DE1539106C - Bildspeicherröhre - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft eine Bildspeicherröhre mit Grenze für die Aufladung der Isolierschichtoberfläche

einem zwischen einer Schreibstrahl- und einer Lese- und damit für die an der Isolierschicht abfallende

strahlquelle angeordneten Speicherschirm, bestehend Spannung gegeben ist.

aus einer elektrisch leitenden, der Schreibstrahlquelle Zwar verhindert die Anbringung des Hilfsgitters zugewandten Elektrode und einer auf der der Lese- 5 eine Zerstörung der Isolierschicht, aber sie bringt strahlquelle zugewandten Seite dieser Elektrode an- zwei neue Schwierigkeiten mit sich. Zunächst muß gebrachten Speicherschicht, die beim Auftreffen eines die elektrostatische Feldstärke an der Schirmober-Elektronenstrahls zu einer Sekundäremission angeregt fläche ausreichen, um einen senkrechten Einfall der werden kann, sowie mit einer in geringem Abstand Elektronen zu garantieren, damit eine ausreichende von der der Lesestrahlquelle zugewandten Seite der io Auflösung erreicht wird. Die Spannung am Hilfs-Speicherschicht angebrachten Hilfselektrode zur Ver- gitter muß aber unterhalb des ersten Kreuzungsmeidung eines elektrischen Durchschlags innerhalb punktes der Sekundäremissionskurve, d. h. unterhalb der Speicherschicht. des Potentialwertes für den Sekundäremissionsfaktor

Es ist eine Bildspeicherröhre vorgeschlagen wor- Eins, bleiben. Es bleibt nichts übrig, als das Hilfs-

den, bei der ein Bild durch energische Elektronen, 15 gitter so nahe wie möglich (in der Größenordnung

dem sogenannten Schreibstrahl auf einem Speicher- von Vio mm) an der Isolierschicht anzuordnen. Das

schirm aufgezeichnet wird. Der Speicherschirm besitzt führt zu schwierigen Herstellungsproblemen, denn

eine leitende Elektrode, auf der sich eine Schicht aus der Abstand muß genau eingehalten werden, und das

Isoliermaterial befindet, die Elektronenladunge^ Gitter muß elektrisch von der Isolierschicht isoliert

speichern kann. Die auftreffenden energiereichen 20 sein. Ein zweiter Nachteil des an eine positive

Elektronen bewirken, daß einzelne Teile der Isolier- Spannung angeschlossenen Hilfsgitters liegt in der da-

schicht leitend werden, wodurch sich ein Ladungs- durch hervorgerufenen Kapazität (etwa 30 Picofarad)

bild auf der Oberfläche der Isolierschicht ergibt, das zwischen der leitenden Unterlage des Speicherschirms

dem von den energiereichen Elektronen gelieferten und Erde. Diese Kapazität muß in dem an den

Informationsbild entspricht. Zur Ablesung der ge- 25 Speicherschirm angeschlossenen Verstärker kompen-

speicherten Information wird ein langsamer Elek- siert werden, um den erforderlichen Frequenzgang

tronenstrahl, der sogenannte Lesestrahl auf den einhalten zu können. Die Kompensationsschaltung

Speicherschirm gerichtet. Da diese Elektronen von erhöht aber wiederum den Rauschpegel der ganzen

den positiven Stellen des Speicherschirms angezogen Abbildungsvorrichtung.

werden, kann ein Signal von der leitenden Unterlage 3° Läßt man zur Umgehung dieser Schwierigkeiten

abgeleitet werden, weil zwischen diesen positiven das Hilfsgitter ganz weg, so muß der Betrieb des

Stellen und der leitenden Elektrode eine kapazitive Speicherschirms ständig überwacht werden, und der

Kopplung über die Isolierschicht gebildet wird. Dieser Betrieb muß sofort unterbrochen werden, wenn eine

Ablesevorgang entspricht demjenigen bei der be- unzulässig hohe Spannung erreicht ist. Trotzdem ist kannten Vidicon-Röhre. 35'kein absolut zuverlässiger Schutz des Speicherschirms

Es muß Vorsorge dafür getroffen werden, daß die gewährleistet. Aufgabe der Erfindung ist es demiangsamen Elektronen des Lesestrahls senkrecht auf gemäß, eine verbesserte Bildspeicherröhre der bedem Speicherschirm auftreffen. Hierzu befindet sich schriebenen Art zu schaffen, bei welcher der Speicherein Gitter aus einem dünnen Drahtnetz zwischen der schirm mit allen Signalpegeln gefahrlos betrieben Quelle der langsamen Elektronen und dem Speicher- 40 werden kann.

schirm. An dem Gitter liegt eine Spannung von der Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die HilfsGrößenordnung 200 bis 450 V. Während des Betriebs elektrode galvanisch mit der elektrisch leitenden dieser Anordnung kann es vorkommen, daß die der Elektrode verbunden ist.

Lesestrahlquelle zugewandte Oberfläche der Isolier- Die vorzugsweise als Gitter ausgebildete Hilfs-

schicht des Speicherschirms ein Potential annimmt, 45 elektrode erzeugt wegen der unmittelbaren Verbin-

bei dem der Sekundäremissionsfaktor des Isolier- dung mit der Signalelektrode des Speicherschirms

materials den Wert Eins überschreitet. Die emittierten keine Parallelkapazität und kann keine Mikrophonäe

Sekundärelektronen werden durch das auf hohem hervorrufen, weil zufällige Berührungen mit der

Potential liegende Gitter angezogen, wodurch die der Isolierschicht bedeutungslos sind.

Lesestrahlquelle zugewandte Oberfläche der Isolier- 50 Die Erfindung wird nachstehend an Hand der

schicht noch stärker positiv wird, weil sie einen Zeichnung erläutert. Hierin ist

Elektronenverlust erleidet. Dieser Vorgang setzt sich Fig. 1 ein schematisches Schnittbild einer Bildfort, bis die Oberfläche der Isolierschicht das Potential speicherröhre,

des Gitters annimmt. Dieses Potential liegt aber in Fig. 2 ein Schnitt durch den Speicherschirm gemäß

der Größenordnung von 200 bis 450 V. Wenn eine 55 einem Ausführungsbeispiel,

solche Spannung an der sehr dünnen Isolierschicht Fig. 3 ein Schnitt durch den Speicherschirm bei

abfallen würde, so ergäbe sich ein Durchschlag, und einem anderen Ausführungsbeispiel und

die Isolierschicht würde an dieser Stelle zerstört. Fig. 4 eine graphische Darstellung zur Erläute-

Um dies zu vermeiden, ist bei der bereits vorge- rung der Erfindung.

schlagenen Bildspeicherröhre ein Hilfsgitter zwischen 60 Fig. 1 zeigt eine Bildspeicherröhre, beispielsweise

dem zur Ausrichtung der langsamen Leseelektronen eine Fernsehkameraröhre 10. Die Röhre IG besitzt

dienenden Gitter und dem Speicherschirm angeord- einen Kolben 12 aus Isoliermaterial mit einer durch-

net. An diesem Hilfsgitter liegt ein positives Potential, sichtigen Stirnplatte 14. Auf der Innenseite der Stirn-

das kleiner als das Potential ist, bei welchem der platte 14 befindet sich eine Photokathode 15, die für Sekundäremissionsfaktor der Isolierschicht gleich 65 sichtbares Licht beispielsweise aus Caesiumantimonid

Eins wird. Infolgedessen kann das Potential der besteht. Am anderen Ende des Kolbens 12 befindet

Oberfläche der Isolierschicht dieses Potential des sich ein Elektronenstrahlerzeuger 16 zur Bildung eines

Hilfsgitters nicht übersteigen, so daß eine obere Elektronenstrahls, der auf einen Speicherschirm 26

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gerichtet werden kann. Der Elektronenstrahlerzeuger einer Durchlässigkeit von etwa 50°/o, beispielsweise

enthält beispielsweise eine Kathode 18, ein Steuer- aus Kupfer. Das Hilfsgitter 36 ist mittels einer Ver-

gitter 20 und ein Beschleunigungsgitter 22 und erzeugt bindung 37 von verschwindender Impedanz mit der

einen Elektronenstrahl geringer Geschwindigkeit, den Unterlage 30 des Speicherschirms 26 verbunden, so

sogenannten Lesestrahl. Ferner gehört hierzu eine 5 daß die Unterlagselektrode 30 und das Gitter 36 stets

Feldelektrode 24, die als Überzug auf der Innenseite die gleichen Wechsel- und Gleichspannungen auf-

des Kolbens 12 ausgebildet ist. Zur Ablenkung des weisen. Der Abstand des Gitters 36 von der Ober-..

langsamen Elektronenstrahls zwecks Abtastung der fläche der Schicht 32 beträgt etwa 0,12 mm, wodurch

Oberfläche des Speicherschirms 26 dient eine Ablenk- sich eine Feldstärke von etwa 120 V/mm ausbildet,

spule 42. Schließlich ist eine Fokussierungsspule 44 io welche den senkrechten Einfall der langsamen Lese-

zur Fokussierung der langsamen Elektronen und der elektronen gewährleistet und trotzdem einen Durch-

von der Photokathode 15 emittierten Elektronen auf schlag der Isolierschicht 32 verhindert,

den Speicherschirm 26 vorhanden. Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Anbrin-

Zwischen dem Speicherschirm 26 und der Photo- gung des Hilfsgitters 36 hinsichtlich des Speicherkathode 15 befinden sich Beschleunigungselektroden 15 schirms 26. Das Gitter 36 ist beispielsweise durch 38 und 40, die an passenden Spannungen liegen. Punktschweißen an einem Tragring 37a aus einem Zwischen Speicherschirm 26 und Elektronenstrahl- elektrisch leitenden Material, 2. B. einer Nickelerzeuger 16 ist ein Gitter 34 angeordnet, das parallel Eisen-Kobalt-Legierung befestigt. Der Tragring dient zum Speicherschirm 26 verläuft. Das Gitter 34 besteht nicht nur zur Anbringung des Gitters 36 parallel zur aus einem dünnen Drahtnetz, beispielsweise aus 20 isolierschicht 32 und in geringem Abstand von der-Nickeldraht. Bei einer Ausführung hat das Gitter 34 selben, sondern besorgt auch die elektrische Vereinen Abstand von etwa 1,2 mm von der Oberfläche bindung des Gitters 36 mit der Elektrode 30. Hierzu des Speicherschirms. Es dient dazu, den senkrechten ist der Tragring37a durch Punktschweißen mit dem Einfall der vom Elektronenstrahlerzeuger 16 aus- Tragring 28 verbunden.

gehenden Elektronen auf die Oberfläche des Speicher- 25 Fig. 3 zeigt eine andere Ausführungsform des

schirms zu gewährleisten. Speicherschirms. Hier besitzt der Speicherschirm 26«

Bei einer Ausführung ist der Speicherschirm 26.auf eine tragende Schicht 31 η aus einem Isoliermaterial einem Tragring 28 aus einer Nickel-Eisen-Kobalt-Le- wie Aluminiumoxyd. Eine elektrisch leitende Untergierung angeordnet und besteht aus einer leitenden lagsplatte 30a, beispielsweise aus Aluminium, ist auf Unterlage 30 aus Aluminium sowie einer isolierenden 30 der tragenden Schicht 31« niedergeschlagen und trägt oder halbleitenden Schicht 32, die beim Auftreffen ihrerseits eine isolierschicht 32 α. Die tragende Schicht von Elektronen-, Licht- oder Röntgenstrahlen od. dgl. 31 α kann dadurch hergestellt sein, daß zunächst eine Elektronen abgibt, wodurch ein Ladungsbild auf der Aluminiumplatte oxydiert und dann das Aluminium freien, dem Elektronenstrahlerzeuger 16 zugekehrten weggeätzt wird, so daß die Schicht 31« aus 1000 A Oberfläche der Schicht 32 entsteht. Die Schicht 32 35 dickem Aluminiumoxyd stehenbleibt. Dann wird eine besteht z. B. aus einer Alkali- oder Erdalkaliverbin- etwa 1000 A dicke Aluminiumschicht auf die Tragdung wie Kaliumchlorid, Magnesiumchlorid oder schicht 31 α aufgedampft. Schließlich kann die Tsolier-Magnesiumoxyd. ,schicht 32a durch Aufdampfen eines porösen Films

Die Aluminiumunterlage 30 wird beispielsweise von Kaliumchlorid in der oben beschriebenen Weise

durch Vakuumaufdampfen von Aluminium auf ein 40 gebildet werden.

Häutchen aus thermisch zerstörbarem organischem Die Arbeitsweise der Erfindung wird nachstehend Material wie Zellulosenitrat gebildet. Die Stärke der an Hand der F i g. 1 erläutert, worin geeignete Aluminiumelektrode soll für einen Elektrodendurch- Betriebsspannungen angegeben sind. Anfangs wird messer von etwa 25 mm ungefähr 1000 Ä betragen. ein Potential von etwa 15 V in bezug auf die Kathode Das Zellulosenitrat wird ausgeheizt und hinterläßt 45 18 an die Elektrode 30 des Speicherschirms 26 angedie Aluminiumunterlage 30 auf dem Tragring 28. legt. Die von dem Elektrodenstrahlerzeuger 16 aus-Dann wird der Tragring mit der Unterlage 30 in einen gehenden Elektronen werden durch die Feldelektrode Rezipienten eingebracht, in welchem Argon oder ein 24 und die Konzentrationsspule 44 auf die Oberfläche anderes inertes Gas unter einem Druck von etwa der Isolierschicht 32 konzentriert. Nach Abtastung 1 Torr ist. Ein Schiffchen, beispielsweise aus Tantal, 5° der Schirmoberfläche durch den Elektronenstrahl ist das mit einem Heizwiderstand versehen ist, befindet die Oberfläche auf einem Gleichgewichtspotential sich in dem Rezipienten. Eine bestimmte Menge stabilisiert, das im wesentlichen mit dem Erdpotential (z. B. 16 mg) eines Isoliermaterials, wie Kalium- übereinstimmt, wenn wie in F i g. 1 die Kathode 18 chlorid, wird in das Schiffchen eingebracht. Das geerdet ist. Das Gitter 34 liegt etwa auf +450 V Schiffchen wird dann in einem Abstand von etwa 55 gegen Erde und sichert so den senkrechten Einfall 75 mm unterhalb der Aluminiumelektrode 30 ange- der langsamen Elektronen auf den Speicherschirm 26. ordnet und bis zum Schmelzen des Isoliermaterials Ein Bild des Objektes 46 wird auf die Photoerhitzt. Es hat sich gezeigt, daß der Dampfdruck des kathode 15 entworfen und ruft eine entsprechende Materials beim Schmelzpunkt ausreicht, um die Ver- Elektronenemission, den Schreibstrahl, hervor. Die dampfung mit genügender Schnelligkeit zu erzielen. ^6o Photokathode 15 liegt auf einer Spannung von etwa Das Material wird vollständig verdampft, und man —8000 V gegen die Elektrode 30, so daß die emitstellt fest, daß die Dichte des auf die Aluminium- tierten Elektronen stark beschleunigt werden. Sie schicht locker aufgedampften Speichermaterials etwa werden mittels der Konzentrationsspule 44 auf den 1 bis'5°/o der Dichte im kompakten Zustand ist. Die Speicherschirm 26 fokussiert und von den Beschleu-Schicht 32 hat eine Stärke von etwa 20 Mikron. 65 nigungselektroden 38 und 40, die auf 3500 V und

Zwischen dem Gitter 34 und dem Speicherschirm 7000 V liegen, kräftig beschleunigt. Am Ende beträgt

26 befindet sich ein Hilfsgitter 36. Es besteht bei der ihre Energie etwa 8000 Elektronenvolt, so daß sie die

ausgeführten Form aus einem dünnen Drahtnetz mit leitende Unterlage 30 durchdringen und in die Isolier-

schicht 32 eindringen können. Die Beschleunigungsspannung soll so eingestellt sein, daß nahezu alle Primärelektrönen, die von der Photokathode 15 ausgehen, den ganzen Speicherschirm 26 fast vollständig

gleichen, weil an der Schicht 32 ein elektrisches Feld liegt. Die Elektronenleitung in der Schicht 32 verschwindet, wenn die Potentiale V_s und V_T übereinstimmen. Die Sekundäremission bleibt aber bestehen

wiegt. Falls das Hilfsgitter nicht vorhanden ist, kann das Potential der der Lesestrahlquelle 16 zugekehrten Oberfläche der Schicht 32 so stark positiv gegen die

32, die mittels bekannter Mittel ausgewertet werden kann. In Fig. 1 ist z.B. eine typische Vidicon-Ablesevorrichtung dargestellt.

durchdringen, aber nicht auf der anderen Seite wieder 5 und erhöht das Potential V_s über das Elektrodenaustreten. Die Beschleunigungsspannung von etwa potential F₇-, wodurch das elektrische Feld in der 8000 V ist z. B. richtig für einen Speicherschirm 26, Schicht 32 eine Polaritätsumkehr erfährt. Die fortdessen leitende Elektrode 30 aus Aluminium besteht gesetzte Aufladung der der Lesestrahlquelle 16 zuge- und etwa 1000 A stark ist und dessen poröse Isolier- wandten Oberfläche der Schicht 32 kommt davon schicht 32 etwa 20 Mikron stark ist. Die von der io her, daß die Oberflächensekundäremission den Lei-Photokathode 15 ausgehenden Primärelektronen tungsstrom freier Elektronen in der Schicht 32 übererzeugen beim Durchdringen der Isolierschicht 32
eine gewisse Anzahl langsamer Elektronen in der
Schicht 32, die mehrere Größenordnungen höher als
die Anzahl der einfallenden Primärelektronen ist. Es 15 Kathode 18 werden, daß die von der Kathode 18 können bis zu etwa 200 Sekundärelektronen für jedes ausgehenden langsamen Leseelektronen über die Primärelektron entstehen. Da die der Elektronen- Energie des ersten Kreuzungspunktes der Sekundärquelle 16 zugewandte Oberfläche der Isolierschicht emissionskurve des Materials der Schicht 32 hinaus 32 etwa auf Erdpotential stabilisiert wurde, hat sich beschleunigt werden. In diesem Falle tritt nicht nur ein elektrisches Feld zwischen dieser Oberfläche und 20 eine positive Aufladung der der Quelle 16 zugeder auf +15 V gegen Erde liegenden leitenden Unter- wandten Oberfläche der Schicht 32 durch von den lage 30 ausgebildet. Die innerhalb der Isolierschicht Schreibstrahlelektronen verursachte Sekundäremission 32~erzeugten langsamen Sekundärelektronen bewirken auf, sondern auch eine Aufladung durch reflektierende örtliche Potentialänderungen an der der Quelle 16 Sekundäremission infolge der von der Kathode 18 zugekehrten Oberfläche, weil teilweise die Elektronen 25 stammenden langsamen Leseelektronen. Infolgequer durch die Schicht 32 zur positiven Elektrode 30 dessen kann die Spannung V_s bis über die Durchwandern und teilweise Sekundärelektronen von der bruchspannung der Schicht 32 ansteigen, so daß erwähnten Oberfläche der Schicht 32 emittiert werden wegen der hohen Feldstärke zwischen der der Quelle und dann von den Elektroden 36 und 44 aufge- 16 zugewandten Oberfläche der Schicht 32 und der nommen .werden. So ergibt sich eine geänderte 30 Elektrode 30 ein Durchschlag stattfindet, -der die Potentialverteilung an dieser Oberfläche der Schicht Isolierschicht 32 an dieser Stelle zerstört.

Durch das Hilfsgitter 36 kann diese Aufladung verhindert werden, wenn das Hilfsgitter auf einem positiven Potential unterhalb des ersten Kreuzungs-

Fig. 4 zeigt den Verlauf des Sekundäremissionsr 35 punktes bzw. der Durchbruchspannung gehalten wird. .Verhältnisses als Funktion der Energie der auftref- Die Spannung des Hilfsgitters ist erfindungsgemäß fenden Primärelektronen. Die Primärenergie ist in gleich der Spannung der Unterlagselektrode 30, da Elektronenvolt ausgedrückt. Wie man sieht, wird das beide zugleich an eine Spannungsquelle 39 ange-Sekundäremissionsverhältnis an zwei Stellen gleich schlossen sind. Infolgedessen ist auch das Potential Eins. Diese Stellen werden als erster und zweiter 40 der der Quelle 16 zugewandten Oberfläche der Schicht Kreuzungspunkt bezeichnet. Unterhalb des ersten 32 auf das Potential F₇- der Unterlagsplatte 30 be-Kreuzungspunktes ist die Anzahl der von der Ober- schränkt. Das Oberflächenpotential V_s kann höchstens fläche eines Materials ausgehenden Sekundär- auf den Wert F₇- ansteigen, so daß an diesen Stellen elektronen kleiner als die Anzahl der Primär- die Schicht 32 feldfrei ist. Die zum Durchbruch elektronen, weshalb die Oberfläche sich negativ auf- 45 führende Feldumkehr kann nicht stattfinden. ■Vorauszuladen sucht. Zwischen dem ersten und dem zweiten Setzung ist nur, daß die Klemmenspannung der Kreuzungspunkt werden mehr Sekundärelektronen Spannungsquelle 39 nicht höher als dasjenige erzeugt als Primärelektronen einfallen. Infolgedessen Potential ist, das bei Aufladung der der Quelle 16 sucht sich die Oberfläche positiv aufzuladen. Ober- zugekehrten Oberfläche der Schicht 32 auf das halb des zweiten Kreuzungspunktes sinkt die Anzahl 50 Potential der Kathode 18 eine zum Durchbruch der der Sekundäremissionen wieder unter diejenige der Schicht 32 führende Feldstärke erzeugen würde. Primärelektronen ab, so daß abermals eine negative Durch die direkte Verbindung des Hilfsgitters 36

Aufladung eintritt. Im Normalbetrieb der erfindungs- mit der Unterlagselektrode 30 wird eine Spannungsgemäßen Bildspeicherröhre 10 werden die vom quelle eingespart. Eine besondere Isolation zwischen Elektronenstrahlerzeuger 16 emittierten Elektronen 55 dem Hilfsgitter und der Isolierschicht ist nicht erfornur so stark beschleunigt, daß ihre Energie unterhalb derlich, weil Berührungen zwischen dem Hilfsgitter des ersten Kreuzungspunktes des Materials der und der Schicht bedeutungslos sind. Aus dem gleichen Schicht 32 bleibt. Grunde sind Mikrophonieeffekte im Ausgangssignal

Zu Betriebsbeginn wird also dafür gesorgt, daß ausgeschlossen. Das Hilfsgitter kann ganz nah an die das Oberflächenpotential F₆- der Isolierschicht 32 den 60 Isolierschicht herangerückt werden, wodurch die Aufgleichen Wert wie das Kathodenpotential annimmt. lösung des Lesestrahls verbessert wird. Eine zusätz-Infolge des Beschüsses durch die von der Photokathode 15 emittierten Elektronen tritt Sekundäremission an der der Lesestrählquelle 16 zugewandten
Oberfläche der Schicht 32 auf, und die Schicht 32 65
wird von Leitungselektronen durchquert. Infolgedessen sucht sich das Oberflächenpotential V_s der
Schicht 32 dem Potential F₇- der Elektrode 30 anzu-

liche Kapazität zwischen Speicherschirm und Erde wird hierdurch nicht eingeführt.

Claims (12)

Patentansprüche:

1. Bildspeicherröhre mit einem zwischen einer Schreibstrahl- und einer Lesestrahlquelle angeordneten Speicherschirm, bestehend aus einei

i 539

elektrisch leitenden, der Schreibstrahlquelle zugewandten Elektrode und einer auf der der Lesestrahlquelle zugewandten Seite dieser Elektrode angebrachten Speicherschicht, die beim Auftreffen eines Elektronenstrahls zu einer Sekundäremission angeregt werden kann, sowie mit einer in geringem Abstand von der der Lesestrahlquelle zugewandten Seite der Speicherschicht angebrachten Hilfselektrode zur Vermeidung eines elektrischen Durchschlags innerhalb der Speicherschicht, d a durch gekennzeichnet, daß die Hilfselektrode (36) galvanisch mit der elektrisch leitenden Elektrode (30) verbunden ist.

2. Bildspeicherröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfselektrode als Gitter ausgebildet ist.

3. Bildspeicherröhre nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (32) als Isolierschicht ausgebildet ist.

4. Bildspeicherröhre nach Anspruch 2 "oder 3, gekennzeichnet durch einen Träger (37a) zur Halterung und zum elektrischen Anschluß der Hilfselektrode (36) an die elektrisch leitende Elektrode (30).

5. Bildspeicherröhre nach einem der Anspriiche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Lesestrahlquelle (16) zur Abtastung der der Lesestrahlquelle zugewandten Oberfläche der Speicherschicht (32) mit dem Lesestrahl.

6. Bildspeicherröhre nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Lieferung der Bildinformation an den Speicherschirm ein modulierter Schreibstrahl dient und daß der Lesestrahl die der Lesestrahlquelle zugewandte Oberfläche der Speicherschicht zwecks Ablesung der gespeicherten Information auf ein Gleichgewichtspotential zurückführt.

7. Bildspeicherröhre nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (32) eine poröse Schicht ist, deren Dichte 1 bis 5°/o der Dichte des betreffenden Materials im kompakten Zustand beträgt.

8. Bildspeicherröhre nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht aus einer auf der elektrisch leitenden Elektrode (30) abgelagerten Alkali- oder Erdalkaliverbindung besteht.

9. Bildspeicherröhre nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht aus Kaliumchlorid, Magnesiumchlorid oder Magnesiumoxyd besteht.

10. Bildspeicherröhre nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende Elektrode aus Aluminium besteht.

11. Bildspeicherröhre nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch einen leitenden Tragring (28) für den Speicherschirm (26).

12. Bildspeicherröhre nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende Elektrode (30 a) auf der der Speicherschicht abgewandten Seite sich auf einer Tragschicht (31a) aus Aluminiumoxyd befindet.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen COPY