DE1537611A1

DE1537611A1 - Transistor-Wechselstromverstaerkerschaltung

Info

Publication number: DE1537611A1
Application number: DE19671537611
Authority: DE
Inventors: Tokinori Kozawa; Ichiro Miwa; Minoru Nagata; Yoshito Oomura
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1966-12-28
Filing date: 1967-12-21
Publication date: 1970-01-08
Also published as: US3535647A; NL6717577A; GB1215324A; FR1548146A

Description

Die Erfindung bezieht .sich auf eine Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung und insbesondere auf eine verbesserte Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung, bei welcher sogar, wenn das Gleichstroinpotential eines Eingangssignals, das dieser zugeführt wird, schwankt, sein Gleichstromausgaiigspotential stabil gehalten wird, so daß sie, falls sie in galvanischer Kaskadenverbindung mit einem anderen Transistor-Wechselstromverstärkerkreis gekoppelt ist, es ermöglicht,■daß das Gleichstromarbeitspotential der angeschlossenen Schaltkreise im stabilen Zustand gehalten wird»

Wenn ein hochgradig verstärkender Transistor-Wechselstroniverstärker aus einer Kaskadenverbindung von Traneistoren gebildet wird, indem kürzlich entwickelte integrierte Halbleiterschaltkreistechniken verwendet werden, ist es vorteilhaft, einen galvanisch gekoppelten Typ von Schaltkreis ohne irgendwelche Kopplungsmittel, wie z» B. Kondensator und Transformator zu schaffen. Dies hat die Gründe, daß die Bildung eines induktiven Elements in einem integrierten Halbleiterkreis konstruktiv schwierig ist, und daß ein Kondensator, obwohl er in integrierter Schaltkreisausbildung nicht unmöglich erhältlich ist, mit einem hohen Kapazitätswert in dieser Art ziemlich schwierig herzustellen ist. Darüber hinaus hat ein integrierter Halbleiter-

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Hm»

kondensator notwendigerweise wegen seines Aufbaues eine parasitäre Kapazitanz gegen Erde, so daß eines seiner Enden äquivalent geerdet wird. Daher ist ein in einer integrierten Schaltkreisart erhaltener Kondensator nicht einsatzfähig, mit Ausnahme bestimmter Verwendungen, z. B, als Uberbrückungskondensator und in einem Kreis, der keine hohe Kapazität verlangt»

Da indessen galvanisch gekoppelte Transistor-Wechselstromverstärker in Kaskadenverbindung die gleiche Gleichstrom- und Wechselstromverstärkung haben, wenn die Gleichstromvorspannung in einer vorhergehenden Verstärkungsstufe schwankt, wird die Schwankung dieser Vorspannung mit einem ihr überlagerten Wechselstromeingangssignal verstärkt und läßt den Gleichstromarbeitspunkt der angeschlossenen Schaltkreise erheblich schwanken. Insbesondere im Fall eines Hochleistungsverstärkerkreises verursacht schon eine kleine Änderung der Vorspannung in einem vorangehenden Kreise Sättigung oder Abschaltung in den folgenden Schaltkreisen, so daß eine normale Verstärkung unmöglich gemacht wird. Dies ist ein wesentlicher Fehler dieses Verstärkertyps.

Auch kann in einem üblichen Verstärkerkreis ein Eingangssignal nur als Wechselstromsignal betrachtet werden, während in einem Oszillator oder in einem aktiven Verstärkungssteuerkreis das Ausgangssignal ein der Änderung einer Gleichstromvorspannung überlagertes Wechselstromsignal wird, da der Gleichstromarbeitspunkt notwendigerweise im Betrieb schwankt. Daher ist, wenn das Ausgangssignal eines solchen Kreises einem galvanisch gekoppelten Verstärker in Kaskadenverbindung zugeführt wird, keine wirkungsvolle Ver stärkung zu erwarten, da die Schwankung des Arbeitspunkts der Verstärker der folgenden Schaltkreise vorhanden ist.

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Obwohl ein galvanisch gekoppelter Kaskadenverstärker einen äußerst geeigneten Aufbau für einen integrierten Ilalblei terkreis hat, war seine Verwendung wegen dieser Funktionsfehler auf einen besonderen Fall, wie z. B. Gleichstromverstärker beschrankt.

Cs ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung zu schaffen, die für eine integrierte Halbleiterkreisausbildung äußerst geeignet ist. Dabei soll auch eiiio galvanisch gekoppelte Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung geschaffen werdenin welche im Betrieb ein liechselstroiiieingangssignal, welches von schwankendem Gleichstrompotential begleitet wird, verstärkt. Außerdem soll durch die Erfindung eine Transistorl'cchselstromverstärkerschaltung geschaffen werden, die sich als integrierte Halbleiterschaltung, insbesondere zusammen mit einem Verstärkungsgradsteuerkreis eignet. Schließlich soll durch die Erfindung eine Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung in galvanisch ,gekoppelter Mehrstufenkaskadenverbindung geschaffen werden, die sich zur Erzielung eines hohen Verstärkungsfaktors eignete

Diese Aufgabe wird durch eine Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung zur Verstärkung eines einer Gleichspannung überlagerten .-Wechselstromsignals , dessen Gleichstrompotential schwankend sein kann, erfindungsgemäß im wesentlichen dadurch gelöst, daß sie einen Verstärker-Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor zum Verstärken eines seiner Basis zugeführten Wechselstroinsiguals, einen mit dem Kollektor des Verstärker-Transistors derart verbundenen Lastwiderstand, daß vom Kollektor dieses Transistors ein Ausgangssignal abgegeben wird, und mit dem Emitter des Verstärker-Transistors

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verbundene Steuerkreiselemente gekennzeichnet ist, die einen Steuer-Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, der mit dem Emitter des Verstärker-Transistors verbunden ist, Mattel zum Anlegen einer konstanten Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Steuer-Transistors zwecks Erzeugung eines konstanten Stromes zum Emitter-Kollektorkreis des Verstärker-Transistors und einen zwischen dem Kollektor des Steuer-Transistors und Erde angeschlossenen Erdungskondensator umfassen, wodurch ein verstärktes Wechselstrom-Ausgangssignal mit einem stabilisierten Gleichstrompotential erhalten wirdo

So wird das Wechselstromeingangssignal, welches der Basis des Verstärker-Transistors zugeführt wird, verstärkt an seinem Kollektor abgegeben*

Diese Merkmale und weitere Einzelheiten der Schaltung gemäß der Erfindung ergeben sich aus der Erläuterung anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele. Es zeigern

Fig. 1 das Prinzip einer Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung gemäß der Erfindung;

Fig. 2 a ein Beispiel eines Konstantstromkreises, der in der Schaltung gemäß der Erfindung verwendet wird;

Fig. 2 b einen Bestandteil in diesem Konstantstromkreis;

Fig. 3 ein anderes Beispiel eines Konstantstromkreises, der in der Schaltung gemäß der Erfindung verwendet wird;

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*"" ORIGINAL

Fig. 4 eine Schaltung gemäß der Erfindung als Ausführungsbeispiel j

Fig. 5 ein Beispiel einer Schaltung gemäß der Erfindung, die besonders für die integrierte Halbleiterschaltungsausbildung geeignet ist;

Fig. 6 eine Schaltung als Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei der es auf bestimmte Effekte ankommt, und

Fig. 7 Meßergebnisse mit der Schaltung des vorangehenden Ausführungsbeispieles.

Die Erfindung bezieht sich im wesentlichen auf einen üblichen Emittertyp-Wechselstromverstärker, dessen Grundprinzip in Fig. 1 gezeigt ist. Ein Wechselstromeingangssignal wird einem Eingangsanschluß 1, welcher mit der Basis des Transistors 10 verbunden ist, zugeführto Der Kollektor des Transistors 10 ist mit einer positiven Spannungsquelle 2 über einen Lastwiderstand 11 verbunden. Der Emitter des Transistors 10 ist über einen Erdungskondensator 12 geerdet· Ein Konstantstromkreis 13_t der dem Transistor 10 einen konstanten Steuerstrom liefert, ist zwischen dem Emitter des Transistors 10 und dem Erdungspunkt 3 vorgesehen. Das dem Eingangsanschluß 1 zugeführte Eingangssignal erscheint am Kollektor des Transistors 10 verstärkt und wird vom Ausgangsanschluß 5 abgenommen. Der Konstantstromkreis 13 kann aus mehreren bekannten Kreisen, wie sie in den Figo 2 a und 3 gezeigt sind, ausgewählt werden.

Figo 2 a zeigt einen Konstantstromkreis, in welchem

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eine Diode 15 zwischen der Basis und dein Emitter eines Transistors 14 eingeschaltet ist„ Wenn eine angemessene Spannung an einen Basisanschluß 6 angelegt wird, erscheint eine konstante Spannung zwischen der Basis und dem Emitter, so daß ein konstanter Strom durch den Kollektorkreis fließt. Der Anschluß k des Kollektors ist mit dem Emitter des Transistors 10 verbunden, wie im Verstärkerkreis von Fig. 1 gezeigt ist_o Im Falle eines integrierten Halbleiterkreises kann die Diode 15 durch ein Element mit zwei Anschlüssen ersetzt werden, welches durch Kurzschließen der Basis und des Kollektors eines Transistors erhalten wird, wie in Fig. 2 b gezeigt isto

Der Konstantstromkreis, der in Fig. 3 gezeigt ist, besteht aus den Transistoren 16 und 18. Der Transistor verstärkt die Potentialschwankung, die sich über einen Widerstand 17 ergibt, der mit dem Emitter des Transistors 16 verbunden ist, und führt sie zum Transistor 16 zurück. Die Basis des Transistors 16 ist mit einem geeigneten Spannungspunkt 6 verbunden, so daß ein konstanter Strom über den Kollektor des Transistors 16 fließtο

Die Eigenschaft des Verstärkerkreises gemäß der Erfindung ist die, daß ein Wechselstromverstärkungs-Transistor durch einen Steuerkreis gesteuert wird, der einen Steuer-Transistor und einen Erdungskondensator umfaßt, der den Kollektor des Steuer-Transistors mit Erde verbindet, wobei der Kollektor des Steuer-Transistors mit dem Emitter des Verstärkertransistors verbunden ist und eine konstante Spannung zwischen der Basis und dem Emitter dieses Transistors angelegt wird, um einen konstanten Strom zu dem.Emitter-Kollektorkreis des Verstärker-Transistors zu leiten. Als Ergebnis wird die WechselStromverstärkung

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in der Weise bewirkt_p daß das Gleichstrompotential des Ausgangsanschlusses 5 unabhängig von der Gleichstromhölie Schwankung des Eingangs signals Icons tantgelial ten wird.

Fig. ^l zeigt eine Wechselstromverstärkerschaltung gernäß der Erfindung in Kombination mit einem automatischen Verstärkungsfaktorsteuerkreis (im folgenden mit A.G.C.-Kreis bezeichnet), wobei der Konstantstromkreis benutzt wird, der in Fig. 2 a dargestellt ist, um dem Transistor 10 eine Konstantstroinsteuerung zu geben. Die Bezugsziffer 20 bezeichnet einen Erststufentransistor in üblicher Jimitterausbildung und die Bezugsziffer 22 einen Kollektorlastwiderstando Ein Wechselstromsignal, welches der Basis 21 des Transistors 20 zugeführt wird, wird durch diesen Transistor 20 verstärkt und in den Verstärkerkreis gemäß der Erfindung über die Leitung 23 eingeführt, die den Kollektor des Transistors 20 mit der Basis des Transistors 10 direkt verbindet, wobei gleiche Bezugsziffern , verwendet sind, um gleiche Teile wie in Fig. 1 zu bezeichnen. Ein A.G.C.-Kreis, der aus einer Diode 24 und einem Transistor 25 gebildet wird, liegt parallel zum Transistor 20 zwischen der Leitung 23 und der Erde. Ein A.G₀C.-Signal wird der Basis 26 des Transistors 25 zugeführt, um den Vorspaimungsstroni über die Diode 2k zu steuern, welche daher als variables Widerstandselement.arbeitet. Die Diode 2k und der Widerstand 22 bestimmen den Lastwiderstand des Erststufenverstärkertransistors 20 und steuern seinen Ausgang entsprechend der WiderstandsSchwankung der Diode 2k, Das A.G.C.-Signal ändert den Strom, der durch die Diode 2k fließt, mit der Folge einer Gleichstrompotentialschwankung des Ausgangssignals des Transistors 20. Das der Basis des Zweitstufentransistors 10 zugeführte Signal würde daher eine Gleichstrompotentialschwankung erleiden, wenn-die vorliegende Erfindung nicht angewendet würde₀

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Es wird nun die Methode gemäß der Erfindung in Anwendung bei dieser Schaltung betrachtet» Der Emitter des Zweitstufentransistors 10 wird durch einen Konstantstromkreis gesteuert und über einen Kondensator 12 geerdet« Der durch den Kollektor fließende Gleichstrom wird daher unabhängig "von der Gleiche tromschw.ankung an der Basis immer konstant» Infolgedessen hat das am Anschluß 5 ^rscheinende Äusgangssignal ein konstantes Gleichstrompotential, und es wird nur ein verstärktes Wechselstromsignal erhalten. Soweit das Basispotentiai V_ des Transistora 10 innerhalb des folgenden Bereiches bleibt * be- -^:- wirkt der Transistor 10 eine normale Verstärkung« ohne daß er eine Sättigung oder Abschaltung zeigt*

^Tfi»10^:

Hierin sind Vg₁₀ und f_g . die Köllektorsättigungsspannungea der Transistoren 10 und 14, ?„«,„ ist die Span« nung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors I und V das Kollektorgleichstrompotential des Transistors

Da sich das Kollektorgleichstrompotential V^ aus der Gleichung

V_n = V

0 CC

ergibt, worin I der KollektorgleichstrDm des Transistors 10, V die'KollektOrspeisespannüng und E der Widerstand

CC C

des Kollektorlastwiderstandes 11 ist, kann das am Äusgangsanschluß 5 erscheinende.Gleichstromaüsgangspotential beliebig durch die Kollektorspeisespannung V gesteuert

CG

werden.

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Der oben genannte Kreis schließt den Kondensator ein, der den Zweck hat, den Emitter des Transistors 10 zu erden. So ist es leicht, solchen Kondensator in einem integrierten Halbleiterkreis auszubilden«

Fig. 5 zeigt ein Beispiel, in dem ein Kondensator 12* geringerer Kapazität eine der Funktion des oben beschriebenen Kondensators 12 gleichwertige Funktion hat. In diesem Kreis besteht der Konstantstromtransistorkreis 30 aus Transistoren 31 a und 31 b, welche untereinander in einer sogenannten Darlington-Verbindung verbunden sind, um sowohl den Stromfaktor h„ als auch den Eingangswiderstand zu erhöhen, Ein Widerstand 33 ist an der Basis des Transistors .31 b eingeschaltet, um den äquivalenten Basiswiderstand des Transistorkreises 30 zu erhöhen« Der Basisanschluß 32 ist mit einem Ende eines Erdungskondensators 12' verbunden, dessen anderes Ende mit dem Emitter des Transistors 10 über einen Widerstand 36 verbunden isto Dioden ^k und 35 sind zur Erzielung einer Konstantspannungssteuerung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistorkreises 30 vorgesehen. Der Transistorkreis 30 dieses Aufbaues erfüllt die Kondensatormultiplikation, wie ein bekannter Reaktanztransistorkreis_o Als Ergebnis wird die äquivalente Kapazität des Kondensators 12', beträchtet von dem Emitter des verstärkenden Transistors aus, etwa h„ mal so groß wie die Selbstkapazitanz C' „ des Kondensators 12'_o So kann der Kapazitätswert C'« klein sein, selbst wenn eine größere Kapazität für den Transistor 10 erforderlich ist. Der Widerstand j6_t der mit dem Emitterkreis des verstärkenden Transistors 10 in Reihe geschaltet ist, ändert die I - V„ Eigenschaft des

c Jo

Transistors 10 und erweitert seinen dynamischen Bereich. Nun soll eine konkrete Wirkungsweise der Erfindung

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unter Bezugnahme auf die Fig_o 6 und 7 erläutert werden, in welchen der Versuchskreis und die Ergebnisse gezeigt sind, Versuche wurden gemacht, um zu sehen, ob ein Signal, welches infolge einer vorausgehenden Schaltungsstufe, z. B. eines Differentialtyp-A.G.C-Kreises ein extrem schwankendes Gleichstrompotential aufweist, wenn es dem erfindungsgemäßen Transistorverstärkerkreis 10 zugeführt wird, in einer solchen Weise verstärkt wird, daß das Gleichstrompotential des verstärkten Signals extrem stabilisiert ist_o

Im Kreis nach Fig. 6 wird ein am Eingangsanschluß

41 zugeführtes Signal durch die Transistoren 40 und 42 verstärkt, wobei der letztere in Kaskade mit dem ersteren verbunden ist₀ Ein Ausgangssignal vom Transistor 42 aus wird durch einen Emitterfolgetransistor 44 weiter verstärkt und tritt in den erfindungsgemäßen Transistorkreis 10 ein. Nach dem Durchlauf durch einen Transistor 19» welcher in Kaskade mit dem Transistor 10 verbunden ist, erscheint das endgültige Ausgangssignal am Ausgangsanschluß 5» Die Bezugsziffer 13 bezeichnet einen Konstant Stromkreis und die Bezugsziffer 12 den gleichen Erdungskondensator, wie er in Fig. 1 gezeigt war. Der Kollektor des Transistors 40 ist auch in Kaskadenverbindung mit einem anderen Transistor 43 parallel zum Transistor

42 verbunden. Ein A.G₀C.-Signal wird der Basis des Transistors 43 zugeführt. Ein Teil des Signalstroms, der durch den Transistor 40 verstärkt ist, fließt durch deii Transistor 43» ^der restliche Teil fließt zum folgenden Kreis 44 durch den Transistor 42. Da das Verhältnis von Signalströmen, die durch die Transistoren 43 und 42 fließen, durch d«n Widerstand jedes Transistors bestimmt wird, ändert ein Wechsel in der Impedanz des Transistors 43 infolge eines A.G.C.-Signals dieses Verhältnis. Daher kann

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die Größe des zu der folgenden Kreisstufe kk durch den Transistor hZ übertragenen Signals automatisch gesteuert werden. Indessen ändert das A.G,C.-Signal, welches den Widerstand, wie oben beschrieben, verändert, auch den Gleichstromvorspannungsstrom, der durch den Transistor h2 fließt, sowie das Wechselstromsignal. So ändert sich das Eingangsgleichstrompotential des Transistors 10 mit der A.G. C -Funktion, Die Eigenschaftskurve, die mit (a) in Fig. 7 bezeichnet ist, zeigt die Gleichstrompotentialänderung an dem Punkt 1 des Transistorkreises 10 in Abhängigkeit von der A,G.G«-Spannung. Die Messung wurde durchgeführt, als die Schaltungskonstanten entsprechend den Angaben in Fig. 6 gewählt waren.

Die Eigenschaftskurve, die in Fig. 7 mit (b) bezeichnet ist, zeigt die Gleichstrompotentialsehwankung des Signals am Äusgangsanschluß 5 nach Verstärkung durch den Transistorkreis 10 und ist trotz der beträchtlichen Potential Schwankung am Eingang fast eben« Dies zeigt die enorme Wirksamkeit der erfindungsgemäßen Schaltung.

Wie sich aus der oben erwähnten Tatsache ergibt, ist es offenbar, daß, wenn die erfindungsgemäße Transistorschaltung in einer galvanisch gekoppelten Wechselstromverstärkerschaltung richtig benutzt wird, die Gleichstrompotentialsehwankung des vorhergehenden Stufenkreises nicht in die folgenden Kreise übertragen, sondern daß nur ein verstärktes Wechselstromsignal weitergeleitet wird. Dieser Effekt wird gleichfalls erzielt, wenn die erfindungsgemäße Schaltung entweder in einem A.G.C.-Typkreis oder in einem herkömmlichen Wechselstromverstärkerkreis verwendet wird, der die gleiche Wahrscheinlichkeit von Gieichstrompotentialschwankungen infolge der Schwankung in der Stromquellenspannung oder Temperatur aufweist.

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Die Anordnung einer galvanisch'gekoppelten~Wechselstromverstärkerschaltung ohne Verwendung eines Kopplungskondensators ist in der Technik der integrierten Lineartyp-Halbleiterschaltkreise äußerst wirkungsvoll.

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Claims

Patentansprüche

1. Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung zur Verstärkung eines einer schwankenden Gleichspannung überlagerten Wechselstromsignals, gekennzei ohne t durch einen Verstärker-Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor zum Verstärken eines seiner Basis zugeführten Wechselstromsignals, einen mit dem Kollektor des Verstärker-Transistors derart verbundenen Lastwiderstand, daß vom Kollektor dieses Transistors ein Ausgangssignal abgegeben wird, und mit dein Emitter des Verstärker-Transistors verbundene Steuerkreiselemente, die einen Steuer-Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, der mit dem Emitter des Verstärker-Transistors verbunden ist, Mittel zum Anlegen einer konstanten Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Steuer-Transistors zwecks Erzeugung eines konstanten Stromes zum Emitter-Kollektorkreis des Verstärker-Transistors und einen zwischen dem Kollektor des Steuer-Transistors und Erde angeschlossenen Erdungskondensator umfassen, wodurch ein verstärktes Wechselstrom-Ausgangssignal mit einem stabilisierten Gleichstrompotential erhalten wird.

2. Schaltung nach. Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen zwischen dem Emitter des Verstärker-Transistors und den Steuerkreiselementen zur Steuerung des dynamischen Bereichs des Verstärkerkreises angeschlossenen Emitter-Widerstand«

3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

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HßUß Unterlagen. !Art 7 £ l Abs. 2 Nr, I Sate 3 des Änderunflsfl«. S&4» * lifll

daß die Steuerkreiselemente weiter einen zweiten Steuer-Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem in Darlington-Anordnung mit dem ersten Steuer-Transistor derartig verbundenen Kollektor aufweisen, daß die Kollektoren des ersten und des zweiten Steuer-Transistors gemeinsam mit dem Emitter des Verstärker-Transistors verbunden sind, daß der Emitter des ersten Steuer-Transistors geerdet ist, daß die Basis des ersten Steuer-Transistors mit dem Emitter des zweiten Steuer-Transistors verbunden ist und daß die Basis des zweiten Steuer-Transistors über einen Basiswiderstand mit einer konstanten Vorspannungsspannung gespeist wird» wobei der Erdungskondensator zwischen den Kollektor des ersten Steuer-Transistors und der Basis des zweiten Steuer-Transistors angeschlossen ist«

k, Schaltung nach Anspruch 3t weiter gekennzeichnet durch einen zwischen dem Emitter des Verstärker-Transistors und den Steuerkreiselementen zur Steuerung des dynamischen Bereichs des Verstärkerkreises angeschlossenen Emitterwiderstand.

5. Transistor-Wechselstroinverstärkerschaltung, gekennzeichnet durch einen Verstärker-Transistor mit Steuer-, Stromzuführungs- und Stromkollektorelektroden zur Verstärkung eines seiner Steuerelektrode zugeführten Wechselstromsignals, einen mit der Stromkollektorelektrode des Verstärker-Transistors derart verbundenen Lastwiderstand, daß ein Ausgangesignal von der Stromkollektorelektrode des Verstärker-Transistors ableitbar ist, und Steuerkreiselemente in Verbindung mit der Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors, wobei die Steuerkreiselemente einen Steuer-Transistor mit Steuer-, Stromzuführungs- und

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Stromkollektorelektroden, die mit der Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors verbunden ist, Mittel zum Anlegen einer konstanten Spannung zwischen der Steuer- und der Stromzuführungselektrode des Steuer-Transistors zwecks Erzeugung eines konstanten Stromes durch den Verstärker-Transistor, und einen zwischen der Stromkollektorelektrode des Steuer-Transistors und Erde angeschlossenen Erdungskondensator umfassen, wodurch ein verstärktes Wechselstroia-Ausgangssignal mit einem stabilisierten Gleichstrompotenti-al erhalten wird.

6. Schaltung nach Anspruch 5_f weiter gekennzeichnet durch einen zwischen der Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors und der Stromkollektorelektrode des Steuer-Transistors zur Verbesserung des dynamischen Bereichs des Verstärkerkreises angeschlossenen Widerstand.

7. Schaltung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß sie eine erste und eine zweite Stufe umfaßt, wobei die erste Stufe einen A.G.C.-Kreis mit einem variablen Gleichstrom-Ausgangspotential aufweist, das direkt mit dem Eingang der zweiten Stufe verbunden ist, und wobei die zweite Stufe aus dem Verstärker-Transistor und zwischengeschalteten Steuerkreiselementen besteht.

8. Schaltung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerkreiselemente weiter einen zweiten Steuer-Transistor mit Steuer-, Stromzuführungs- und Stromkollektorelektroden in Schaltung nach Darlington-Anordnung mit dem ersten Steuer-Transistor in der Art umfassen, daß ihre Stromkollektorelektro den gemeinsam an die Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors angeschlossen

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sind, daß die Stromzuführungselektrode des ersten Steuer-Transistors geerdet ist, daß die Steuerelektrode des ersten Steuer-Transistors an die Stromzuführungselektrode des zweiten Steuer-Transistors angeschlossen ist und daß die Steuerelektrode des zweiten Steuer-Transistors irber einen Widerstand mit einer konstanten Vorspannungsspannung gespeist wird, wobei der Erduüigskondensator zwischen der Stromkollektarelektrode des ersten Steuer-Tranaistors und der Steuerelektrode des zweiten Steuer-Transistors angeschlossen ist.

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9» Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,; daß sie- eine erste und eine zweite Stufe/ umfaßt* wobei die erste Stufe einen A.©.G'«-Kreis mit einem; variabjierat Gieiehstromaxtsgangs—Potential! aufweist,, das direkt: mit; dem Eingang der zweiten Stufe verbunden ist, und wotoedi die zweite Stufe aus dem Verstärker-Transistor und zwi— schengeschaltete¹¹^^ Steuerkreiselementen besteht.

10. Schaltung nach Anspruch 9» weiter gekennzeiGhi^et durch einen zwischen der Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors und der StromkollektorelefctrOde des Steuer-Transistors zur Verbesserung des dynamischen Bereichs des Verstärkerkreise.S: angeschlossenen Widerstand»

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