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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von
aus dünnen Filmen bestehenden magnetischen Vorrichtungen zur Verwendung in Elektronenrechnern
und Datenverarbeitungsanlagen für die Informationsspeicherung und für die Realisierung
logischer Verknüpfungen.
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In dem Aufsatz »Computer Memories: A Survey of the State of
the Arte von J. A. R a j c h m a n aus »The Proceedings of the IRE«
vom Januar 1961 sind die verschiedenen Arten der genannten magnetischen Vorrichtungen,
die bisher zur Verwendung in Elektronenrechnern und Datenverarbeitungsantagen
f ür die Informationsspeicherung und für die Realisierung logischer Verknüpfungen
vorgeschlagen wurden, näher beschrieben.
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Magnetische Stoffe mit uniaxialer Anisotropie lassen sich sehr leicht
entlang einer bestimmten Achse magnetisieren. Diese Achse wird als die leichte Magnetisierungsachse
bezeichnet. Die magnetischen Eigenschaften derartiger Stoffe sind durch verschiedene
Verfahren gemessen und ausgewertet worden, von denen wohl das bekannteste und am
weitesten verbreitete die graphische Darstellung der magnetischen Hysteresisschleife
ist, die dann entsteht, wenn ein Magnetfeld an das magnetische Material derart angelegt
wird, daß die Polarität der Sättigungsmagnetisierung zyklisch umgekehrt wird.
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Für die Zwecke der Datenspeicherung ist es erwünscht, daß die Hysteresisschleife
bei einer zyklischen Magnetisierung längs der leichten Magnetisierungsachse eine
möglichst genaue Rechteckform und bei einer zyklischen Magnetisierung senkrecht
zur leichten Magnetisierungsachse, d. h. parallel zur schweren Magnetisierungsrichtung,
eine möglichst lineare Form aufweist und somit durch den Nullpunkt des Koordinatensystems
verläuft.
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Es ist bekannt, daß dünne magnetische Filme durch Drehung der Magnetisierungsrichtung
ummagnetisiert werden können. Durch dieses Ummagnetisierungsverfahren wird eine
wesentlich höhere Umschaltgeschwindigkeit erreicht als bei den bisher verwendeten
Magnetkernen, die im allgemeinen durch eine Domänenwandbewegung umgeschaltet werden.
Im Falle einer Domänenwandschaltung bewegen sich kleine Bezirke oder Domänen innerhalb
des magnetischen Materials, bis alle magnetischen Momente annähernd in Richtung
des angelegten äußeren Magnetfeldes ausgerichtet sind.
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Der hier verwendete Ausdruck »dünner Film« be-
zeichnet ein
magnetisches Element, das durch Drehung der Magnetisierungsrichtung umgeschaltet
wird. Magnetische Filme der hier verwendeten Art weisen eine leichte Magnetisierungsachse
auf und besitzen eine Dicke zwischen etwa 200 und 2000 A.
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Die durch Drehung erfolgenden Umschaltvorgänge der Magnetisierungsrichtung
magnetischer Filme werden im allgemeinen in kohärente und inkohärente Drehprozesse
eingeteilt. Kohärente und inkohärente Drehprozesse können durch die Art der Drehung
definiert werden, die die magnetischen Momente bei Anlegen eines äußeren Magnetfeldes
erfahren. Die gleichzeitige Drehung aller magnetischen Momente in einem dünnen magnetischen
Film unter dem Einfluß eines angelegten Magnelfeldes, bei dem sich alle Momente
in der gleichen Richtung drehen, z. B. alle im Uhrzeigersinn oder alle im Gegenuhrzeigersinn,
wird als kohärente,Drehung bezeichnet, während die willkürliche Drehung der Momente,
d. h., wenn sich ein Teil im Uhrzeigersinn und der Rest im Gegenuhrzeigersinn
dreht, als inkohärente Drehung bezeichnet wird.
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In einem idealen dünnen magnetischen Film sind alle magnetischen Momente
innerhalb des Filmes mit der bevorzugten Magnetisierungsrichtung genau ausgerichtet.
Es hat sich jedoch gezeigt, daß nicht alle Momente mit der bevorzugten Magnetisierungsrichtung
genau ausgerichtet sind, sondern daß ein bestimmter Prozentsatz der Momente im allgemeinen
um einen positiven bzw. negativen Streuwinkel gegenüber der bevorzugten Magnetisierungsrichtung
abweichen. Somit ist die bevorzugte Magnetisierungsrichtung des Magnetfeldes in
Wirklichkeit die Resultierende aus allen magnetischen Momenten innerhalb des Filmes.
Ein idealer dünner Film ist also ein Film, in dem sämtliche magnetischen Momente
genau miteinander ausgerichtet sind, so daß die Streuwinkel Null sind.
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Durch Anlegen eines quer zur bevorzugten Magnetisierungsrichtung und
parallel zur Ebene des Filmes verlaufenden Magnetfeldes, das sich somit annähernd
im rechten Winkel mit dem Durchschnitt der magnetischen Momente befindet, wird sämtlichen
magnetischen Momenten innerhalb des Filmes ein Drehmoment erteilt, wodurch diese
sich je nach der Richtung des angelegten Magnetfeldes entweder im Uhrzeigersinn
oder im Gegenuhrzeigersinn drehen. Unter dem Einfluß des quer verlaufenden Magnetfeldes
können die Momente des magnetischen Elementes nur um höchstens 90' in bezug
auf die bevorzugte Magnetisierungsrichtung umschalten. Es ist daher unbedingt erforderlich,
zusätzlich zu dem quer verlaufenden Magnetfeld ein weiteres Feld vorzusehen, das
parallel zur Ebene des Filmes in einer Richtung verläuft, die die Erzeugung einer
parallel zur leichten Magnetisierungsachse gerichteten Drehmomentkomponente einer
vorbestimmten Größe bewirkt, so daß eine volle Umkehr der Momente des Filmes um
180' erfolgt. Wenn nun beide, das quer verlaufende und das parallel verlaufende
Magnetfeld, an den dünnen Film angelegt werden, schalten annähernd alle Momente
durch Drehung in eine bestimmte Richtung um, und zwar entweder im Uhrzeigersinn
oder im Gegenuhrzeigersinn. Demzufolge erfolgt die Umschaltung durch einen kohärenten
Drehprozeß. Hierbei wird angenommen, daß das parallel verlaufende Magnetfeld allein
eine für eine Umschaltung ungenügende Größe aufweist. Erst in Verbindung
mit dem quer verlaufenden Magnetfeld wird die Umkehr ermöglicht.
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Würde jedoch ein parallel verlaufendes Magnetfeld, dessen Größe ausreichend
wäre, um das Umschalten d(r Magnetis-erungsrichtung zu bewirken, allein an den dünnen
Film angelegt, dann dreht sich, wie bereits beschrieben, ein Teil der Momente im
Uhrzeigersinn und der Rest im Gegenuhrzeigersinn, da die einzelnen Momente sich
nicht in genauer Ausrichtung mit der Resultierenden bzw. der bevorzugten Magnetisierungsrichtung
befinden. Somit erfolgt bei Anlegen eines parallel zur bevorzugten Magnetisierungsrichtung
des dünnen Filmes verlaufenden Magnetfeldes, dessen Größe ausreicht, um die Umschaltung
der Momente zu bewirken, der Umschaltvorgang auf Grund eines inkohärenten Drehprozesses.
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Es ist bekannt, daß die Oberflächenbeschaffenheit und der Aufbau des
Trägers, auf dem der dünne magnetische Film abgelagert werden soll, von entscheidender
Bedeutung für das Anwachsen der Kristalle, die Einheitlichkeit der Legierungszusammensetzung,
die
magnetische Ausrichtung und die inneren Spannungseigerschaften galvanisch abgelagerter
Filme ist. Es ist beisp-*e'sweise bekannt, daß die Zusammensetzung einer gal-,anisch
abgelagerten Legierung von der Kathederspannung während der Ablagerung abhängig
ist, und zwar so weit, daß es unbedingt erforderlich ist, die Kathodenspannung auf
der ganzen Oherfläc#e des Trägers gleichmäßig verteilt und absolut konstant zu halten.
Bei einer rauhen Trägeroberfläche ergeben sich jedoch beträchtliche Abweichungen
der örtlichen Kathodenspannungen, und zwar treten an den Spitzen des Trägermaterials
völlig andere elektrische Felder auf als in den Vertiefungen, so daß auf der Trägerobcrfläche
eine Ablagerung gebildet wird, die örtlich beträchtliche Abweichungen von der Gesamtzusammensetzung
des abgelagerten Materials aufweisen kann. Es wird allgemein angenommen, daß diese
Inhemogenität der abgelagerten Schicht zusammen mit den inneren mechanischen Spannungen,
die infolge der inhomogenen Schichtzusammensetzung durch die variable Magnetostriktion
zustande kommen, der Hauptgrund für die sich ergebende schlechte uniaxiale Anisotropie
und andere wesentliche magnetische Eigenschaften der Vorrichtung ist.
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Um diese Nachteile weitgehend zu vermindern, ist es sehr wesentlich,
daß die Oberfläche des Trägers außerordentlich glatt und amorph sein muß,
d. h., sie darf keine Körnchenbildung aufweisen. Um dies zu erreichen, ist
es allgemein üblich, als Träger für im Vakuum abgelagerte Filme glatte Glasplatten
zu verwenden. Bei galvanischer Ablagerung dünner magnetiscter Filme wird ein leitender
Träger verwendet, der im allgemeinen entweder aus Glas mit einem aufgesprühten Goldüterzug
oder aus Glas mit im Vakuum aufgedarnpftcm Chrcm und einem darauf aufgesprühten
Goldüterzug testeht.
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Es ist selbstverständlich, daß jedes Verfahren, das die Verwendung
eines so teuren Materials, wie beispielsweise Gold, erfordert, für die industrielle
Herstellung dieser Vorrichtungen als Massenerzeugnisse denkbar ungeeignet ist. Selbst
die Kosten für Laboratoriumszwecke sind zu hoch.
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Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes
Verfahren zur einfachen und wirtschaftlichen Herstellung von aus dünnen Filmen bestehenden
magnetischen Schaltvorrichtungen mit wesentlich verbesserten magnetischen Eigenschaften,
wie beispielsweise einer annähernd rechteckigen Hysteresisschleife und einem sehr
kleinen Streuwinkel, zu schaffen.
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Demzufolge befaßt sich die Erfindung mit einem Verfahren zur Herstellung
einer ferromagnetischen Dünnschichtspeichervorrichtung, bei dem in Gegenwart eines
Magnetfeldes auf einem Träger mit einer Metallschicht eine ferromagnetische Dünnschicht
mit uniaxialer Anisotropie abgelagert wird. Das kennzeichnende Merkmal des erfindungsgemäßen
Verfahrens besteht darin, daß die Metallschicht aus nichtmagnetischem Nickel-Phosphor
besteht, die aus einer Lösung mit einem pH -Wert von etwa 8,6 nichtgalvanisch
auf dem katalytisch aktiven Träger abgelagert wird, wobei die genannte Lösung als
wesentliche Bestandteile etwa 30 gll Nickelchlorid, 2,5 g/1 Natriumhypophosphit,
50 gll Ammoniumchlorid und 100 gll Natriumzitrat enthält, die
Ablagerung der Nickel-Phosphor-Schicht bei einer Temperatur von etwa 71'C
und einer Eintauchzeit von etwa 130 Sekunden erfolgt und die Metallschicht
eine willkürlich orientierte Korlistruktur und eine Durchschnittskorngröße
von weniger als 0,1 #trn aufweist.
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Bern Fachmann auf dem Gebiet der chemischen Ablagerung ist es bekannt,
daß die Reduktion von Metallionen im wesentlichen ein gesteuerter autokatalytischer
Reduktionsprozeß zur Ablagerung eines Metalls auf einem katalytisch aktiven Metall,
wie beispielsweise Aluminium, Eisen, Nickel, Kobalt, Palladium und ähnlichen Metallen,
in Gegenwart von Hypophosphitionen ist. Nichtaktive Metalle, wie Gold, Silber, Kupfer
und deren Legierungen, werden normalerweise durch Tauchablagerungen von Palladium
auf ihrer Oberfläche katalytisch aktiviert. Bei nichtleitenden Stoffen, wie beispielsweise
Glas, Keramik, Kunstharzen und ähnlichen Stoffen, erfolgt die Aktivierung normalerweise
durch Eintauchen des Gegenstandes in eine Lösung aus Zinnionen, worauf ein Eintauchen
in eine Palladiumchloridlösung folgt. Dabei werden die gelösten Palladiumionen von
den adsorbierten Zinnionen spontan reduziert und dadurch die Oberfläche katalytisch
aktiviert.
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Die genannten nichtleitenden Stoffe können auch dadurch katalytisch
aktiviert werden, daß eine chemische Ablagerung eines Kupfer-, Gold- oder Silberfilms
im Vakuum mit nachfolgender Tauchablagerung von Palladium auf der Oberfläche des
Filmes durchgefübri wird.
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Der besondere Träger, auf dem die Nickelbeschichtung auf chemischem
Wege abgelagert werden soll, kann aus einem beliebigen metallischen oder nichtmetallischen
Stoff bestehen, der entweder von Natur aus katalytisch aktiv ist oder auf bekannte
Art und Weise katalytisch aktiviert wurde. Da die Oberflächenveredelungseigenschaften
der ungalvanischen Nickellösungen einheitlich sind, d. h., da eine Ablagerung
konstanter Dicke auf allen Vorsprüngen, Kanten und in al!en Löchern u. dgl. gebildet
wird, soll die gewählte Trägeroberfläche so glatt wie möglich sein, um den erforderlichen
Glattheitsgrad der Nickelablagerung zu gewährleisten.
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Als typisches Beispiel sei erwähnt, daß sich ein verhältnismäßig dünnes
Blatt oder Band (mit 0,08 mm Dicke) aus Polyäthylenterephthalat zur Verwendung
als Trägermaterial in dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren ausgezeichnet
eignet.
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Um eine einheitliche chemische Reduktion auf der ganzen Trägeroberfläche
sicherzustellen, ist es üblich, den Träger durch Eintauchen in eine Natriumhydroxydlösung
mit einer lmolaren Konzentration gründlich zu reinigen. Daraufhin wird der Träger
in destilliertem Wasser gründlich gespült, erneut in eine 1: 1 verdünnte
Salzsäurelösung getaucht, nochmals in destilliertem Wasser und danach in Aceton
gründlich gespült. Ob-
wohl hier ein besonderes Reinigungsverfahren beschrieben
ist, kann selbstverständlich auch eines der bekannten Alkali-Säure-Wasser-Reinigungsverfahren
mit gleichem Erfolg angewandt werden.
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Um die Haftfähigkeit der Nickelbeschichtung auf dem Träger aus Polyäthylenterephthalat
zu verbessern, wird die Trägeroberfläche vorzugsweise als nächstes, d. h.
noch vor der Ablageruno, des metallischen Nickels auf dem Träger mit einem geeigneten,
im Handel erhältlichen Klebstcff beschichtet. Obwohl fast alle im Handel befindlichen
Klebstoffe mit gleichem Erfolg angewandt werden können, wird vorzugsweise ein aus
einem linearen Polyesterharz bestehender Klebstoff verwendet.
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Dieser Klebstoff wird vorzugsweise durch Lösen von
ungefähr
648 g eines linearen Polyesterharzes in ungefähr 6500 g eines Dioxanlösungsmittels
bei Zimmertemperatur zubereitet. Der aus Polyäthylenterephthalat bestehende Träger
wird dann in die Klebstofflösung getaucht und langsam, mit einer Geschwindigkeit
von ungefähr 25 cm/Min., wieder herausgezogen. Daraufhin wird er ungefähr
5 Minuten lang bei einer Temperatur von etwa 150'C getrocknet. Zum
Aufbringen der Klebstoffschicht auf den Träger kann ein beliebiges Verfahren angewandt
werden. Es ist lediglich darauf zu achten, daß die Klebstoffschicht möglichst gleichmäßig
über die ganze Oberfläche des Trägers verteilt wird. Wird an die Haftfähigkeit der
Nickelbeschichtung an der Trägeroberfläche keine so große Anforderung gestellt,
dann ist die Klebstoffschicht nicht erforderlich. Die jeweils erforderliche Haftfähigkeit
der Nickelbeschichtung an der Trägeroberfläche wird durch den Verwendungszweck der
jeweiligen magnetischen Vorrichtung bestimmt.
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Der mit Klebstoff beschichtete Träger wird ais nächstes vorzugsweise
durch ein etwa 30 Sekunden langes Eintauchen in eine 20 g/1 wäßrige
Zinnchloridlösung aktiviert, die etwa 10 ccm/1 konzentrierte Salzsäure enthält.
Dabei wird die Temperatur der Zinnchloridlösung bei etwa 25'C und ihr pH-Wert bei
etwa 0,9 annähernd konstant gehalten.
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Danach wird der Träger abgespült und ungefähr .4 Minuten lang in eine
wäßrige Palladiumchloridlösung mit einer Konzentration von etwa 0,5 g/l,
die ungefähr 5 ccm/1 konzentrierte Salzsäure enthält, ein-.getaucht, wobei
die Temperatur der Palladiumchloridlösung bei etwa 25'C annähernd konstant gehalten
wird.
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Nachdem der mit dem Klebstoff beschichtete Träger katalytisch aktiviert
ist und nun bereit ist, durch eine nichtgalvanische Ablagerung eine metallische
Beschichtung zu erhalten, wird der aktivierte Träger gespült und danach 11/, bis
21/, Minuten, vorzugsweise 2 Minuten und 10 Sekunden lang, in eine nichtgalvanische
Nickelüberzugslösung eingetaucht, die 25 bis 35 g/], vorzugsweise
30 g/1 Nickelchlorid; 1,5 bis 15 g/l, vorzugsweise
2,5 g/1 Natriumhypophosphit, 40 bis 60 g/l, vorzugsweise
50 g/1 Ammoniumchlorid; und 75 bis 125 gll, vorzugsweise
100 g/1
Natriumzitrat enthält. Der pH-Wert der Lösung wird zwischen
7,6 und 9,2, vorzugsweise bei 8,8, und die Temperatur zwischen
60 und 80'C, vorzugsweise bei 71'C, annähernd konstant gehalten.
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Die Oberfläche des nichtgalvanisch abgelagerten Nickels ist sehr glatt,
ohne unerwünschte Vertiefungen, freie Stellen, Risse usw., weist eine regellos ausgerichtete
feinkörnige Struktur auf und ist daher isotrop. Wie durch indirekte Berechnungsmethoden
(Elektronenmikroskop) festgestellt wurde, beträgt die durchschnittliche Korngröße
weniger als 0,1 #trn. Es wurde ferner festgestellt, daß die Dicke der Nickelbeschichtung
zwischen 200 und 1200 A liegt und ausreicht, um alle epitaxialen Effekte
der Trägeroberfläche auszuschalten.
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Die uniaxiale anisotrope dünne magnetische Schicht, die auf der Oberfläche
der nichtgalvanisch abgelagerten Nickelbeschichtung aufgebracht werden soll, besteht
vorzugsweise aus einer Legierung, die durchschnittlich 81 % Nickel und
19 % Eisen enthält und deren Magnetostriktion annähernd Null ist. Diese Legierung
wird in Gegenwart eines Magnetfeldes in einer Dicke von 200 bis 2000 A abgelagert.
Es sei je-
doch darauf hingewiesen, daß weder die f ür die magnetische
Schicht verwendete Legierung noch das hierfür angewandte Ablagerungsverfahren kritisch
ist und ebensogut eine andere für diese Zwecke bekannte Legierung oder ein anderes
bekanntes Ablagerungsverfahren angewandt werden kann. Beispiele verschiedener solcher
Ablagerungsverfahren für dünne magnetische Filme sind in den folgenden Veröffentlichungen
beschrieben: »Fabrication and Properties of Memory Elements Using Eleetrodeposited
Thin Magnetic Films« von Wolf, Katz und Brains in »Proceedings of Electronic Components
Conference«, 1960, S. 15 bis 21; »Composition and Thickness Effects on Magnetie
Properties of Electrodeposited Nickel-Iron Thin Films« von 1. W. Wo
1 f in )Journal of Electrochemical Society«, Oktober 1961, S. 959
bis 964; »The Preparation and Characteristics of Thin Ferromagnetic Films« in »Scientific
Report«, No. 1, US Air Force Contract AF19 (604)-4978; »Chemically Deposited
Nickel-Cobalt Layers as High Speed Storage Elements« von R. J. H eritage
und M. J. Walk er in >Journal of Electronics and Control«, Vol.
7, 1959, beginnend auf S. 542, Journal of Applied Physics, Nr.
26,
1955, beginnend auf S. 975;
USA.-Patente 3 030 612
und 3 037 199.
Selbstverständlich umfassen die oben aufgeführten Veröffentlichungen
keineswegs den gesamten Stand der Technik auf dem Gebiet der dünnen magnetischen
Filme.
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In dem bevorzugten Verfahren wird diese nicht galvanisch abgelagerte
Nickeloberfläche als Kathode ungefähr 260 Sekunden lang einer elektrolytischen
Behandlung in einem Überzugsbad, bestehend aus 218 g/1 Nickelsulphat (NiSO,
- 6H,0), 6,74 g/1
Eisen(III)-chlorid (FeC1, - 6 11,0), 40
g/1 Borsäure und 1,5 g/1 Saccharin (0-Benzoylsulfimid, Natriumsalz)
ausgesetzt. Der pH-Wert dieses Bades wird bei 2,47 und die Temperatur zwischen 20
und 30'C annähernd konstant gehalten. Die Strorndichte wird dabei bei annähernd
5 mA/cm2 konstant gehalten. Die Ablagerung erfolgt ferner vorzugsweise in
Gegenwart eines gleichmäßigen Magnetfeldes von ungefähr 100 Oersted, das
parallel zur Ebene der Ablagerungsfläche gerichtet ist, so daß die magnetischen
Momente innerhalb des Filmes im allgemeinen in der gleichen Richtung wie das Magnetfeld
ausgerichtet sind, wodurch in dem magnetischen Film die leichte Magnetisierungsachse
entsteht.
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Es hat sich herausgestellt, daß die chemisch reduzierte Nickelbeschichtung
eine wesentliche Verminderung der Wandkoerzitivkraft (Hc) längs der leichten Magnetisierungsrichtung
und der Anisotropiefeldstärke (Hk) des aufgebrachten dünnen magnetischen Filmes
bewirkt. Von noch größerer Bedeutung ist
je-
doch das Ansteigen des Verhältnisses
des maximalen Feldes (Hr), bei dem die Drehprozeßflußumkehr erfolgt, zu der Anisotropiefeldstärke
(Hk). Dieses Verhältnis kennzeichnet nämlich das Ausmaß oder den Grad der uniaxialen
Anisotropie. Das Verhältnis HrIHk, das normalerweise in Prozent ausgedrückt wird,
stellt den Prozentsatz des Treiberfeldes (Hk) dar, oberhalb dessen die Hysteresisschleife
der harten Magnetisierungsrichtung geschlossen bleibt, so daß eine vollkommene uniaxiale
Anisotropie vorhanden ist, wenn das Verhältnis HrIHk gleich
1000/, ist.
Nachfolgend
sind typische magnetische Eigenschaften der gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellten,
aus dünnen Filmen bestehenden Vorrichtungen genannt:
| HC .......................... 0,9 Oersted |
| Hk ......................... 2,8 Oersted |
| HrIHk ...................... 90 bis
99 0/, |
| Xmax ........................ ±40 |
| ocq .......................... :E 10 |
a.a., stellt dabei den maximalen Streuwinkel der leichten Magnetisierungsachse und
ocq
den 50 0/6-Streuwinkel der leichten Magnetisierungsachse dar.
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Im folgenden wird ein dem im vorangehenden beschriebenen Herstellungsverfahren
im wesentlichen ähnliches Verfahren beschrieben. In diesem Falle wird jedoch, im
Gegensatz zu dem vorangehenden Beispiel, bei dem ein nichtleitender Träger, wie
beispielsweise Polyäthylenterephthalat verwendet wurde, ein typisches Beispiel für
die Verwendung eines von sich aus katalytisch aktiven metallischen Trägers, wie
z. B. Aluminium, Eisen, Nickel, Kobalt und Palladium, gegeben. Selbstverständlich
kann auch jedes der weiter vorn genannten katalytisch nicht aktiven Metalle mit
gleichem Erfolg verwendet werden. Wie bereits erwähnt, umfaßt die Gruppe der katalytisch
nicht aktiven Stoffe die Metalle Gold, Silber, Kupfer u. dgl., sowie deren Legierungen.
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Bei diesem besonderen Beispiel wird eine Silberschicht von ungefähr
500 A Dicke auf einer optisch glatten Glasplatte chemisch reduziert und danach
eine Kupferbeschichtung mit einer Dicke von 0,15 mm, die als fester Träger
für die Silberschicht nach deren Entfernen von der Glasplatte gedacht ist, auf der
Silberschicht abgelagert. Daraufhin wird die Silber-Kupfer-Beschichtung in bekannter
Weise von der Glasplatte abgezogen. Da dieses Verfahren auf dem Gebiete der Galvanoplastik
bekannt ist, erübrigt sich eine nähere Beschreibung hiervon. Für eine ausführliche
Beschreibung dieses Verfahrens wird auf das Buch »Principles of Electroplating and
Electroforming« von B 1 u m und H o g a b o o m,
3. Ausgabe, Kapitel 8 und 12, S. 220 bis 235 bzw.
288 bis 306, verwiesen. Hierin ist eine vollständige und genaue Beschreibung
des eben nur kurz beschriebenen galvanoplastischen Verfahrens enthalten.
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Nach ihrer Reinigung und Trocknung wird die Silberbeschichtung etwa
10 bis 20 Sekunden in die oben beschriebene Palladiumchloridlösung eingetaucht,
abgespült, und dann wird, in der gleichen Reihenfolge und in der gleichen Weise
wie bereits beschrieben, auf die Silberoberfläche zuerst eine nichtgalvanische Nickelbeschichtung
und dann ein dünner magnetischer Film aus Nickel-Eisen aufgebracht.
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Eine Messung der magnetischen Eigenschaften der letztgenannten Vorrichtung
zeigte, daß diese im Vergleich zu der gleichartigen Vorrichtung, bei der die nichtgalvanische
Nickelbeschichtung weggelassen wurde, eine Verminderung der Koerzitivkraft Hc von
ungefähr 7,0 Oersted auf 1,0 Oersted, eine Verminderung der Anisotropiefeldstärke
Hk von ungefähr 15,0 Oersted auf 2,8 Oersted, eine Erhöhung des Verhältnisses
von HrIHk von ungefähr 100/, auf ungefähr 950/"
eine Verminderung
von von ungefähr 15' auf ungefähr 7', und eine Verminderung von
% von über 1,5' auf weniger als l' aufweist.