DE1789102A1 - Kathodenstrahlroehre zur bistabilen elektrischen Speicherung - Google Patents
Kathodenstrahlroehre zur bistabilen elektrischen SpeicherungInfo
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Description
Patentanwalt
Karl A. B r ο s e
Dipi.-i.ig.
C-£023 Mü.-ichen - Puüach
Wienerslr.2,T.Mdin.7933570,7?31782
vl/Mü Minchen-Pullach, den 30. Juni 1970
TEKTRONIX, INC., 13 955 Southwest Millikan Way, Beaverton,
Oregon, USA
Speicherung
(Ausscheidung aus Patentanmeldung P 14 39 707.0 v.29.7.1964)
Die Erfindung betrifft eine Kathodenstrahlspeicherröhre zur direkten sichtbaren bistabilen Speicherung eines Ladungsbildes mit einer Speicherplatte, welche ein Tragteil aus lichtdurchlässigem, elektrisch Isolierendem Material aufweist, mit
einer maschenförmigen Kollektorelektrode aus elektrisch leitendem Material, das als überzug auf einer Seite des Tragteils vorgesehen ist, weiter mit einer Schicht der Speicherung dienenden Dielektrikum aus einem Leuchtetoffmaterial auf
einer Seite des Tragteils, mit Schreibmitteln zum Erzeugen eines Ladungsbildes auf der Schicht des der Speicherung dienenden Dielektrikums, mit Mitteln zum Beschlessen der dielektrischen Schicht mit Elektronen niedriger Geschwindigkeit, um
eine Sekundärelektronenemission aus dieser Schicht zu bewirken und diese Sekundärelektronen durch die Kollektorelektrode
zu sammeln, um eine bistabile Speicherung des Ladungsbildes vornehmen zu können und um durch das Leuchtstoffmaterial ein
dem Speicherbild entsprechendes Lichtbild zu erzeugen.
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Bekannte Speicherplatten» die eine Elektrode unterhalb einer
durchgehenden Lage der dielektrischen Speieherechicht verwenden, haben eine nicht gleichförmige Potentialverteilung auf
der hinteren Fläche der Speicherplatte und zwar aufgrund der
verschiedenen Ladungen, die auf benachbarten dielektrischen Lagen gespeichert werden. Durch diese nicht gleichförmige Potentialverteilung fliessen Abtasttektronen niedriger Geschwindigkeit zur Speicherplatte, die dazu verwendet werden, das
durch den Schreibstrahl erzeugte Ladungsbild au halten; auf (· ase Welse erzeugt die nicht gleichförmige Potential verteilung einen Effekt, der dem Koplanargittereff*fc gleicht, welcher
das Ladungsbild zerstört. Um diese nicht gleichförmige Potential verteilung zu koBpensleren,ist bei den bekannten Ihren
eine Kollimatorelektrode in Fora einer leitenden Wandabdeckung des Röhrenkörpers vorgesehen und diese Elektrode ist mit einer
Gleichspannungsquelle verbunden, um die Abtastelektronen gleich·
förmig über die Oberfläche der Speicherplatte zu verteilen.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, bei einer Kathodenstrahlspeieherröhre der eingangs definierten Art, unter Vermeidung der aufwendigen Kollimatorelektrode nach dem Bekannten, mit einfachen Mitteln eine möglichst
gleichförmige Potentialverteilung über die Oberfläche der Speicherplatte vorzusehen.
Diese Aufgabe wird gemäss der vorliegend·» Erfindung dadurch
gelöst, dass eine Kollekfcrelektrode verwendet wird, die über
der Anhaftfläche des Leuchtstoffspeloherdielektrikums angeordnet 1st und sich in Hfihe der oberen freien Fläche des Speicherdielektrikums befindet.
arch diese Anordnung der Kollektorelektrode lässt sich ein im
wesentlichen einheitliches elektrisches Feld über die obere
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Fläche des Speicherdielektrikums vorsehen, so dass die Elektronen mit niedriger Geschwindigkeit gleichmäalger und gleichmässiger verteilt auf das Speicherdielektrikum auftreffen.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nun folgenden Beschreibung eines Ausführungebeispiels
unter Hinwels auf die Zeichnung, deren einzige Figur einen Schnitt durch das vordere lichtdurchlässige Tragteil einer KathodenstrahlspelcherrOhre nach der Erfindung in gebrochener
Darstellung zeigt.
Die mit 3 bezeichnete Speicherplatte besteht aus einem Trag- -teil in Form einer Glasplatte oder Frontplatte 1 und diese
Glasplatte ist mit einer Vielzahl von flachen Ausnehmungen 2 an ihrer inneren, zur Schreib- und Ableseeinrichtung hinweisenden Seite ausgestattet. Die Ausnehmungen 2 sind voneinander durch mehrere sich schneidende abstehende Rippen 7 getrennt, wobei diese Rippen 7 in einem siebartigen Muster über
der Inneren Fläche der Frontplatte verlaufen. Diese Ausbildung kann durch Ätzen der Glasplatte erzielt werden, wobei man
ein siebartiges Muster entsprechend der Rippen mit einem Überzug aus fotoempfindlichem Material abdeckt. Dieser Überzug
wird hierbei mit Licht von einem Gitter beleuchtet und anschliessend entwickelt. Die nicht belichteten Teile des fotoempflndllchen Materials können anschliessend entfernt werden.
Das siebartige Muster kann auch dadurch hergestellt werden, dass eine Vielzahl von sich schneidender Linien aus Glasfritte
auf die Oberfläche der flachen Glasplatte gelegt wird und anschliessend zur Erzeugung der Rippen 7 mit der Glasplatte verschmolzen werden.
Eine siebarte Elektrode 8 wird dann in Foimelnes Überzuges aus
Silber, Aluminium oder einem anderen Material auf den oberen
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BA0
Rändern der Rippen 7 hergestellt, während die mit Abstand angeordneten
dielektrischen Flächen 6, welche eine dielektrische Schicht 4 bilden, in den flachen Ausnehmungen 2 angebracht werden,
so dass sie voneinander durch die Rippen T und die Elemente
der Siebelektrode 8 getrennt sind·
Bei dieser Anordnung befindet sich also die Siebelektrode 8 in
Höhe der äusseren Oberfläche der dielektrischen Schicht 4 und man erhält weiterhin eine Verbesserung der Gleichförmigkeit
der Potentialverteilung und zwar der gesamten Potentialverteilung an der Rückseite der Speicherplatte.
1 0 9 8 3 9 / η 5 7 S -.;
ORIGINAL INSPECTED
Claims (1)
- PrnentunwaitKarl A. Brose München-Pullach, den I7.Juli197ODip" -IrD.D-OC;: Wünc en - Pullach 5Wienerstr. 2, ϊ.Κ. j.n. 793ÜS7O,7931782vI/LauBetrifft: Patentanmeldung P 17 89 102.0-33 Anmelder TEKTEONIX, INC.
Ausscheidung aus PA P 14- 39 707-0-33Neuer PatentanspruchKathodenstrahlspeicherröhre zur direkt sichtbaren "bistabilen · Speicherung eines LadungsbMes, mit einer Speicherplatte, welche ein Tragteil aus lichtdurchlässigem, elektrisch isolierendem Material aufweist, mit einer maschenförmigen Kollekterelektrode aus elektrisch leitendem Material , das als Überzug auf einer Seite des Tragteils vorgesehen ist, mit einer Schicht der Speicherung dienendem Dielektrikum aus einem Leuchtstoffmaterial auf einer Seite des Tragteils, mit Schreibmitteln zum Erzeugen eines Ladungsbildes auf der Schicht des der Speicherung dienendem Dielektrikums, mit Mitteln zum Beschießen der dielektrischen Schicht mit Elektronen niedriger Geschwindigkeit, um eine Sekundärelektronenemission aus dieser Schicht zu bewirken und diese Sekundärelektronen durch die Kollektorelektrode zu sammeln, um eine bistabile Speicherung des Ladungsbildes vornehmen zu können und um durch das LeuchtStoffmaterial ein dem Speicherbild entsprechendes Bild zu erzeugen, gekennzeichnet durch eine mit dem Tragteil (1) verbundene Kollektorelektrode (8), die mindestens teilweise über der Anhaftfläche des Leuchtstoffspeicherdielektrikums (6) angeordnet ist und zwar in Höhe der oberen freien Iläche des Speicherdielektrikums.1098397 0575frLe ers e ite
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