DE1564378A1 - In eine integrierte Schaltungsanordnung aufgenommener Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

In eine integrierte Schaltungsanordnung aufgenommener Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE1564378A1
DE1564378A1 DE19661564378 DE1564378A DE1564378A1 DE 1564378 A1 DE1564378 A1 DE 1564378A1 DE 19661564378 DE19661564378 DE 19661564378 DE 1564378 A DE1564378 A DE 1564378A DE 1564378 A1 DE1564378 A1 DE 1564378A1
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Description

In eine integrierte Schaltungsanordnung aufgenommener Kondensator
and Vorfahren zu seiner Herstellung.
Die Herstellung von Miniaturkondensatorsn für integrierte Schaltungöanordnungen hat in den letzten Jahren noch nicht eufriendensteilend gelSete Schwierigkeiten hinsichtlich der monolithischen Schaltungen »it aich gebracht. Es ist bekannt, Miniatttrkondematoren in Sehalturv-rsanordnungen hersuatellen, die Scheiben Bit Transistoren, Widerstünden, Induktivitäten und gesonderte Kondensatoren enthalten, webe! aehrere Seheiben auf einen keramischen Kttrper innerhalb einer Hill» angebracht werden·
2s ist SMOh bekannt, auf Halbleiterplatten Miniattrkeadtn·»- toren hersuatellen, bei denen eine Elektrode durch die Hallteiteryl·!*· selbst, das Walektriicuu durch eine Schicht des Oxydes des Halbleiter·
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und die zweite Elektrode durch eine Metallschicht gebildet wird, die meistens durcü Aufdampfen im Vakuoni hergestellt wird, welche Kondensatoren als Metall» Oxyd- Halbleiter-Kondensatoren bezeichnet werden.
PVkr die Herstellung eimi3 aolchen Kondensators wird im allgemeinen von einer Silizium .platte n&it einem spezifischen Widerstand von etwa 0,01.1- em aasgegangen. Diese Wahl beruht auf einem Kompromiss. Wenn der Widerstand der Platte gross ist, bringt die niedrige Leitfähigkeit der von ihr gebildeten Elektrode einen hohen Verlustfaktor mit sich. Andererseits liefert die Oxydation von Silicium mit hohem Widerstand ein Oxyd mit wenig Verunreinigungen, woduroh sich zwar der Vorteil einer hohen Kristallyarfektion ergibt, jedoch eine starke Varaktor-Wirkung, d.h. eine grosse Aends.ung der Kapazität mit der Spannung bei der Grenzfläcne Si-SiOp, auftritt. Wenn dagegen der spezifische Widerstand der Platte niedrig ist, bringt die hahe Verunreinigungskonzentration des Siliziums eine schlechte Qualität der SiOp-Schicht und hohe LeckatrBme mit sich.
Dadurch, dass der geeignete 7ert dee spezifischen Widerstandes des verwendeten Materials verhält nieaase ig hoch gewählt wird, wird, um den Reihenwiderstand des Kondensators niedrig su halten, die elektrische Verbindung mit der von der Halbleiterplatte gebildeten Elektrode im allgemeinen mittels einer Metallschicht hergestellt, die auf der Hintereeite der Platte angebracht wird, z.B. durch Aufdampfen im Vakuum. Dies ist jedoch für den Einbau solcher Kondensatoren in integrierte Schaltung«anordnungen ungünstig.
Die meistens angewandte Technik zur Herstellung solcher Schaltungsanordnungen besteht darin, dass auf eines aus verschiede»
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dotierten Schichten bestehenden Halbleiterkörper alle aktiven Bestandteile Uni alia passiven bestandteile der ":.<it reffende Schaltung angebraoht werden»- Der Körper wird durch isolierende Trennstreifen in Teile unterteilt, Ewischen denen eini zuaBtfliehe Trennung gegebenenfalls dadurch erhalten warden Kann, dass ein in der Sjperrichtung polarisierter Uebarjang vorgesehen wird. Bei einer solchen Eiuart mttaaen sMrr.tliche Verbindungen so angebracht werden, dass sie an die gleiche Seite der Platte angeschlossen sind. Die bekannten Mikrominiaturkondensatoren von vorerwähnten Ty? können somit nicht in integrierte Schaltungsanordnungen eingebaut werden, weil es "Lei ihnen notwendig ist, eine Verbindung an der Verdereteite und did andere an der Hintarseite der Platte aneuordnen.
Die -vorliegende Erfindung betrifft einen Kondensator mit einer derartigen Bauart, dass er sich in eine Integrierte Schaltungsanordnung einbauen lMsst.
Sie erste Elektrode dieses Kondensators besteht aus einer Schicht mit sehr niedrigem spezifischen Widerstand und geringer Dicke in einem Halbleiterkörper. Die Isolation besteht aus einer genetischen Oxydschicht ve» Oxyd dieses Halbleiters, die jedoch niedrig dotiert ist. Sie «weite elektrode wird durch eine dünne Metallschicht gebildet. Unter einer genetischen Oxidschicht ist in diesem Zusammenhang eine Schicht β* verstehen» die durch Oxydation des Materials der Grundlage aus diesem Vatarial erzeugt worden ist. Die Form der zwei Elektroden und der Isolierschicht, die zusammen diesen Kondensator bilden, ist derartig, dass ein bestimmter Teil der elektrode im Halbleiter nicht durch die "beiden anderen Elenente, d.h. die Isolierschicht und die
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darauf angebrachte Elektrode, bedeckt wird, so dass auf Her Halbleiterelektrodü ein Kontakt angebracht werden kann, der auf der gleichen Seite liegt wie der Kontakt fur die zweite Elektrode.
Sie Halbleitereletetrode besteht zweekmässig daran aus einer sehr niederobrnigen Schicht, weil aie in der Längsrichtung vom Kondensatorstrem durchflossen wird.
Der wesentliche Vorteil eines solaheη Aufbau« besteht darin, dass er in eine integrierte Schaltungsanordnung eingebaut werden kann und dass es auslieh ist, ihn durch in der "Planartechnik" bekannte Verfahren herzustellen.
Ein solcher Aufbau kann in verschiedenen Weisen erzeugt warden. Z.B. kann man auf eine Siliziumgrundiage eine erste Epitaxial· schicht alt hoher Leitfähigkeit und dann eine zweite E#itaxialsohieht alt niedriger Leitfähigkeit aufbringen, weiche letztere Schicht durch eine Wärmebehandlung oxydiert wird, wonach in die Oxydschicht ein Fenster geätzt wird, worauf der Kondensator dadurch fertiggestellt wird, dass im Vakuum die zweite Elektrode angebracht wird, deren Flächenfera» durch Verwendung einer geeigneten Maske genau bestimmt wird. Vorzugsweise ergibt sich diese Bauart jedoch dadurch, das· naoh dem nachstehend beschriebenen erfindungsgemässen Verfahren, das sich zur Anwendung in der "Planartechnik" eignet, von einer Siliziumplatte ausgegangen wird.
Dieses. Verfahren besteht darin, dass zunSehst in einer Siliziua^latte eine erste Elektrode durch Eindiffundieren eines Dot ie TUn6-SStOl fee bis zu einer geringen Tiefe, jedech mit hoher Konzentration erzeugt wird, wonach die Konzentratien dieses Detierung s-
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Stoffes an der Oberfläohe dadurch herabgesetzt wird, dass die Eigenschaft des Siliziumoxyde, bestimmte Verunreinungen aufzunehmen ("Getterwirkung") benutzt wird, wonach die so gereinigte Oberflächenschicht in das Silisiuaoxyd angesetzt wird, das als Dielektrikum dient, worauf auf die Oberfläche dieser Oxydsehicht z.B« dureh Aufdampfen im Vakuum eine Gegenelektrode auf gebracht wird.
Die Erfindung wird jetzt an Hand der heiligenden Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Schnitt dureh einenbeiejielsweise Kondensator geraasa der Erfindung, während Fig. 2 eine Draufsicht diesas Kondensat·rs darstellt.
Die Figuren 3 bis 7 Beigen sehematisch Schnitte dureh den erfindungsgem'asseri Kondensator in verschiedenen Stufen der Herstellung.
Fig. 3 zeigt eine Halbleiterplatte nach der Diffusion der leitenden Schicht zum Bilden einer ersten Elektrode; Fig. 3* stellt graphisch die Verteilung der Dotierungsstoffe in dieser Schicht dar.
Fig. 4 zeigt die erwähnte Platte nach der Anbringung einer Oxydschicht, die als Getter wirksam ist; Fig. 4a stellt graphisch die Verteilung der Dctierungsstoffe in den dotierten Schichten dar*
Fig. 5 zeigt die erwähnte Platte nach Beseitigung der Oxydschicht, nachdem diese ihre funktion als Getter erfüllt-hat.
Fig. 6 zeigt die Platte nach der Anbringung einer neuen Oxydschicht, die als Isolation dient, und
Fig. 7 zeigt das in dieser Schicht angebrachte Fenster, in de» der Kentakt mit der Halb leite rale Kt rede vorgesehen werden sell.
Fig. 1 zeigt in Querschnitt einen beispielsweise erfindungs-
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müssen Kondensator ein^integrierte Schaltungsanordnung) z.B. aufgebaut auf einem SiliziurakUrpor; die weiteren Teile der 3 c hi t wig s anordnung sind nicht dargestellt. In dieser Figur bszeichnet 1 den Teil des Halbleiters, der die ursprüngliche Dotierung des Halbleitergrvndmaterials dea Kuriers aufweist. 4 ist die stark: dotierte Halbleitersehicht, die als eine Elektrode dienst, 8 ist die Isolierschicht, 10 die andere aus Metall bestehende Elektrode und 11 der Metallkontakt auf der ersten Elektrode 4, die durch den Teil 8a der Schicht 8, der einen den Kontakt 11 umgebenden Ring bildet, gegen die Elektrode 10 isoliert ist. Sie Ozydschicht 2 dient sum Schutz der Oberfläche des Halbleiters.
Figur 2 ist eine Draufeieht auf die erwähnte Verrichtung, während Fig. 1 einen lttnge der Linie I-I geführten Schnitt durch diese Vorrichtung darstellt.
Infolge dieses Aufbaues, bei dem die beiden Kontatcte auf der gleichen Seite liegen, kann dieser Kondensator in eine integrierte Schaltungaanerdnung aufgenommen werden. Es ist bekannt, dass der spezifische Widerstand einer Siliziumylatte sun Einbau in eine integrierte Schaltungsanordnung immer ziemlich hoch ist, nimlich von der OrHsaanordnung von 0,5-^ cm· Dieser hohe spezifische Widerstand macht diesen nicht-dotierten Halbleiterkörper weniger geeignet zur direkten Verwendung als Elektrode, weil die dabei auftretenden Verluste viel tu hoch wären.
Die bisher als Ausgangeaat-rial angewandte Platte der bekannten Metal-Oxyd-Halbleiter-Kendensateren hat einen spezifischen
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Wide ret an A von Aar Grltaa anordnung von Ο,ΟίΧΐ en, aber dieser Wart wurde tei Verwendung In einem Kondensator alt Anschlüssen auf einer Seite eines Halbleiterkörper tu hoch sein. Der Verlauf der Stroradurchgttnge ist in den beiden Füllen völlig verschieden. Bei den bekannten "Kondensatoren ergilt «ich der Kontakt mit der ersten Elektrode nittels einer Metallschicht auf der ganzen unteren Fliehe dieser EIeKtrode, so dass der Strom im Halbleiter nur auf Wegen geringer Länge, die gleich der Dicke der Platte ist, d.h. von der Qrlssanordnung von 20 bis 100 ,u, flieset. Bei den erfindungsgemässen Kondensatoren sind die Strenwage in Halbleiter erheblich llngor. ^s ist somit wichtig, eine sehr niederohaigo Schicht herzustellen, die als Stromleiter wirkaaa ist, wobei der spezifische Widerstand des Teiles 1 des Halbleiter· unbedenklich beliebig gewlhlt worden kann.
Bio leitende Schiebt 4 kann «omit s.3. einen sjezifisohon Wideretand von hHchstene 0,001 ·'·- cm amfweisen. Diese Schicht wird durch Diffusion hergestellt. Sie vorzugsweise angewandton Dotierungsstoffe sind Phosphor fttr n-leitendes Silisiu.ii und Bor fUr ^-leitendes SiIi-Bius, und diese Dotierungsstoffe finden üblicherweise auch in anderem Teilen der Schaltungsanordnung Verwendung. Fig. 3 zeigt die Schicht 4 der Platte 1, wobei durch nit verschiedener Dichte angebrachte Punkte der Verlamf der Kontentration des Dotierungsstoffes angegelen ist. Fig. 3a Eeigt die Konsentrationskurve des Dotierungsstoffes in Abhlagigkeit von der Tiefe ζ zwischen A. und B., wobei A. ein PM«kt an der Oberfläche dor Flatto und 5. ein Punkt auf der Senkrechten auf Aor erwlhnten OberfIKohe in HVhe der Grensfliehe zwischen der dotierton Schicht 4 und der nicht-dotierten Schicht 1 der Platte ist.
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Der Ustand K. - B. entspricht der Diffusienstiefe.
Je nach den gewühlten Diffusionsverfahren nimmt die Kurve der Fig. 3a exponentiell ait dem Quadrat der Tiefe oder gemüse einer etwas verschieden-;η Kurve ab. Die OberflSehetene der Platte, die zur Bildung des Dielektrikums des Kondensatars in das Oxyd umgewandelt werden seil, hat eine zu hehe Dotierungssteffk#nzentrati»n.
Zb ist bekannt, die Oberfl äehensohichten v#n Hall leitern nacn der Dotierung von einen Uebermass an Detierungast«ffen au befreien. Zu dies-am Zweck wird die Platte im Vakuum erhitzt, wenn eine Oberflächenschicht gebildet werden seil, die nahezu frei von Detierungestoffen ist, oder sie wird in Gegenwart eines Absorptionsmittel »der Getters erhitzt, wenn eine Ob«rflachens chicht erhalten werden soll, die teilweise frei Ton Dotieiungsstcffen ist. Um auch die Schwierigkeit des Auftretans eines erheblichen Varaktoreffektes infolge einer praktisch isolierenden Halbleiterschicht, die nahezu völlig frei ν·η Detierungestoffen ist, zu vermeiden, ist es erwUnseht, die D*tierungs-■ teffkenzentratien der Obarflttehenaehicht zu verringern, aber nicht auf VuIl htirabzuaetzen.
3iliziua«xvd hat gerade die Gettereigenschaften, die bei bestiomten Dotierungssteffen Iesonders wiehtig sind und die mit grosser Unterschieden der Segregatienskenstanten dieeer Detierungestoffe in Siliziunexyd end in Silizium verbunden «ein kennen. Diese Eigenschaften Kennen in der Kal> leit^rteennik dazu benutzt werten, «ine
Platte zu eraalten, deren Oberflächenschicht wenig D«tierung*eteffe enthält. Das zu diesem Zweck anzuwendende Verfahren besteht in der Oxydatien einer Oberfläeh*nfilraa*hicht der Platte, welche Filas«hicht
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während der Bearbeitung Detierungsstotfe aufnimmt und nachher durch Aetzen entfernt wird. Die verarmte Schicht, die unter dieser Oxydhaut liegt, ist die Schicht, die nach dem WtgStzen der Oxydhaut die Oberflächenschicht der Platte bildet, is sei lerne riet, dass die Prozesse, gemäss denen die Detierunesstoffkonzentratien der Oberflächanschicht der Platte herabgesetzt wird, fUr Phosphor und Bor völlig verschieden sind, ebgliich die Bearl-eitungen die gleichen sind.
Die achwach datierte Schicht wird somit dadurch erhalten, dass auf der Siiiziumoberflache eine Oxydhaut gebildet wird, die einan grossen Teil der Detierungsstoffe der unterliegenden Schicht aufnimmt, die auf diese Weise gereinigt wird. Pig. 4 zeigt bei .ü> diese als Getter wirksame Oxydhaut. Die Verteilung der Dotierungsatoffkonzentration in der dotierten Schicht 4 wird durch den Verlauf der Dichte der Punkte in dieser Schicht und durch die Kurve der graphischen Darstellung der Fig. 4» angegeben, die ähnlich wie Pig. 3 *en Kenzentrati ensverlauf zwischen den Puructen k? und B„ der Pig. 4 schematisch darstellt.
Fig. 5 zeigt die Platt· nach der Ttegätzun^ der Oxydhaut 5 und Fiß. 6 zeigt die Platte nach der Umwandlung der schwach dotierten Ζ·ηβ in eine Siliziumoxydha*t 6.
In dieser Hait wird ein Fenster 5 (Fig. 7) angebracht, w»nach z.3. durch einen oder mehrere Aufdain^fvorgänge im Vakuum die üleictrode 10 auf der Oxydhaut 8 und der Kontakt 11 mit der Halbleiterelektrode 4 v»r^esehen werden (siehe Fig. 1).
Di· Erfindung ermöglicht die Herstellung eines flachen K«ndenaatt>r·, dessen Dielektrikum aus schwach datiertem Siliaiuadiexyd
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besteht und bei dem eine Elektrode durcn eine dUnne Zone aus gutlaitendem Silicium und die andere Elektrode durch eine Metallschicht, z.B. eine durch Aufdampfen in Vakuua hergestellte Aljminiumschicht, gebildet werden . Ceisäss der Erfindung ergeben sich auf diese Weise Kenden-
aatoren ait hoher mechanischer Festigkeit infolge des starken Zusam:uenhanges zwischen den Bestandteilen.
Dadurch, dass gero&ss der Erfindung Mikreminiaturkondeneatoren herstellbar sind, deren AnsehlUsase auf der gleichen Seite der Platte liegen, sind diese Kondensatoren technisch rereinbar -nit anderen Elementen einer eleictrenisenen Schaltung, ·· dass sie in integrierten Sohaltun^sanordn^ngen Verwendung finden kennen.
Bae beschriebene erfindungageinlsse Verfahren, bei dem als Dotierungsstoff Phosphor verwandt wird, hat den weiteren Verteil, dass mit der Herstellung anderer Elemente integrierte Schaltungaanerdnungen, bei der eine sogenannte Planartechnik Anwendung findet, gut kombiniert werden kann.
Nachstehend wird eine AusfUhrungsfona eines Verfahren· zur Herstellung eines Kondensaters als Beispiel beschrieben. Als Ausgangsmaterial dient eine SiIi si umplatte 1 ait rerhältnismäaBig hohem spezifischen Widerstand (z.B. 0,3- >l- otB) eder eine aus Schichten aufgebaute Platte, bei der die obere Schicht rerhiltnisaässig dick ist (mindestens etwa 20/u); diese Platte wird auf !«kannte Weise poliert und dann mit einer Oxydschicht 2 Überzogen.
Doreh ein PheteKtErerfahren wird in der Oxydschicht ein Fenster 3 in Form der unteren Elektrode hergestellt, durch da« Phosphor in starker Konzentration bis zu einer verhXltnismlesig geringen Tiefe
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(10/u) eindiffundiert wird. Auf diese Weise ergilt «ich an der Oberfläche des Halbleiters eine Schicht 4 heher LeitfIhigkeit, die nachher als Elektrode wirksam ist.
'.fahrend dieser Diffusion bildet sich eine Oxydhaut auf der Oberfläche der Platte, welche Haut aaf bekannte Weise mit Flusssaure entfernt wird.
Dann wird durcn thermische Oxydation auf der Oberfläche eine 4 ^ia 5/u dicke Oxydhaut ang^l rächt, die als Getter dient. Wihrend dieses Verlang -a dringt der Detierurvjasteff tiefer in die Platte ein.
Nachdem die Oxydhaut 5 durcn Aeteen «it Flvtsslre entfernt worden ist, hat die Siliziumjlatte «ine gelierte Pläehe, unter der die erete Siliziumschicht schwach dotiert ist. Hs sei bemerkt, dass die hechpeliert· Oberflaehe, die sich durch die Aeteungn von SiO2 mit Fluestture ergibt, ein »usatelieher Vorteil dieses Verfahrens ist.
Ώλλ'λ wird thermisch unter trocknen Sauerstoff die schwaohdetierte Schicht «xydiert, so dass sich eins dünne Oxydhaut 6 axt einer Sicke Yen einigen hundert β η A ergibt, did daa Dielektrikum das Ke nde na at ο rs bildet. Durch rhetolteung wird in dieser Oxydhaut 8 ein Fenster 9 *ua An*· ringen eines Kentaktes auf der ersten Elektrode hergestellt, wonach dm ch Aufdampfen i» Vakuum eineAluminiwnacnicht mit einer Dicke rcn 0,4 bis 0,8 Mikrvn auf zwei versehiedenen Zonen 10 und 11 aufgebracht wird, deren Fern und Abmessunger^aittels einer Maske beatiamt werden. Bei 11 bildet die Aluainiunablagerung den Kontakt turn Anschluss an die erste Sie strode 4, bei 10 bildet die Aluminiunablagerung die andere Elektrode, mit der eine Verbindung hergestellt werden kann.
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Je η ac η den Umständen ktknnen die Verbindungen mit anderen Siebenten der Schaltungsanerdnung ganz «der teilweise durch Aufdampfen
> in Vakuum, gegebenenfalls im gleichen Arbeitsgang, »der auf andere
Weise,z.B. duroh eine Thermekompreesionsverbindung, hergestellt werden.
Das Verfahren ergibt Kondensateren, deren Dielektrikum tine Dicke von 300 A hat} ihr Wert kann bis zum 1000 pP/mm betragen, und sie lassen sich in integrierten Schaltungsanordnungen einbauen·
Selbstverständlich sind in Rahmen der Erfindung Abänderungen der "beschriebenen Ausfuhrungsformen möglich.
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Claims (10)

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1. , Metall-Oiyd-Halbl-jiter-Kendensator, der gegebenenfalls
in eine integrierte Schaltungsanordnung eingetaut sein kann und auf eine Platte aus eine» Halbleitermaterial, z.B. Silizium, aufgetaut ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Elektrode durch eine Schicht des erwähnten Halbleitermaterial mit verhaltnismässig heher Dotierungsstoffkonzentration gebildet wird, aufweicher Elektrode eine isolierende genetische Oxydschicht ν·αι gleichen Halbleitermaterial axt geringerer Dotierungsstoffkonzentration angebracht ist, welehö Schicht die erste Elektrode tedeckt, ausgenommen eine Zone, auf ier ein Kentakt angebracht werden kann, während auf dei Isolierschicht, mit Ausnahme der erwähnten Zone der ersten Elektrode und einer diese Zone umgebenden ringf örnigen Zone aus isolierendem Oxyd, eine J zweite, metallische Elektrode angebracht ist.
2. Verfahren zur Herstellung eine· Kondensators nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an einer Oberfläche einer Halbleiterplatte eine Schicht aus stark dotiertem Halbleitermaterial mit einem spezifischen Widerstand, der erheblich niedriger als der des unterliegenden Materials der erwähnten Platte ist, gebildet wird, wonach ein an der Oberfläche liegender Teil dieser Schicht gjreinigt und dann oxydiert wird, worauf auf der erhaltenen Oxydschicht eine leitende Schicht angebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass in der Oxydschicht ein Fenster wenigstens bis zur niederohmigen Schicht hergestellt wird, in dem ein .netallishcer Kontakt angebracht wird.
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4· Verfahren nach Anspruch 2 »der 3, dadurch gekennzeichnet;
dass die ni«derohmige Halbleiterschicht durch Diffuaien de· Detierungs-
• toffea in die Platte erhalten wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4» dadureh gekennzeichnet, dass die leitende Schicht auf der Oxydschicht duroh Aufda.n^f-sn gebildet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5» dadureh gekennzeichnet) dass der an der Oberfläche liegende Teil der niederehinigen Halbleiterschicht durch Oberfläaheaexydatien gereinigt und dann die erhaltene Oxydechicht entfernt wird.
7« Verfahren naeh einem der Ansprüche 2 bis 5» dadureh gekenn-
zeiehnet, daas die Oxydatien zur Bildung der Isolierschicht des Kenäen-
• aters thermisch in einer trecknen Sauerstoffatraesphttre erfolgt.
8. Verfahren nach einer» der Ansprüche 2 bis 7» dadureh gekennzeichnet, dass die Halbleiterplatte aus Silizium besteht.
9. Verfahren naeh Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass Phespher in die Siliziumplatte eindiffundiert wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8 eder 9» dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung des Kontaktes im Fenster wind der leitenden Schicht auf der Oxydschicht Aluminium aufgedampft wird.
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