DE1439707A1

DE1439707A1 - Elektronischer Bildspeicher

Info

Publication number: DE1439707A1
Application number: DE19641439707
Authority: DE
Inventors: Cibson Jun Charles Byron
Original assignee: Tektronix Inc
Current assignee: Tektronix Inc
Priority date: 1963-08-01
Filing date: 1964-07-29
Publication date: 1970-08-20
Also published as: SE315663B; NL6408779A; DE1789102A1; DE1789102C3; US3293474A; NL153372B; BE651179A; DE1789102B2; CH420392A; GB1070530A; DE1439707B2

Description

WiMetStr. 2 - TtI. Münoh« 79067·

K/Hs 9o98 München-Pullach, 28.7.1964

U39707

TEKTRONIX, IUC. 13955 Southwest Millikan Way, Beaverton, Oregon U.S.A.

Elektronischer Bildspeicher.

Die Erfindung betrifft im allgemeinen elektronische BiIdspeichersysteme und Insbesondere eine Speicherplatte für eine Kathodenstrahlröhre, welche das auf der Speicherplatte gebildete Elektronenbild für eine beliebige steuerbare Zeit speichert und welche ein Lichtbild und/oder ein elektrisches Signal erzeugt, welches dem Elektronenbild entspricht. Die . Speicherplätte weist eine siebartige Elektrode aus leitendem Material auf, die auf einer Seite einer aus Isolatormaterial bestehenden Tragplatte vorgesehen ist und eine die elektrische Speicherlage, die sich auf dieser einen Seite der Transportplatte in Form von mit Abstand angeordneten dielektrischen Flächen befindet, welche ihrerseits von den Elementen der Siebelektrode getrennt sind. Die .. . dielektrischen Flächen können aus Phosphormaterial bestehen, wenn eine direkte Betrachtung möglich sein soll und sie sind voneinander derart getrennt, date sie ein darauf gebildete! bistabiles Ladungsbild für eine bestimmte steuerbare Zelt speichern können und dass sie ein dem Ladungsbild entsprechendes Lichtbild emittieren können} In diesem letzteren Falle 1st die Tragplatte aus einem lichtdurchlässigen Material hergestellt. Zum Bereich der Erfindung gehört auch das fotografische Herstellen von Speicherplatten, welche «ine 3iebelektrode dtr oben beschriebenen Art aufweist, ■o dass OMn ein feineβ siebartiges Muster von leitendem Material für die ßlektrode erhält, um auf dies· Weise die Auflösung des Bildes IU erhöhen. .

BAD ORIGINAL? ·""*■.

Eine Speicherplatte nach der Erfindung ist besondere brauchbar zur Verwendung in einer bistabilen Röhre zur direkten Betrachtung, welche einen Teil eines Kathodenstrahloszilloskops bildet, das seinerzeit dazu dient die Y.eilenformen von elektrischen iäingangssignalen für eine längere Prüfung zu speichern. Eine solche Speicherröhre kann jedoch auch in derjenigen Weise benutzt werden, wie bei herkömmlichen Speicherröhren, wie z.B. in Radargeräten, Sonargeräten oder elektronischen Rechnerη. Die nach der Erfindung ausgebildete Speicherplatte hat gegenüber bekannten Speicherplatten erhebliche Vorteile, insbesondere eine erhöhte maximale Schreibgeschwindigkeit wegen der niedrigen Kapazität der Speicherplatte, so dass.eine solche Speicherplatte lilektronenbilder von Hochfrequenzinformationen speichern kann. Diese verringerte Kapazität ist das Ergebnis der Verwendung einer Slebelektrode in der Speicherplatte anstatt einer durchgehenden Elektrode unter der der Speicherung dienenden .: dielektrische Schicht einer solchen Speicherplatte. Zusätzlich wird als sehr vorteilhaft empfunden, dass die zur direkten Betrachtung dienende Speicherplatte nach der Erfindung ein Lichtbild von besonders guten Kontrasten liefert.

Bas nach der Erfindung ausgebildete Verfahren zur fotografischen Herstellung der Speicherplatte 1st wirtschaftlich, einfach und erzeugt Speicherplatten mit einer Bildauflösung, die derjenigen von herkömmlichen Speicherröhren überlegen Ist, bei denen auβ Draht bestehende Siebelektroden in den Platten verwendet werden. Die naoh der Erfindung ausgebildete Speicherplatte 1st von einfacher Bauart, mechanisch stabil und zuverlässig, da SOWOhI die Siebelektrode als auch die die elektrische Speioherlage in Form von Überzügen auf eine gemeinsame Halttplatte aus Isolatormaterial aufgebracht sind. Somit bestehen bei Speicherröhren gröaeeren Durchmessers keine Problem« bei der Erhöhung der Dicke der Elemented·? Siebeltlttrode xur Erhaltung grusserer festigkeit und es entstehen keine Probleme dabei_fdie Elektrodeplan auf der Speicherplatte su halten;

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SAD

bekanntlich ist dies sehr problematisch bei herkömmlichen Speicherplatten, welche aus Draht bestehende Siebelektroden verwenden. Ein weiterer Vorteil der nach der Erfindung ausgebildeten Speicherplatte besteht darin, dass mit Abstand zueinander stehende, 'dielektrische Flächen der Platte im wesentlichen gleichförmig sind, so dass ein geringerer Rauschpegel entsprechend der Feldkrümmung in dem elektrischen Ausgangssignal auftritt, das durch Abtasten der Speicherplatte mit einem Lese-Strahl erzeugt wird.

Zusätzlich zu den oben aufgezählten Vorteilen wird bei der nach der Erfindung ausgebildeten Speicherplatte als sehr vorteilhaft empfunden, dass sie eine im wesentlichen gleichförmige elektrische Potentialverteilung auf der hinteren Fläche der Platte aufweist, und zwar sogar wenn ein Bild darauf gespeichert ist. Dies rührt daher, dass die leitenden Elemente, welche die siebartige Elektrode bilden, sich zwischen den die elektrischen Flächen der Speicherplatte befinden· Da die Elemente der siebartigen Elektrode von gleichem Potential sind, hat eine Veränderung des Potentials der die elektrischen Flächen eine geringe Wirkung auf die gesamte Potentialverteilung an der Rückseite der Speicherplatte, so dass diese Potentialverteilung im wesentlichen gleichförmig bleibt, ei bekannten Speicherplatten, die eine Elektrode unterhalb einer durchgehenden Lage der dielektrischen. Speicherschicht verwendeten, haben eine nicht gleichförmige Potentialverteilung auf der hinteren Fläche der Speicherplatte wegen der verschiedenen Ladungen, die auf benachbarten -de*, idielektrischen Lagengespeichert sind« Durch diese nicht gleichförmige Potentialverteilung filessen Abtastelektronen niedriger Geschwindigkeit zur Speicherplatte, die dazu verwendet werden, das - durch den Schreibstrahl erzeugte Ladungsbild zu haltenj auf diese Welse erzeugt die nicht gleichförmige Potentialverteilung einen Effekt, der dem Koplanargittereffekt (coplanarjgridjeffeot) gleicht, welcher das Ladungs-

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BADORlGiNAt-

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bild zerstört. Um diese nicht gleichförmige Potentialverteilung zu kompensieren 1st bei den bekannten Röhren eine Kollimatorelektrode in Form einer leitenden bandabdeckung des Ilöhrenkörpers vorgesehen und diese Elektrode ist mit einer G-leichspannungsquelle verbunden um die Abtastelektronen gleichförmig über die Oberfläche der Speicherplatte zu verteilen* Bei der nach der Erfindung ausgebildeten Speicherplatte ist dies nicht erforderlich.

Somit besteht ein Ziel der Erfindung darin, eine verbesserte Vorrichtung zum Speichern von ülektronenbildern zu schaffen.

Weiterhin sucht die .Erfindung eine verbesserte Speicherplatte zum Speichern von ülektronenlädungsbildern darauf zu schaffen, welche eine niedrige Plattenkapazität und eine erhöhte maximale Schreibgeschwindigkeit hat.

Weiterhin ist ein Ziel der Erfindung darin zu sehen, eine Speicherplatte zur unmittelbaren Betrachtung zu schaffen, bei welcher Phosphormaterial als dielektrisches Speichermaterial verwendet wird, um darauf ein darauf abgebildetes Elektronenbild zu speichern und um ein Lichtbild zu erzeugen, welches dem Elektronenbild entspricht und von grosser Helligkeit, starken Kontrasten und hoher Auflösung ist.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Kathodenstrahlröhre zu Speicherzwecken zu schaffen, deren Speicherplatte von einfacher und zuverlässiger wie mechanisch fester Bauart ist, wodurch man Speicherröhren mit grossen Abmessungen bauen kann, ohne dass die Auflösung des gespeicherten Bildes leidet. , ' '

Mn weiteres Ziel der Erfindung besteht in der Schaffung einer Speicherplatte, bei welcher eine siebartige Elektrode in Form eines leitenden Überzuges auf ein fragteil aus isolierendem

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BAD ORIGINAL·

Material aufgebracht ist und eine dielektrische Speicherlage in Form von mehreren mit Abstand zueinander angeordneten dielektrischen Flächen in Form von Überzügen auf der Tragplatte in den Offnungen der siebartigen Elektrode angebracht sind, wodurch eine Speicherplatte für hohe Schreibgeschwindigkeiten des Elektronenstrahls entsteht.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin ein Verfahren zur Herstellung einer Speicherplatte zu schaffen, bei dem ein fotografisches Verfahren zur Herstellung einer siebartig ausgebildeten Elektrode verwendet wird, die in Form eines gleichförmigen feinen siebartigen Überzuges aus leitendem Material auf einen isolierenden Träger aufgebracht wird und wobei In den Öffnungen des siebförmigen Critters die der Speicherung dienenden Flächen liegen»

Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nun folgenden Beschreibung von Ausfuhrungsbeispielen anhand der Zeichnung.

In dieser zeigern

Figur 1 eine sohematlsche Darstellung einer Ausführung einer gemäss der Erfindung ausgebildeten Speicherrühre mit der dazugehörigen elektrischen Schaltungj

Figur 2 einen teilweieen waagrechten Schnitt nach dar Linie 2-2 der Figur 1, wobei in vergrüaeertem Ma3atab eine Speicherplatte nach einer Ausführung dar Erfindung dargestellt ist;

Figur 3 eine Ansicht nach dar Linie 3-3 dar Figur 2»

in welcher dia hintere Oberfläche der Speicherplatte in vergrösaertem MaQatab geneigt ist} und

Figur 4 alna teilweise geschnittene Ansicht einer weiteren Ausfahrung der Erfindung.

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BAD ORIGiNAt

In Pigur 1 ist eine bistabile Speicherröhre to mit einer nach der Erfindung ausgebildeten Speicherplatte 12 dargestellt. Diese Speicherröhre kann einen einzelnen Elektronengenerator einschliesslich einer Kathode 14, eines Steuergitters 16, einer Fokussierungsanode 18 und zweier horizontaler Ablenkplatten sowie zweier vertikaler Ablenkplatten 22 aufweisen. Dieser einzige Blektronengenerator kann zur Erzeugung" sowohl eines

als auch ο &

Schreibstrahls ader eines Lesestrahls aus ijlektronen dienen in dem man die drei gekoppelten Schalter 24» 26 und 28, die dem Steuergitter 16 bzw. den horizontalen Ablenkplatten 2o bzw, den vertikalen Ablenkplatten 22 zugeordnet sind entweder in eine "Schreibeteilung" oder in eine "Lesestellung" in einer weiter unten beschriebenen Weise schaltet, xis wird jedoch darauf hingewiesen, dass auch zwei getrennte ^lektronengeneratoren zur Erzeugung des Schreibstrahls bzw. des Lesestrahls verwendet werden können. Der Schreibstrahl bildet ein Elektronen-Ladungs-Bild auf der Speicherplatte 12 in dem er entsprechend dem an die vertikalen Ablenkplatten 22 angelegten Eingangssignal über die Speicherplatte verfahren wird. Der Lesestrahl wird zur Erzeugung eines elektrischen Ausgangssignalee auf der Speicherplatte der Röhre verwendet in dem er das auf der Speicherplatte 12 gespeicherte Ladungsbild beispielsweise nach Art eines herkömmlichen Fernsehrastermusters abtastet.

j£s können noch einer oder mehrere Beatrahlungsgeneratoren 3o innerhalb der llöhre angeordnet sein, um die Oberfläche der Speicherplatte 12 mit im wesentlichen gleichförmig langsamen Elektronen eu beschießen, um das vom Sohreibstrahl erzeugte Ladungsbild aufrecht zu erhalten, nachdem der Sohrelbstrahl die Speicherplatte nicht mehr beschießt. Die Speicherplatte weist eine siebartige Elektrode 32 (siehe Figuren 2 und 3) auf, die Über einen Belaetungawiderstand 34 mit einer Anodenüleichspannuhg verbunden ist; ferner weist die Speicherplatt® ein der Speicherung dienendes Dielektrikum 36 in Form von mehreren mit Abstand zueinander angeordneten rechteckigen,

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BAD OäfGJNAt

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kreisförmigen oder entsprechend anders ausgebixu. Wenn die an die siebartige Elektrode 32 angelegte Anoat,. Spannung innerhalb des "stabilen Bereiches" ist, innerhalb welchem die dielektrische Lage 36 der Speicherplatte ein Ladungsbild für unbegrenzte und steuerbare Zeit hält, dann erzeugt der Schreibstrahl, der aus Elektronen hoher treschwindigkeit besteht, durch Sekundäremission ein Ladungsbild auf der dielektrischen Lage 36, welche stärker positiv ist, als die Flächen, die nicht von dem strahl getroffen werden. Das Potential des "geschriebenen" Ladungsbildes ist oberhalb einer kritischen Spannung, welche dem ersten Überkreuzungspunkt auf der üekundärelektronenemissionskurve des Dielektrikums entspricht, während die verbleibenden, "unbeschriebenen" Flächen der dielektrischen Lage ein Potential haben, welches unterhalb dieser kritischen Spannung liegt. Die die Speicherplatte bombardierenden Bestrahlungselektronen heben das Potential der "beschriebenen" Flächen der dielektrischen Lage auf einen stabilen Zustand hoher Spannung, welche dem Potential der Siebelektrode entspricht und senken das Potential der "unbeschriebenen" Flächen auf einen stabilen Zustand niedrigerer Spannung, welche derjenigen Spannung entspricht, die an die Kathode der Generatoren 3o angelegt ist.

Der Belastungswiderstand 24 ist mit einer Gleichspannungsquelle von plua 5oo Volt über einen veränderlichen Vorspannungswiderstand 38 verbunden, dessen Einstellung die Anodenspannung bestimmt, welche an der Siebelektrode 32 liegt. Um das auf der Speieherplatte gespeicherte Bild zu löschen wird der Wert des veränderlichen Widerstandes 38 vermindert, bis die über die Gitterelektrode angelegte Spannung über die positive Löseilspannung (positive fade voltage) der dielektrischen Lage 36 steigt, so dass die Bestrahlungaelektronen bewirken« dasβ das Potential der dielektrischen Lage gleichförmig positiv beschrieben wird. Danach wird der V/ideratend des veränderlichen Wider-

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BAD ORfQINAL.

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Standes 30 erhöht bis die an die Gitterelektrode 32 gelegte spannung sich unterhalb der Halteschwelle (retention threshholdvoltage) der dielektrischen Lage 36 befindet, unterhalb welcher die Speicherplatte kein Ladungsbild mehr speichert. Dann vdrd die an die Gitterelektrode angelegte Spannung über die llalteschwelle erhöht und zwar auf eine Spannung innerhalb des stabilen Bereiches von Anodenapannungen, in welchem die dielektrische Lage ein Ladungsbild speichern kann, womit die Speicherplatte zur Aufnahme des nächsten Ladungsbildes bereit ist.

nährend des nächsten Schreibvorganges der Speicherröhre nach Pigur 1 ist das Steuergitter 16 mittels eines Schalters 24 mit einer Gleichspannungsquelle von minus 3o25 ToIt verbunden, die leicht negativ bezüglich der an die Kathode 14 gelegten negativen Gleichspannung von minus 3ooo Volt ist. Die horizontalen Ablenkplatten 2o sind durch einen Schalter 26 mit einem horizontalen Wobbel-Generator 4o verbünden, während die vertikalen Ablenkplatten 22 Über einen Schalter 28 mit einem ¥«rtika!verstärker 42 verbunden sind, der von der bei Kathoden« Strahloszillographen bekannten Art sein kann. Bas Eingangssignal, dessen Wellenform von der Speicherplatte 12 gespeichert werden soll wird an die Eingangsläemme 44 des Vertikalverstärkere 42 gegeben.

Die dielektrische Läge 26 der Speicherplatte 12 kann aus einem Phosphormaterial bestehen, z.B. aus herkömmlichen Phosphoren wie z.B. P 1 Phosphor oder sogar fotoleitendem Phosphor, so dass die dielektrische Lage ein Lichtbild erzeugt, welches dem darauf gespeicherten Ladungsbild entspricht, wenn ein zur direkten Betrachtung geeignetes und auegelegtes Rohr verwendet wird. In diesem Falle ist es nicht notwendig die Speicherröhre mit einer elektrischen AbleseBohaitung zu versehen« da die Wellenform des Eingangssignales unmittelbar'auf der Vordarplatte der Speicherröhre beobachtet werden kann. Potoleitende

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BAD O

Phoaphoren können als Speicherdielektrikum verwendet werden, weil ein solches Dielektrikum die Form von mehreren voneinander getrennten und mit Abstand angeordneten Flächen oder Punkten hat, die von der Elektrode/ wie in Figur 4 gezeigt ist, isoliert 3ein können* um zu verhindern, dass das auf dem Dielektrikum gespeicherte Ladungsbild sich wegen der Fotoleitfähigkeit verteilt. Auf der inneren Oberfläche des trichterförmigen Teiles der Umhüllung nahe der Speicherplatte 12 kann eine Kolliraatorelektrode 45 als IVandbedeckung aus leitendem Material vorgesehen sein. Diese Iiollimatorelektrode kann mit einer Gleichspannungsquelle von plus 5o Volt verbunden sein um die elektronen von den Quellen 3o auf die Speicherplatte zu fokussieren und um eine Zerstörung des gespeicherten Bildes auf Grund des oben diskutierten koplaneren Gittereffektes zu verhindern, wodurch die positiven Flächen einige der aus diesen Quellen kommenden Elektronen von den benachbarten negativen Flächen abziehen könnten*

Wenn die dielektrische Lage 36 nicht aus Phosphor sondern aus einem anderen sekundär emittierenden Material besteht, dann muss die Speicherröhre mit einer Ableseschaltung versehen sein um ein dem auf der Speicherplatte gespeicherten Ladungsbild entsprechendes elektrisches Ausgangssignal zu erhalten» Die··» kann dadurch geschehen, dass man das Steuergitter 16 durch tineη Schalter 24 nit einer Gleichapannungsquelle von minue 3o5o ToIt verbindet um di· Stromdichte des Elektronen«· strome su verringern» der von der Kathode 14 *u» Targtt 12 fliesett vm zu verhindern» dass ein solcher Lesest jpahl ein gespeichertes Bild auf dem !Target erzeugt. AuBserdem können die horizontalen Ablenkplatten und die vertikalen Ablenkplatten über Schalter 26 bzw. 28 mit einem Hasterslgnalgenerator 46 verbunden sein· Der Itastersignalgenerator legt bekannte 3ägezahnslgnale verschiedener Frequenz an die horizontalen Platten und an die vertikalen Platten um für den Leeestrahl ein bekanntes Fernsehrasterabtastmuster zu erzeugen. Dieses Rastermuster

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BAD ORIGINAL

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kann derart gesteuert werden, dass es über den ganzen Bereich der Speicherplatte 12 geht oder nur über einen Teil derselben um einen Teil des darauf gespeicherten Bildes zu vergröösern. Diese Bildvergrösserung kann automatisch dadurch bewirkt werden, dass der Rastersignalgenerator derart eingestellt wird, dass das den Ablenkplatten 22 der Speicherröhre zugeführte Rastersignal sich zwischen zwei Spannungsgrenzen bewegt, welche den Spannungen an gegenüberliegenden Seiten der zu vergrössernden Wellenform entsprechen. Sas elektrische Ausgangssignal von der Gitterelektrode 32 wird über einen Koppelkondenaator 48, einen Vorverstärker 5o mit niedriger Impedanz und einen Verstärker 52 mit grossem Verstärkungsfaktor dem Z-Achseneingang einer entfernt aufgestellten Fernaeh-Konitor-Röhre 54 oder einer anderen Aufzeichnungsvorrichtung zugeführt. Die horizontalen und vertikalen Ablenkplaten der Monitor-Röhre 54 sind ebenfalls mit dem HasterSignalgenerator 46 verbunden, so dass die Monitor-Röhre daa ganze auf der Speicherplatte 12 der Speicherröhre gespeicherte Bild der Wellenform oder nur einen vergrösserten Teil dieser Wellenform darstellt· Selbstverständlich ist es manchmal wünschenswert eine solche Fernseh-Monitor-Röhre und eine elektrische Ausgangsschaltung zu verwenden, wenn die dielektrische Speicherschicht 36 des Target 12 aus Phosphormaterial ist, um eine Beobachtung der gespeicherten Wellenform in einiger Entfernung zu ermöglichen oder um eine Vergröagerung eines Teiles der Wellenform vorzunehmen, wie oben angedeutet wurde»

WIt in den Figuren 2 und 3 gezeigt ist, wird bei einer Ausführung der erfindungsgemäasen Speicherplatte oder des Targets 12 eine Gitterelektrode 32 in Form eines Überzuges aus leitendem Material an der Oberfläche auf einer Seite einer lichtdurchlässigen Halteplatte 56 aue Isolatormafrerlal verwendet, weich« beispielsweia© die aue Glas bestehende. federplatte einer Kathodens trahlröhr® sein- kann.« JDsr Kolben d©2> Kathodenstrahlröhre

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BAD ORIGlNAU-

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kann einen trichterförmigen Teil DO aus keramischem Material aufweisen, welche3 mit der Frontplatte 56 mittels einer Glasfrittendichtung 60 verbunden i3t. Die Gitterelektrode 32 kann auo einem lichtundurchläasigen, leitenden Material, wie z.B. .ulluminiun oder ;jilber bestehen, oder aus einem lichtdurchlässigen leitenden Ilaterial, wie s.u. Zinn-Oxyd. Wenn die Gitterelektrode aus Zinn-Oxyd besteht, kann sie sich durch die Dichtung 60 zur Aussenseite dea Kolbens erstrecken um eine elektrische Leitung 61 zu bilden, die mit der innerhalb des iiolbens angeordneten Gitterelektrode verbunden ist. Die dielektrische La^e '56 der Speicherplatte kann beispielsweise aua einer Vielzahl von mit Abstand angeordneten Speicherflächen 62 aus Phosphor oder anderem dielektrischen Ilaterial bestehen, wobei diese Flächen innerhalb der öffnung der Gitterelektrode 52 auf der inneren Oberfläche der Frontplatte 56 in Form eines Überzuges.angebracht sind, so dass die Speicherflächen voneinander durch die lilemente der Gitterelektrode getrennt sind. Die dielektrischen Speicherflächen 62 sind seitlich von den Gitterelektroden-Elementen in unmittelbarer Berührung mit der Frontplatte 56 angeordnet und befinden sich somit nicht zwischen dem Schreibstrahl und einer durchgehenden leitenden Schicht auf dieser Frontplatte wie bei einigen bekannten älteren Vorschlägen, so dass die von den dielektrischen Flächen gebildete Kapazität, welche vom das Target bombardierenden Schreibstrahl geladen werden müssen, erheblich vermindert ist« Die dielektrischen Flächen 62 können von rechteckiger, kreisförmiger oder anderer geeigneter Gestalt sein und habe alle näherungsweiae dieselbe Dickt, um eine im wesentlichen gleichförmige niedrige Kapazität über der Oberfläche der Speicherplatte zu bilden. Auch die äuseeren Kanten auf der hinteren Oberfläche dieser Fläohen werden vorzugsweise abgerundet ausgeführt .anstatt eckige Kanten zu bilden, um diese gleichförmige Kapazität zu bilden« was wegen der von scharfen Ecken erzeugten veretärkten elektroatatlsohen Felder erforderlich ist.

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BAD

Unterhalb der Speicherplatte 12 kann, an der inneren Oberfläche der Frontplatte 56 ein Fadenkreuz in JOrm von mehreren einge- _; ritzten Linien vorgesehen sein, wenn die dielektrische Lage 36 aus Phosphor besteht, um somit ein inneres Koordinatensystem zur Prüfung des von der Speicherplatte erzeugten Lichtbildes zu erhalten, -Dieses innere fadenkreuz kann dadurch beleuchtet werden, dass man Licht durch die die i?rontplatte 56 umgebende Kante eintreten lässt» Es ist ebenfalls möglich das !fadenkreuz 64 dadurch herzustellen, dass man Niederschläge von Glasfritte auf der inneren Oberfläche der Irontplatte anbringt uu damit die entsprechenden Linien zu erzeugen*

Es gibt mehrere imüahcien der J3rf indüng liegende fotografische Verfahren zur Herstellung der Speicnerpiatten nach den figuren 2 und 3. Bei einem ersten dieser möglichen Verfahren sind folgende Verfahrenssehritte vorgesehefti

1. Anbringen eines leitenden Überzuges^ aus beispielsweise Zinn-Oxyd, Alluminium oder Siltoei· auf einer Seite der Frontplatte 56|

2, Anbringen einer Lage von fotoeDipfindlicheB Material Über dieser leitenden Schicht}

3« Belichten dieser f ο toempf indlicheii itöge mit dem Bild eines (ritters oder üiebes, v/elches dadurch entsteht, dass man Licht durch ein fοtografiacheβ J'ilmnegativ sendett welches ein positiveB Bild eine β solchen örittera enthälti dieser film wird in Berührung mit der fotoempfindlichen Schicht gehaltenj

4. Entwickeln dee auf der fοtoempfindliohen Sehicht durch dieses Lichtbild erzeugten latenten Bild«ö|

5. Atzen der mit überzug versehenen Frontplatte zum Entfernen der nicht entwickelten Teile der fotoempfindlichen. Schicht und der darunter liegenden Schichten aus leitendem Material

BAD ORIGINAL

*f ja/ uv

durch Yerwendun^ einer ^ösui^; von hydrochloriger Säure und 2 ifikriietul !pulver-

6. äntfernen des belichteten fotoempfindlichen Materiales, welches über dem in Form einea Überzuges hergestellten siebartigen slitter verbleibt;

7. Auf wringen auf aie if'roniplatte 06 Über der gitterartigen iileiitrode, welche eine Mischung aus Phosphor oder anderen dielektrischen Material und fotoempfindliehen Material enthält« Jüine aolcne .Lage kann beispielsweise 1o gr Phosphor auf 1oo mi fotoempfindliche lösung enthalten, wobei die fotoeapfindliche jjösung too gr polyvinylalkohol, looo ml Wasser, 1 au. laoproponol und 2o gr Ämmoniuia-Mohroiaat-Aktivator enthält}

8« Belichten der JTo to empfindlichen dielektrischen Schicht durch die gitterartige iSlektrode wenn diese Schicht lichtdurchläoaig ist; - ·

8. Waschen der Oberfläche der Überzogenen Frontplatte mit Nasser um nicht-entwickelte Teile der fotoempfindlichen dielektrischen Schicht au entfernen^

to. erwärmen der ao erhaltenen üchicht auf 4oo G während jo Minuten zur Entfernung von fotoempfindlichen Material von der dielektrischen Schicht einschliesslich orgaxiiscner jtündemittel und anderer Verunreinigungen·

bin zweites fotografisches Verfahren, welches nach der Erfindung zur iierstellung der Speicherplatten 12 der figuren 2 und verwendet werden kann, sieht folgexide Verfahrensschritte vor;

1. überziehen einer oeite aer aus Glas bestehenden /rontplatte ijt» mit einer foto empfindlichen .Lösung, we 1 cue eine uiischung aus Polyvinylalkohol nach αβω Verfahrensschritt 7 des vorherbesohriebenen Verfahrens aufweist, und ein Pulver wie z.B.

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BAD ORlG(NAt

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Jilikat P-T Phosphor oder Lletalloxyei, "welches iu einer"seiehen fotoempfindlichen i-osung unlöslich ist·

2. Belichten "der fötoenipflndlichen Schicht mit eitlem Lichtbild gleichförmiger Siebstruktur durch durclitretenlesp.'⁵]: des Lichtes durch ein geeignetes fotografisches Kegativ.

3· jintwiekeln des negativen tjitter- bzw. Diebbildes durch Waschen der mit Überzug versehenen Platte in .,asser, um die nieht-beliehteten 'felle des fotöeEipfindlieheii Materials. au entfernen· .- ■ .

4. S-leichrriässiges Überziehen der riatte mit einer schicht aus leitendem iuaterieV wie z.h. Ziiinoxyd_t i-lluniinium oder silber durch Äufdaiapfehj 30 dass die leitende Schicht in berührung iait der Oberfläche der i'rontplatte in eiriein positiven Gitter« .bild.'"steht und ebenso das belichtete fotoempfindliGhe material überdeckt.. " .. ·.

5. iSrhitzen der mit überzug versehenen Frontplatte auf 4oo° C während 3o Sinuten aum Batfernen des aus PolyvinylaIkohol beetehendeia Msteriales».

6. Entfernen der alt Äbatahd^ zueinander liegenden i'läohen von Pulvermeteriölr welche auf der X^lattie verbleiben und auf jenen !Beilen der leitendea Lage ,welche die init Pulver bedeckten Flächen überlappen.-dureh Verwendung von Preesluft oder einem erodierenden liiaterial*

Daran achlieaaen sich dieVerfahrensBchritte 7 bia To des weiter oben beachriebenen eraten Verfahrens an. λβ wirä aarauf hingewiesen, dass die yerfahrensachritte 4 und 6 nach dem zweiten Verfahren ausgelassen werden können, v/enn aaa in · Schritt 1 verwendete Pulvermaterial eine leitende Schicht bilden kann, welche nach dem Ärhitaeiik der jj'rontplatte anhaftet und daae in dieaem falle der BeliclLtunfüsverfahrens-Bchritt ein poaitivea Bild des-oittertoildee erzeugen biubs.......

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BAD ORIGINAL·

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Its Kf j lime η der lrfindung liegt auch ein drittes Verfahren zur Tiere teilung der Speicherplatten 12 nach Figur- 2 und 3ϊ dabei sind folgende Verffihrenssehritte vorgesehen:

1. Belichten eines fotografischen Jlbziehfilmes (stripping type of photographic film) mit einem negativen Lichtbild eines siebartigen Küsters.

2. Entwickeln dee latenten Bildes auf dem Film und Überführen dieses Minies in ein den Entwicfclungsvorgang beendendes

' Bad*

3· iitzen des j^ilmes zum entfernen der belichteten, negativen ^iIdflachen aer oilber-Halogenia-iimulsions-öehicht von der Agsetatisrunaiafc-e durch Änwenaen einer Lösung aus jvupfer-itiwrat» ..aeaerstoff-reraxyiL und ÄaetylaäÜi?« bzw. essigsäure,

4. Gleichförnii^es Belichten des Filmes 2ur I-.rzeugung eines positiven Bildes auf dem verbleibenden Teil der üßiulaionsschicht.

5· Entwickeln dieses positiven Bildes und fixieren des Filmes in fixiernatron,

6· Jiiaweichen des l^lmes in warmen v>asser um die verbleibenden leile der iimulsionsschicht auf der Aaetatbasis au lockern.

7· Anbringen der äuaseren Oberfläche der Emulsionslage auf der aus Glas bestehenden J'rontplatte,

6, üntfernen überechüsaigen Wassers von dem Film und der Frontplatte zur Erzielung einer guten Anhaftung zwischen der fimulsionslage und der Front platte, mit anschließendem Trocknen des Filmes*

9* iintfernen der Azetatbasia des Filmes von der ^mulsionslage durch Auflösen dieser Basis in Azeton« um die a>mulsions-

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schicht r.-uf der Oberfläche Car Ti'" ntnl^ttt in "^?orn "inz-s positiven Gitterbild.ee zu· belassen. -.

1o. .erwärmen, der mit überzug versehenen Prontplatte auf 3Qo" Q zum Entfernen etwa verbliebenen Azetates.

11. iiUdfohrune ^er. ve rf ahrens scnrit te 7 bid Io ^eunas ue,/ ersten aarues.tellteii /erfahren.

12. I'urzes Erhitzen der mit Überzug versehenen ~rontplatte auf 43o' C zur leduaierung des uilber«HiiiOi£Gnid"3ildes in eine- leitende Gitterelektrode aus Silber;* .-..;b ""ird in äieaen 3ur;a:.inerihan,? darauf hingewiesen, dass die nilber-Ialo^enid-^rrolsion unmittelbar- in ^or-a einen frineijeTr j.|öerSUJGK auf der gläsernen ?rontplatte angebracht. ^er*- n kann} in diesen lalle können die Verfahrennsehritte - Io dieses dritten Terfahrens auBgelassen T/

In ^r'i.£ur 4 13t eine weitere■"Ausführung eier 'incicherplatte 12¹ nach der Jrfindun^ etargestellt. Bei dieser Au"sf^fihrunBSfor?a ix^t riie a-iasoberfliiche 5b¹ mit einer L* ehr zahl von flachen Atianerinaunjen Ub an aer inneren ODerfläche -vt-rsehen.» Die Ausnehmun^en 66 sind voneinander durch mehrere sich schneidende lippen, bli aur Bildung eineg Biebartigeii r4xi3terEi auf der inneren üoerflache der Prontplatte getrennt, Jiese Ausbxldung tonn durch Ätzen der ü-laaplatte durch einon abdeckenden I'öer- zuQ aua fonoerjpfinalichen liiaterial erzielt v?erden, welcher mit Lic ft t von einen -litter -beleuchtet vniräe und anschlie^sencL exitvfickelt wurde in des die nlcnt->belichteten 'ieixe ues fotoempfindlichen Materials entfernt werden. Daa sieDortige *lu3ter Kann aucn dadurch hergestellt werden, dagh eine Fielzahl von gich gchneidenatjn linien a«a UIasfritte auf axe uberf lache aer flachen öiasplatte gelegt "werdQii una'anschiiessena zxiv isrzeUiiung der .'lippen 68 mit der ö-laaplnttG versCimol-zen Sie siebartige islelctroie y&* trird dann in .'^{lovm eines U»«f aus üilber_r Alurainiutn oder einem anaeren Material auf den

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BAD ORIGINAL ,

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Kämmen der Hippen 68 hergestellt, während die somit mit Abstand angeordneten dielektrischen Flächen 62* _t welche die dielektrischen Iste 36 bilden, in äea Ausnehmungen >6 angebracht weHer., so cleaa ?ie von.-?in<?r-_:.jer durch die lippen 68 und cjrch die .le'j«ente :ier V-iabeleTctrode 32' ^etrennt sind.

i.ie 5peJ ^hsrj 1st te 12' nach Figur 4 kann auoh nacli folgendem chan Verf-ahren her.^eatallt werden:

1. Anbririiren eines gleichf8r.nic.2ft /berzujea aus leitendem b'terisl vis 7,έ, Zinnox/d, Aluaaiaium oder Silfcer auf einer -,eite cer Prontplatta l?o^f»

2. Aufbringen einer Lage aus fotoempfindlichem naterial tJber die leitende Schicht.

3. belichten eier fotoeiapfinßliehen Gchicht tiit clem iiild eines biebes tzw,

4. Entwickeln und Fixieren des positiven Siebbildes auf der

fotoempfinoliehen Schicht.

5. Atzen der leitenden Lage und der gläsernen überfläche mit einer Lösung aus waaaerstoff-Pluorid durch die nicht-belichteten Flächen der fotoempfindlichen Schicht, welche somit eine Maske für die Atzflüssigkeit bilden.

b. Kntfernen der verbleibenden !Teile der fotoempfindlichen Schicht durch .anwendung einer geeigneten Lösung.

7. Ausfüllen der Ausnehmungen in der Glasoberfläohe mit Phosphormaterial mittels einer Streichklinge·

ö, ürwärwen der Frontplatte auf 4oo° C v;ährend ^o Γ !nuten un jegliche Verunreinigungen aus dem Phosphormaterial heraus« zuteepern.

Q fi Cj A ^ /. /

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Ia Jedem der oben beschriebenen vier verschiedenen Verfahren ist.mindestens· ein Schritt einer fotografischen beleuchtung vorgesehen, bei welchem eine fotoempfindliche öchieht mit dem Licht bzw. !.luster eines öiebes beleuchtet wird, w& die oieb~ bzw. U-itterelektroden 32 und 32' hexausteilen, ^uf diese Weise kann eine derartige siebartige älektrode mit einer Vielzahl von im wesentlichen gleichförmigen kleinen öffnungen versehen werden und mit einer. Vielzahl von dünnen Sieb— bsw. -jitter-» elementen, so dass .eine grosse Anzahl von kleinen Phosphorflachen 62' in den Offnungen der G-itter- bzw. -Jielbeiektrode vorgesehen werden können, äian erhält als JSrgebnls dieses in den Bereich der Erfindung fallenden Verfahrens eine sehr feinmaschige Speicherplatte, woaurch man ein Bild äusserst hohen Auflösun,«sVermögens erhält, was mit den bekannten Speicherplatten nicht möglich war, bei denen das siebartige Gitter = durch ein-.Drahtgewebe hergestellt wurde.

Alle dargestellten Einzelheiten aind für die Erfindung von .Bedeutung.

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Claims

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1. /orrichxung zur elektrischen Speicherung von Bildern gekennzeichnet durch eine opeicherplatte, welche ein Tragteil aus elektrisch isolierenden i.iaterial aufweist, einen Jberzu^ aus elektrisch leitendem I-Iaterial auf einer Seite und mehrere durch die elektrisch leitende Schicht hindurchgehende öffnungen, ferner eine Lage aus üekundär-^lektronen emittierendem, der Speicherung dienenden Dielektrikum in Form von vielen kleinen ?lächen aur dielektrischem Material in den öffnungen der leitenden Schicht, welche voneinander durch die elemente der leitenden Schicht getrennt sind,

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Tragplatte aus lichtdurchlässigem Crlas besteht und dass das der «Speicherung dienende Dielektrikum ein Phosphorraaterial ist, so dass das flielektrikura ein Lichtbild aussendet, welches dem im Dielektrikum gespeicherten ulektronenbild entspricht.

3. Vorrichtung nach den Ansirüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Überzug von gitterartiger Struktur mit im wesentlichen gleichförmigen öffnungen ist und dasa die dielektrischen Flächen durch die Elemente des Gitters voneinander getrennt 3ind.

4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 "bis 3» dadurch gekennzeichnet, dass die x'ragpbtte auf einer üeite eine Vielzahl von mit Abstand angeordneten Ausnehmungen aufweist und dasa die öffnungen in dem leitenden Jberzug sich mit den Ausnehmungen decken und dass in den Ausnehmungen das Dielektrikum in Form kleiner Flächen angebracht ist.

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5. v^rorri chtnn; na^ch '^:en Ansprüchen 1 bia 3, dadurch .-re net, dars nuf einer 3eite der Tragplatte eine . ehr a*³ hl: si ?u eohneidenden innen vorgesehen sinö., \?e'lr;)ir· eine Viel— j;rhi vnn voneinander getrennten 'uanehnmnrerj. oilmen, der««* -lei- leitende JberKUj ^uf uen Oberseiten .'er ""*i-ppen β η re ordnet \c?t',, VO bei' die Off nun. en i^ra -Jberzu,; ici 'e_t"istcr nit den '.-/us— nehnuxn:;en pind \xn^ floss die dielektrischen Flächen in den hrmn en "angeordnet sind.

6. Vorrichtung nach einem oder mehreren, der vorhergehend en

. ύ or'ehe gekennzeichnet, durch einen evJuierteri > oltf:: rai t Girier f'erin angeordneten ,-.peicherplf.-tte, '-chreibRiittel zu:: ■-■ ;.:eocr:i even ο er dielektrischen Lage» rait ..lektronen zur ^r/ieu.i.ar^ eines .Lei·.tron^nbildes suf der dielektrischen ■ 1?: .o, Ittel /am ...eschie^v-en der dielektrischen Loge nit ..". -lcktiOneri zun '-/rEcuren des zu speichernden !.lektroneMbilaes iri :-ότίϊ eineB bistnbilen Ladungsbildes für unbe:;renste Zeit und durch Lbloseaiittel sum Abtasten der'-dielektrischen l'.a.ie.-ritte! ε eines „■-lektronenptrehles /ur ■ Lrzoufam^ eines j,us- ; iut^nsif^nalFn auf -len leitcriden Uberzuc, wobei das AuBgan,is- ^f:.i ί\^1 deri i.uf der dielektrischiin Gchicht geapeicherten ... Λ el;-tr onenbi Id .entspricht'.- .. ■■■-.--.

7. Vf-rrahrrjii zur. Herstellung der Speicherplatte, nach den Ansprüchen 1 bis 4, ,'•ekennseichnet durch folgende Verfahrensschrltto:

,Belichten eines FilraiJ auo. fotoempfindlichen luaterial mit dem jjild eines ,Dieb- oder ,'aechen^itters; cn wickeln Ces Bildes des Siebes in dem fotoempfindlichen

ausbilden einey siebartigen Überzuges aus elektrisch leitenlen i.öterial in 'bereinstimmung mit dem entwickelten Siebbild auf einer 'Jeite der aus Jlsolatormaterial bestehenden i'ragplatte; . . ,-.""

aufbringen "dielektriaoheri Katerials auf die !Eragplatte zur

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Bildung einzelner dielektrischer Flächen in den Öffnungen des siebartigen Überzuges.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass dag fotoempfindliche Material in Form einer Schicht auf der Tragplatte aufgebracht wird und dass die nicht-bellehteten Teile der fotoempfindlichen Schicht von der Platte entfernt werden, um das maschenartige Bild zu erzeugen.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die fotoempfindliche Schicht über eine Schicht aus Leitermaterial aufgebracht wird und dass die nicht-belichteten feile der Lage zusammen mit den Teilen der leitenden Schicht entfernt werden, welche unter den nicht belichteten Teilen liegen·

to. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die fotoempfindliche Schicht auf die Tragplatte aufgebracht wird und unlösliches pulverförmiges Material enthält, dass der Überzug aus leitendem Material über die entwickelte fotoempfindliche Schicht gelegt wird und dasa die Teile der leitenden Schicht, welche über den belichteten Stellen der fotoempfindlichen Schicht liegen» weiche auf der Platte verbleiben, dadurch entfernt werden, dass man das Pulver an den belichteten Stellen veranlasst zur Bildung der gitterartigen Struktur durch den leitenden Überzug zu treten.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 1o, dadurch gekennzeichnet, dasa die dielektrische Lage durch Überziehen der Tragplatte mit einer Mischung aus fotoempfindlicher Lösung und dielektrischem Phosphormaterial auf dem leitenden Siebgitter anbringt, die fotoempfindliohe dielektrische Lage mit Licht durch die leitende siebartige Schicht beleuchtet, die unbelichteten Stellen der fotoempfindlichen dielektrischen Schicht abwäscht und die belichteten Teile der fotoempfindlichen dielektrischen Schicht erwärmt, um das fοtoempfind-

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liehe Material zu entfernen und nur die dielektrischen Phoaphorteile in den Öffnungen des liebes auf der Tragplatte belä&stt

12. Verfahren nach Anspruch y, dadurch gekennzeichnet, dass die tragplatte aus durchsichtigem Glas besteht, dass das .Entfernen der leitenden Jberzufsteile durch Atzen vorgenommen wird, dass das Atzen gleichzeitig Ausnehmungen in der Oberfläche der Tragplatte bildet und dass die dielektrische oeiiieht dadurch angebracht wird, uaaa aitxix Jie Ausnehmungen mit dielektrischem Phosphormaterial ausfüllt.

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