DE1474541A1 - Einrichtung zum Speichern und Ablesen von binaeren Informationen - Google Patents
Einrichtung zum Speichern und Ablesen von binaeren InformationenInfo
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Description
Jie Erfindung bezieht sich aui eine Anordnung zum Speichern
und Ablesen von Dinaren Informationen una im besonderen auf
tine Hinrichtung mit einer ersten Anzahl von. Leitern, mit einer
üie erste' Anzahl von Leitern Kreuzenden zweitezi anzahl von Leitern,
mit Impulsquellen, 4ie zugleich die binare-Information den genannten
Leitern zuführen, mit einer impulsquelle, die beim .ablesen
Lit der ersten Anzahl von Leitern verounden werden Kann, und mit
j?dh!vorrichtungen, die oeim ablesen mit der zweiten ^uzanl von
Leitern verbunden weraen idunen und aie zuvor eingetragene binäre
inf oriiiation abfdhlen.
Jie Erfindung bezweckt eine iiinrictitun·^ der genannten
.art zu schaffen, die sehr eimach aufzubauen ist, die zuverlässig
und wenig waum uenötigt.
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Eine Einrichtung nach der ürfindung ist dadurch gekennzeichnet,
dass an jedem üreuzungspunjfct zwischen der ersten und
der zweiten Anzanl von Leitern vier Speicherelemente mit zwei
Leitern der ersten anzahl von Leitern verbunden sind, welche itleü.entedie—Eigenschaft haben., aus dem Zustand, eines großen Uhmschen
Widerstandes in den Zustand eines kleinen rfohmschen Widerstandes
überzuwechseln, wenn die an den elementen liegende öpannung
deren Zündspannung übersteigt, und in dem Zustand des kleinen Chmeschen Widerstandes veröleiben, wenn der durch das JÜeaent
fließende citrom von einem j.<ormalwert aus zu dem wert null absinkt,
welches Jtlement jedoch in den Zustand des großen uhmschen Widerstandes
zurac&Kehrt, wenn der durch das Clement fließende Strom
von einem den genannten ^oriualwert wesentlich übersteigenden riert
aus zum wert null absinkt, dass die Speichereleiuente paarweise
mit einander verbunden sind und mit den anderen opeicherelementen,
die zu den ivreuzungspunicten aer genannten beiden Leiter gehören,
dass der verbindungspuxiict ior zwei zu demseloen lareuzuägspunjct
und zu einem der genannten beiden Leiter gehörenden speicherelemente
mit einem reiter verbunden sind, der für eine Information
einer Gestimmten Arn aus der zweiten anzahl von Leitern bestimmt
ist, dass der i/erbindungspuntct idr den übrigen Leiter der .^η3ηη-ten
Deaden Leiter mit einem Leiter verbunden ist, der lar eine
Information der entge-^eugesetzten ürt aus der anderen anzahl· von
Leitern ocstimut ist, dass die übrigen Verbinduagspunkte zwischen
Speicherelementen, die zu einem der genannten oeiuen jjeiter gehören
einerseits mit entsprechenden /erbindungspunkten zwischen
bpeicherclementen, die zu dem übrigen Leiter der genannten beiden
Leiter gehören, veruunden sind und andererseits mit einem uingabeieiter,
aass die genannten Impuls quellen zum gltichzeitigcn Jiin-
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eingeben der binären Information eine erste Impulsquelle umfassen,
die abwechselnd mit einem der Paare von zwei Leitern verbunden werden Können, sowie eine zweite impulsquelle, die einerseits
abwechselnd entweder mit dem für die Information einer Destimmten
Art bestimmten Leiter oder mit dem für die Information der entgegengesetzten Art"bestimmten Leiter verounden werden kann, und
die andererseits mit dem genannten üingabeleiter verbunden werden kann, und dass die Kühlvorrichtungen mit den genannten Leitern
für die Information einer bestimmten oder der entgegengesetzten Art verbunden sind.
i3ie Erfindung wird nunmehr ausführlich beschrieben. In
der beiliegenden Zeichnung ist die
1 eine darstellung der cnarakteristischen dpannungs-btrom-
icurve für die in der Anordnung nach der ürfindung enthaltenen
Einrichtungen und die
.2 eine schematische Darstellung einer üinrichtung uach der
Erfindung.
wie Einrichtung nach der Erfindung enthalt mehrere sogenannte
opeichereiemente, von denen jedes Element die in der Fig.1
dargestellte öpamiungs-dtrom-ivurve aufweist. i>as Speicherelement
weist die üigenschaft auf, aus aem Zustand eines großen Ohmschen
Widerstandes in aen Zustand eines kleinen ohmschen Widerstandes
überzuwechseln, wenn die an den Speichere lementen liegenae cipannung
deren Zündspannung U übersteigt, und im Zustand des kleinen uhmschen tfiuerstandes zu verolciben, wenn der durch die Speichere
lemtnte fließende ütrom von einem "wormalwert" IQ aus auf
dea wert i»ull absinkt. Jie opeicherelemente kehren jedoch in den
zustand des grolien ohü.schfcn »iiderStandes zurück, wenn der durch
aie opeiciicreleiTitnte ι lieiiende dtrom von einem aen genannten
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ixormalwert wesentlich übersteigenden lÄfert Ism aus auf den flert
wull absinkt. Solche Speicherelemente sind an sich bereits bekannt
und ζ ,B« In OBr- schwedische» Pai**\t&h*aldün£ 10575/&3Λ3βΑο1ϊ*ίΛβ»Γ
Die Einrichtung nach der Fig.2 weist auf eine erste
Anzahl von Leitern A10-X11, £20-21 .....JLmO-XmI, eine zweite Anzahl
von Leitern Ϊ10-Π1, Υ20-Γ21 ...ΓηΟ-ϊηΐ, die die genannte
erste Anzahl von Leitern überkreuzt, die Impulsquellen W und B, die den genannten Leitern gleichzeitig eine binäre Information
zuführen, eine Impulsquelle B und die mit der zweiten Anzahl von
beim Ablesen
Leitern/zu verbindenden Fühlvorrichtungen 1)10-11, D20-D21 ....
Leitern/zu verbindenden Fühlvorrichtungen 1)10-11, D20-D21 ....
, die die zuvor eingegebene Information abfühlen. Die genannten Leiter bilden eine Anzahl von üreuzungspunkten, die
in m Spalten und in η Ueihen aufgeteilt sind.
In die Verbindung zu jedem iireuzungspunkt zwischen der
ereten und der zweiten Anzahl von Leitern sind vier Speicherelemente
der obengenannten Art eingeschaltet und mit zwei Leitern aus der ersten Anzahl von Leitern verbunden. Z.B. sind in der
Verbindung zum Jireuzungspunkt zwischen den Leitern .4.2O-X21 an der
einen Seite und zwischen den Leitern Ϊ20-Υ21 an der anderen Seite
vier Speicherelemente h. und zwar die Elemente M21Q, m220, M. 231
und M241 angeordnet, iile Speicherelemente sind paarweise in Keihe
geschaltet und mit den zu den Leitern X20-X21 gehörenden anderen Speicherelementen verbunden, beispielsweise sind die Elemente
M21U und ia220 einander nachgeschaltet und ebenso die Elemente
1*251 und At 241. Der tferbindungspunkt zwischen den !lementen m210
und 1*220 steht über einen üegrenzungswiderstand H20 mit dem Leiter
Ϊ20 in Verbindung, aem die binäre Information 11O" zugeordnet ist.
JOer Verbindungspunkt zwischen den ülementen iu23>1 und jm241 steht
einen jbegrenzungswiderstand ii21 mit dem Leiter Γ21 in Verbin-
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Verbindung, dem die binäre Information "1" zugeordnet ist. Der
Verbindungspunict zwischen dem Element M220 an diesem Kreuzungspunict
und dem Element k210 am nächstfolgenden Kreuzungspunkt steht
einerseits mit dem /erbindungspunkt zwischen dem Element m241 an
diesem Kreuzungspunkt und mit dem Element iw251 am nächstfolgenden
Kreuzungspunkt in Verbindung, und andererseits aber einen Widerstand
H22 mit dem Eingabe leiter G2 in Verbindung. Alle Kreuzungspunkt sind mit Einheiten ausgestattet, die den genannten Einheiten
entsprechen, a.h. M210, M220, M231, ω241, H20, B21, Ö22. Zu
den widerständen wird bemerkt, dass der widerstand Rn2 wesentlich kleiner ist als jeder der einander gleichen widerstände B20, K21
und B22 jedoch ausreichend groß, um einen otromfluss mit einer
Amplitude zuzulassen, die dem Wert In oeim Speichern einer Information
durch die Speicherelemente entspricht. Eine erste Impulsquelle Wi kann über einen Leiter a und einen Kontakt Wo
abwechselnd mit einem der Paare von zwei Leitern der genannten erscen Anzahl von Leitern verbunden werden, z.B. mit den beiden
Leitern X20-X21 über den üchließungskontakf wf2. Eine zweite Impulsquelle
B kann über einen Leiter 1 aowechselnd mit dem. Leiter JC2Ü für die Information "ü" oder mit dem Leiter Ϊ21 für
die information "1" über den wechseIkontakt b2 verbunden werden.
Die J-inpuls quelle B kann ferner über einen Wechse Ikon takt k mit
aem eingabeIeiter 02 verbunaen werden, üiir jede Heihe. der iLreuzungspunkte
ist daher ein Eingabe leiter J z.B. Od vorgesehen sowie
ein wechselicontakt b ζ.ώ. b2. Der Wechselkontakt k gehört zu
allen Eingabe leitern. Jtine dritte Impulsquelle H icann über einen
Kontakt Ko mit dem Leiter a verbunden werden. Diese Impulsquelle
erzeugt Impulse mit einer wesentlich höheren Amplitude als die lmpulsqueile W.
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nunmehr wird die Arbeitsweise der oben beschriebenen
Anordnung beschrieben.
Ü.S wird vorausgesetzt, dass alle Speicherelemente sich
im Zustand des großen Ohmseheη Widerstandes befinden, und dass
alle Kontakte die in der Zeichnung dargestelle Schaltete llung
einnehmen. Es wird ferner angenommen, dass in der mittleren
Spalte die binäre Information 010 gespeichert werden soll. Dann
werden der Kontakt Wo, der Kontakt W2 und die Kontakte k, b1 und
bn in die obere Schaltete llung und der Kontakt b2 in die untere Schaltstellung bewegt. Der positive Impuls aus der Impulsquelle
W und der negative Impuls aus der Impulsquelle ß erzeugen einen
Impuls mit einer Gresamtamplitude 2· U, die größer ist als die
Zündspannung U^ (Fig.1). An dem linken Speicherelement in der
Wähe des iv-ontaktes W2 sinkt daher die Spannung 2U ab mit der Folge,
dass dieses Ülement in den Zustand des kleinen ühmschen Widerstandes
versetzt wird. Hiernach fällt fast dieselbe Spannung 2U am
nächstfolgenden iilement in demselben Leiter £20 ab, wobei auch
dieses nleinent in aen Zustand des kleinen ühmschen Widerstandes
versetzt wird. Die an diesem ureuzungspunkt rechts gelegenen
beiden elemente verbleiben jedoch im Zustand des großen Ühmschen Widerstandes, da an diesen nur die Spannung U liegt, die niedriger
ist als U , da die aen widerständen H2Ü und H21 entsprechenden
JmL
widerstände viel kllßiner sind als der Sperrwiderstand der filemente.
Am anderen Kreuzungspunkt zündet zuerst M231 und dann M241,
während im Gegensatz hierzu die beiden linken Elemente im Zustand
des großen ühmschen Widerstandes verbleiben. Am oberen Kreuzungs- ■ punkt wechseln die beiden linken Elemente in den Zustand des
kleinen ühmschen Widerstandes über, während die beiden rechten ülemente im Zustand des großen ünmschen Widerstandes verbleiben.
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Das Speichern der binären Information 010 ist damit beendet, und
zur Aufrechterhaltung dieser Speicherung ist keine Leistung mehr
erforderlich.
Das Ablesen der gespeicherten Information erfolgt in
der nachstehnd beschriebenen Weise'. Der Kontakt W2 wird eingeschaltet,
nachdem zuerst der Kontakt k in die untere Schaltete llung bewegt worden ist. Da am ersten Krauzungspunkt die beiden
linken Elemente sich im Zustand des kleinen ühmschen Widerstandes befinden, so flieüt ein Strom von deren Verbindungspunkt aus über
den Leiter Ϊ10 zur Ableseeinrichtung D10, die die Anzeige "0" abgibt,
aus der ADleaeeinrichtung D11 erfolgt im Gegensatz hierzu keine Anzeige. Am anderen Kreuzungspunkt befinden sich die Elemente
J(i231 und M241 im Zustand des kleinen Uhmschen Widerstandes,
weshalb zur Ableseeinrichtung D21 ein Ablesestrom flieüt, die die Anzeige "1" abgibt. Im Gegensatz hierzu erfolgt von der Ableseeinrichtung
D20 keine Anzeige. Und am oberen Areuzungspunkt befinden sich die beiden linken Elemente im Zustand des kleinen ühmschen
Widerstandes, so dass die ϊηΟ ein Ablesestrom zur Ableseeinriciitung
DnO fließt, die daher eine "0" anzeigt. Das Ergebnis ist die Ablesung 010. Die Schaltungselemente sind so dimensioniert,
dass aus der lmpulsquelle W ein Gesamtablesestrom erhalten wird,
aer fast dem Wert In in der Fig.1 entspricht und daher wesentlich
schwächer ist als Ism. Soll eine eingegebene information
ge 108Ch-C werden, eo wird der» Kontakt Ho una z.B. der kontakt
veruuüden und der üontakt k in die untere Schaltstel^un^ bewegt,
iiie impulsqueile H erzeugt nunmehr eine Spannung, die den «iert
b überseeigt, so dass alle Speicherelemente in der Spalte zünden
und einen Strom!luss mit einer wesentlich höheren Amplitude
als oei der Ablesung zulassen derart, dass die Amplitude Ism bei .
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allen Speicherelementen in der Spalte (Fig.1) erreicht wird,
hierdurch wird erreicht, dass bei einem Absinken des Stromes auf den Ufert iüull alle Speicherelemente in der betretenden Spalte
in den Zustand des großen Ohmseheη Widerstandes zurückkehren,
so dass diese Spalte für die Eingabe einer neuen binären Information
benutzt werden kann.
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Claims (2)
1) Anordnung zum »Speichern und Ablesen von binären Informationen
mit einer ersten Anzanl von Leitern (X1U, X11.. ..£mO,
jCnri), mit einer zweiten Anzahl von Leitern (Ϊ1Ο, £11... inO, Yn1),
die die erste Anzahl von Leitern kreuzen, mit impulsquellen (YIf, B),
die den genannten Leitern gleichzeitig die binäre Information zufahren, wobei die eine Impulsquelle (w) ber der Ablesung mit
der ersten Anzahl von Leitern verbunden werden kann, und mit Fahleinrichtungen (1)10, Ü11...unü, Dni), die bei der Ablesung
mit der zweiten Anzahl von Leitern verbunden werden können und die zuvor eingegebene Information abfiihlen, dadurch gekennzeichnet,
dass in die Verbindung zu jedem Kreuzungspunkt zwischen der ersten Anzahl von Leitern und der zweiten Anzahl von Leitern
vier Speicherelemente eingeschaltet sind (z.B. M210, M220, M231,
i*i24i), die mit zwei Leitern (z.B. X20, X21) aus der ersten Anzahl
von Leitern verbunden sind, welche ülemente die Eigenschaft aufweisen,
aus einem Zustand eines großen Widerstandes in den Zustand eines kleinen Widerstandes überzuwechseln, wenn die an den Elementen
liegende Spannung deren,Zündspannung (U) übersteigt, und
die im Zustand des kleinen Widerstandes verbleiben, wenn der durch die Elemente fließende btrom von einem iSormalwert (In) aus auf
den wert «ull absinkt, jedoch in den Zustand des großen Widerstandes
überwechseln, wenn der durch die Ülemente fließende Strom von einem aen genannten iMormalwert wesentlich übersteigenden
Wert (lsui) aus auf den wert WuIl absinkt, dass die Speicherelemente
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paarweise und mit den anderen zu dem Kreuzungspunkt der genannten
beiden Leiter gehörenden Speicherelementen in Heine geschaltet
sind, dass der Verbindungepunkt für zwei (M21Q, «220) *u demeel-.
ben üLceuzungapunkt und au einen (X2G) der genannten beiden Leiter
gehörenden Speicherelement mit einem Leiter ("Q"-Leiter X 20)
aus der zweiten Anzahl von Leitern verbunden ist, dem die Information
einer bestimmten Art zugeordnet ist, dass der Verbindungspunkt für die beiden (m231, jä241) zu dem Kreuzungspunfct und zu
dea übrigen Leiter (X21) der genannten beiden Leiter mit einem
Leiter ("1"-Leiter Ϊ21) aus der zweiten Anzahl von Leitern verbunden
ist, dem die Information der entgegengesetzten Art zugeordnet
ist, dass der andere \ferbindungspun&t zwischen den zu
einem (X20) der genannten beiden Leiter gehörenden Speicherelementen
einerseits mit den entsprechenden Verbindungspunkten zwischen den zu dem übrigen Leiter (X21) der genannten beiden
Leiter gehörenden dpeicherelementen und andererseits mit einem
EingabeIeiter (C2) verbunden ist, dass von den genannten li&pulequeilen
zum gleichzeitigen Eingeben der binären Information eine
erste χmpuIsquelle («0 abwechselnd mit einem der Paare von zwei
Leitern QC2Ü, X21) verbunden werden kann, wahrend eine zweite
Impulsquelle (B) einerseits abwechselnd mit einem der Leiter (Γ20)
für die Information einer bestimmten Art oaer mit dem Leiter (£21)
für die Information der entgegengesetzten Art und andererseits
mit dem genannten Eingabeleiter (02) verbunden werden Kann, und
de8β die Fühleinrichtung (J)2Ü, D21) mit den genannten Leitern
(Ϊ20, Ϊ21) verbunden ist, denen die Information einer bestimmten
Art oder der entgegengesetzten Art zugeordnet ist.
2)
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2) Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
in die Verbindung des genannten Verbindungspunktes für zwei
(*i210, j*c!2ü) zu demselben lireuzungspunkt gehörenden Speicherelementen
mit einem (20) der genannten beiden Leiter ein ßegrenzungswiderstand
(B20) eingeschaltet ist, dass in die Verbindung des genannten Verbindungspunktes für die beiden übrigen zu dem
nxeuzungspunkt gehörenden Speicherelemente (to231, 1*24-1) mit
dem übrigen Leiter (X21) der genanaten beiden Leiter ein isegranzungswiderstand
(i*2i) eingeschalltet ist, dass in die Verbindung
zu dem zu dem J&reuzungspunkt gehörenden Eingabeleiter (02) ein
widerstand (B22) eingeschaltet ist, und dass der Widerstand (Bn2) für den eingabe leiter (On) des von der ersten Impulsquelle.am
weitesten entfernten Verbindungpunktes wesentlich kleiner ist
als jeder aer genannten Joegrenzungswiderstände (S20, R21) und
des anderen Widerstandes (fl22) des eingabeleiters, jedoch so groß,
dass ein otromfluss zugelassen wird, dessen muplitudenwert dem
genannten «ormalwert (In) entspricht, wenn in der Anordnung eine
information über die Speicherelemente gespeichert wird.
-42*
Leerseite
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