DE1614891A1

DE1614891A1 - Leuchtschirm,insbesondere fuer Kathodenstrahl-Oszillographenroehren

Info

Publication number: DE1614891A1
Application number: DE19671614891
Authority: DE
Inventors: Morris Robert William
Original assignee: Tektronix Inc
Current assignee: Tektronix Inc
Priority date: 1966-11-28
Filing date: 1967-11-21
Publication date: 1970-05-27
Also published as: GB1173989A; NL6716146A; US3401293A

Description

Ko/Bä - 11 726 München-Pullach, 21. Nov. 1967

TEKTHONIX, INO. 14- 150 S.W. Karl Braun Drive, Tektronix Industrial Park, Beaverton, Oregon 97 OO5, USA

Leuchtschirm, insbesondere für Kathodenstrahl-Oszillographenröhren

Die Erfindung betrifft einen mit Schreibelektronen "beschossenen leuchtschirm, insbesondere für Kathodenstrahloszillographenröhren. Es gibt solche Leuchtschirme, die beim Beschüß mit Schreibkathodenelektronen nur kurzzeitig die beschossenen Stellen aufleuchten lassen.Es gibt weiterhin Leuchtschirme für Elektronenstrahlröhren, die zur sogenannten bistabilen Speicherung fähig sind. Bei Elektronenstrahlröhren mit solchen bistabil speichernden Leuchtschirmen ist neben der Schreibelektronenkathode noch mindestens., eine sogenannte Flutelektronenkathode vorgehen, welche während des bistabilen Speicherns das Speieherdielektrikum, welches sich auf der Innenseite der Höhre auf dem Leuchtschirm befindet, mit langsamen Elektronen beschießt, was für den bekannten bistabilen Speichervorgang erforderlich ist.

Die Erfindung schafft eine neuartige Höhre bzw. einen mit Schreibelektronen zu beschießenden Leuchtschirm, der sowohl bistabil speichern kann als auch ohne Speicherwirkung wie ein normaler Leuchtschirm arbeiten kann. Die Erfindung besteht im wesentlichen darin, daß ein mit Schreibelektronen beschossener Leuchtschirm in regelmässig sich wiederholendem fluster erste Abschnitte aus bistabil speicherndem Material und zweite Abschnitte aus nur bei Schreibstrahlbeschuß. leuchtendem Material aufweist. Es können für.die beiden Betriebsarten Abschnitte des

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gleichen Materials verwendet werden, wobei jedoch die Abschnitte der einen Gruppe dicker sind als die der anderen Gruppe, wodurch sich die entsprechenden Eigenschaften ändern. Selbstverständlich können auch verschiedene Phosphormaterialien für die verschiedenen Abschnitte verwendet werden.

In einer ganz besonders zweckmässigen technischen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daßTOn der in bekannter Weise aus Glas bestehenden Trägerplatte in rege!massigem Muster Erhebungen vorstehen, und daß die Abschnitte aus dem einen Material auf diesen Erhebungen und die Abschnitte aus dem anderen Material am Grund der die Erhebungen umgebenden tieferen Stellen der Glasplatte angeordnet sind.

Die Erhebungen können dabei die stehen gebliebenden Teile der zur Bildung der tieferen Stellen im entspinnenden Wüster geätzten, vorher ebenen Überfläche der Glasplatte sein.

Eine besonders zweck&ssige Weiterbildung der Erfindung besieht darin, daß am Grund der Ausnehmungen das nicht speichernde Material mit darüber liegender metallischer Schicht und auf den Erhebungen das andere, d.h. bistabil speichernde Material liegt und daß die metallische Schicht bis auf die Stellen, an welchen die Erhebungen vorgesehen sind, durchgehend ausgebildet und als Sammelelektrode für die beim Üstabilen Speicherbetrieb einzufangenden Sekundärelektronen geschaltet ist. Die metallische Schicht hat dabei zwei Aufgaben: sie wirkt einmal als Sammelelektrode für die Sekundärelektronen, die aus den auf den Erhebungen angeordneten bistabil speichernden Dielektrikum-Stücken austreten, und zum anderen als optischer Reflektor hinter den nicht bistabil speichernden Abschnitten, wodurch die Helligkeit für diese Abschnitte ganz erheblich erhöht wird.

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Bei einer solchen Ausbildung der Erfindung ist weiterhin zweckmässig, wenn die Oberfläche der die Sammelelektrode bildenden Schicht mit der Oberfläche der Erhebungen, auf iirelcher die bistabil speichernden Abschnitte liegen, fluchtet. Dadurch sind die Abschnitte verschiedener Eigenschaften grundsätzlich voneinander um die Dicke der Metallschicht voneinander ge"trennt, so daß dann, wenn die Abschnitte aus verschiedenem Material bestehen, während des Herstellungsverfahrens und auch im Betrieb nicht die Gefahr besteht, daß Material der einen Art durch kleine Teilchen des anderen Materials ''vergiftet werden", sodurch sonst die optischen oder die Speiehereigenschaften beeinflusst werden können.

-iine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, eine zweckmässig aus Zinn-Cbcyd bestehende durchsichtige leitenie Schicht, dielektrisch nit der als Samnelelektrode dienenden reflektierenden Metallschicht verbunden ist, zwischen den Leuchtstoffen einerseits und der Glasplatte andererseits vorzusehen. Diese Anordnung wird dann mit Vorteil eingesetzt, wenn ein Scireibstrahl mit besonders hoher Spannung, d.h. z.B. in. Fall der Hachbe sch leuni gung des Schreib Strahls rath der Ablenkung Anwendung findet. In diesem Jj'alle werden nänich die nur leuchtenden Phosphorabschnitte negativ stark geladen und diese negative Ladung verschlechtert den Wirkungsgrad der Saimne!elektrode für die durch die langsamen Flutelektroden aus den bistabil speichernden Teilen herausgeschossenen Sekundäre lelrtronen. Dadurch wird das bistabile Speicherverhalten schlechter. Ix 'einzelnen wird auf diese besonders zweckmässige Ausgestaltung der Erfindung weiter unten noch einzugehen sein.

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Im folgenden wird die Erfindung unter Hinweis auf die Zeichnung an Ausführungsbeispielen erläutert.

In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 in Draufsicht einen Teil eines Leuchtschirms gemäß einem Ausführungsbeispielj

Fig. 2 einen vergrößerten Schnitt nach der Linie 2-2 der Fig. 1, wobei zur Erläuterung auch die Schreibstrahlkathode und eine Flutelektronenkathode eingezeichnet sind*

Fig. JA - JE aufeinanderfolgende verschiedene Verfahrensstufen beim Herstellen einer Anordnung nach den Fig. 1 und 2} und

Fig. 4· im Schnitt eine der Fig. 2 ähnliche Darstellung eines v/eiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung.

Wie die Fig. 1 und 2 zeigen, weist ein nach der Erfindung ausgebildetes Kathodenstrahlrohr 10 eine aus Glas bestehende Vorderplatte 12 auf, die mit dem trichterförmigen Abschnitt 14 aus glasförmigem oder keramischem Material durch eine Glasfritte-Dichtung 16 zur Bildung eines evakuierbaren Kolbens verbunden ist. Die Innenfläche der Glasplatte 12 ist derart geätzt, daß eine Vielzahl von untereinander verbundenen Ausnehmungen 18 entstehen, in welchen ein Fluoreszenzschirm 20 aus dem Phosphor des Typs P-31 oder einem anderen Sulfid-Phosphor, mit hoher Helligkeit niedergeschlagen ist, wobei dieser Schirm bzw. Teil des Leuchtschirms nicht speichert. Eine lichtreflektierende·Schicht 22 aus z.B. aufgedampftem Gold oder Aluminium ist auf die Oberfläche des Leuchtschirms 20 aufgelegt, um die Helligkeit des von dieser.: Lichtschirm kommenden Bildes in der bekannten Weise zu erhöhen. Ein ßpeicherdioiektri-

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kum 24 in Form von einer Vielzahl mit Abstand angeordneter Punkte aus -einem Phosphor der Type P-1 _ oder einem anderen stark dielektrischen Silikat-Phosphormaterial mit bistabilen Speichereigenschaften ist auf den Erhöhungen der Mesa-artigen Abschnitte 26 der Glasplatte 12 aufgebracht. Das sind also die Stellen, die beim Ätzen erhaben bleiben. Auf diese Weise sind die dielektrisch speichernden Punkte durch die Metallschicht 22 und nichtg*eigte Lackschichten seitlich versetzt bzw. körperlich getrennt von dem Leuchtschirm 20 angeordnet, wobei die nicht gezeigten Lackschichten an entgegengesetzten Seiten der Metallschicht vorgesehen sind und während des Heizens bei der Herstellung in der unten zu beschreibenden Weise entfernt werden. Es liegt also die Metallschicht 22 über dem Leuchtschirm 20 aber nicht über dem Mesa-artig vorstehenden Abschnitten 26 aus Glas, so daß von den Speicherdielektrikumspunkten 24 ausgesandtes Licht durch die Glasplatte 12 in Richtung auf den Beschauer gelangen kann.

Die Metallschicht 22 wirkt nicht nur als Lichtieflektor sondern auch als Kollektorelektrode für die Sekundärelektronen, die während des Speichers von den Phosphordielektrikumpunkten ausgesandt werden, wenn dieses Speicherdielektrikum mit langsamen -Flutelektronen beschossen wird. . Die Metallschicht ist mit einer ausserhalb des Kolbens vorgesehenen positiven Gleichspannungsquelle durch einen dünnen durchsichtigen leitenden JTiIm 28 aus Zinn-Oxyd verbunden, der auf die Innenfläche der Glasfrontplatte unter der GlasÄLtte-Dichtung 16 in Form eines Überzuges aufgebracht ist (sh. J¹Ig. 2). Der leitende Film 28 ist elektrisch mit dem Metallüberzug 22 durch eine Vabindungsschicht 30 aus aufgedampftem Aluminium oder einem anderen geeigneten Material innerhalb des Kathodenstrahlrohres verbunden und ist ferner elektrisch mit dem gemeinsamen Punkt

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zweier Widerstände 32 und 34 verbunden, velche einen ausserhalb des Hohrs angeordneten Spannungsteiler bilden. Die anderen Enden des von den Widerständen 32 und 34- gebildeten Spannungsteilers sind mit einer positiven Spannung von +300 Volt bzw. .Erde verbunden. Der Widerstand 32 kann ein veränderlicher Widerstand sein, um die an den Oxydfilm 28 gelegte Spannung einstellen zu können. Um eine bistabile Speicherung ermöglichen zu können, wird die an die als Kollektorelektrode wirkende Metallschicht 22 angelegte Spannung auf etwa + 200 Volt eingestellt, wenn die Flutelektronen-Kathoden geerdet sind und die Schreibelektronenkathode ist dabei auf etwa - 3 000 Volt vorgespannt.

Wie bei herkömmlichen bistabilen Speicherrohren liefert eine Schreibelektronenkathode 36 einen dünnen Strahl schneller Elektronen, welche über dasSpeicherdielektrikum 24 und den Leuchtschirm 20 abgelenkt werden, um Ladungsbilder auf diesen Schirmen zu bilden und sie Licht entsprechend den Ladungsbildern aussenden zu lassen. Weiterhin richtet eine Flutelektronenkathode 38 einen breiten Strahl von langsamen Elektronen gleichförmig über die ganze Oberfläche des Schirmes, so daß diese langsamen Elektronen sowohl das Speicherdielektrikum 24 als auch die Metallschicht 22 pressen. Die Metallschicht hindert die langsaen Elektronen daran, auf den Leuchtschirm 20 aufzutreffen, so daß auf diese Weise das unerwünschte Hintergrundleuchten eliminiert wird. Die lichtreflektierende Metallschicht 22 ist aber so dünn, daß sie für die schnellen Schreibelektronen praktisch durchlässig ist, welche durch diese Schicht hindurchtreten und den Leuchtschirm 20 anregen. Andererseits haben diejenigen Sekundärelektronen, die durch die Beschießung des Speicherdielektrikums 24 mit FluteleMronen ent-

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stehen, nur eine so geringe Geschwindigkeit, daß sie die Metallschicht 22 nicht durchschlagen können, sondern vielmehr von dieser Schicht gesammelt we&en (Kollektorelektrode!) Diese Beschießung der Speicherdielektrikum-Punkte 24 mit den langsamen Jj'lutelektronen bewirkt eine bistabile Speicherung jeglichen Ladungsbildes, welches vom Schreibstrahl auf den Punkten gebildet wurde, wenn das Potential des Ladungsbildes sich oberhalb der ersten kritischen Spannung der Sekundärelektronenemissionscharakteristik des Speicherdielektrikums befindet. Das Phosphor-Speicherdielektrikum strahlt ein dem gespeicherten Ladungsbild entsprechendes sichtbares Bild aus und liefert damit eine unmittelbar sichtbare Darstellung der gespeicherten Information.Zusatzlieh kann gewünschtenfalles ein elektrischen Ablesesignal an die"Metallschicht 22 gelegt werden, welches an einen Ableseanschluß 4-0 gelangt, der an der Verbindung der Widerstände 32 und JA liegt, und zwar dadurch, daß man die Schreibstrahlkathode 36, das Ladungsspeicherbild'mit einem Lesestrahl mittlerer Elektronenge schwindigkeit entsprechend einem Fernsehraster abtastet, wobei dieses Ablesesignal dann dem gespeicherten Ladungsbild entspricht. Das sich so ergebende elektrische Ablesesignal kann dann z.B. einem entfernt aufgestellten Fernsehmonitor zugeführt werden:, um die Helligkeit von dessen Schreibelektronenstrahl während der Ausführung einer synchronen Ablenkbewegung gesteuert wird, um so ein Fernsehbild des gespeicherten Ladungsbildes zu erzeugen.

Ein Verfahren zur Herstellung des mit Hesa-artigen Erhebungen versehenen, sowohl mit Leuchtschirm als auch mit Speicherdielektri kum ausgestatteten Bildschirmes nach der Erfindung ist in den

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Fig. 3A - JE dargestellt. Zunächst wird die ebene Halterungsplatte 12 aus Glas auf einer Seite derart geätzt, daß wie in ffig. 3A dargestellt, die tiefergelegenen Stellen 18 und die Mesa-artigen Erhebungen 26 entstehen. Dabei können beliebige "bekannte Ätzverfahren angewendet werden. Z.B. ist dieses Verfahren "brauchbar: Zunächst werden die Platten mit einem entsprechenden Waschmittel gesäubert und in Wasser gespült. Dann werden sie. 60 Minuten lang in eine auf /15Q⁰O "befindliche Lösung aus Natriumdichromat und Schwefelsäure,.verbracht und-anschließend ggf. mehrfach gespült und getrocknet· Dann wird ein lichtempfindlicher Widerstandsbelag auf die ganze Oberfläche der Glasplatte gelegt. .Dann wird dieser Belag dem Licht ausgesetzt und zwar nur diejenigen Stellen, die nicht den nachher entstehenden tieferen Stellen 18 entsprechen. Dazu wird ein Jj'ilmnegativ oder eine andere entsprechende Maske verwendet, auf welcher das gewünschte Muster sich befindet. Nach einer Belichtungszeit von etwa 1 Minute wird der Widerstandsbelag von den nicht entsprechenden Stellen entfernt, d.h. also von denjenigen Stellen, an welchen sich dann die Hohlräume 18 bilden. Zu diesem Zweck wird das Bild entwickelt, indem man die ganze Platte in ein geeignetes Lösungsmittel bringt. Bann wird die mit dem entsprechend gemusterten Überzug versehene Glasplatte 12 in eine Itzlösung aus Wasserstoff-Jj'luorid gelegt. Eine 4-8 $>-ige Losung von Wasserstoff-tfluorid bewirkt eine Ätzung mit einer Tiefe von etwa 0, 025 mm pro Minute und es wird solange geätzt, bis sich Vertiefungen 18 von etwa 0,05 ergeben. Vor dem Atzen werden die später nach aus sen weisenden ' Seiten sowie die Kanten der Glasplatte 12 ebenfalls abgedeckt und zwar z.B., in einer Schicht Asphalt, um ein Ätzen an diesen Oberflächen- zu verhindern. ■ . " ..

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Nach-dem Abschließen des Atzprozesses wird das Abdeckmaterial, d.h. in diesem, .Falle der Belag aus Photowiderstandsmaterial entfernt. Dann wird der leitende Jj¹IIm 28 aus Zinri-Oxyd als Hing um die Aussenkante der geätzten Seite* der Platte durch herkömmliches Aufdampfen hergestellt, wenn ein solcher Film, dazu verwendet wird, den Kontakt "mit der Metallschicht 22 herzustellen. Dann werden die ausgeätzten tiefer liegenden Abschnitte 18-der Glasplatte 12 mit einer Wassersuspension von Phosphor der Ifype P-31 mittels einer Hollenquetsche od. dgl. gefüllt, um so die Leuchtschirmschicht 20 gemäß Fig. 3A zu bilden. Dann wird --.solange die Phosphor schicht 20 noch naßist,., eine Laekschicht 22 aus sen über die Phosphor schicht und ■ die vorstehenden Spitzen "bzw. nicht abgeätzten Mesa-förmigen Abschnitte 26 der Glasplatte gespritzt oder gesprüht, wie Fig. 3B zeigt um eine glatte Oberfläche für die lichtreflektierende Metallschicht 22 zu schaffen, die dann auf dia Lackschicht aufgedampft wird.

Fig. 30zeigt den nächsten Terfahrensschritt, in welchem die Lackschicht 42 und die aufgedampfte Aluminiumschicht 22 oben auf den Flächen der Mesa26 durch Abkratzen oder Polieren entfernt werden. Die verbleibenden Äbsannitte der Lackschicht 22 und der Metallschicht 22 über den Leuchtphosphorabschnitten werden dabei nicht entfernt, da. diese Teile schrumpfen und über den Pegel der Aussenf lachen der Me sa 26 beim Trocknen absinken. .. ";'■ _;_ :

Gemäß Fig. 3D wird dann eine zweite Lacksohicht 44· auf die Aussenf lache, der Metallschicht 22 und die abgef lachten .Spitzen der Mesa ^6 gelegt, um jegliche kleine Hiffe öder, andere Be-*

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gchädigungen in dem Metall, welches die .Mesa 26 umgibt, abzu-

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dienten, die während des Abkratzens erzeugt worden sein könnten, und um sicherzustellen, daß der LeuchtschirmphOsphor 20 vollständig von dem Speicherdielektrikum oder einer anderen Quelle fremden Materials getrennt wird, welche die Fluoreszenzschicht verunreinigen und damit ihre Leuchthelligkeit vermindern könnte. Dann wird eine Schicht 46 aus P-1 Phosphormaterial und photoempfindlicher Lösung einschließlich Dichromat, sensitiviertem Polyvinylalkohol über die zweite Lackschicht 44 gegeben. Eine Wassersuspension aus 10g P-1 Phosphor und 100 ml photoempfindlicher Lösung wird verwendet, wobei die photoempfindliche M-sung im Verhältnis 100g Polyvinylalkohol, 1 000cm und 100 crn^ Äthanol enthält. Die Polyvinylalkohol^sung wird dadurch photoempfindlich gemacht, daß etwa 0,14 g Ammoniumdichromatlösung pro 100 cmr PolyvinylalkohoHösung zugegeben werden.Die so entstehende Lösung ist dann photoempfindlich.

Die Schicht 46 aus Phosphormaterial und photoempfindlichem Material wird dann dem Licht ausgesetzt, welches von einer .Quelle 48 kommt, die auf der gegenüberliegenden Seite der (■riasplatte 12 angeordnet ist, so daß das Licht nur durch die Mesa-Abschnitte 26 gelangt, um die auf diesen Mesa liegenden .!Peile.der Schicht 46 zu belichten. Die iichtreflektierende Metallschicht 22 bewirkt dabei, daß-kein Licht diejenigen Teile der Schicht 46 erreicht, welche auf dem Leuchtschirmphosphor 20 liegen. Nach dem Beliebten von etwa 14 Minuten werden die nicivfc belichteten Teile der photo sensitivieren Schicht 42 durch ifcit Wasser entfern-fc, wonach nur die belichteten und / gewordenen^ i^inkte oberiialb der Grlasmeeas 26 verbleiben*

Wie Fig. 3JS zeigt, wird die mit Überzug versehene Platte 12 dann 40 Minuten bei etwa 410⁰O mit einer Heizung 50 geheizt, um das photo empfindliche Material in den verbleibenden . punktartigen Abschnitten der Schicht 46 zu entfernen, so daß die Phosphorpunkte 24 entstehen, welche das Speieherdielektrikum der Köhre nach den Fig. 1 und 2 bilden. Bei diesem .Erhitzen werden auch die Lack- oder Zwischenschichten 42 und¹44 entfernt.

Zum Schluß wird jegliches Phosphormaterial, welches über dem Zinn-Oxydfilm 28 oder dem Ringspalt zwischen diesem Film und der Kante der Metallschicht 22 liegt, entfernt und dann wird die ringförmige Verbindungsschicht 30 aus Aluminium auf die Glasplatte aufgedampft, um, den Zinn-Oxydfilm 28 elektrisch mit der Metallschicht 22 zu verbinden.

i)a keine photoempfindliche Lösung beim Aufbringen des Leuchtechirmphosphors 20 verwendet wird und dieser Leuchtschirm sowohl durch die Schichten 42 und 44 als auch durch die Aluminiumschicht 22 von dem photoempfindlicheh Material getrennt ist, welches für die Herstellung der Speicherdielektrikumspunkte 24 verwendet wird, kann der Leuchtschirm nicht mit Dichromat ^vergiftet" xverden, was sonst zu einer erheblichen Verminderung der Leuchüelligkeit des LeuchtSchirmes führen könnte. Nach Herstellung dieses sowohl bistabil&peichernden als auch nur leuchtenden Bildschirms wird derselbe mit dem trichterförmigen Abschnitt 14 aus Keramikmaterial durch eine Glasfritte 16 zur Bildung des vollständigen Kolbens verbunden.

Eine weitere Ausführungsform des nach der Erfindung ausgebildeten kombinierten Bildschirmes sowohl zum ausschließlichen Darstellen

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von LadungsMldern als auch zum Darstellen von gespeicherten Ladungstdldern ist in .Fig. 4- dargestellt. Diese Ausführungsform ähnelt der in Fig. 2 erläuterten, so daß zur Bezeichnung entsprechender Einzelheiten auch dieselben Bezugszeichen wie in Fig. 2 verwendet wurden. Es ist dabei zusätzlich ein dünner, leichter und durchsichtiger leitender Belag 52 aus Zinn-Oxyd oder einem anderen geeigneten Material auf der geätzten Oberfläche der Gisplatte 12 unter den Speicherphosphorpunkten 24 und den Teilen 20 des Leuchtschirmes vorgesehen. Ein solcher dünner Oxydbelag kann sich auch durch die Glasfritte-Dichtung 6 hindurcherstrecken und so zur Verbindung mit einer Quelle für Kollektorspannung in der Weise dienen, wie dies bei dem Aueführungsbeispiel nach Fig. 2 für den leitenden Film 28 zutrifft. Die Ausführungsform nach Fig. 4- hat sich als äusserst zweckmässig herausgestellt, wenn ein Schreibstrahl mit mehr als 6 000 Volt verwendet wird, dh.z.B. in einem Kathodenstrahlrohr mit nach der Ablenkung beschleunigtem Schreib strahl. Wenn die Anordnung nach Fig. 2 mit Schreibstrahlen sehr hoher Energie verwendet wird, dann wird die Schreibgeschwindigkeit für das gespeicherte Bild kleiner. Offensichtlich rührt dies daher, daß vom Schreibstrahl auf dem Leuchtschirm 20 erzeugte negative Ladungen durch die bei einem solchen Feld relativ poröse Aluminium-Kollektor-Elektrode 22 dringt. Dieses negative Feld bleibt nach dem Überstreichen des Leuchtschirmes durch den Schreibstrahl kurze Zeit bestehen und die von sehr schnellen Schreibelektronen auf dem Leuchtschirm erzeugte Ladung benötigt längere Zeit, bis sie zur Kollektorelektrode abgeflossen ist. Damit erzeugt das sich ergebende negative Feld eine ungenügende Sammlung derjenigen langsamen Elektronen durch die Kollektorelektrode 22 die vom Speieherdielektrikum 24 während der Be-

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schießung mit Ji¹IUtelektronen ausgelöst werden. Durch das
Abstoßen der Sekundärelektronen von der Kollektorelektrode weg, welches durch das negative .Feld bewirkt wird, verschlechtert die bistabile Speicherung jeglichen Ladungsbildes, welches auf dem Speicherdielektrikum durch den Schreibstrahl erzeugt wurde, und vermindert damit die Schreibgeschwindigkeit bei Speicherbetrieb« Dieses Problem wird bei der Anordnung nach Pig. 4-gelöst, weil die. unter den Speicherdielektrikum-Punkten 24 liegenden Abschnitte des dünnen Oxydüberzuges 52. auch als Kollektorelektrode wirken, welche jedoch nicht vom negativen .Feld des Leuchtschirmes beeinträchtigt v/erden. Die unter den-Leuchtschirmabschnitten 20 befindlichen Abschnitte des Zinn-Oxydüberzuges 52 gestatten ferner einen schnelleren Abfluß der auf dem Leuchtschirm erzeugten negativen Ladung.

Alle_rdargestellten Einzelheiten sind für die Erfindung von Bedeutung.

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Claims

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PATEN TAHSPRUCHE -

(1t Mit Schreibelektronen beschossener leuchtschirm, insbesondere für Kathodenstrahl-Öszillographenröhren, dadurch gekennzeichnet, daß er in regelmässig sich wiederhölendem Muster erste Abschnitte aus bistabil speicherndem Material und zweite Abschnitte aus nur bei Schreibstrahlbeschuß leuchtendem Material aufweist.

2. Leuchtschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß von der - in bekannter Weise aus Glas bestehenden Trägerplatte (12) in regelmässigem Muster Erhebungen (20) vorstehen, und daß die Abschnitte aus dem einen Material (24-) auf diesen Erhebungen und die Abschnitte (20) aus dem anderen Material am. Grund der die Erhebungen umgebenden tieferen Stellen der Glasplatte (12) angeordnet sind.

J. Leuchtschirm nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhebungen die stehen gäiiebenden Teile der zur Bildung der tieferen Stellen im entsprechenden Muster geätzten, vor dem ebenen Oberfläche der Glasplatte sind.

4; Leuchtschirm nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß-am Grund der Ausnehmungen das nichtspeichernde Material (20) mit darüber liegender metallischer Schicht (22) und auf den Erhebungen das andere, d.h. bistabil speichernde Material (24-) und daß die metallische Schicht bis auf die Stellen, an welchen die Erbebungen vorgesehen sind, durchgehend ausgebildet und als Sammelelektrode für die beim bistabilen Speicherbetriet einzufangenden Sekundäre lektronen geschaltet ist.

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ID

5. Leuch.t schirm-nach- Anspruch 4·, dadurch^gekennzeichnet, daß die Oberfläche der die Sammelelektrode bildenden Schicht (.22) mit der Oberfläche der Erhebungen auf welcher die bistabil speichernden Abschnitte.liegen, flßhtet. .

6. Leuchtschirm nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine zwecksässig aus Zinn-Oxyd bestehende durch-sieht ige leitende Schicht (52, Pig» 4),-welche elektrisch mit der als Sanuaelelektrode dienenden, reflektierenden Metallschicht (22) verbunden ist, zwischen den Leuchtstoffen (24-,20) einerseits und der (ilasplatte (12) andererseits liegt*

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