DE1564110A1 - Verfahren zum Herstellen von Transistoren - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Transistoren

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semiconductor
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diffusion
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DE19661564110
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German (de)
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Roger Cullis
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TDK Micronas GmbH
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Deutsche ITT Industries GmbH
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1764398B1 (de) * 1968-05-30 1971-02-04 Itt Ind Gmbh Deutsche Sperrschichtkondensator
US4225874A (en) * 1978-03-09 1980-09-30 Rca Corporation Semiconductor device having integrated diode
US5091321A (en) * 1991-07-22 1992-02-25 Allegro Microsystems, Inc. Method for making an NPN transistor with controlled base width compatible with making a Bi-MOS integrated circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE636317A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1962-08-23 1900-01-01
NL297288A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1962-08-31
DE1229650B (de) * 1963-09-30 1966-12-01 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit pn-UEbergang nach der Planar-Diffusionstechnik
US3370995A (en) * 1965-08-02 1968-02-27 Texas Instruments Inc Method for fabricating electrically isolated semiconductor devices in integrated circuits

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