DE1439933A1

DE1439933A1 - Speichertarget fuer eine Kathodenstrahl-Speicherroehre

Info

Publication number: DE1439933A1
Application number: DE19621439933
Authority: DE
Inventors: Reininger Walter G; Jensen Arthur S
Original assignee: Westinghouse Electric Corp
Current assignee: CBS Corp
Priority date: 1961-09-06
Filing date: 1962-09-04
Publication date: 1969-03-20
Also published as: NL282811A; US3218496A; GB999640A

Description

Dipl-Ing. F.Weickmann, Dr. Ing. A.Weickmann, D1PL.-ING.H.WEICKMANN Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke Patentanwälte

— „-.MÜNCHEN, BRUNNSTR.ASSE 5 u. 7, RUFNUMMER. 221604 u. 299078 —**""

IBSTIHGHOUSB EIiECTBIO CORPORATION, Beulah Road, Ohurohill Bopo, Pittsburgh 35, Pa., USA

Speiohertarget für eine Kathodenstrahl-Speieherröhre

Die Erfindung bezieht sich auf ein Speichertarget für eine Kathodenstrahl-Speicherröhre. (Der Ausdruck "Target" ist im Bereich der technischen Physik in den deutschen Sprachgebrauch übergegangen! "Target" bezeichnet einen Körper, der mit Teilchen beschossen wird oder auf den ein Strahl gerichtet wird.)

In den üblichen elektrostatischen Speicherröhren wird eine Information auf. die Oberfläche eines dielektrischen Targets mittels eines Elektronenstrahls (eines Schreibstrahls) geschrieben und in lorm von ladungen auf der Oberfläche des Targets gespeichert. Die Erzeugung der ladungen erfolgt dabei entweder durch Sekundäremissionseffekte oder dadurch, dass duroh den Elektronenbeschuss ein Strom in dem Dielektrikum induziert wird. Beide diese Methoden zur Erzeugung von Ladungen sind bekannt.

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Ein Ablesestrahl wird dann zur Abtastung des Targets und zur Ableitung eines Ausgangssignals entsprechend der Ladungsinformation verwendet. Bei einer Art von Speioherröhren besteht die ganze Oberfläohe des Speichertargets, auf das der Ablesestrahl einfällt, aus einem Dielektrikum. Der Ablesestrahl beseitigt bei seinem Auftreffen auf das Dielektrikum die dort gespeicherte ladung, wodurch das Potential der Oberfläche auf ein Bezugspotential nahezu zurückfällt. In einem Vidicon werden die abgeführten Ladungen kapazitiv an einen Ausgangssignalverstärker gekoppelt. In einem BiId-Orthicon wird der rücklaufende Strahl entsprechend der auf dem Target befindlichen Ladung gemindert, gesammelt und verstärkt. Bevorzugt werden sum Ablesen Speichertargets verwendet, deren Oberflächen zu etwa 50 i» aus dielektrischem Material und zu 50 # aus verschaltetem Leitermaterial bestehen. Die Elektronen das Ablesestrahls nähern sich dem Speichertarget langsam. Sie haben eine Energie von nur etwa 2 oder 3 Elektronen-Volt, wenn sie auf die leitenden Bereiche des Targets einfallen. Die dielektrischen Bereiche sind gerade hinreichend negativ, dass die Elektronen des Ablesestrahls nicht auf ihnen landen können» Die gespeicherten Signalladungen sind derart, dass sie diejenigen Bereiche, in denen sie sich befinden, negativer machen. Diese negativen Bereiche wirken als koplanares Gitter zur Modulation des Ablesestrahls oder des Teils des Ablesestrahls, der auf die leitenden Bereiche tiifft. Entweder können die verschiedenen Ströme, die auf die leitenden Bereiche auftreffen, verstärkt werden, oder es kann der reflektierte Rücklaufstrahl, der '

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durch diese unterschiedlichen Ströme gemindert wird, gesammelt und verstärkt werden. Bevorzugt erfolgt das Ablesen so, wie in der US-Patentschrift 2 728 o2o und in dem Aufsatz "The Metrechon-A Halftone-Picture Storage Tube«, ROA Review, Vol. XV, No. 2, Seiten 145-162, Juni 1954» beschrieben.

Damit die auf dem Target gespeicherte Information unverändert bewahrt wird, ist es notwendig, dass von aussen keine Ladungs- oder Entladungsvorgänge die Oberfläche des dielektrischen Targets beeinflussen. Bei einem bandförmigen Target, das aufgewickelt werden kann, so dass eine Vielzahl von Speicherbereichen nacheinander auszunutzen ist, wird dieses Problem besonders schwierig. Reibungseffekte oder triboelektrische Effekte, die vom Aufwickeln und Abwickeln des Bandes auf sich selbst herrühren :und davon, dass das Band über solche Elemente wie Leerlaufrollen läuft, können zur Erzeugung hinreichender triboelektrischer Ladungen führen, die ernsthaft die Qualität der auf dem dielektrischen Target gespeicherten Information beeinträchtigen. Eine Berührung der Speicheroberfläche mit der Rückseite der folgenden Lage des Bandes kann ferner dazu führen, dass sich die geladenen Bereiche der Speicheroberfläche auf die Rückseite des Bandabschnittes der benachbarten Lage entladen, wodurch die gespeicherte Information beeinträchtigt wird.

Es ist ein Band aus einem flexiblen, dielektrischen Speicher-909812/Ü6Ü8

streifen oder Bpeieherbaiid bekannt» dessen eine Seite alt einer dünnen» elektrisch leitenden Schient »edeekt ist (vergl. i.B. ROl Teohnical Kote Ko. 45 "Ja*· Storage Tube»· (Arthur S. Jensen). Ein feine· metallisch·! Site oder Gitter liegt auf der anderen Seite des Sandes oder dee Streifens. Dieses dient u.a. dasu» die Rückseite benachbarter Lagen des Sandes an der Berührung der dielektrischen 8peioheroberflache su hindern» wenn da· Sand aufgewickelt oder abgewickelt wird· Sander dieser Axt erwiesen sich jedoch allgemein nicht zufriedenstellend. Dae metallische Gitter oder das Sieb auf der dielektrischen Oberfläche iat im allgemeinen etwa 1 Mikron diok. Staubpartikel oder geringe Unregelmäßigkeiten in der leitenden Bchioht auf der Rückseite der folgenden Lage des Bandt« bringen diese Schicht in Kontakt mit der dielektrischen Speicheroberfläohe· Dieser Eontakt ist am· ßwei Gründen schädigends Zunächst gestattet «r di« Entladung der gespeicherten Information τοη der dielektrischen Oberfläche eur leitenden Schicht der benachbarten Sandlage. Ferner kann dieser Kontakt Reibung·- oder Triboelektrisitätaladungen beim Aufwiokeln und Abwickeln de· Band·· erseugen. Der akkumulative Effekt dieser Entladungen sur metallischen Schicht und der triboelektrieohtn Ladungen kann hinreichen, um die Auflöeungsmögliohkeit der Information cu «eretören, die auf der dielektrisehen fargetoberfläohe gespeichert ist·

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Beseitigung dieser Mäijgel igt tin eriindungsgemässes apeiofcerkarget Xttr tint Jöthoeenetrahl-Speieherröiure gekennseioh&et durch tint Unterlagt mit βintr Vertiefungen aufweisendem Seite und durch dielektrisches Speichermaterial avf quer odtr schräg xu dtr Stitt rtrlamftndtn Obtrfläohtnbtrtiohtn dtr Ytrtitfungtn·

Bin aolehts Sptiohtrtargtt kann bandförmig autgtbildtt «tin und obnt «tittrti auf aioh selbst gewioktlt wtrdtn,

Dit 8ptiehtrobtrflttoht tinte aοlohen Targets kommt ttbtrdita mit folgenden lagen dt· Sptioherbandtt nur minimal in Kentakt·

Hn trfindungagtmätats Sptiohtrtargtt hat übtrdieβ tint btaonitra günstige Speicheroberfläche. Darüber hinaue let te leioht und «irteohaftlioh herxuitelltn und kann ein höht« Auflösungsvermögen enthalten.

lin bandförmige· Sptiohtrtargtt nach dtr Erfindung wtiet btTorxugt einen Träger mit einer unebenen, etwa aohruppigen Oberfläche auf, auf der sich ein dielektrischen Speiohermaterial befindet. Das dielektrisohe Material liegt u.a. in Ibenen oder auf iläohen, die quer oder eohräg •ur Bandebene rerlaufen, aleo unter Winkeln von 90* oder weniger. Diese Anordnung des dielektrischen Materials rerringert die möglichen Berührungebereiohe mit folgenden Bandlagen und verhindert ein unerwünschtes Laden

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und Entladen der Speicherelemente·

!•ittrβ Einzelheiten dtr Erfindung ergeben sieh aus der nachfolgenden Beschreibung von Aueführungsfceispielen unter Hinweis auf die figuren.

Itla.» 1 zeigt sohematisch eine Kathodenstrahlröhre nach der Erfindung,

giflf. 2 zeigt in Beitenansioht einen Sohnitt durch einen vergrößerten Absohnitt des Speicher-« targets in der Kathodenstrahlröhre naeh fig.1.

fig. 3 zeigt ein® Aufsicht auf ein Spsiohartarget nach Fig. 2.

Pig. 4- zeigt eine Aufsicht auf ein fcevonjugtas- Spei-οhertarget für die Kathodenstrahlröhre naoh Pig· 1.

gig» 5 zeigt einen Sohnitt durch das Speiohertarget nach.flg. 4 längs der Linie 7-7 in fig. 4.

fig. 6 zeigt im Sohnitt eine Seitenansicht eines «eiteren Speiohertargetβ naoh der Erfindung.

fig. 7 zeigt im Schnitt noch eine AusfOhrungsform eines Speiohertargets naoh der Erfindung.

fig. 8 seigt im Schnitt noch ein weiteres Speiohertarget naeh der Erfindung, bei dem die dielektrischen Speicherelemente räumlich statistisch verteilt liegen.

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Die Speicherröhre nach Fig. 1 weist ein· Hüll· 11 au« Gift« oder anderem geeigneten Material auf* In dieser Hüll· 1t befindet eioh eine Elektronenkanone 2 zur Erzeugung und zur Fokussierung eines Elektronenstrahls auf dem Speiohertarget 31« Die Elektronen des Strahle «erden durch eine Glühkathode 13 erzeugt und durch ein mit Offnungen rersehenes Steuergitter 15 gesteuert. Eine Beschleunigungselektrode 17 liegt in Flucht zum Strahl und beschleunigt die γόη der Kathode 13 emittierten Elektronen. Elektroden 19»21und 23 dienen dazu» die beschleunigten Elektronen zu einem definierten Strahl zu fokussieren· Paare von Vertikal- und Horizontal-Ablenkplatten 25 bzw. 27 riohten den Strahl auf bestimmte Flächenelemente der Oberfläche des Targets. Zylindrische Elektroden 55» 57 und 59 bilden eine Kollimatorlinse, die Bioherstellt, dass der Elektronenstrahl senkrecht auf ein Bremsgitter 29 und das Speichertarget 31 auftrifft. Das Bremsgitter 29 liegt nahe Tor dem Target und ist mit einigen ToIt positiv in bezug zu» Potential des !Targets 31 vorgespannt. Es sammelt sekundär emittierte Elektronen beim Löschen, beim Grundieren und beim Schreiben. Das Bremsgitter 29 dient ferner zur Erzeugung eines gleiohmässigen elektrischen Feldes im . Targetbereioh, das die auftreffenden Ablesestrahl-Elektronen von hoher Energie im Bereich des Gittere 29 auf niedrige Energie von O bis etna 2 ToIt im Bereich nächst dem Speiohertarget 31 abbremst. Die beschichteten Elemente sind in der Röhre gehaltert und mit geeigneten Spannungs-

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quellen verbunden. Hierzu dienen geeignete Leitung«*» die sich abgedichtet durch die MlIe 11 erstrecken.

Obwohl da· Sarget in der Röhre feat angeordnet sein kann und starr sein kann, wenn beispielsweise die Vorrichtung als übliche Speicherröhre verwendet wird, beispielsweise als Abtastwandler, so besteht doch das Target 31 bei dem JLusfuhrungsbeiepiel nach Fig. 1 aus einen flexiblen Band, das in der Hülle 11 an deren der Elektronenkanone 2 entgegengesetztem Ende so liegt, dass der Elektronenstrahl auf es einwirken kann. Das Band 31 ist vorzugsweise auf Haspeln aufgewickelt, die durch ausserhalb der Hülle befindliche Mittel angetrieben werden.

In Pig» 2 let ein erfindungsgemässes Speichertarget 31 . dargestellt, das bandförmig sein kann wie das in Fig. 1 dargestellte. Das Band weist eine Unterlageschicht 33 auf, Ale auf einer Seite geprägt ist. Die Schicht kann aus einem Polyesterharz bestehen, wie es unter dem Handelenamen «Mylar* von der E.I. du Pont de Remours und Co· vertrieben wird· Sie Prägung kann dadurch erfolgen, dass man die Unterlage 33 in Druckkontakt mit einer Stahlrolle bringt, in der sich eine Reihe von Ausnehmungen oder zyllnAer-linsenförmiger Vertiefungen befindet, die im wesentlitthen geradlinig in der Oberfläche der Rolle parallel EU ihrer Achse verlaufen. Auf Aer Unterlage 33 befinden aioh beidseitig gleiohmässig dioke leitende Schichten 35 un& 3?» Al· aus durch Vakuumverdampfung niedergeschla-

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Metall btttthen können. Die nit Prägungen vsrithent Seitt ist darüber hinaus gleiohmässig nit einem dielektrischen Material wie Magnesium-Pluorid besohiohttt. Sitte Beschichtung 39 ist etwa 1 Mikron dick und rerläuft in Ebenenι die quer oder schräg zur Ebene des Bandes verlaufen. Da die Schichten 37 und 39 gleiahmässig diok sind, treten die eingeprägten Vertiefungen der Unterlage 33 auoh in der Oberfläche der dielektrischen Schicht 39 auf. Durch geeignete Maasnahmen, wie etwa Bedampfen nach der Absohattungsmethode, erhalten jeweils die einen Seiten der Ausnehmungen in der Schicht 39 einen Überzug 41 aus leitendem Material, die Stege in einem Netzwerk bilden, wie et in Pig. 3 dargestellt ist. Durch einen weiteren Avfdampfrorgang werden zwei elektrisch leitende Streifen 43 auf das Band nächst dessen Kanten aufgebracht, die die Gitterstege 41 elektrisch miteinander verbinden.

Dat Band, wie.es in Pig. 2 dargestellt ist, kann für duroh Elektronenbeschuss induziertes leitfähigkeitstohreibtn benutzt werden (EBIC-Methode). Die leitende Sohioht 37 nimmt die Elektronen des Primärstrahls und dit Elektronen von der Entladung der dielektrischen Oberfläche während des Sohreibens auf und gestattet, eine Yorepannung beim Grundieren des Targets anzulegen. Die Gitteranordnung aus den leitenden Stegen 41 und den Streifen 42 verhütet eine Umverteilung der ladungen duroh 8ekundäremissionseffekte beim Schreiben. Die In-

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formation wird auf Oberflächeneleiienten 47 des dielektrischen Materials 29 gespeichert. Wenn das in Fig. 2 dargestellte Band auf sich selbst aufgewickelt wird, berührt die leitende Schieht 35 offensichtlich nur die Gitterstruktur 41,43· Sriboelektrische ladungen, die beim Aufwickeln oder Abwickeln erzeugt werden oder durch Bewegung des Bandes über Hollen und dergl., die innerhalb des Systems liegen, werden wirksam durch die leitende Schicht 35 und die 6-itteranordnung 41,43 beseitigt. Da ferner die Speicherelemente 47 vertieft in den Ausnehmungen liegen, besteht wenig Möglichkeit, dass diese Element© mit folgenden lagen des Bandes in Kontakt geraten, und daher kann von den Speicherelementen gespeicherte Information auf benachbarte Lagen des Bandes kaum abfliessen.

Wenn auca der beschriebene Aufbau dee Targets in Zusammenhang mit der ESIC-Methode steht, so ist es doch offensichtlich, dass der Targetaufbau nach der Erfindung auch zum Sekundäremissionsschreiben mit Erfolg verwendet werden kann. Wird Sekundäremissionsschreiben verwendet, so ist jedoch die leitende Schicht 37 nicht notwendig.

Eine fceYorfcugte Ausführungsform der Erfindung ist in den figο 4 und 5 dargestellt. Bas Band 31 weist bei dieser Ausführungsform einen leitenden Streifen 49, etwa aus nichtrostendem Stahl oder Kupfer auf, der durch Prägung mit einer Reihe von sich parallel zur Längsrichtung des Bandes erstreckenden Vertiefungen versehen ist. Die Prägung

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kann entweder durch Druckkontakt erfolgen oder durch Elektroformierung mit einer Roll·, in deren Umfangefläche eich Vertie fungen befinden. lachdem die Prägung des Stahlband·β erfolgt ist, wird ein geeignetes dielektrisches Speichermaterial 51, wie etwa J$S»$a»-lluorid, etwa nach der AbschattungBiaethode auf jeweils eine Seitenfläche der Vertiefungen aufgedampft, bo dass, wie sokon oben ausgeführt, da· Dielektrikum in Ebenen liegt oder auf flächen rerläuft, die quer oder schräg zur Bandebene geriohtet sind. Das dielektrische Material bildet elementare Bereiche für die Speicherung von Information entweder mittels des SBIC-Schreibene oder des Sekundäremissionsschreibene. Obwohl offensichtlich bei dieser Ausführungsform der Erfindung das dielektrische Material in Kontakt mit den Unterseiten d«r folgenden Lagen des Bandes aus nioht-rostendem Stahl oder Kupfer kommt, wenn das Band auf sich selbst gewickelt wird, so ist doch zu bemerken, dass die Kontaktbereiche sehr klein sind. Wegen dieser kleinen lontaAer e iche ist die Informationsmenge, die von den Speicherbereichen 51 auf die nachfolgend· Unterlage 49 entladen wird, unbedeutend. Wegen der kleinen Kontaktbereiche ergeben sich auch kein? bemerkenswerten triboelektrischen Effekte.

Die Ausführungsform nach Fig. 6 unterscheidet sich von derjenigen der Fig. 4 und 5 insoweit, als die Vertiefungen, senkrecht zur Längsrichtung des Bandes verlaufen. Daraus let erkennbar, dass ·· auf dl« JWsdehnungsriehtung d«r Vertiefungen nicht ankommt. Sie können vielmehr unter irgendeinem Winkel zur Längsrichtung des Bandes verlaufen.

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Sine weiter· Aueführungeform der Erfindung let in Fig. 7 dargestellt. Dabei besteht die mit Vertiefungen versehene Unterlagsschioht 53 wiederum aus einem plastischen Material «ie etwa "Mylar"· Wie vordem schon ausgeführt ist, kennen die Vertiefungen unter irgendeinem Winkel eur Längsrichtung des Bandes verlaufen. Eine gleichmässig dicke» leitende Sohicht 35 ist auf die Unterseite der Schicht 33 aufgebracht. Kleine BpeioheAemente aus dielektrischem Speichermaterial sind auf jeweils einem Seil der Seitenflächen der Vertiefungen, vorzugsweise durch Bedampfung nach der Absohattungsmethode, aufgebracht. Sie Wirkungsweise des !Targets nach dieser Aueführungsform ist die gleiche wie die der vorher beschriebenen Ausführungsfora«

Sie Ausführungsform nach Fig. 8 unterscheidet sich von denjenigen nach den Fig. 4 bis 6 darin, dass die dort vorhandene regelmässige Verteilung der Vertiefungen durch eine räumlich statistische Verteilung von Vertiefungen 53 ersetzt ist. Diese Vertiefungen 53 eind auch unregelmässig geformt. Sie befinden sich in der Oberfläche des Stahlbandes 49. Die räumlich statistisch verteilten Vertiefungen können durch Sandblasen, Schleifen oder in irgendeiner anderen geeigneten Weise erzeugt sein. Das dielektrische Material 51 ist wiederum nach der Absohattungsmethode nur auf Seilen der freiliegenden, aufgerauhten Oberfläche aufgedampft, die quer oder schräg zur Ebene des Bandes liegen. Obwohl diese Ausführungsform der Erfindung ein geringeres Auflösungevermögen aufweist,

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ale es ate voran beschriebenen Ausführungsformen haben, bei denen die Speicher element e in regelmäaaigen Mustern angeordnet sind, so ist doch, die letztgenannte» Ausführungiform wirtschaftlicher herzustellen und hat auoh ein Auflösungsvermögen, das für viele Anwendungszwecke hinreichend ist.

Der Erfindungegedanke ist vierer Abänderungen fähig. Obwohl sich die Ausführungsbeiepiele in erster linie mit gestreckten Bändern befassän, so ist doch offensichtlich , dass die Erfindung auch für Bandabschnitte anwendbar ist als auch für stationäre Targets.

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Claims

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Ps ι iQtiQipriic M

\%J Speiehertarget für »ine Katbode&etrahl-HpeioherriJhre, &ekeni28elehnet durch «in· unterlage (33*49) alt einer Vertiefungen uufweiaenden Seit· und duroh dieXoktriac hat:. Speichermaterial (33j51) »«£ qp*r ader ochr% SU der Seite vex-lauionUon Oberf iaohenbcreich*u der Vertiefung«»·

Bpeichortar, et nach Anspruch 1, doduroh net» daoc die Vertiefungen im vseBentiici.on parallel verlaufen·

3· SpelQftertarget naob An*«t>ruob 1 oder 2, liuiuroh «•icimetf dons das dielektrische SpeioHonaaterial die vor ti einer diskontinuierlichen Schioht

4· ί3 ρ ei eher target nach eines der vorh«; ruhenden dedureh iioiermeeiohiiöt, dase o» die ioria eines ürndee hat.

5· Speiehertarget nach /tnepruoa 4t dnduroh tiekto aelohnet, daao eioh die Vertiofungen in L^ingarlohtung eretreoken·

6, Speiehertarget n&oh Anspruch 4* dadurch gekennseichnet, üaeo sieh die Vertiefungen in querrichtung «Jes Bandee erstreoken«

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7· fipeieoerterget nach riBspraeu 4» dadurofa go »an« ti« tatet» si«Ii dl· \ ertle Jtangen MhHIe nur Langer!ehten«

8. ^pe ie/«target naoh eine« der *nepriobe 1 bl· 4» dftdturaa eekenoMiQUfiet» da·· dl« Vertiirfunken in Fora OBd Anordnunfi itetlotlecL· Terkeilt

im Sp«ioh«rt*rg»t n*oh minwm ü#r AnnprJehe 1 bi· β₍ d«d«r«b _oek«n .««ioiiBet, d»·· dl· Ubtorlac,* (4'J) au· «!«ktrieoh l«itend«fa Material

1o. L.;.etch«rtar(;et ttiiou ·ΐΒ«α der Aciipijoh· 1 bin 6# dadaroh _t;üK#nn*«lolin«t# da·· dl· Untcrla · (33) aue *l«lctrl»«h nicht leite ndou iiaterlal

11· . peichartnr, ,et noch Annpruoh 1o_f dadui-cu gokontia«lohnet« da«B uioK aai dor den verti< fimr&tt a^ ^cmxiidtmi Seite der Unter la .e (33) olnc elektrisch leitende Schicht (39)

12· . eicuerttUY.ot nnoh Anopruoh Io oder 11 _v dadurch

eeioi.uot» dm»; uio!« nui der ύυη Vertiefungen Eu

uito dtiv Untorlfi e (33) eine exektrltioh leitende ohiofat (37) befindet·

Γ5. S\r tuiMi tiir. ot naoh Anspiuoh 1-'_# daduroli ^ek.ozuic«iohiiett

ui(v, .lul doi oleKtriucL leitoiiden . culolit (37) eine 909812/Ü6U8 BAD

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; chloht (39) aus dielektrloche« Speichermaterial fet·*

14· SpeicUertar^et nach Anspruch Io oder 11» dadurch gekeiut* eeiohnet» dfitc eioh auf der den Vertiefungen su^ewandten Seite der Unterlage eine Schicht aut dielektrische»

befindet«

15« Sp«icnertar,iei nach oiuea der vorhergehenden dadurob gekeimseicimet* dace eich das dlelektrleohe rpeioheraaterlal auf etwa gleioiieinnlg orientierten ; eiteuflachen der Vertiefungen befindet«

16* £pelohertarget nach Anepruch 1?» H oder 15# dadurch (SekenneeicUnetf dm·· eich auf der Schicht (39) en· dielektrischere Speichermaterial elektrisch leitend· : tege (41) befinden·

17« Speioherterget nach Anepruoh 16» dadurch gokennseleb·» net» daee die Stege (41) auf etwa gleicheinnig orientierten ofeerfläohentellea der Schicht (39) au« dlelektriuehe* Spelcheraaterlal liegen·

16· peichertarget nach Anspruch 17» dadurch gekennseiohn^t» da·· eich die Stege (41) von der Unterlage (33) fort ble Über die Oberkanten der Schient (3 0 aus dielektrisch·» Speichermaterial hineile cretrecken.

19· peioUertar^et mich eines der AnoprJcho 16 bin 18,

gekennfeiohnet duraii ©le tricot λ Verbin Jungle Uungun (43) «wieohen den Steven (41)·

2o» iipelühertarget nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, daee die V^rbindungeleitun^n (13) oenkrecht *u den Stegen (41) verlaufen«

21« Verfahren mur Herstellung eines Speichertnr₍ ;etü naoh

eines der Torher^oi, ndan AOupruohe_t dadui-oh ^ekfinnaelohnet» deeo auf oUio ait Vertiefungen v<ret:hene Leite einer Unterlaß eine diakontinuierliolie Schicht aus dielektrlaoUea ^i tori öl unter eine» spitzen winkel zur der ceite derart n-ioh der ^bochnttungomethude

v.inj, üoea nur die oboriXicUenboreiehe der Vertiofun, t.n_t die der ichtun_t; deo nu!'treffenden ,•eapfeü entge^ngewondt nlnd, beooi;ichtet werfen, die restlichen OberfiicUenbereiohe Jodooh nicht·

22· Verfahren i.ur Üerstellung oinoo ι peiohertnrget· nnoh einem der vorhergehomlen Anopruouet dadurch ekenneelehnet, daee dia eine _k oite einer Iftitorla^».' mit Vertiefungen vergehen ird und ciaeu oin dielektr ^obes material BMt die mit Vertiefungen reroehcne Seite der Unterlage derart aufgebreout wi*u_t daee ein diekontlnulerliehee ^uoter den dielektrtucuen !Materials auf der Unterlege entatoht·

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