der zwecks Ausbildung der in F i g. 4 a gezeigten Rillen der Block einzuschneiden ist,

F i g. 4 a in einem Teilquerschnitt gemäß der Linie 4a in Fig. 4 und in Richtung der Pfeile gesehen den mit Rillen versehenen Block,

Fig. 4b in einer Teilaufsicht den mit Rillen versehenen Block nach F i g. 4 a,

F i g. 5 und 6 in Teilquerschnitten ähnlich dem nach F i g. 4 a die Halbleiteranordnung in weiteren Bearbeitungsstufen, .. .

F i g. 7 in. einem Teilquerschnitt eine zusammengesetzte Scheibe aus passivierten Halbleiter-Schal· tungskomponenten, die zwischen den in F i g. 6 angedeuteten horizontalen Ebenen liegt, nachdem ein Isoliermaterial in die Rillen des Blockes gepreßt worden ist,

F i g. 8 eine perspektivische Ansicht der zusammengesetzten Scheibe nach F i g. 7, wobei die unterbrochenen Linien die Ebenen andeuten, längs derer für die Zerlegung der zusammengesetzten Scheibe in Teile Schnitte durchgeführt werden müssen,

F i g. 9 eine perspektivische Aufsicht auf eine gewünschte Konfiguration, die aus den wieder zusammengebauten Teilen der Scheibe nach F i g. 8 hergestellt ist,

Fig. 10 eine Ausführungsform einer Halbleiteranordnung, welche den Streifen umfaßt, der zwischen den durch die unterbrochenen Linien in F i g. 9 angedeuteten parallelen Ebenen liegt,
^; Fig. 10a einen Schnitt gemäß derLinielOcz-lOa ■in Fig. 10, in Richtung der Pfeile gesehen,

Fig. 11 ein schematischesSchaltungsdiagramm der Anordnung nach Fi g. 10,

■ Fig. 12 und 12a in perspektivischer Ansicht einen Teil der zusammengesetzten Scheibe nach F i g. 9, jeweils von oben und unten gesehen, wobei die elektrischen Verbindungen zwischen den Komponenten gemäß einer Brückenschaltung ausgebildet sind, und I) Fig. 13 ein schematisches Diagramm der Brükkenschaltung der in den Fig. 12 und 12a gezeigten Ausführungsform.

F i g. 1 zeigt einen Abschnitt einer Scheibe 10, die aus einem Einkristall aus Halbleitermaterial, z. B. Silizium, Germanium oder Galliumarsenid, besteht. Die Scheibe 10 kann eine Größe von etwa 6,5 cm² und eine Dicke zwischen 0,1 und 0,3 mm besitzen und weist eine obere und eine untere Hauptfläche 12 und 14 auf. Die Beschreibungsangaben, wie z. B. »obere«

ίο und »untere«, sind nur relativ und hier nur zur Erleichterung der Beschreibung und nicht im Sinne einer Einschränkung der Erfindung verwendet.

Akzeptor- und Donatorstörstoffe können durch die einander gegenüberliegenden Flächen 12 und 14 der Scheibe 10 nach irgendeinem bekannten doppelten Diffusionsverfahren eindiffundiert werden, um jeweils p-leitende und η-leitende Zonen 16 und 18 in der Scheibe auszubilden. Diese doppelte Diffusion kann in bekannter Weise derart gesteuert werden, daß die p-Zone 16 sich von der Oberfläche 12 bis in eine Tiefe von etwa 0,05 mm erstreckt und einen pn-übergang 20 mit der η-Zone bildet. Der pn-übergang 20 umfaßt eine Ebene, welche im wesentlichen parallel zu den einander gegenüberliegenden Hauptflächen 12 und 14 der Scheibe 10 liegt.

. An Stelle des vorerwähnten doppelten Diffusionsverfahrens kann der pn-übergang 20 durch eine einfache Diffusion eines p-Leitung erzeugenden Störstoffes in eine η-leitende Scheibe ausgebildet werden.

Der pn-übergang 20 kann auch nach dem bekannten Verfahren des epitaktischen Aufwachsens hergestellt werden.

Die Scheibe 10 wird auf einem geeigneten Substrat 22 (F i g. 3 und 4) befestigt, um ihre Handhabung und nachfolgende Behandlung zu erleichtern. Das Substrat 22 kann aus einer stark dotierten p-leitenden Scheibe aus Silizium (mit P+ bezeichnet) bestehen und auch ein Teil einer fertigen Halbleiteranordnung werden. Die Scheibe 10 und das Substrat 22 sollten aus Materialien mit im wesentlichen gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten bestehen, um eine stabile Struktur beim fertigen Erzeugnis zu erhalten.

Die Scheibe 10 und das Substrat 22 können durch Heißpressen miteinander verbunden werden. Wenn die aufeinanderstoßenden Flächen der Scheibe 10 und des Substrates 22 geätzt sind, wird bevorzugt eine der Berührungsflächen mit einer Schicht 24 aus Metall überzogen, z. B. mit einer Chrom-, Nickel-, Niobium-, Zirkon- oder Titanschicht. Die Metallschicht 24 kann auf die Oberfläche 12 der Scheibe 10 (F i g. 2) entweder durch Aufdampfen, Plattieren oder Eintauchen der Scheibe 10 in ein feines Metallpulver oder durch Zwischenfügen einer dünnen Metallfolie zwischen Scheibe 10 und Substrat 22 aufgebracht werden. Die Dicke der Schicht 24 und auch die Abmessungen der anderen Teile sind deutlichkeitshalber vergrößert dargestellt. Vorzugsweise liegt die Dicke der Metallschicht 24 zwischen 0,1 und 10 μΐη.

Das Heißpressen der Scheibe 10 auf das Substrat 22 kann unter Druck in einem Induktionsofen 26 durchgeführt werden, wie in der Darstellung in zerlegter Anordnung nach ■ F i g. 3 angedeutet ist. Die Metallschicht 24 auf der Scheibe 10 wird gegen die benachbarte Oberfläche 28 des Substrates 22 angeordnet, um einen Block 30 (F i g. 4) auszubilden. Die Scheibe 10 und das Substrat 22 werden zwischen Kohleplatten 32 und 34 gesetzt, so daß in Richtung der Pfeile 36 und 38 Druck auf die einander gegen-

überliegenden Seiten 14 und 48 des Blockes 30 ausgeübt werden kann, während ausreichend Wärme vom Induktionsofen 26 geliefert wird, damit die Metallschicht 24 in die Scheibe 10 und in das Substrat 22 eindiffundiert und somit diese zu dem Block 30 verbindet. Wenn die Schicht 24 aus Chrom oder Titan besteht, kann das Heißpressen bei einer Temperatur zwischen 950 und 1400⁰C und bei einem Druck zwischen 14 und 350 kp/cm² durchgeführt werden. Das Heißpressen sollte im Vakuum oder in einer neutralen oder reduzierenden Atmosphäre durchgeführt werden, z. B. in einer Argon- oder Wasserstoffatmosphäre. Niedrigere Temperaturen und Drücke können für Germanium oder III-V-Halbleitermaterialien, z. B. Galliumarsenid, verwendet werden.

Nach Herstellung des Blockes 30 werden unter Ausbildung einer Vielzahl von Mesas 40 zahlreiche Rillen 42 in den Block 30 eingeschnitten, wie in den Fig. 4a, 4b und 5 dargestellt ist. Die gestrichelten Linien beim Block in F i g. 4 zeigen die Ebenen, längs derer die Schnitte zur Ausbildung der Mesas 40 durchgeführt werden müssen. Jede der Rillen 42 erstreckt sich vollständig durch die Scheibe 10 und teilweise durch das Substrat 22, wobei sich eine Vielzahl von im wesentlichen gleichartigen Mesas 40 in einem weitgehend regelmäßigen Muster ergeben, wie aus der Aufsicht nach Fig. 4b zu ersehen ist. Die Rillen 42 können aus dem Block 30 beispielsweise durch chemische und elektrolytische Ätzverfahren, durch Sandstrahlbehandlung, Sägen, Schleifen oder Ultraschallbearbeitung ausgenommen werden.

Es ist nun erforderlich, ein elektrisch isolierendes Material, z. B. erweichtes Glas, in die Rillen 42 zu pressen; da aber die meisten Glasarten Verunreinigungen enthalten, die den pn-übergang 20 nachteilig beeinflussen können, ist es zweckmäßig, die Plateaufläche 14 jedes Mesas 40 und die die Rillen 42 begrenzenden Bereiche der Scheibe 10 und des Substrates 22 mit einer Schicht 44 aus einem elektrisch inerten Material zu überziehen, z. B. mit einer Siliziumdioxydschicht. Die Silizumdioxydschicht 44 kann nach irgendeinem bekannten Verfahren aufgebracht werden, z. B. durch unmittelbare Oxydation der Scheibe 10, falls diese selbst aus Silizium besteht, durch Aufdampfen von Siliziumdioxyd (SiO₂ oder SiO in O₂), durch Dampfphasenniederschlag von Organosilanen oder durch Hydrolyse oder Oxydation von Siliziumhalogeniden.

Das Siliziumdioxyd kann mit anderen Oxyden, z. B. Phosphorsilikat, Borsilikat oder Bleisilikat, verändert werden, wenn die Scheibe 10 aus Galliumarsenid oder Germanium besteht. Die Dicke der Schicht 44 liegt vorzugsweise zwischen 0,3 und 1 μΐη. Falls ein Glas hoher Reinheit (inert gegenüber dem pn-übergang) zur Verfügung steht, kann die Schicht 44 weggelassen werden.

Danach wird eine Glasscheibe 46 (F i g. 6), die bis zum Erweichungspunkt erwärmt ist, in die mit Oxyd überzogenen Rillen 42 gepreßt. Der in F i g. 3 gezeigte Induktionsofen 26 kann zum Erweichen des Glases 46 verwendet werden. Zwischen dem Glas 46 und dem Substrat 22 kann ein Druck ausgeübt werden, indem man das Glas 46 auf die Oberfläche 14 jedes der überzogenen Mesas 40 legt und diese Gruppe zwischen den Blöcken 32 und 34 mit einem Druck zwischen 1,4 und 350 kp/cm² und bei einer zur Erweichung des Glases 46 ausreichenden Temperatur zusammenpreßt. Wenn auch die Einbringung des Glases 46 in die Rillen 42 leicht durch das vorbeschriebene Heißpressen erfolgen kann, kann das Glas auch auf andere Art eingebracht werden, indem man es beispielsweise in diese Räume einsacken läßt oder durch Sedimentation, Schmelzen oder Dampf niederschlag. Verschiedene Glassorten besitzen günstige thermische Expansisonskennlinien im Hinblick auf die Verwendung zusammen mit Silizium oder anderen im Handel erhältlichen Halbleitermaterialien.

ίο Nachdem das Glas 46 abgekühlt ist und sich in den Rillen 42 erhärtet hat, werden die einander gegenüberliegenden Hauptflächen des Blockes 30 bis zu den Ebenen 47 und 49 geläppt, welche durch die gebrochenen Linien in F i g. 6 angedeutet sind, wobei man eine erste zusammengesetzte Scheibe50 (Fig. 7) erhält. Die zusammengesetzte Scheibe 50 besitzt nun eine Vielzahl von gleichartig orientierten Gleichrichterkomponenten oder Dioden 52 (die früheren Mesas 40), die räumlich und elektrisch durch das Glas 46 Voneinander getrennt sind. Die einander gegenüberliegenden Hauptflächen 54 und 56 der zusammengesetzten Scheibe 50 sind eben und enthalten einander gegenüberliegende exponierte Oberflächen, d. h. Kontaktflächen oder Anschlüsse 14 a und 48 a der Dioden 52, wie in den F i g. 7 und 8 gezeigt ist.

Die gleichartig orientierten Dioden 52 sind in der zusammengesetzten Scheibe 50 nicht geeignet orientiert, um elektrische Verbindungen zwischen ihnen anzubringen und damit bestimmte Schaltungsanordnungen herzustellen, wie z. B. den Stapel 60 (F i g. 10 und 10 a) aus in Reihe geschalteten Gleichrichtern. Deshalb wird die zusammengesetzte Scheibe 50 in eine Vielzahl von Teilen, z. B. die Teile 62, 64, 66 und 68, durch Schnitte längs der unterbrochenen Linien 55, 57 und 59 (F i g. 8), welche durch das Glas 46 führen, zerlegt.

Die Teile 62 bis 68 werden nun in einer gewünschten Konfiguration wieder zusammengebaut. Beispielsweise werden die Teile 64 und 68 umgewendet, d. h.

um 180° um ihre Längsachse gedreht, wie in Fig. 9 gezeigt ist. Die Teile 62 bis 68 werden nun erneut unter Ausbildung der gewünschten Konfiguration zu einer ebenen zusammengesetzten Scheibe 70 zusammengebaut. Die Teile 62 bis 68 können miteinander unter Bildung der zusammengesetzten Scheibe 70 verbunden werden, indem man diese erneut in dem Induktionsofen 26 erhitzt, bis das Glas 46 erweicht und die Teile aneinander festhängen. Erforderlichenfalls kann ein ausreichender Druck auf die Teile 62 bis 68 ausgeübt werden, um deren Zusammenbacken beim Erweichen des Glases zu bewirken. Die Teile 62 bis 68 können auch auf andere Weise, z. B. mittels geeigneter Kitte, Kunststoffe oder metallischer Leiter, z. B. Blei, aneinander befestigt werden. Wenn auch nach der vorstehenden Beschreibung die zusammengesetzte Scheibe 50 in vier Teile getrennt worden ist und diese Teile in der Konfiguration gemäß der zusammengesetzten Scheibe 70 zusammengefügt worden sind, so kann die zusammengesetzte Scheibe 50 auch in zwei oder in mehr Teile zerlegt werden, um in irgendeiner gewünschten Konfiguration erneut zusammengefügt zu werden. Ferner kann die zusammengesetzte Scheibe 70 auch aus Teilen von verschiedenen zerlegten Scheiben hergestellt werden. Beispielsweise können die Teile 62, 64, 66 und 68 jeweils von vier verschiedenen zusammengesetzten Scheiben 50 stammen.
Zur Herstellung des Gleichrichterstapels 60

7 8

(Fig. 10 und 10a), der vier in Reihe geschaltete anordnung 60 durch die Anschlüsse 82 und 84 geDioden 52 umfaßt, wird ein Abschnitt 71, der zwi- bildet werden.

sehen den beiden durch die unterbrochenen Linien In den Fig. 12 und 12a ist als Ausführungsbei-

72 und 74 (F i g. 9) angedeuteten parallelen Ebenen spiel eine Gleichrichterbrücke 90 dargestellt, welche

liegt, aus der zusammengesetzten Scheibe 70 heraus- 5 aus einem Abschnitt der wieder zusammengefügten

genommen. Der Abschnitt 71 kann hierbei längs der Scheibe 70 (F i g. 9) besteht, welcher Abschnitt die

durch das Glas 46 führenden Linien 72 und 74 nach vier mit 52 e, 52/, 52 g und 52 h bezeichneten Dioden

irgendeiner geeigneten Art, z.B. durch Ultraschall- umfaßt. Die Anschlüsse 14a und 48a (Fig. 9) der

behandlung, Sandstrahlbehandlung oder chemische Dioden 52e und 52/ sind jeweils elektrisch durch

Ätzverfahren, ausgeschnitten werden. 10 einen Leiter 92 (Fig. 12), z.B. metallische Farbe,

In Fig. 9 und in den nachfolgenden Figuren sind miteinander verbunden; die Anschlüsse 14a und 48a einige der Dioden 52 mit einem zusätzlichen Bezugs- der Dioden 52 g und 52 h sind in ähnlicher Weise buchstaben versehen, um die relative Lage der ein- über einen Leiter 94 miteinander verbunden. Die zelnen Dioden 52 bei der jeweiligen Anordnung Leiter 92 und 94 können von der Hauptfläche 96 der leichter bezeichnen zu können. An dem heraus- 15 Festkörperschaltung 90 bis zur angrenzenden Obergenommenen Abschnitt 71 werden jetzt geeignete fläche 98 verlaufen, um einen bequemen Zugang für Verbindungen angebracht, um den in den Fig. 10 elektrische Anschlußleitungen zu erzielen. Auf der und 10 a dargestellten Gleichrichterstapel 60 auszu- gegenüberliegenden Hauptfläche 99 sind die Anbilden. Hierbei wird der Anschluß 48a einer Diode Schlüsse 14a beider Dioden 52/ und 52h über einen 52a (Fig. 10a) bei der dargestellten Ausführungs- 20 Leiter 100 miteinander verbunden, und die Anform mit dem Anschluß 14 a der benachbarten Schlüsse 48 a der beiden Dioden 52 e und 52 g sind Diode 52 b durch eine Verbindung 76 aus bei- in ähnlicher Weise über einen Leiter 102 miteinander spielsweise metallischer Farbe verbunden, und der verbunden. Die Leiter 100 und 102 können ebenfalls Anschluß 48 a der Diode 52 b wird mit dem An- von der Hauptfläche 99 zur angrenzenden Fläche 104 Schluß 14 a der benachbarten Diode 52 c durch 25 verlaufen, damit die Festkörperschaltung bequem in eine aufgemalte elektrische Leitung 78 verbunden. den gewünschten Gesamtschaltkreis eingeschaltet In ähnlicher Weise wird die Diode 52 d durch eine werden kann.

aufgemalte elektrische Leitung 80 in Reihe geschaltet Fig. 13 zeigt schematisch den Schaltkreis der mit der Diode 52c. Die Endanschlüsse 82 und 84 Gleichrichterbrücke 90. In Fig. 13 stellen die Leiter des Gleichrichterstapels 60 können auf die An- 30 92 und 94 die Eingangsklemmen dar, an denen die Schlüsse 14 a und 48 a der Dioden 52 a und 52 d gleichzurichtende Spannung angelegt wird, und die jeweils aufgemalt werden. Wie ersichtlich, können Leiter 100 und 102 stellen die Ausgangsklemmen also benachbarte Dioden, die geeignet in einem dar, an denen die gleichgerichtete Spannung in besolchen Abschnitt orientiert sind, zu einem Stapel mit kannter Weise abgenommen werden kann,
in Reihe geschalteten Gleichrichterelementen ge- 35 Aus den vorstehenden Ausführungen ist ersichtschaltet werden, indem man lediglich benachbarte lieh, daß nach dem beschriebenen Verfahren, ausDioden mittels verhältnismäßig kurzer Verbindungen gehend von verhältnismäßig billigen zusammenan gegenüberliegenden Seiten des Abschnittes ver- gesetzten Scheiben mit gleichartig orientierten, elekbindet. trisch voneinander isolierten Schaltungskomponenten,

Statt die Verbindungen aufzumalen, können diese 40 Festkörperschaltungen hergestellt werden können,

auch durch Metallaufdampfen, durch Anlöten von Wenn auch beim beschriebenen Ausführungsbeispiel

Drähten, durch Anbringen von Leitungsklemmen für die Herstellung neuer Gleichrichteranordnungen

oder nach irgendwelchen anderen bekannten Arten eine zusammengesetzte Scheibe verwendet wurde, die

angebracht werden. eine Vielzahl gleichartiger Dioden besitzt, so können

Fig. 11 zeigt das Schaltungsdiagramm für die 45 zur Herstellung anderer Festkörperschaltungen auch Gleichrichteranordnung 60, in der die Dioden 52 a zusammengesetzte Scheiben, die andere gleichartige bis 52 d durch die Verbindungen 76 bis 80 in Reihe Schaltungskomponenten, z. B. Transistoren, entgeschaltet sind und die Anschlüsse der Gleichrichter- halten, verwendet werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

1 2 fahren sind zahlreiche Arbeitsgänge teilweise wiederPatentansprüche: holt durchzuführen, um die verschiedenen Schaltungskomponenten und Schaltkreisverbindungen auszubil-

1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter- den. So sind beispielsweise in manchen Fällen die Schaltungsmoduls, ausgehend von einer planaren 5 Arbeitsgänge

Scheibe, die aus einer Vielzahl gleichartig aus- . . ,, . . _, , , , . , ^. . . _TT i«

gebildeter und angeordneter Schaltungskompo- ^L Aufbringen einer Photolackschicht auf eine HaIb-

nenten aus Halbleitermaterial zusammengesetzt leiterscneibe,

ist, welche durch ein mittels Wärme erweichbares, 2. Belichten der Photolackschicht und

elektrisch isolierendes Material voneinander ge- ίο . _v _,, , , , . , ... . ,

trennt sind und an entgegengesetzten Haupt- ³· ^At*^en der Photolackschicht wahrend der Herflächen der Scheibe Kontaktflächen besitzen, da- ^st?"^unS f^iner einzelnen Schaltung oftmals zu

durch gekennzeichnet, daß die zusam- wiederholen.

mengesetzte Scheibe (50) längs des Isoliermate- Wenn alle auf oder in einer Halbleiterscheibe aus-

rials (46) in mehrere Teile (62, 64, 66, 68) zer- 15 zubildenden Schaltungskomponenten gleich und trennt wird, die längs ihrer Trennflächen eine gleichartig orientiert sind, ist die Anzahl der photo-Schicht aus dem Isoliermaterial aufweisen, daß lithographischen Arbeitsgänge für ihre Ausbildung wenigstens eines (64, 68) dieser Teile umgewendet gewöhnlich kleiner als dann, wenn einige oder alle wird, daß wenigstens einige der Teile einschließ- von ihnen verschiedenartig sind,

lieh des umgewendeten Teiles wieder zusammen- 20 Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, gesetzt und in dieser Anordnung durch Erweichen also Halbleiteranordnungen in Form eines Transi- und Verbinden des Isoliermaterials durch Erwär- stors od. dgl., ist es bekannt und allgemein üblich, ζ! mung der Teile unter Bildung einer neuen plana- von einer eine Vielzahl dieser Anordnungen enthalten- ^ ren Scheibe (70) aneinander befestigt werden, und den Scheibe auszugehen, die dann in die einzelnen

daß aus dieser neuen Scheibe wenigstens ein Ab- 25 Anordnungen zerteilt wird. Nach einem aus der schnitt entfernt wird, der wenigstens zwei Schal- deutschen^ Auslegeschrift 1188 731 bekannten Vertungskomponenten (52 a, 52 c oder 52 g, 52e) des fahren soll dabei zur Kontaktierung der einzelnen nicht umgewendeten Teiles und mindestens zwei^: Bauelemente ein metallisches Leiternetz auf die Schaltungskomponenten (52 b, 52 d oder 52/, Scheibe aufgeklebt und mit ihr zerteilt werden. Da-

52 h) des umgewendeten Teiles enthält, die unter 30 durch wird der spätere Einbau der Bauelemente in Bildung des Schaltungsmoduls (60, 90) elektrisch eine Schaltung erleichtert. Die Zusammenschaltung miteinander verbunden werden. einzelner Bauelemente zu einem Schaltungsmpdul,

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- d. h. zu einer in verschiedenen größeren Schaltungskennzeichnet, daß die Schaltungskomponenten als anordnungen benötigten Grundschaltung, ist hierbei Dioden (52) ausgebildet sind, die durch die elek- 35 jedoch nicht vorgesehen.

irischen Verbindungen (92, 94,100,102) zu einer Es ist auch ein Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterbrücke (90) zusammengeschaltet Halbleiteranordnungen bekannt (deutsche Auslegewerden. · schrift 1193 169), bei dem mehrere Halbleiterbau-

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge-· elemente gegeneinander isoliert in einer gewünschten kennzeichnet, daß aus der neuen Scheibe (70) ein 4° Konfiguration nebeneinander oder übereinander zuAbschnitt (60) herausgenommen wird, der eine sammengefügt und unter Bildung einer Halbleiter-Reihe von Schaltungskomponenten (52 a bis 52 d) scheibe miteinander verbunden werden, und bei dem enthält, die bezüglich ihrer Kontaktoberflächen ausgewählte Kontaktflächen der Schaltungskompoalternierend umgekehrt in dem Abschnitt an- nenten unter Bildung der gewünschten Halbleitergeordnet sind. . 45 anordnungen miteinander verbunden werden können.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- Die Verbindung der Bauelemente erfolgt durch Oxykennzeichnet, daß die Schaltungskomponenten als dieren. Bei einem Ausführungsbeispiel handelt es sich Dioden (52) ausgebildet sind, die durch die elek- um verschiedenartige Bauelemente.

trischen Verbindungen (76, 78, 80) miteinander Wenn auch eine Anordnung der oben erläuterten

in Reihe geschaltet werden. 5° Art mit gleichen und gleichartig orientierten Schal

tungskomponenten weniger aufwendig ist als eine Anordnung mit ungleichen Komponenten, so sind

gewöhnlich die gleichartigen Komponenten so ungeeignet orientiert, daß viele Schaltungsarten nicht reali-55 siert werden können, weil die erforderlichen Schaltverbindungen praktisch nicht herstellbar sind. Die

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel- Aufgabe der Erfindung besteht darin, diesen Nachteil len eines Halbleiter-Schaltungsmoduls, ausgehend von zu vermeiden.

einer planaren Scheibe, die aus einer Vielzahl gleich- Die Erfindung besteht darin, daß bei einem Verartig ausgebildeter und angeordneter Schaltungs- 60 fahren der eingangs genannten Art die zusammenkomponenten aus Halbleitermaterial zusammen- gesetzte Scheibe längs des Isoliermaterials in mehrere gesetzt ist, weiche durch ein mittels Wärme erweich- Teile zertrennt wird, die längs ihrer Trennflächen eine bares elektrisch isolierendes Material voneinander Schicht aus dem Isoliermaterial aufweisen, daß weniggetrennt sind und an entgegengesetzten Hauptflächen stens eines dieser Teile umgewendet wird, daß wenigder Scheibe Kontaktflächen besitzen. 65 stens einige der Teile einschließlich des umgewen-

Bei der Herstellung gewisser integrierter Schaltun- deten Teiles wieder zusammengesetzt und in dieser gen unter Verwendung von Halbleitermaterialien und Anordnung durch Erweichen und Verbinden des Isounter Anwendung photolithographischer Herstellver- liermaterials durch Erwärmung der Teile unter BiI-