DE1444537A1 - Verfahren zum Herstellen hochohmiger p-leitender Schichten aus Halbleitermaterial - Google Patents
Verfahren zum Herstellen hochohmiger p-leitender Schichten aus HalbleitermaterialInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0085604 | 1963-06-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1444537A1 true DE1444537A1 (de) | 1970-02-19 |
Family
ID=7512461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19631444537 Pending DE1444537A1 (de) | 1963-06-10 | 1963-06-10 | Verfahren zum Herstellen hochohmiger p-leitender Schichten aus Halbleitermaterial |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH416578A (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE1444537A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
FR (1) | FR1398314A (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB1051808A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (1) | NL6406330A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2195663B (en) * | 1986-08-15 | 1990-08-22 | Nippon Telegraph & Telephone | Chemical vapour deposition method and apparatus therefor |
-
0
- GB GB1051808D patent/GB1051808A/en active Active
-
1963
- 1963-06-10 DE DE19631444537 patent/DE1444537A1/de active Pending
-
1964
- 1964-02-13 CH CH196464A patent/CH416578A/de unknown
- 1964-06-04 NL NL6406330A patent/NL6406330A/xx unknown
- 1964-06-09 FR FR977559A patent/FR1398314A/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1398314A (fr) | 1965-05-07 |
GB1051808A (enrdf_load_stackoverflow) | |
CH416578A (de) | 1966-07-15 |
NL6406330A (enrdf_load_stackoverflow) | 1964-12-11 |
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