DE1474541A1 - Einrichtung zum Speichern und Ablesen von binaeren Informationen - Google Patents

Einrichtung zum Speichern und Ablesen von binaeren Informationen

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DE1474541A1
DE1474541A1 DE19651474541 DE1474541A DE1474541A1 DE 1474541 A1 DE1474541 A1 DE 1474541A1 DE 19651474541 DE19651474541 DE 19651474541 DE 1474541 A DE1474541 A DE 1474541A DE 1474541 A1 DE1474541 A1 DE 1474541A1
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conductor
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DE19651474541
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Olsson Joens Kurt Alvar
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Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
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Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/39Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using thyristors or the avalanche or negative resistance type, e.g. PNPN, SCR, SCS, UJT

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

Jie Erfindung bezieht sich aui eine Anordnung zum Speichern und Ablesen von Dinaren Informationen una im besonderen auf tine Hinrichtung mit einer ersten Anzahl von. Leitern, mit einer üie erste' Anzahl von Leitern Kreuzenden zweitezi anzahl von Leitern, mit Impulsquellen, 4ie zugleich die binare-Information den genannten Leitern zuführen, mit einer impulsquelle, die beim .ablesen Lit der ersten Anzahl von Leitern verounden werden Kann, und mit j?dh!vorrichtungen, die oeim ablesen mit der zweiten ^uzanl von Leitern verbunden weraen idunen und aie zuvor eingetragene binäre inf oriiiation abfdhlen.
Jie Erfindung bezweckt eine iiinrictitun·^ der genannten .art zu schaffen, die sehr eimach aufzubauen ist, die zuverlässig und wenig waum uenötigt.
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Eine Einrichtung nach der ürfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass an jedem üreuzungspunjfct zwischen der ersten und der zweiten Anzanl von Leitern vier Speicherelemente mit zwei Leitern der ersten anzahl von Leitern verbunden sind, welche itleü.entedie—Eigenschaft haben., aus dem Zustand, eines großen Uhmschen Widerstandes in den Zustand eines kleinen rfohmschen Widerstandes überzuwechseln, wenn die an den elementen liegende öpannung deren Zündspannung übersteigt, und in dem Zustand des kleinen Chmeschen Widerstandes veröleiben, wenn der durch das JÜeaent fließende citrom von einem j.<ormalwert aus zu dem wert null absinkt, welches Jtlement jedoch in den Zustand des großen uhmschen Widerstandes zurac&Kehrt, wenn der durch das Clement fließende Strom von einem den genannten ^oriualwert wesentlich übersteigenden riert aus zum wert null absinkt, dass die Speichereleiuente paarweise mit einander verbunden sind und mit den anderen opeicherelementen, die zu den ivreuzungspunicten aer genannten beiden Leiter gehören, dass der verbindungspuxiict ior zwei zu demseloen lareuzuägspunjct und zu einem der genannten beiden Leiter gehörenden speicherelemente mit einem reiter verbunden sind, der für eine Information einer Gestimmten Arn aus der zweiten anzahl von Leitern bestimmt ist, dass der i/erbindungspuntct idr den übrigen Leiter der .^η3ηη-ten Deaden Leiter mit einem Leiter verbunden ist, der lar eine Information der entge-^eugesetzten ürt aus der anderen anzahl· von Leitern ocstimut ist, dass die übrigen Verbinduagspunkte zwischen Speicherelementen, die zu einem der genannten oeiuen jjeiter gehören einerseits mit entsprechenden /erbindungspunkten zwischen bpeicherclementen, die zu dem übrigen Leiter der genannten beiden Leiter gehören, veruunden sind und andererseits mit einem uingabeieiter, aass die genannten Impuls quellen zum gltichzeitigcn Jiin-
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eingeben der binären Information eine erste Impulsquelle umfassen, die abwechselnd mit einem der Paare von zwei Leitern verbunden werden Können, sowie eine zweite impulsquelle, die einerseits abwechselnd entweder mit dem für die Information einer Destimmten Art bestimmten Leiter oder mit dem für die Information der entgegengesetzten Art"bestimmten Leiter verounden werden kann, und die andererseits mit dem genannten üingabeleiter verbunden werden kann, und dass die Kühlvorrichtungen mit den genannten Leitern für die Information einer bestimmten oder der entgegengesetzten Art verbunden sind.
i3ie Erfindung wird nunmehr ausführlich beschrieben. In der beiliegenden Zeichnung ist die
1 eine darstellung der cnarakteristischen dpannungs-btrom-
icurve für die in der Anordnung nach der ürfindung enthaltenen Einrichtungen und die
.2 eine schematische Darstellung einer üinrichtung uach der
Erfindung.
wie Einrichtung nach der Erfindung enthalt mehrere sogenannte opeichereiemente, von denen jedes Element die in der Fig.1 dargestellte öpamiungs-dtrom-ivurve aufweist. i>as Speicherelement weist die üigenschaft auf, aus aem Zustand eines großen Ohmschen Widerstandes in aen Zustand eines kleinen ohmschen Widerstandes überzuwechseln, wenn die an den Speichere lementen liegenae cipannung deren Zündspannung U übersteigt, und im Zustand des kleinen uhmschen tfiuerstandes zu verolciben, wenn der durch die Speichere lemtnte fließende ütrom von einem "wormalwert" IQ aus auf dea wert i»ull absinkt. Jie opeicherelemente kehren jedoch in den zustand des grolien ohü.schfcn »iiderStandes zurück, wenn der durch aie opeiciicreleiTitnte ι lieiiende dtrom von einem aen genannten
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ixormalwert wesentlich übersteigenden lÄfert Ism aus auf den flert wull absinkt. Solche Speicherelemente sind an sich bereits bekannt und ζ ,B« In OBr- schwedische» Pai**\t&h*aldün£ 10575/&3Λ3βΑο1ϊ*ίΛβ»Γ
Die Einrichtung nach der Fig.2 weist auf eine erste Anzahl von Leitern A10-X11, £20-21 .....JLmO-XmI, eine zweite Anzahl von Leitern Ϊ10-Π1, Υ20-Γ21 ...ΓηΟ-ϊηΐ, die die genannte erste Anzahl von Leitern überkreuzt, die Impulsquellen W und B, die den genannten Leitern gleichzeitig eine binäre Information zuführen, eine Impulsquelle B und die mit der zweiten Anzahl von
beim Ablesen
Leitern/zu verbindenden Fühlvorrichtungen 1)10-11, D20-D21 ....
, die die zuvor eingegebene Information abfühlen. Die genannten Leiter bilden eine Anzahl von üreuzungspunkten, die in m Spalten und in η Ueihen aufgeteilt sind.
In die Verbindung zu jedem iireuzungspunkt zwischen der ereten und der zweiten Anzahl von Leitern sind vier Speicherelemente der obengenannten Art eingeschaltet und mit zwei Leitern aus der ersten Anzahl von Leitern verbunden. Z.B. sind in der Verbindung zum Jireuzungspunkt zwischen den Leitern .4.2O-X21 an der einen Seite und zwischen den Leitern Ϊ20-Υ21 an der anderen Seite vier Speicherelemente h. und zwar die Elemente M21Q, m220, M. 231 und M241 angeordnet, iile Speicherelemente sind paarweise in Keihe geschaltet und mit den zu den Leitern X20-X21 gehörenden anderen Speicherelementen verbunden, beispielsweise sind die Elemente M21U und ia220 einander nachgeschaltet und ebenso die Elemente 1*251 und At 241. Der tferbindungspunkt zwischen den !lementen m210 und 1*220 steht über einen üegrenzungswiderstand H20 mit dem Leiter Ϊ20 in Verbindung, aem die binäre Information 11O" zugeordnet ist. JOer Verbindungspunkt zwischen den ülementen iu23>1 und jm241 steht einen jbegrenzungswiderstand ii21 mit dem Leiter Γ21 in Verbin-
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Verbindung, dem die binäre Information "1" zugeordnet ist. Der Verbindungspunict zwischen dem Element M220 an diesem Kreuzungspunict und dem Element k210 am nächstfolgenden Kreuzungspunkt steht einerseits mit dem /erbindungspunkt zwischen dem Element m241 an diesem Kreuzungspunkt und mit dem Element iw251 am nächstfolgenden Kreuzungspunkt in Verbindung, und andererseits aber einen Widerstand H22 mit dem Eingabe leiter G2 in Verbindung. Alle Kreuzungspunkt sind mit Einheiten ausgestattet, die den genannten Einheiten entsprechen, a.h. M210, M220, M231, ω241, H20, B21, Ö22. Zu den widerständen wird bemerkt, dass der widerstand Rn2 wesentlich kleiner ist als jeder der einander gleichen widerstände B20, K21 und B22 jedoch ausreichend groß, um einen otromfluss mit einer Amplitude zuzulassen, die dem Wert In oeim Speichern einer Information durch die Speicherelemente entspricht. Eine erste Impulsquelle Wi kann über einen Leiter a und einen Kontakt Wo abwechselnd mit einem der Paare von zwei Leitern der genannten erscen Anzahl von Leitern verbunden werden, z.B. mit den beiden Leitern X20-X21 über den üchließungskontakf wf2. Eine zweite Impulsquelle B kann über einen Leiter 1 aowechselnd mit dem. Leiter JC2Ü für die Information "ü" oder mit dem Leiter Ϊ21 für die information "1" über den wechseIkontakt b2 verbunden werden. Die J-inpuls quelle B kann ferner über einen Wechse Ikon takt k mit aem eingabeIeiter 02 verbunaen werden, üiir jede Heihe. der iLreuzungspunkte ist daher ein Eingabe leiter J z.B. Od vorgesehen sowie ein wechselicontakt b ζ.ώ. b2. Der Wechselkontakt k gehört zu allen Eingabe leitern. Jtine dritte Impulsquelle H icann über einen Kontakt Ko mit dem Leiter a verbunden werden. Diese Impulsquelle erzeugt Impulse mit einer wesentlich höheren Amplitude als die lmpulsqueile W.
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nunmehr wird die Arbeitsweise der oben beschriebenen Anordnung beschrieben.
Ü.S wird vorausgesetzt, dass alle Speicherelemente sich im Zustand des großen Ohmseheη Widerstandes befinden, und dass alle Kontakte die in der Zeichnung dargestelle Schaltete llung einnehmen. Es wird ferner angenommen, dass in der mittleren Spalte die binäre Information 010 gespeichert werden soll. Dann werden der Kontakt Wo, der Kontakt W2 und die Kontakte k, b1 und bn in die obere Schaltete llung und der Kontakt b2 in die untere Schaltstellung bewegt. Der positive Impuls aus der Impulsquelle W und der negative Impuls aus der Impulsquelle ß erzeugen einen Impuls mit einer Gresamtamplitude 2· U, die größer ist als die Zündspannung U^ (Fig.1). An dem linken Speicherelement in der Wähe des iv-ontaktes W2 sinkt daher die Spannung 2U ab mit der Folge, dass dieses Ülement in den Zustand des kleinen ühmschen Widerstandes versetzt wird. Hiernach fällt fast dieselbe Spannung 2U am nächstfolgenden iilement in demselben Leiter £20 ab, wobei auch dieses nleinent in aen Zustand des kleinen ühmschen Widerstandes versetzt wird. Die an diesem ureuzungspunkt rechts gelegenen beiden elemente verbleiben jedoch im Zustand des großen Ühmschen Widerstandes, da an diesen nur die Spannung U liegt, die niedriger ist als U , da die aen widerständen H2Ü und H21 entsprechenden
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widerstände viel kllßiner sind als der Sperrwiderstand der filemente. Am anderen Kreuzungspunkt zündet zuerst M231 und dann M241, während im Gegensatz hierzu die beiden linken Elemente im Zustand des großen ühmschen Widerstandes verbleiben. Am oberen Kreuzungs- ■ punkt wechseln die beiden linken Elemente in den Zustand des kleinen ühmschen Widerstandes über, während die beiden rechten ülemente im Zustand des großen ünmschen Widerstandes verbleiben.
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Das Speichern der binären Information 010 ist damit beendet, und zur Aufrechterhaltung dieser Speicherung ist keine Leistung mehr erforderlich.
Das Ablesen der gespeicherten Information erfolgt in der nachstehnd beschriebenen Weise'. Der Kontakt W2 wird eingeschaltet, nachdem zuerst der Kontakt k in die untere Schaltete llung bewegt worden ist. Da am ersten Krauzungspunkt die beiden linken Elemente sich im Zustand des kleinen ühmschen Widerstandes befinden, so flieüt ein Strom von deren Verbindungspunkt aus über den Leiter Ϊ10 zur Ableseeinrichtung D10, die die Anzeige "0" abgibt, aus der ADleaeeinrichtung D11 erfolgt im Gegensatz hierzu keine Anzeige. Am anderen Kreuzungspunkt befinden sich die Elemente J(i231 und M241 im Zustand des kleinen Uhmschen Widerstandes, weshalb zur Ableseeinrichtung D21 ein Ablesestrom flieüt, die die Anzeige "1" abgibt. Im Gegensatz hierzu erfolgt von der Ableseeinrichtung D20 keine Anzeige. Und am oberen Areuzungspunkt befinden sich die beiden linken Elemente im Zustand des kleinen ühmschen Widerstandes, so dass die ϊηΟ ein Ablesestrom zur Ableseeinriciitung DnO fließt, die daher eine "0" anzeigt. Das Ergebnis ist die Ablesung 010. Die Schaltungselemente sind so dimensioniert, dass aus der lmpulsquelle W ein Gesamtablesestrom erhalten wird, aer fast dem Wert In in der Fig.1 entspricht und daher wesentlich schwächer ist als Ism. Soll eine eingegebene information ge 108Ch-C werden, eo wird der» Kontakt Ho una z.B. der kontakt veruuüden und der üontakt k in die untere Schaltstel^un^ bewegt, iiie impulsqueile H erzeugt nunmehr eine Spannung, die den «iert b überseeigt, so dass alle Speicherelemente in der Spalte zünden und einen Strom!luss mit einer wesentlich höheren Amplitude als oei der Ablesung zulassen derart, dass die Amplitude Ism bei .
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allen Speicherelementen in der Spalte (Fig.1) erreicht wird, hierdurch wird erreicht, dass bei einem Absinken des Stromes auf den Ufert iüull alle Speicherelemente in der betretenden Spalte in den Zustand des großen Ohmseheη Widerstandes zurückkehren, so dass diese Spalte für die Eingabe einer neuen binären Information benutzt werden kann.
Patentansprüche
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Claims (2)

Patentansprüche
1) Anordnung zum »Speichern und Ablesen von binären Informationen mit einer ersten Anzanl von Leitern (X1U, X11.. ..£mO, jCnri), mit einer zweiten Anzahl von Leitern (Ϊ1Ο, £11... inO, Yn1), die die erste Anzahl von Leitern kreuzen, mit impulsquellen (YIf, B), die den genannten Leitern gleichzeitig die binäre Information zufahren, wobei die eine Impulsquelle (w) ber der Ablesung mit der ersten Anzahl von Leitern verbunden werden kann, und mit Fahleinrichtungen (1)10, Ü11...unü, Dni), die bei der Ablesung mit der zweiten Anzahl von Leitern verbunden werden können und die zuvor eingegebene Information abfiihlen, dadurch gekennzeichnet, dass in die Verbindung zu jedem Kreuzungspunkt zwischen der ersten Anzahl von Leitern und der zweiten Anzahl von Leitern vier Speicherelemente eingeschaltet sind (z.B. M210, M220, M231, i*i24i), die mit zwei Leitern (z.B. X20, X21) aus der ersten Anzahl von Leitern verbunden sind, welche ülemente die Eigenschaft aufweisen, aus einem Zustand eines großen Widerstandes in den Zustand eines kleinen Widerstandes überzuwechseln, wenn die an den Elementen liegende Spannung deren,Zündspannung (U) übersteigt, und die im Zustand des kleinen Widerstandes verbleiben, wenn der durch die Elemente fließende btrom von einem iSormalwert (In) aus auf den wert «ull absinkt, jedoch in den Zustand des großen Widerstandes überwechseln, wenn der durch die Ülemente fließende Strom von einem aen genannten iMormalwert wesentlich übersteigenden Wert (lsui) aus auf den wert WuIl absinkt, dass die Speicherelemente
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paarweise und mit den anderen zu dem Kreuzungspunkt der genannten beiden Leiter gehörenden Speicherelementen in Heine geschaltet sind, dass der Verbindungepunkt für zwei (M21Q, «220) *u demeel-. ben üLceuzungapunkt und au einen (X2G) der genannten beiden Leiter gehörenden Speicherelement mit einem Leiter ("Q"-Leiter X 20) aus der zweiten Anzahl von Leitern verbunden ist, dem die Information einer bestimmten Art zugeordnet ist, dass der Verbindungspunkt für die beiden (m231, jä241) zu dem Kreuzungspunfct und zu dea übrigen Leiter (X21) der genannten beiden Leiter mit einem Leiter ("1"-Leiter Ϊ21) aus der zweiten Anzahl von Leitern verbunden ist, dem die Information der entgegengesetzten Art zugeordnet ist, dass der andere \ferbindungspun&t zwischen den zu einem (X20) der genannten beiden Leiter gehörenden Speicherelementen einerseits mit den entsprechenden Verbindungspunkten zwischen den zu dem übrigen Leiter (X21) der genannten beiden Leiter gehörenden dpeicherelementen und andererseits mit einem EingabeIeiter (C2) verbunden ist, dass von den genannten li&pulequeilen zum gleichzeitigen Eingeben der binären Information eine erste χmpuIsquelle («0 abwechselnd mit einem der Paare von zwei Leitern QC2Ü, X21) verbunden werden kann, wahrend eine zweite Impulsquelle (B) einerseits abwechselnd mit einem der Leiter (Γ20) für die Information einer bestimmten Art oaer mit dem Leiter (£21) für die Information der entgegengesetzten Art und andererseits mit dem genannten Eingabeleiter (02) verbunden werden Kann, und de8β die Fühleinrichtung (J)2Ü, D21) mit den genannten Leitern (Ϊ20, Ϊ21) verbunden ist, denen die Information einer bestimmten Art oder der entgegengesetzten Art zugeordnet ist.
2)
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2) Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
in die Verbindung des genannten Verbindungspunktes für zwei (*i210, j*c!2ü) zu demselben lireuzungspunkt gehörenden Speicherelementen mit einem (20) der genannten beiden Leiter ein ßegrenzungswiderstand (B20) eingeschaltet ist, dass in die Verbindung des genannten Verbindungspunktes für die beiden übrigen zu dem nxeuzungspunkt gehörenden Speicherelemente (to231, 1*24-1) mit dem übrigen Leiter (X21) der genanaten beiden Leiter ein isegranzungswiderstand (i*2i) eingeschalltet ist, dass in die Verbindung zu dem zu dem J&reuzungspunkt gehörenden Eingabeleiter (02) ein widerstand (B22) eingeschaltet ist, und dass der Widerstand (Bn2) für den eingabe leiter (On) des von der ersten Impulsquelle.am weitesten entfernten Verbindungpunktes wesentlich kleiner ist als jeder aer genannten Joegrenzungswiderstände (S20, R21) und des anderen Widerstandes (fl22) des eingabeleiters, jedoch so groß, dass ein otromfluss zugelassen wird, dessen muplitudenwert dem genannten «ormalwert (In) entspricht, wenn in der Anordnung eine information über die Speicherelemente gespeichert wird.
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