DE1514792A1 - Selbstleuchtende Speicherschicht (Target) und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Selbstleuchtende Speicherschicht (Target) und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Description
und Verfahren zu ihrer Herstellung»
Die Erfindung betrifft gana allgemein targets für" die
Speicherung von Slektronenbildern und ein Verfahren zu
deren Herstellung. Insbesondere ist die Erfindung auf ein Speiöhertarget zur unmittelbaren Betrachtung gerichtet, bei
welchem das Speicher-Dielektrikum eine lage aus Phosphor«
material aufweist, die zur Speicherung des darauf erzeugten ladungsbildes verwendet werden kann und entsprechend, dem
gespeicherten ladungsbild ein Licht-Bild produzieren kann*
Bei einer Ausführung der Erfindung weist das Speioher-iDarget
eine im wesentlichen einstückig ausgebildete Schicht aus PhosTJnarmaterial auf, die auf einer ÜParget-Elektrode gehalten
ist, welche ihrerseits von einem lichtdurchlässigen leitenden film auf der inneren Oberfläche der Frontscheibe der
Kathodenstrahlröhre gebildet wird. Die Phosphorschicht ist mit
mehreren sich durch diese hindurch erstreckende Offnungen versehen,
damit die Schicht von relativ großer Dicke sein kann und
dennoch einebistabile Speicherung dea ladungsbildes
gestattet«
''.0090-27-/0402
161*792
Das Speiöher-%rget nach der Erfindung -ist besonders gut .
verwendbar in des Kathodenstrahlröhre eines Kathoden« . .
strählösziilögMtheni lind sSWär zur Darstellung einer
elektrischen Signalwellenform in bekennte* WMBe' ödes? mt
Speicherung einer" solchen Wellenform als biötabilea
ladungsbild fti? .öiöö-beliebig lange» jedööli steüertaiiö Ieit>
Däl Bpei6h.@3?-iä3?get eier-If f iftdung fcaiitt -jedoch auch.-ift jeder
■bietafeilen Speioherrohre zur unmittelbaren Wahrnehftung
Verwenlst Wtfden einö.ehließliöh der feei ladär- und Bonär» ,
geraten ÜMiöhen löhrea SöWii b©i liiöht*Biid«Verstärlte^«
röhren Bür Spiiöhiruag des IlöKtroninUiidiSi welahis durch
Imiöiiön dtÄfeh die fotokathode einö^ sölöhih Yerstärkeiröhie
auf dai Opoiehejr-Earget entsteht* ■- ·.. ·-.; ■ :.
33as BpeiGher-ißarget nach der Erfindung hat auch alle Vorteile gegenüber herkömmlichen Speicher-Targets zur un*» ■ . ;
mittenDaren Betrachtung., welche von der durch Gritter
oder Netze gesteuerten Art sind. Infolgedessen Werden diese
Vorteile nur kurz an dieser Stelle erwähnt«, Insbesondere
"bestehen diese Vorteile in einer vereinfachten Bauart des
!Targets» j die aus der Verwendung des Speioher-Dielektrikums
auch als Leuchtschirm der Speicherröhre entstehen$ in dem
man das Dielektrikum aus phosphoriBzierendem* d.h* Ieuohtmaterial
herstellt anstelle eine eigene Phosphorschidht zu verwenden,
woe dies "bei bekannten Speicherröhren zur unmittelbaren
Betrachtung der fäll ist« Durch diese vereinfachte Bauart
'kann man den SpeichervTargets einen größeren Durchmesser geben?
der Kontrast ist besser und man erzielt in einfacher und wenig kostspieliger Weise einen größeren "stabilen Betriebsbereiöh."
Bei Verwendung einer Im wesentlichen einstüökigen Phosphorsohioht
mit mehreren mit Abstand angeordneten und durch sie hindurch führenden Öffnungen, kann man das
ÖO9Ö27/Ü8Ü2
Sptlcher-Iarget dicker ausführen, so daß auch die von
der Phösphor-Sohioht emittierten Licht-Bilder helleyfeind·
Die Dicke der Phoephörsprteicherßchicht ist so groß, daß
keine Sekundärelektronen, die aus einer Seite der Schicht btim bistabilen Speichern aufgrund des Beschüsses mit
langsamen Flutelektronen herausgeschossen werden, durch di· Sohioht eelbst durch Poren hindurchgelangen können,
die zwischen den Phos^iorteilohen selbst bestehen. Die
Sekundärelektronen gelangen vielmehr im Gegenteil ausschließlich durch die künstlich hergestellten Öffnungen
oder Durchbrechungen, die einzelne und im wesentlichen gerade
Pfade durch die Schicht bilden, durch welohe somit die Sekundärelektronen von der hinter der Speioherschicht
litgenden Sammelelektrode gesammelt werden. Da die maximale Dioke für die ein Speicher-Dielektrikum verwendete Phosphorschicht
nicht länger ein kritisches Merkmal für bistabile
Speicherung ist, ist die Herstellung des Speicher-Targets nach der Erfindung im Gegensatz zu bekannten Targets
erheblich vereinfacht. Das heißt also, daß bei der
deswegen
Herstellung der Speicher-Targets weniger Ausschuss/produziert wird, weil auf Grund von' Dickenabweichungen die
bisher üblichen Bedingungen nicht getroffen wurden. Ein Ausführungsbeispiel dee Herstellungsverfahrens nach der
Erfindung sohließt die Abziehbild-Teohnik ein, wobei zusätzlich die Verwendung zweier organischer Materialien
vorgesehen ist f^iese/TSaferlafien bilden zusammen nehrere
mit Abstand voneinander angeordnete Stellen in dem Phosphor-Abziehbild
aus im wesentlichen vollständig organischem Material, die sich vollständig durch das Abziehbild
von einer Seite zur anderen erstrecken, um so die Öffnungen in der Phosphorschicht zu bilden, wenn das
organische Material aus dem "Abziehbild" herausgebrannt werden. Bei einer anderen Ausführung des Verfahrens nach
der Erfindung wird ein fotografisches Verfahren angewendet, bei welohem die fotoempfindliche Schicht aus Phosphor-4%
material an allen Stellen exponiert wird bis auf jene,
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welche den öffnungen durch die Schicht den Speicher-Target»
entsprechen. Diese nicht exponierten Stellen der fotoempfindlichen Schicht werden dann zur Bildung dieser
öffnungen entfernt. Das fotografische Verfahren hat den
zusätzlichen Vorteil, daß die Größe und Lage der öffnungen
in besonders einfacher Weise kontrolliert werden können·
Somit besteht ein Ziel der Erfindung in der Schaffung
eines wesentlich verbesserten Speicher-Targets für Elektronenbilder» Ein weiteres Ziel der Erfindung, riohtet
sioh auf ein Speicher-Target zur unmittelbaren Betrachtung des dargestellten Bildes, bei welchem eine Schicht
aus Phosphormaterial als Speicher-Dielektrikum dient und zwar zur ^mission eines Licht-Bildes, welchesaem darauf über einen
erheblichen stabilen Bereich vonTarget-Spannungen erzeugten bzw. gespeicherten Ladungsbild entspricht.
Die Erfindung richtet sich ferner auf ein bistabiles Speicher-Target zur unmittelbaren Betrachtung des Bildes,
bei welchem eine im wesentlichen einstüokige Phosphorschicht
von größerer Dicke als Speicher-Dielektrikum verwendet
wird, um die Helligkeit des von der Schicht emittierten LichtvBildes zu erhöhen.
Die Erfindung ist auch auf ein Speioher-Target zur unmittelbaren
Betrachtung gerichtet, welohes einen einfachen und billig herzustellenden Aufbau hat, eine schnelle Schreibgeschwindigkeit
gestattet und ein Bild mit gutem Kontrast und guter Auflösung abgibt. . ■
Weiter riohtet sioh die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung eines Speicher-Targets zur unmittelbaren Betrachtung
einer einstüokigen lage au· Phosphor- oder
anderem Leuohtmaterial mit mehreren durch diese führende,
mit Abstand angeordnete öffnungen, wobei diese Phosphorechicht
als Sptioher- ^itlelctrikum dient.
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Weitere "-Vorteile-und. Einzelheiten der Erfindung ergeben
sich aus der nun folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Hinweis auf die Zeichnung.
"Es zeigt»
Figur 1 eine sohematische Darstellung einer Bildspeicher-Einrichtung
mit nach der Erfindung hergestellter Röhre sowie der dazu gehörigen
prinzipiellen Schaltung;
figur 2 ein waagerechter Teilschnitt nach der Linie
2-2 In Figur 2, darstellend in vergrößertem Maßstabe eine bevorzugte Ausführung des
Targets nach der Erfindung; und
Figur 3 eine Draufsicht auf die hintere Oberfläche der Phosphorschicht des Targets nach der
linie 3-3 der Figur 2.
In Figur 1 ist eine bistabile Speicherröhre 10 zur unnjittelbaren
Betrachtung des dargestellten Bildes dargestellt, welche ein Speicher-Target 12 aufweist, das gemäß
der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde. Die Speicherröhre
weist den herkömmlichen Elektronenstrahler mit der Kathode 14, einem Steuergitter 16 und einer elektrostatischen
Linse 18 auf, die beispielsweise von drei fokussierenden und beschleunigenden Anoden gebildet wird, die in bekannter Weise
einen schmalen Elektronenstrahl von den aus der Kathode austretenden Elektronen bilden.Zwischen dem Elektronenstrahler
und dem Speicher-Target 12 sind zwei waagerechte Ablenkplatten "20 und zwei vertikale Ablenkplatten 22
angeordnet* so daß der von dem Elektronenstrahler austretende
■Elektronenstrahl durch die beiden' Platten eines jeden
Ablenkplattenpaares hindurchtritt, bevor er auf das Speicher-Target auf trifft. Es können zwei ■Elektronen-Strahler
vorgesehen eeinj einer zur Erzeugung eines Ladungsbildes
auf dem Speicher-Target mittels eines Schreibesträhles von ^Elektronenhoher Geschwindigkeit
und eines zur Erzeugung eines elektrischen Ablesesignales
in Abhängigkeit des Ladebildes durch Abtasten des Targets mit einem lesestrahl aus Elektronen geringerer Geschwindigkeit.
Es ist je-doch auch möglich,diese beiden funktionen
durch einen einzigen Elektronenstrahler durchzuführen« Dies wird bei der Ausführung nach Figur 1 durch Umschalten der
Schaltstellung eines jeden der drei miteinander gekoppelten Schalter 24, 26 und 28 erreicht, die mit dem Steuergitter
bzw. den horizontalen Ablenkplatten 20 bzw. den vertikalen Ablenkplatten 22 verbunden sind und zwischen "Schreiben"
und "Lesen " zugeordneten Stellungen umschaltbar sind, wie weiter unten ausführlich erläutert wird.
In dem Kolben der Speicherröhre 10 können noch einer
oder mehrere Flutelektronen abgebende Strahler 30 vorgesehen
sein, die der Beschießung der Oberfläche des Speicher-Targets in im wesentlichen gleichförmiger Weise
mit langsamen Elektronen dienen, um das auf dem Speicher-Target vom Schreibstrahl erzeugte Ladungs-Bild durch
Sekundärelektronen-Emission zu "halten" bzw. "speichern"· Auf diese Weise wird eine bistabile Speicherung des bildes
für beliebige steuerbare Zeit erreicht.
''ie in. den Figuren 2 und 3 gezeigt ist, weist das Speicher-Target 12 eine ^arget-Elektrode 32 auf, welche
die Form eines dünnen,lichtdurchlässigen Überzugs aus leitendem Material hat, wie z. B. auö einem Zinn-Oxyd,
und an der inneren Oberfläche einer flachen Glasplatte 33 an einem Ende gegenüber der Kathode 1^des Räatenkolbens
angeordnet ist, Das Speicher-Dielektrikum des Targets besteht aus einer zusammenhängenden Schicht 34 aus Phosphoroder
anderen entsprechend geeignetem und bekanntem Material, welche auf der ^arget-Elektrode^ -liegi, so daß die
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Phoephorechioht eine doppelte Punktion aueführt, nämlich.
das darauf erzeugte Ladungs-Bild zu speichern und das
dem. Ladungs-Bild entsprechende Licht-Bild darzustellen
biw. BU «mittitren. Diesem Licht-Bild wird duroh die
öpeicherelektrode 32 und die Frontplatte 33 zur unmittelbaren Betrachtung übermittelt. Die Phosphorschicht 34
wtiat eint Vielzahl von mit Abstand angeordneten Öffnungen
aufι welohe vollständig durch die Schicht hindurchreichen, d.h.
von einer Seite derselben zur anderen« Vermöge dieser
Öffnungen kann man die Dicke der Phosphorschichten dicker machen als dies bisher möglich war, d.h. man kann die
marimale Dicke für integrale Phosphorschichten zur Verwendung als Speicher-Dielektrika für bistabile Speicher-Targets
erhöhen. Dr^ch die Vergrößerung der ^icke der Phosphorschioht
34 erhält das von dieser Sohicht emittierte Licht-Bild offensichtlich eine größere Helligkeit. Da die
"maximale Dicke der Phosphorschicht nioht mehr kritisch ist, ist sie nur durch diejenige Menge von Phosphormaterial begrenzt,
die an der Prontplatue nocü haftet.
Die Target-Elektrode 32 ist elektrisch mit einer Target-Spannung
verbunden, die über einen festen Widerstand 37
abfällt, wenn dieser, der in Reihe mit einem variablen
Widerstand 38 liegt, zusammen mit dem Widerstand 38 von
einem Strom von 500 Volt-EMK zur Erde durchflossen wird.
Die Einstellung des veränderlichen Widerstandes 38 bestimmt den durch den festen Widerstand 37 zur Erde fließenden Strom
und steuert somit auch den Spannungsabfall am festen
Widerstand. Wenn die Target-Spannung etwa 200 Volt bezüglich der geerdeten Kathode der Flutelektronenstrahler
ist, dann ist sie im "stabilen Breich" von Target-Spannungen,
in welchem die Phosphorschicht 34 für unbegrenzte jedoch steuerbare Zelt ein bistabiles Ladungsbild speichert.
Dann kann die Röhre 10 im Speicherbetrieb verwendet werden, . ' indem-man die Schalter 24, 26 und 28 in die "Schreib"-titeilung
bringt. Dadurch werden die horizontalen Ablenk-
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platten mit einem horizontalen Kipp-Generator 4-0 über den
Sohalter 26 verbunden und die vertikalen Ablenkplatten 22 über den Schalter 28 mit einem Vertikalverstärker 42· Wenn
somit ein Eingangesignal an die Eingangsklemme 44 des Vertikalverstärkers
gelegt wird, dann, wird es an. die vertikalen Ablenkplatten weitergeleitet. Das Eingangssignal kann
auch als Trigger-Signal für den horizontalen Kipp-G-entrator verwendet werden, so daß der von der Kathode 14 ausgeeandte
Schreibelektronenstrahl sowohl horizontal als auoh vertikal
abgelenkt wird, um ein Ladungsbild der Eingangssignal-Wellenform auf der Phosphorschicht 34 des Speicher-Targete zu erzeugen.
Der Schreibstrahl weist Elektronen hoher Geschwindigkeit auf, da die Kathode 14 mit einer hohen negativen
^leiohspanmmgsquelle von etwa-3000 Volt verbunden istj
infolgedessen erzeugt er ein Ladungsbild auf der Phosphorschicht
34 durch Sekundärelektronen-Emissionr wobei die
getroffenen Stellen des Targets positiver geladen sind
als die nioht von diesem Strahl getroffenen Stellen.Wenn das Potential des geschriebenen Ladungsbildes über der "ersten
Übergangsspannung" der Sekundärelektronenemissionskurve
der Phosphorsohicht liegirt, dann treiben die von den geerdeten ,
Kathoden 30 kommenden Flutelektronen das Potential des Ladungsbildes auf einen stabilen Hochspannungepunkt nahe
dem Potential der Target-Elektrode* Gleichzeitig treiben dteae Flutelektronen das Potential der nicht beschriebenen,
somit den Hintergrund darstellenden Flächenteile der Phosphorsohioht, die anfange unter der ersten übergangsspannung
lagen, in einen niedrigen stabilen Spannungepunkt nahe der Spannung der Flutelektronen-Strahler-Kathoden.
Auf der inneren Oberfläche des erweiterten Teile der Speicherröhre, d. h. des Kolbens, sind eine oder mehrere
bandartige Wandelektroden 45 in Form von Überzügen aulgebracht.·
um die Flutelektronen gleichförmig auf die Phosphorsohicht
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. des Speicher-Targets zu fokussieren.) Diese bandförmige Und-«-...
• elektrode kann, mit einer positiven Spannungsquelle von
etwa +50 Volt verbunden sein, wenn die ilutelektronen-Kathode
geerdet ist. Dieser bistabile Speioherbetrieb für Elektronenstrahlröhren ist bekannt und wird infolgedessen
nicht mehr weiter erläutert werden.
Um das auf der Phosphorsohicht 34 des Speicher-Targets
gespeicherte Bild zu löschen, wird die an der Speicherelektrode 32 liegende Spannung über die "positive fading"-Spannung
des Phosphors angehoben, indem maiüfeinfach den Wert
des Widerstandes 38 ändert oder einen positiven Spannungsimpuls
an die ^arget-Elektrode legt, -^ie Target-Elektrode
wird über dieser positiven Fading-Spannung für solange Zeit gehalten, daß das Potential an der hinteren Oberfläche
der. Phosphorschicht gleichförmig gleich einem Potential
nahe der Spannung der Target-Elektrode wird. Dann wird die Spann",
nung des Targets unter die Halteschwellspannung abgesenkt, die auch als (siehe oben) erste Übergangsspannung für
die Phosphorschicht bezeichnet werden kann, unter welcher das Speicher-Target ein bistabiles ladungsbild nicht' speichern
kann. Die Target-Spannung wird unter der Halteschwellspannung gehalten, bis die Flutelektronen bewirken, daß das
Potential an der hinteren Oberfläche der Phosphorschicht unter ein gleichförmiges Potential in der Nähe des Potentials
der Flutelektronen-Strahler-iCathode getrieben wird,
Dann wird die an die Target-Elektrode 32 gelegte Spannung
graduell über die Halteschwellspannung auf eine Target-Spannung erhöht, die im stabilen Bereich liegt, ohne daß
jedoch das Potential der hinteren Oberfläche dor Phonr
phorsohioht der Target-Spannung durch kapazitive Kopp-lungs
wirkung folgt« Das !ladungsbild ist nun vollständig gelöscht
und das Target kann ein weiteres Ladungsbild ' aufnehmen« ·
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Die Phosphorschicht 34 des Speicher-Targets 12 kannaus B-1 Phosphor hergestellt sein, d. h. aus Zink Orthosilikat,
welches durch Mangan aktiviert ist, Bs können jedoch auch andere Sauerstoffstrahler (oxygen radial
phosphors) Anwendung finden, die ladungsbilder speichern*
wie z.B. die 1VPe P-3 (Zink-Herillium Orthosilikat) und die
Type P-5 (Calzium Wolframat). Es sind auch Phosphoren mit
hohen spezifischen Widerstand, wie z.B. mangan-aktiviertes Zinksulfid,mit Erfolg verwendet werden. Um die Schreibgeschwindigkeit
de^hosphorschioht 34 zu erhöhen, könnte man auch
ein sehr stark sekundär emittierendes Material wie Z0B.
Magnesium-Oxyd dein Phosphormaterial zugeben. So kann eine Phosphorschicht eine kleine Menge von sekundäremittierendem
Material enthalten, die etwa zwischen 10 i» und 25 $ für eine
Schicht aus Magnesium-Oxyd und dem P-1 Phosphormaterial liegt.Abgesehen von der Wirkung der Erhöhung der Schreibgeschwindigkeit,
scheint die Gegenwart von Magnesium-Oxyd auch die Standzeit des Speicher-Targets zu erhöhen.
Wenn aber der Prozentsatz von reinem sekundär-emittierendem Material zu hoch wird, dann verringert dies die Helligkeit
des von der Phosphorschicht emittierten Lichtbilder, weil die Phosphorteilchen von nicht lumineszenten sekundär-emittierendem
Material ersetzt werden.
Die Eigenschaften des hier infrage stehenden Speicher-Tärge.ts
werden stark beeinflusst sowohl durch die Größe
'der öffnungen 36 in der Phosphorschicht als auch durch die
Anzahl dieser ffrößen pro Flächeneinheit. Dies kommt
offensichtlich daher, daß die durch das Beschießen der Schicht durch den Schreibstrahl und die PluteleWronen
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von der Phosphorschicht emittierten Sekundärelektronen durch
die Sohioht 34 nur durch die Öffnungen 36 entlang geraden
Pfaden zur Target-Elektrode 32 gelangen und dann von dieser gesammelt
werden. Das heißt, daß die Größe der Öffnungen nicht zu klein sein darf oder daß auch die Anzahl der Öffnungen
pro Flnächeneinheit nicht so klein sein darf, daß ein
wirkungsvolles Sammeln der Sekundärelektronen durch die Target-Elektrode verhindert wird» -Andererseits dürfen die
Öffnungen auch nicht zu groß sein, und es darf die Anzahl
der Öffnungen auch nicht zu groß sein, weil dies die
Helligkeit dee Lichtbildes der Emission der Phosphorschicht
verringern würde und ebenfalls zu einer sohlechteren
Auflösung führen würde. Es hat sich herausgestellt, daß bei einer Phoephoreohicht, die im wesentlichen zu 100 # aus P-1
Phosphor bestand und eine Dicke von 0,035 - 0,075 nun
aufwies, die Öffnungen 36 einen Durchmesser von 0,018 0,05
mm haben sollten und einen Prozentsatz von 10 - 25 # der Oberfläche der Phosphorsehicht bedecken sollten,
um ein Speicher-Target mit sehr gusen Eigenschaften zu
bilden. Wenn Magnesium-Oxyd zur Erhöhung der Schreibgesohwindigkeit
in der Phosphorsohioht verwendet wird, dann
sollte der Prozentsatz des verwendeten Magnesium-Oxydes proportional der Dioke der Phosphorschicht sein. Wenn
also die Phosphorsohicht dicker wird, dann ist umso mehr Phosphormaterial in der Schicht, so daß mehr
Magnesium-Oxyd verwendet werden kann und die Helligkeit
bleibt dieselbe wie zuvor.
Obwohl eine elektrische Ablesung, d.h. eine Ablesung
durch Abtasten des !ladungsbildes nicht notwendig ist,
wenn eine Speicherröhre mit unmittelbarer Betrachtung des Bildes verwendet wire , so ist es doch manchmal
sehr nützlich ein elektrisches Lesesignal zu erzeugen, welches dem auf dem Target gespeicherten Ladungsbild
' BAD
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entspricht. Dies kann bei der Röhre nach Figur 1 durch Drehen des beweglichen Kontaktes der Schaltei^H»
26 und 28 in die "Lese"-Stellung (das ist die rechte
Schalterstellung in Figur 1), um das Steuergit.ter 16
an eine stärker negative uleichspannung von etwa -3050 Volt anzuschließen, wenn die Kathode 14 mit einer negativen
Leichspannung von -300OYoIt verbunden ist. Dadurch wird die Stromdichte des Schreibstrahls aus .. von
der Kathode emittierten und durch die linsenanordnung
18 zum Target 12 geschossenen .Elektronen verringert,
um zu verhindern, daß dieser lesestrahl ein gespeichertes Bild auf dem Target während des Ablesens erzeugt. Man
kann dasselbe Ergebnis auch dadurch erzielen, daß man das negative Potential, wleches an der Kathode liegt,
während des Lesens verringert, während man die Stromdichte auf demselben Wert hält, um so die Geschwindigkeit
der Elektronen des Lesestrahles zu verringern. Außerdem sind die horizontalen Ablenkplatten 20'und
die vertikalen Ablenkplatten 22 über die Schalter 26 bzw. 28 mit einem Raster-Signal-Generator 46 verbunden.
Der ^aster-Signal-Generator 46 legt in bekannter Weise
Sägezahnkippsignale von verschiedenen Frequenzen an die vertikalen und horizontalen Ablenkplatten, um den
Lesestrahl in der bei Fernsehgeräten und dgl. bekannten Weise über das Speicher-Target zu führen. Dadurch wird
auf der Target-Elektrode 32 des Speicher-Targets 12 ein elektrisches Ablesesignal erzeugt. Dieses elektrische
Ablesesignal wird über einen Koppelkondensator 48, eiuen Vorverstärker 50 mit geringer Impedanz und einen
Spannungsverstärker 52 mit hoher Verstärkung in dieser
Reihernfolge an den "Z--«-chse"-Eingang eines entfernt
aufgestellten Fersehmonitorrohres 54 oder einer anderen
Aufzeichnungseinrichtung gegeben, ^ie horizontalen
BAD
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und vertikalen Ablenkplatten der Monitorröhre 54 sind
ebenfalls mit dem Baster-Signal-Generator 46 gekoppelt, so daß die daran angelegten Raster-Signale ähnlich,
jenen sind, die an die horizontalen und vertikalen
Ablenkplatten der Speicherröhre gelegt sind. Da das elektrische ^blesesignal an die Kathode oder das Steuergitter
(je nach-dem welche Elektrode als Dignaleingang
dient) der FernsehmonitorrÖhre 54 gelegt ist, wird der Elektronenstrahl in dieser Röhre nach Maßgabe des
elektrischen Ablesesignals moduliert, um eine Wiedergabe der gespeicherten Signalwellenfortii als Fernsehbild
am leuchtschirm dieser Monitorröhre zu erzeugen.
Wie bereits oben beschrieben wurde, kann die Target-Elektrode
32 als dünner, lichtdurchlässiger, leitender Überzug auf der inneren Oberfläche der flachen rechteckigen
Yorderplatte auf Glas 33 des -"-öhrenkolbens ausgebildet
sein, wobei ein Leitungsteil 56 der Target-Elektode sich durch eine Dichtung zwischen der Frontplatte
und. dem erweiterten Teil 58 des Rohres' nach außen erstreckt. Der erweiterte Teil der Röhre kann aus einem
keramischen Material bestehen und mit der frontplatte mittels einer geeigneten Glasfritte 60 in demjenigen Bereich,
verbunden sein, der die Phosphorschicht 34 umgibt. •^uf diese «eise kann die über dem Widerstand 37 abfallende
Target-Spannung an der Target—Elektrode 32 durch -Verbinden des "Leitungsteiles 56 mit dem Widerstand
außerhalb des Kolbens verbunden werden. Es kann auch eine innere Gradeinteilung in Form einer Skala
oder dergleichen oder eines Netzwerkes 62 in Form von mehreren Ausnehmungen oder entsprechend angeb-raehten
BAD ORiGiMAL 909827/0802
linien aus ^lasfritte oder einem anderen lichtreflektierenden
Material an der inneren Oberfläche der Glasplatte 32 unter der Target-Elektrode 32 vorgesehen
sein, um die im Speicher-Target gespeicherten Maße der Signalwellenf qrm messen zu können. Dieses Wetz , d.h.
die Gradeinteilung, kann dadurch beleuchtet werden, daß man Licht von der Kante der Frontplatte 33 eintreten
läßt, wodurch die einzelnen Linien der Skalen beleuchtet werden.
Man kann das Speicher-Target nach den Figuren 2 und auf verschiedene Arten herstellen. Bei einem solchen
Verfahren wird eine Abziehbild-Technik angewendet, bei der zunächst eine flüssige Mischung aus Phosphormaterial,
wie .z.B. dem P-1 Phospnor, einem organischen Binder, .vie
Methyl Methaorylat oder dem thermoplastischen "ώ1νεχ 250"
(Dupont de Nemours) und einem Lösungsmittel wie z.^.
Toluin, ^enzin oder Tetrahydrofuran für den Binder.
Zu dieser Mischung werden zwei organische l.iaterialien
mit zwei Hydroxyl-Gruppen und einer niedrigeren Verdampf ungsgesohwindigkeit als dan Lösungsmittel gegeben
und zwar ein erstes organisches Material wie z.B.
Triethanolamin, Glyzerin, Propolyen, Glykol oder Athylen-Glykol und ein zweites organisches Material,
welches im Zusammenwirken .üi b dem ersten organischen
Material die beiden organischen Materialien von dem Rest der Mischung in im wesentlichen reine Stellen von
organischem Material ohne Phosphor trennt. Dieses zweite Material kann ein körniges oder pulverförmiges Material
wie z.B. Zucker oder St.rke sein oder es kann Glyzerin, Äthylen-Glykol, Erythritol, -"-rabitol oder
Mannitol Verwendung finden. Es- wurden sowohl Rohrzucker
und Triethanolamin als organische Materialien mit guten
BAD ORiGiNAL
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■■■!IS
•^rfolg verwendet als auch Glyzerin und Jriethanolamin.
Bei einer Ausführung des obigen Abziehbild-Verfahrens wurden 50 gr des Kunstharzbinders "Elvax 250", welches
ein Polymer von Polyäthylen und Polyvinyl-Azetat ist, mit 1000 Millilitern Toluen zur Bildung einer Trägerlösung
gemischt. Dann wurden 200 Milliliter der Trägerlösung mit 4 Millilitern Buty 1-"""IkOhOl, 6 Tropfen
Triethanolamin, 84 gr P-1 Phosphor und 12 gr Rohrzucker gemischt. Der Butyl-Alkphol wirkt dabei als Benetzungsmittel
für die Platte, auf welcher das "Abziehbild" gebildet wird. Die so erhaltene toeii^e Masse wird dann
mehrere Stunden gründlich gemischt, so daß der Phosphor und der Zucker in dem Brei -gleichförmig gemischt vorliegen.
..ian kann noch 10,6 gr Magnesium-Oxyd zugeben, wenn
man eine Phosphorschicht 34 mit etwa 10 $ Magnesium-Oxyd erhalten wird. Es wird eigens darauf hingewiesen,
daß ein Phosphor mit mittleren und kleineren Korngrößen
eine gleichförmigere Schichtdicke ergibt; man
kann dies dadurch erhalten, daß man die größeren
Phosphorpartikel in Wasser absetzen läßt, bevor man den Phosphor in den Brei gibt. Man verteilt diesen so
hergestellten Brei dann in einer dünnen Schicht mit einer
Schichtdicke von etwa 0,035 bis 0, 18 mm auf eine glatte ebene Platte aus Glas mit Hilfe beispielsweise einer
Rakel oder dergleichen. Der Abstand diese Messers von der Oberfläche der verwendeten blatte ist etwa doppelt
so groiS wie die erforderliche Dicke der flüssigen Schicht auf der Platte. Unmittelbar nach dem Füllen des
Behälters der Rakel wird dieselbe mit einer im wesentlichen
gleichbleibenden Geschwindigkeit von etwa 60 - 70 cm pro °ekunde über die Platte geführt. Dann läßt man
die so erhaltene Schicht er.va 30 Llinuten trocknen, damit
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das Toluen-Iösungsmittel verdampfen kann und sich einfester Film aus Kunstharz-Bilder, Phosphor, Magnesium-Oxyd,
Zucker und Triethanolamin bildet« Dann wird ein "Abziehbild" aus dem verfestigten Film auf der Glasplatte
herausgeschnitten. Die Gestalt dieses Abziehbildes wird von der Gestalt der Frontplatte 33 der
Kathodenstrahlröhre bestimmt. Dann wird das Abziehbild auf folgende Weise von der Platte entfernt: Man legt
ein mit Wasser vollgesogenes Stück Fließpapier oder Filterpapier auf das Abziehbild, läßt es für etwa
1 Minute darauf lie-'en und entfernt dann den das Abziehbild darstellenden Streifen indem man das mit Wasser
vollgesogene Papier anhebt, worauf das Abziehbild durch Adhäsion am Papier kleben bleibt, Das Abziehbild wird
dann an der Frontplatte 33 über der dünnen Zinn-Oxyd-Schicht in Form eines Überauges auf der Target-Elektrode
32 angebracht, die zuvor in der bekannten Weise auf der einen Seite der Frontplatte angebracht wurde.. vom bei
der Herstellung des Abziehbildes als organischer Binder "Elvax 250" verwendet wurde, dann ist das Abziehbild
druckempfindlich, so daß es leicht an der Frontplatte haften bleibt und dort zeitweilig durch den Binder
gehalten wird. Wenn jedoch Methyl-Metharylat verwendet
wurde, dann kann zum Weichmachen des Kunstharzes und Butyl—Alkohol
Mehtyl-Älkonol/an das Abziehbild gegeben werden, um sicherzustellen,
daß das Abziehbild an der Frontplatte haftet ohne daß sich dazwischen Luftblasen bilden. Dann wird
das Abziehbild getrocknet um sämtliches Wasser daraus zu entfernen.- Nunmehr enthält das Abziehbild das Kunstharz,
durch welches das Phosphormaterial und das Magnesium-Oxyd gleichförmig verteilt sind und in einigen
Stellen mit Abstand voneinander Triethanolamin und Zucker, die miteinander verbunden wurden und vom Rest
der flüssigen Schicht getrennt sind, welche der bohioht
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auf der Platte zugegeben wurden "bevor diese Schicht zur
bildung eines festen iilmes getrocknet wurden. Jede
diese voneinander getrennter Stellen mit Triethanolamin und Zucker bilden '^eile von im wesentlichen vollständig
organischem Material, welche'sich von einer Seite duroh
das Abziehbild hindurch zvt anderen erstrecken. Es wurde
jedoch viel von dem Zucker und .Triethanolamin aus dem Abziehbild ausgewaschen als es während der Abnahme von
der Platte mit Wasser aufgeweicht wurde, weil diese Materialien in Wasser löslich sind.
Der abschließende Schritt dieses Verfahrens besteht
in einem Erhitzen des auf der Frontplatte befestigten Abziehbildes in einem öfen mit einer Temperatur von
etwa 500 indem man die Temperatur im Ofen von Zimmertemperatur
auf 500° langsam in etwa 2 Stunden erhöht, die temperatur etwa 30 Minuten lang auf 500° hält und
dann etwas langsamer als beim Aufheizen wieder im Ofen auf Raumtemperatur abkühlen laßt. Dieses Aufheizen
wird in einer oxydierenden Atmosphäre (Sauerstoffgehalt!) durchgeführt, um4as organische Material des Kunstharz--Binders,
des Triethanolamin und. den Zucker durch Oxydation
vollständig au zersetzen ohne daß wesentliche Rückstände
in Form von Asche oder dergleichen zurückbleiben» Durch dieses "Verfahren besteht dfe Schicht 34 zum Schluß
im wesentlichen vollständig aus Phosphorpartikeln und
Magnesium-Oxyd, die an der Oberfläche der Frontplatte in
Form der in Figur 2 und 3 gezeigten porösen Struktur
kleben bleiben. Die Poren bzw. öffnungen 36, die sich
ganz durch die Phosphorschicht hindurcherstrecken befinden sich an der Stelle derjenigen Bereiche, an denen
da« Triethanolamin und der Zucker waren, die sich ihrerseits
durci, das ganze Abziehbild erstreckt haben, so
daii die Offnungen 36 zurückbleiben, nachdem der Inhalt
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dieser Öffnungen wegoxydiert wurde.
In einer Abänderung des Verfahrens nach der Erfindung
zur Herstellung eines Speicher-Targets 12 wird ein fotografisches Verfahren zur Erzeugung der Öffnungen
in,der Phosphorschicht 34 angewendet. Bei diesem Verfahren bereitet man eine flüssige Aufschlämmung bzw.
einen Biä aus Phosphorpartikeln und fotoempfindlichem
Material, Z0B. Polyvinyl-Alkohol und einen Aktivator au3
Ammonium-Dlehromat. Die fotoempfindliche Lösung kann ' ;
etwa wie folgt zusammengesetzt seins 100 gr Polyvinyl-Alkohol, 1000 Milliliter Wasser, 1 Milliliter Isopropony1
und 20 gr Ammonium-^ichromat. ^iese fotoempfindliche Lösung
"I
wird dann mit dem Phosphormaterial im Verhältnis 10 gr
Phosphor auf 100 Milliliter fotoempfindliche Lösung. Der so hergestellte. "Brei" wird dann in einer dünnen
Schicht auf die innere Uberflache der ^roritplatte über
dem lichtdurchlässigen leitenden j?ilm der Target-Elektrode
32 angebracht. Die flüssige bzw. breiige Schicht aus Phosphor und fotoempfindlichem Material wird dann
mit einer Lichtquelle mit mehreren mit Abstand- angeordneten Schattenpunkten entsprechend den Öffnungen 36 in
der Phosphorschicht 34 belichtet. Dabei kann man ein
fotografisches Filmnegativ mit den Punkten darauf in
■"■nlage mit der vorderen Seite der Frontplatte bringen
und Licht durch den Film fallen lassen, so daß die ■°ilder der Punkte auf die f otoempf indliche uCi:icht geworfen
werden. Dadurch werden die exponierten Stellen der fotoempfincilxchen Schicht in einer durch die Be- '
lichtungszeit bestimmten Tiefe gehärtet. Die nicht belichteten Stellen der fotoempfindl:ohen schicht bleiben
jedoch flüssig entsprechend den Punkten auf dem
Filmnegativ· '
wird die Oberfläche der mit überzug ver-
9 0 9 8 2 7/0802 bad original
sehenen Frontplatte mit Yfasser gewaschen, um die nicht
exponierten, den Punkten entsprechenden Stellen der f.otoempfindlichen Schicht zu entfernen ohne dabei die
belichteten Stellen zu entfernen, iadurch erhält man dann
eine feste Schicht aus gehärtetem fotoempfindlichem Material und Phosphormaterial mit einer Vielzahl von durch die
Schicht hindurchführenden Öffnungen 36. Man kann natürlich auch die flüssige Schicht aus fotoempfindliohem
Material und Phosphor in einen trockenen Film erstarren lassen, bevor man die Beachtung vornimmt, um eine
mögliche Verschiebung d> h. Bewegung der Schicht während do· Belichtungszeit zu verhindern. In diesem
Falle braucht man jedoch zur Entfernung der den
^Unkten aux dem Jegativ entsprechenden nicht exponierten
Stellen länger.
Wenn in der Phosphorschicht Magnesium-Oxyd als sekundär-emittierendes
Material verwendet wird, ist es .... manchmal wünschenswert, ein anderes fotoempfindliches
Material zu verwenden, weil der Dichromat-Aktivator des PoTyvinyl--"-lkohols das Magnesium-Oxyd in einem bestimmten
Ausmaße angreift; es ist dies jedoch nicht
absolut erforderlich. iJan kann dieses Phänomen auch
dadurch vermeiden, da-; man das Liagnesium-Oxyd in einer
eigenen lösung auf die Oberfläche der fotoempfindlichen
öc-icht bringt,.nafadem diese belichtet wurde und die
Magnesium—Oxyd-LÖsung in die exponierten und in die
nicht exponierten Stellen der fotoempfindlichen Schicht eintreten lassc-n. Dann muß man nur noch den unentwickelten
Polyvinyl—tt-lkohol auswaschen um das darin
enthaltene luagnesium-Oxyd zu entfernen und eine Schicht
aus gehärtetem fotoempfindlichem Material zu hinterlassen,
welche Phosphor-Partikel und loagnesium-Öxyd enthält und
von vielen kleinen Lochern mit gegenseitigem Abstand
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durchsetzt ist. Abschließend wird die Frontplatte in einem Ofen während 30 Minuten in oxydierender (Sauerstoff!)
Atmosphäre auf etwa 400° 0 geheizt, um organisches fotoempfindliches Material aus der Phosphorschicht
durch Oxydation zu entfernen ,ohne daß dabei erhebliche
■""schenmengen zurückbleiben.
Bei einer weiteren Ausbildung des fotografischen Verfahrens
kann das Phosphormaterial nicht in der fotoempfindlichen
Lösung angewendet werden, sondern auf den leitenden Überzug der Frontplatte durch Absetzen in Wasser durch
eine Maske in Form von mehreren mit Abstand angeordneten
Punkten, die von der fotoempfindlichen Schicht
gebildet werden, aufgebracht werden. In diesem Falle
wird die fotoempfindliche Schicht zuerst, einem positiven Lichtbild der Punkte ausgesetzt, so daß nicht belichtete
Stellen um die Punkt-Flächen herum entfernt werden, um die Maske zu bilden. Nachdem der Pho'sphor
angebracht wurde, werden die Masken-Punkte entfernt, indem man darauf erwärmt, um eine Vielzahl von mit Abstand
angeordneten Offnungen in der Phosphorschicht zurückzulassen*
j-'as Filmnegativ ist von der fotoempfindlichen Schicht
um die Dicke der Frontplatte entfernt, wenn dieses Negativ in Berührung mit der äußeren Oberfläche der
Frontplatte gebracht wird. Daraus ergibt sich, daß das Bild der Punkte derart auf das Negativ projiziert
wird, daß die nicht belichteten Stellen, die den Punkten entsprechen, auf der fotoempfindlichen Schicht
gemäß der Parallaxe nicht einwandfrei erzeugt werden. Dies kann man einigermaßen heilen, indem man eine
Lichtquelle mit einigermaßen parallelen Strahlengang zur Beleuchtung verwendet. ICs kann manchmal auch
BAD ORiGiNAL
9098 27/0802
erforderlich sein, eine ^nzahl von mit Abstand angeordneten
liohtundurehlässigen Punkten (nicht gezeigt) aus Aluminium oder Silber unter der fotoempfindlichen Schicht
vorzusehen. Diese Punkte wirken dann als lichtundurchlässige Maske anstelle des Filmnegatives zum Belichten
der lichtempfindlichen Schicht in ähnlicher Weise. Die die Maske bildenden Punkte bleiben dann für immer in dem
Speicher-Target und dienen auch noch zusätzlich einer
Verstärkung des Kontrastes des von der Phosphor-Schicht 34 emittierten Lichtbildes durch Abdecken der Löcher
oder Öffnungen 36 in der Phosphorschicht, wenn das Speicher-Target zur Speicherung eines Ladungsbildes
darauf verwendet wird. Dieses fotografische Verfahren hat den zusätzlichen Vorteil, daß die Abmessungen der
Löcher odi/r Öffnungen 36 wie auch der Zwischenräume
d.h. der Abstände der Löcher in einfacher v/eise eingestellt
werden können, indem man nur dns Muster des Filmnegatives ändert oder die silbernen-: .Maskier-Punkte
anwendet, wie dies oben beschrieben wurde.
Alle dargestellten Einzelheiten sind für die Erfindung
von Bedeutung.
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Claims (13)
1. Bistabil speichernder Bildschirm bestehend aus einer
Unterlage, einer darauf liegenden, elektrisch leitenden Schicht und einem Sekundärelektronen emittierenden
Speicher-Dielektrikum &s£ dieser, welches bei Beschüß
mit langsamen Flutelektronen Sekundärelektronen abgibt,
dadurch gekennzeichnet, daß das Speicher-Dielektrikum aus einer durchgehenden Schicht
von Teilchen aus Phosphormaterial besteht, durch welche im wesentlichen gerade Öffnungen oder Löcher führen,
die für aus dem Speicher-irDielektrikum herausgeschossene
Sekundärelektronen einen Pfad zur leitenden Scnicht bilden, die als Sammelelektrode wirkt, wobei die Phosphorschicht
so dick ist, daß Sekundärelektronen nicht durch etwa vorhandene Pfade zwischen den einzelnen
Partikeln auf die Sammelelektrode gelangen können.
2. Einrichtimg nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Target aus lichtdurchlässigem elektrisch
isolierendem Material besteht und auf einer Seite zur Bildung eines Speicher-Targets für unmittelbare Betrachtung
einen lichtdurchlässigen Überzug aus elektrisch leitendem Material aufweist.
3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet/ ■
daß die Platte aus Glas besteht und der Überzug aus
Zinn-Oxyd,
4. Einrichtung nach den Ansprüchen 1, 2, oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der GesamtQverschnitt aller öffnungen
in der Phosphorschicht zwischen 10 und 20 c/o der (hisamt-
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fläche der Schicht liegt.
5. Einrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zum Beschießen der Phosphor.schicht mit Elektronen hoher Geschwindigkeit zur Bildung eines Ladungsbildes in der
Schicht und durch eine Vorrichtung zur Beschießung der
Schicht mit Elektronen niederer Geschwindigkeit zur Speicherung des Ladungsbildes für beliebige steuerbare
Zeit und zur Bewirkung 6er %ission eines dem gespeicherten
Ladungsbild entsprechenden Lichtbildes.
6. Vorrichtung nach Anspruci/5» gekennzeichnet durch eine
Einrichtung zum Abtasten .der Phospho.rschi.cht mit einem Elektronenstrahl zur Erzeugung eines elektrischen Ablesesignales
auf der leitenden Oberfläche des Tragteiles des Speicher-Targets, welches dem gespeicherten
Ladungsbild entspricht und ferner gekennzeichnet durch Mittel zur Übertragung des elektrischen Ablesesignal-es*
auf eine Mönitorröhre sowie Mittel zur Darstellung des
Bildes auf dieser Röhre.
7«" Verfahren zur Herstellung der'-Einrichtung, nach den Ansprüchen
1 - 4, gekennzeichnet durch folgend«; Verfahrenssclirittei
Überziehen der flachen Oberfläche einer Platte mit einer Lage gleichmäßiger Dick9 einer Mischung
enthaltend Phosphormaterial, einen - inder, ein Binder-Lösungsuittel und mindestens zwei sidh verbindende
Materialien, welche einen niedrigeren Verdampfungspunkt haben als das Lösungsmittel; Trocknen
der Schicht zur Entfernung des Lösungsmittels und zur Bildung eines festen Filmes aus Phoshpor und Binder
enthaltend mit Abstand angeordnete Stellen von sich durch den Film erstreckendem verbundenem Material j
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Ausschneiden eines Abziehbildes entsprechend der Gestalt des Schirms der Röhre j Übertragen des Filmes auf
die leitende Oberfläche des Tragteiles j Entfernen des Binders und der Stellen aus kombiniertem Material zur
Hinterlassung einer einstückigen Sohicht aus Phosphormaterial mit mehreren sich durch dieses hindurch erstreckenden
Löchern auf dem Tragteil.
8. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß
der Binder thermoplastisches Material ist und ' daß die beiden sich verbindenden Materialien organische
Stoffe sind mit ;}e mindestens zwei Hydroxylgruppen,
mittels welcher die beiden Stoffe sich verbinden und daß der Schritt zu deren Entfernung
Erwärmen ist.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die organischen Materialien Rohrzucker bzw.
Triethanolamin sind.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden organischen Materialien aus folgenden Stoffen ausgewählt sind« Rohrzucker,
Stärke, Triethanolamin, ülyzerin, Äthylen-Glykol,
Propylen-Grlykol Erythritol, Arabitol, Mannitol.
11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche
7 - 10, dadurch gekennzeichnet, daß die flüssige Mischung auch Magneeium*-Oxyd zur Erhöhung der Sekundärelektronen-Emission
erhält«
12. Verfahren zur Herstellung der Einrichtung nach den Ansprüchen 1 - 4 gekennzeichnet durch folgende. Ver-
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fahrenssehritte ι
Überziehen der leitenden Oberfläohe des Trägerteils
des Speicher-Targets mit einer Schicht gleiohförmiger
Dicke, einer flüssigen Misohung enthaltend Phosphormaterial
und fotoempfindliches Material, Belichten dieser ächicht durch eine Maske mit dunklen Punkten
zur Belichtung derjenigen 'J-'eile der Schicht, welche
die Punkte umgeben, während die ■1'eile unter den Punkten
nicht belichtet werden, Entfernen der nicht belichteten Stellen der Schicht zur Erzeugung einer mit öffnungen
versehenen Schicht mit sich durch die ganze Schioht erstreckenden
öffnungen und Zerstören des in der mit Öffnungen versehenen Schicht verbliebenen fotoempfindlichen
Materials.
13. Verfahren nach Anspruch/12, dadurch gekennzeichnet,
daß das fotoempfindliche Material organisch ist und
daß der verbleibende Rest desselben durch Erhitzen zerstört wird.
14· Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Pill mit dunklen Punkten auf die der Phosphorschicht gegenüberliegende Seite der Frontplatte
zur Belichtung gelegt wird und daß die nioht belichteten Stellen der Schicht durch Auswaschen
mittels Wasser entfernt werden.
15« Verfahren nach Anspruch 12 oder 1"5» dadurch gekennzeichnet,
daß die leitende Oberfläche des Tragteiles mit mehreren voneinander entfernten Stücken aus lichtundurchlässigem
Material belegt wird und daß das Bild durch Beleuchten durch das Tragteil erzeugt wird a
90 982 7/080 2
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- 1965-01-12 DE DE19651514792 patent/DE1514792A1/de active Pending
- 1965-01-12 SE SE366/65A patent/SE322580B/xx unknown
- 1965-01-13 NL NL6500397A patent/NL6500397A/xx unknown
Also Published As
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GB1077474A (en) | 1967-07-26 |
SE322580B (de) | 1970-04-13 |
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