DE2703813C2 - Kathodenstrahlrohr-Speicherschirm mit erhöhter Lebensdauer - Google Patents

Description

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Das als PUPhosphor bezeichnete Material stellt das üblicherweise zur Herstellung von zur optischen Anzeige dienenden bistabilen Speicherschirfnen für Speicherkathodenstrahlröhren verwendete dielektrische Material dar, wie z. B. in den US-Patentschriften 93 473,32 93 474,35 31 675 und der DE-OS 24 20 0Oi offenbart ist. Dieses dielektrische phosphoreszierende Material besitzt die gewünschten dielektrischen Eigenschaften, aufgrund derer eine mittels eines aus Elektronen bestehenden abgelenkten Kathodenstrahls eingeschriebene Information für eine beliebige Zeitdauer gespeichert werden kann, bis ein Auslöschen der gespeicherten Information erwünscht ist. Dieses Pl-Phosnhormaterial läßt sich ebenfalls zur Anzeige der in einem abgelenkten Elektronenstrahl enthaltenen Information in einer nichtspeichernden Betriebsart verwenden. Dieses Phosphormaterial ermöglxht, je nachdem welche Betriebsart erwünsch· ist, einen bistabilen Speicherbetrieb oder einen nichtspeichernden Betrieb. Die Helligkeit des auf der Phosphorschicht erzeugten sichtbaren Bildes und der Bildkontrast sowie die Schreib- und die At-slöschgeschwindigkeit stellen wichtige Eigenschaften des Pl-Phosphormaterials dar.

Obwohl der Pl-Phosphor als bistabiler Speicherschirm für Kathodenstrahlröhren ausgezeichnete Betriebsdaten besitzt, ist die Betriebslebensdauer eines derartigen Schirms nicht so groß wie gewünscht. Die Lebensdauer von Kathodenstrahlrohrschirmen, im folgenden auch als CRT-Schirme bezeichnet, hängt von dem Betrieb durch das Bedienungspersonal und von der Gleichförmigkeit der Schirmbenutzung ab.

Derartige CRT-Schirme sind beispielsweise aus der DEOS 24 20 001 bekannt, die einen Speicherschirm mit einem Träger zeigt, der aus einem elektrisch isolierenden Material besteh·. Auf der einen Oberfläche des Trägers sind Kollektor-Elektrodenanordnungen vorgesehen, längs denen sich eine dielektrische Speicherschicht erstreckt. Zur Verlängerung der Betriebslebensdauer eines derartigen Speicherschirms wird in der DE-OS 24 20 001 vorgeschlagen, das Betriebspotential der Röhre herabzusetzen.

Die Verwendung von Metallen aus der Gruppe der Seltenen Erden bei Leuchtschichten (phosphoreszierenden Schichten) von Kathodenstrahlröhren ist bekannt, so beispielsweise aus dem Buch von B. Kazan und M. Knoll. »Electronic Image Storage«, New York i968. Seiten 94 und 95. zur Aktivierung des Leuchtstoffes.

Die vorliegende Erfindung iteht an·er der Aufgabe, einen Speicherschirm der im Oberbegriff des Hauptanspruches erläuterten Galtung in der Richtung fortzubilden, daß durch ein besonderes Stoffgemisch für die dielektrische Speicherschicht die Betriebslebensdauer des Speicherschirms erhöht wird.

Gemäß der vorliegenden Erfindung enthält die Speicherschicht eine Mischung aus phosphoreszierendem Material nut einem Material mit Seltenen Erden, das die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs I genannte Zusammensetzung aufweist, wodurch eine beträchtliche Vergrößerung der Lebensdauer einer mit dieser Mischung hergestellten Kathodenstrahlspeicherrölire erreicht wird. Da allein die Art der erfindungsgemäßen Mischung ohne weitere bauliche Maßnahmen die Lebensdauer verlängert, wird ah weiterer Vorteil der Erfindung eine nachstehend näher beschriebene einfache Fertigung e:nes Speicherschirms ermöglicht.

Die Erfindung wird im folgenden durch die Beschrei bung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Kathoderistrahl-Speicherröhre;

Fig.2 bis 4 die Herstellung eines Speicherschirms, der in einer Kathodenstrahlröhre verwendet wird;

F i g. 5 eine perspektivische Ansicht, teilweise gebrochen und teilweise im Schnitt, einer vollständigen Speicherschirmstruktur;

F i g. 6 einen vergrößerten Querschnitt eines Teils des

in F i g. 5 dargestellten Speicherschirms;

Fi g. 7a und 7b eine perspektivische Ansicht weiterer Ausführungsformen eines Speicherschirms; und

F i g. 8 eine perspektivische Ansicht einer Kante einer Frontscheibe einer gekrümmten Frontplatte für eine ί Großschirm-Kathodenstrahlröhre.

Die vorliegende Erfindung wird in Verbindung mit dem Schirmaufbau beschrieben, der in der DE-OS 24 20 001 offenbart ist. Es sei jedoch darauf hingewiesen, daß eine Mischung aus PI-Phosphor und dem Oxid oder dem Oxidsulfid von Seltenen Erden oder dem Oxid oder dem Oxidsulfid von mit Seltenen Erden aktivierten Seltenen Erden als Dielektrikum in Verbindung mit allen anderen bistabilen CRT-Speicherschirmen verwendet werden kann, die in der genannten Weise als bistabile Speicherschirme arbeiten, wie das in den genannten Schriften geschildert ist.

Die in Fig. 1 dargestellte Kathodenstrahlröhre 10 enthält eine Umhüllung 12 aus isolierendem Material, in der sich eir-e Elektronenkanone mit einem Heizdraht 14, einer Kathode 16 zum Anschluß an eine stark negative Spannungsquelle, ein Steuergitter 18 und eine Fokussier- und Beschleunigungsstruktur 20 befinden. Der von der Elektronenkanone erzeugte Elektronenstrahl 22 aus Elektronen hoher Geschwindigkeit wird von Horizon-Ia!-Ablenkplatten 24 horizontal und von Vertikal-Ablenkplatten 26 vertikal abgelenkt gemäß einem an den Eingangsanschlüssen 28 anliegenden Eingangssignal, das herkömmliche Ablenkschaltungen 30 erregt, die mit den Horizontal- und Vertikal-Ablenkplatten derart jo verbunden sind, daß der Elektronenstrahl wählbar auf dem Speicherschirm 32 an dem der ElektronenKanone entgegengesetzten Ende der Umhüllung 12 in Abhängigkeit vom Eingangssignal einstellbar ist. Alternativ kann der Elektronenstrahl elektromagnetisch gemäß ü der herkömmlichen Praxis abgelenkt werden.

Die Speicherröhre enthält eine oder mehrere Flutelektronenkanonen 34 mit je einer Kathode 36, einem Steuergitter 38 und einer Anode 40. Die Flutkanonen 34 werden innerhalb der Umhüllung 12 in der Nähe von Ausgangsenden der Vertikal-Ablenkplatten 26 gehaltprt. Die Kathoden 36 werden herkömmlicherweise bei einem kleinen Spannungswert betrieben, der typischerweise dem Massepoiential entspricht, während die Gitter 38 mit einer kleinen negativen 4-> Spannung verbunden sind. Die aus den Flutkanonen 34 emittierten Niedergeschwindigkeitselektronen divergieren in einen konisch geformten Strahl und werden uniform über den Schirm 32 verteilt.

Auf der inneren Oberflache der Umhüllung 12 so befinden sich zwischen den Flutkanonen 34 und dem Schirm 32 mehrere Elektroden. Diese Elektroden bestehen bevorzugt aus beabstandeten Belegungen aus leitfähigem Material wobe die erste Belegung 42 primär als Fykussier Elektrode für die Flutelektronen « dient, die aus den Flutkanonen emittiert werden, die erste Belegung 42 ist mit einer geeigneten Quelle eines positiven «.lektnschen Potentials verbunden. Eine zweite Elektroden-Wandbelegung 44 ist von der Belegung 42 beabstandet und ist ebenfalls elektrisch an ho ein positives Potential angelegt und dient a:s I okussier und KoIlimaiorelekUode. Fm dritter Flektrodenbelag 46 ist vom Elekirodenbelag 44 beabstandet angeordnet und liegt ebenfalls auf einem positiven Potential und dient ebenfalls als Fykussier- und Kollimatorelektrode. Als Ergebnis der Kollimatorwirkung der Elektrodenwandbeläge werden die Elektronen aus den Flutkanonen 34 gleichförmig 'Jber den Oberf'ächenschirm 32 verteilt.

Ein vierter Elektrodenwandbelag48 ist zwischen dem Wandbelag 46 und dem Speicherschirm 32 und von beiden beabstandet angeordnet und mit einer positiven Spannung verbunden. Der Wandbelag 48 dient ebenfalls als Fokussier- und Kollimatorelektrode für die Flutelektronen, er dient außerdem als eine Hilfskollektorelektrode, um einen Teil der vom Speicherschirm 32 emittierten Sekundärelektronen aufzusammeln. Die Elektroden 42, 44, 46 und 48 liegen an absteigenden positiven Potentialen, wobei das größte positive Potential für einen optimalen Betrieb mit der Elektrode 42 verbunden ist.

Der Speicherschirm 32 enthält eine isolierende Endplatte 50 mit einer transparenten Schirm- oder Kollektorelektrode 52, auf der eine Reihe leitfähiger Punkte oder Flecken in Form eines Punktemusters und eine dielektrische Schicht 56 an^fordnet sind. Die isolierende Endplatte 50 stellt einen Träger dar und besteht aus transparentem Material, z. B. aus Glas. Die Schirmelektrode 52 besteht aus einem dünnen transparenten Belag, der bevorzugt Zinnoxid enthält, und ist geeignet mit dem Mittenpunkt eines Spannungsteilers verbunden, der die Widerstände 58 und 6J enthält, die zwischen einem positiven Potential und Masse liegen. Der Widerstand 58 ist veränderbar und ist so eingestellt, daß eine geeignete Betriebsspannung an der Schirmelektrode 52 :,egt Alternativ läßt sich die Schirmelektrode 52 mit einer Verstärkereinrichtung verbinden, um eine elektrische Auslesung von auf dem Speicherschirm gespeicherter Information zu ermöglichen.

Die Punkte 54 bestehen aus leitenden Partikeln, bevorzugt aus Kobalt, und besitzen bevorzugt im wesentlichen eine konische Form, wobei ihre Basis mit der Elektrode 52 verbunden ist und die Spitzen aus der äußeren Oberfläche der dielektrischen Schicht herausragen. Die Punkte 54 stellen Kollektorelektroden dar; diese Punkte und die Elektrode 52 bilden eine Kollektorelektrodenanordnung, die im folgenden ausführlicher beschrieben wird, wobei die Punkte auch eine andere als eine konische Form, z. B. eine Pyramidenform, eine Dreieckform etc., besitzen können. Die dielektrische Schicht 56 besteht aus einer Mischung aus mindestens zwei Komponenten, von denen mindestens eine aus phosphoreszierendem Material, bevorzugt PI -Phosphor besteht, und von denen die andere °ine der folgenden Substanzen enthält: Y₂Oj: Y₂O₁: X; YjO₂S oder Y₂O₂S : X; hierin bedeutet X ein Element aus der Gruppe der Seltenen Erden, ζ. Β. Terbium, Europium. Neodym, Lanthan etc. Der PI-Phosphor ist in F 1 g. 6 als rundes Te^;l 56' dargestellt und das Yttriumoxid. Yttriumoxidsulfid oder das mit Seltenen Erden aktivierte Yttriumoxid oder Yttriumoxidsulfid sind als quadratische Teilt 56" dargestellt. Der bevorzugte Gewichtsanteil von Pl Phosphor zu demjenigen des Yttriumoxids beträgt et.va 75-90% /u etwa 25—10%. Der Bereich des Gewichtsanteils des Materials mit Seltenen Erden kann etwa 10% des (Jewichtsanteils des Pl-Phosphors betragen. Der Bereich des Gewichtsanteils des Oxidsulfids von Seltenen Erden oder des mit Seltenen Erden aktivierten Oxidsuifids von Seltenen Erden kann etwa 10 bis 90% des Cjewichtsanteils von PI-Phosphor betragen.

Auf den Speicherschirm 32 wird mittels eines Elektronenstrahls 22 eine Information geschrieben, die in Form eines an die Vertikal-Ablenkplatten 26 gegebenen Kurvenver'nufs vorliegen kann, während der Strahl von den Horizontal-Ablenkplatten 24 horizontal

getastet wird. Zusätzlich zur elektrischen Auslesung wird die auf dem Speicherschirm eingeschriebene Information sichtbar durch den transparenten Träger 50 angezeigt. Während des Betriebs werden die Röhrenpotcntiale so eingestellt, daß der Strahl 22 eine relativ hohe Geschwindigkeit /um Schreiben besitzt und Sekundärelektronen erzeugen kann, wenn er das Speicherdielektrikum 56 trifft. Die vom Strahl 22 überstrichene Fläche wird vom Massepotential auf das Potential der Kollektoreleklroden 54 und der Schirmelektroden 52 angehoben, wodurch der dielektrische Schirm zum Phosphoreszieren gebracht wird. Die Sekundärelektronen werden dünn von den Kollektorelektroden 54 aufgesammelt, und die vom Strahl 22 überstrichenen Flächen des Speichermediums werden positiv aufgela den, so daß die Flutelektronen von den Flutkanonen 34 auf diese positiv aufgeladenen Flächen gezogen werden; die Flutelektronen emittieren Sekundärelektronen etwa in einem Verhältnis von 1. wobei die Sekundärelektronen über die den positiv aufgeladenen (beschriebe nen) Flachen des Speicherdielektrikums 56 benachbart angeordneten Kollektorelektroden 54 aufgesammelt werden, wodurch die Information visuell beobachtet werden und zu Studienzwecken oc'er zum Abfotografieren beliebig lange verbleiben kann. Der Schirm läßt sich in herkömmlicher Weise dadurch löschen, daß die Schirmelektrode mit einem Impuls ausgesteuert wird, um das Speicherdielektrikum auf das Potential der Kollektorelektroden anzuheben und dann auf Massepotential derart abzusenken, daß die Flutelektronen das Potential halten, bis der Strahl 22 erneut Information einschreibt. Zur weitergehenden Information bezüglich der Betriebsweise der bistabilen Speicherschirme dieser oder einer ähnlichen Ausführungsform wird auf die zuvorgenannten US-Patentschriften 32 93 47}. 32 93 474 und 35 31 675 Bezug genommen.

Zur Beschreibung der Herstellung des Speicherschirms 32 wird auf die Fig. 2 bis 6 verwiesen. Wie in Fig. 2 gezeigt ist. besitzt ein transparentes Teil 62 eine Fotomaske 64, in der sich ein Lochmuster befindet. Das transparente Trägerteil 50 mit der transparenten leitenden Schicht 52 wird auf der Fotomaske 64 angeordnet. Ein Rahmen 66 wird um die Peripherie des Trägers 50 angebracht, anschließend wird eine fotopolymerisierbare Lösung 68 aus Polyvinylalkohol. Wasser, Ammoniumdichromat Kobaltpulver (2—5 Mikrometer) und Isopropylalkohol auf die leitende Schicht 52 gegossen.

Neben Kobalt lassen sich beliebige feine leitende Partikel oder leitfähig gemachte Partikel verwenden, für einen besseren Hintergrundkontrast eignen sich jedoch bevorzugt Partikel, die dunkler sind und reduzierte Reflexionseigenschaften besitzen. Kobalt ist schwarz und besitzt optimale Betriebsdaten. Die Partikel können ebenfalls aus demselben Material wie die leitende Schicht bestehen.

Eine kollimierte Lichtquelle 70 wird verwendet, um Lichtstrahlen 72 durch das transparente Teil 62, die Löcher der Fotomaske 64, den Träger 50 und die leitende Schicht 52 in die Lösung 68 zu senden, so daß dann das Licht die Lösung 68 aktiviert und dabei den Polyvinylalkohol in diesen Flächen polymerisiert

Der Rahmen 66 wird dann entfernt und die Schirmstruktur mit Wasser ausgewaschen, wodurch die nichtaktivierte Lösung entfernt wird und ein Muster aus Kobaltpunkten zurückbleibt

Em Schrumpfmittel wird auf die Schirmstruktur aufgebracht z. B. Azeton, wäßriges Ammoniumsulfat, Alkohole oder andere wasserbindende Mittel. Dieses Schrumpfmittel läßt die Kobaltpartikel durch eine schnelle Extraktion von HjO in eine dichtere Masse schrumpfen, wobei Kobaltpunkte 54 auf der leitenden > Schicht 52 in einem genau umrissenen Punktemuster erzeugt werden, wie in Fig.3 und 5 dargestellt ist. Anschließend wird die Schirmanordnung dann getrocknet.

Darauf wird eine photopolymerisierbare Lösung 74 in aus Polyvinylalkohol, Wasser, Dimethylsulfoxid, Ammoniumdichromat und einer Mischung aus 75% Gewichtsprozent Pl-Phosphor mit 25 Gewichtsprozent aus einem Material der Gruppe YjOi; YjOi : X; YjO,S: Y>O>S : X. wobei X ein Element aus der Gruppe der r> Seltenen Erden darstellt, auf die leitende Schicht 52 und die Punkte 54 gebracht, vgl. F i g. 4.

Anschließend sendet die kollimierte Lichtquelle 70 Lichtstrahlen 72 durch den Träger 50. die leitende Schicht 52 in die Lösung 74. und die Lichtstrahlen nktiviprpn iIip I osiinp 74 in dnnipniupn Rprpu-hpn_t m denen keine Punkte sil/en. wobei der Polyvinylalkohol in diesen Bereichen polymerisiert.

Wie sich erkennen läßt, ist für diesen Herstellungsschritt keine Fotomaske erforderlich, da die leitenden .''■ Punkte eine derartige integrale Fotomaske darstellen, daß in dem Bereich jedes leitenden Punkts eine Polymerisation von Polyvinylalkohol nicht stattfindet.

Die S'.ruktur wird dann mit Wasser gewaschen, das die nichtrSuivierte Lösung entfernt und eine Schicht aus )0 lichtaktivierter Lösung zurück läßt, die eine dielektrische Schicht darstellt. Die Schirmstruktur kann in das zum Schrumpfen der leitenden Partikel der Punkte verwendete Schrumpfmittel gelegt werden, wobei durch einen Schrumpfungsvorgang die dielektrische Schicht in js eine dichtere Form schrumpft, so daß die dielektrische Umgebung um jeden einzelnen Punkt von dem Punkt wegschrumpft und dabei eine große Fläche der einzelnen Punkte frei gibt. Obwohl das fotopolymerisierbare Material zur Ausbildung des Musters aus leitenden Kollektorsegmenten und dielektrischer Schicht in Form einer Lösung verwendet wurde, läßt es sich ebenfalls in Form einer trockenen fotopolymerisierbaren Filmschicht verwenden. Den F i g. 5 und 6 läßt sich entnehmen, daß die Fläche der dielektrischen Speicherschicht 56 die einzelnen Punkte 54 mit nach oben geneigter, von den Punkten weg gerichteter Steigung umgibt und eine ringförmige Oberfläche um die Punkte herum definiert, die sich am besten als schräg zulaufende öffnung beschreiben läßt, wodurch eine so erhöhte Kollektorfläche durch die einzelnen Kollektorpunkte 54 erzeugt wird, die die Sekundärelektronen wirkungsvoller aufsammelt Die Punkte 54 erstreiken sich ebenfalls über die obere Oberfläche der dielektrischen Speicherschicht 56 mit etwa einem Viertel der Höhe der Punkte.

Nachdem die Speicherschirmstruktur schrumpfte, wird sie in einem Ofen mit geeigneter Temperatur erhitzt, um die organischen Bindemittel zu entfernen und die dielektrische Speicherschicht zurückzulassen, die irn wesentlichen phosphoreszierendes Material enthält Der Speicherschirm ist damit fertig und wird mit herkömmlicher »Frit«-Verbindungstechnik in die Endlage in der Umhüllung 12 gebracht wobei der Träger die Frontplatte definiert

Fig.7a zeigt eine bevorzugte Ausführungsform des Speicherschirms, dessen Kollektorsegmente 54a aus speziellem leitendem Material aus fortlaufenden und im allgemeinen keilförmigen Anlagerungen bestehen, de-

ren Basisflächen mil der leitenden Schicht 52a verbunden sind, und deren Spitzen über die äußere Oberfläche der dielektrischen Schicht 56a hinausragen. Bei der in Fig. 7a dargestellien Schirmstruktur bestimmen also abwechselnde Reihen aus dielektrischer Sehicht und leitenden Kollcktorscgmcntcn den Aufbau. Einzelne Kollektorsegmente 546 können, wie in F i g. 7b dargestellt ist, auch unterbrochen sein, wobei in denjenigvH Bereichen, in denen die Kollektorsegmente nicht kontinuierlich verlaufen, die dielektrische Schicht 566 kontinuierlich ausgebildet ist.

Die den Kollektorsegmenten 54a und 546 benachbarten Bereiche der dielektrischen Schicht 56a und 56b besitzen schräge Wände, um eine größere Kollektorfläche auf die Weise zu erzielen, wie das in Verbindung mit den Kollektor-Punktmustern nach den Fig.2 bis 6 beschrieben ist.

Die Schirmanordnungen in den Fig.7a und 7b werden auf die anhand der Fig. 2 bis 6 dargestellten wpjcp hergestellt. Die Ko!!ektorse^uri*ente hu^c leitenden Partikeln können dabei jede beliebige Form besitzen, um die gewünschten Ergebnisse zu erzielen.

Die geschilderten Ausführungsformen der Erfindung betreffen einen planaren Träger, auf dem sich eine dünne Schicht eines leitenden Belags befindet, auf dem Kollektorpunkte oder Kollektorsegmente aus leitenden Partikeln mit einer leitenden Schicht verbunden sind, wobei eine Schicht aus dielektrischem Speichermaterial die leitende Schicht mit einer dielektrischen Schicht in der Nachbarschaft der Punkte oder Segmente mit abgeschrägten Wandflächen bedeckt, wobei die Spitzen der Pun' *.e oder Segmente über die äußere Oberfläche oder die Decke der dielektrischen Schicht hinausragen und dabei einen Spcicnerschirm einer ebenen Bauweise definieren.

Die ifi F i g. 8 gezeigte Ausfiihrungsform besitzt eine Frontscheibe 78 aus Glas mit gekrümmten inneren und äußeren Oberflächen, wobei die innere Oberfläche einen leitenden Belag 52c, leitende Kollektorpunkte 54c und eine dielektrische Schicht 56c enthält und auf die zuvor geschilderte Weise hergestellt wird. Die Frontscheibe 78 enthält einstückig eine Wand 80 zur Befestigung in einer Umhüllung einer größeren Kathodenstrahlröhre. Die Ausführungsform nach Fig.8 ist also auf einen gekrümmten Speicherschirm gerichtet, der in Verbindung mit Speicherkathodenstrahlröhren Verwendung findet, die ein großes Lichtfeld besitzen.

Die Ausführung des erfindungsgemäßen dielektrischen Schirms kann auch die in der US-PS 32 93 473 offenbarte Form annehmen, wobei die Mischung aus

in Pl-Phrmnhnr nnrj rlern Oxid oder dem Oxidsiiifid von Seltenen Erden oder mit Seltenen Erden aktiviertem Oxid oder Oxidsulfid von Seltenen Erden als dielektrisches Material auf einem leitenden Belag auf einem isolierenden Träger angeordnet und als dünnes und poröses Dielektrikum ausgebildet ist, damit die Sekundärelektronen, die aus einem beschriebenen Bereich des Schirms durch die Wirkung der Flutkanonen-Elektroden emittiert werden, durch die poröse dielektrische Schicht wandern, so daß diese Sekundär-

j(i elektronen von der die Kollektorelektrode definierenden leitenden Schicht eingesammelt werden.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Speicherschirm zur Speicherung eines elektronisch erzeugten Bildes mit einem Träger aus einem elektrisch isolierenden Material, auf dessen einer ί Oberfläche Kollektor-Elektrodenanordnungen vorgesehen sind, längs denen sich eine dielektrische Speicherschicht erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (56) eine Mischung aus phosphoreszierendem Material und einem Material mit Seltenen Erden enthält, das aus der Gruppe aus Oxiden von Seltenen Erden, Oxidsulfiden von Seltenen Erden und mit Seltenen Erden aktivierten Oxiden oder Oxidsulfiden von Seltenen Erden besteht ii

2. Speicherschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxid von Seltenen Erden aus Yttriumoxid besteht.

3. Speicherschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxidsulfid von Seltenen Erden aus Y'triumoxidsulfid besteht.

4. Speicherschirm nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das phosphoreszierende Material etwa 75 bis 90 Gewichtsprozent und das Yttriumoxid etwa 25 bis 10 Gewichtsprozent be- 2Ί trägt.

5. Speicherschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das phosphoreszierende Material etwa 90 Gewichtsprozent und das gewählte Seltene Erdenmaterial etwa 10 Gewichtsprozent jo beträgt.

6. Speiche, schirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß da-, phosr. "-.oreszierende Material etwa 10 bis 90 Gewichtsprozent und das Oxidsulfid von Seltenen Erden or.' r das mit Seltenen η Erden aktivierte Oxidsulfid von Seltenen Erden etwa 90 bis 10 Gewichtsprozent beträgt.

7. Speicherschirm nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, gekennzeichnet durch die Anwendung bei einer Kathodenslrahl-Speicherröhre. die innerhalb einer evakuierten Umhüllung (12) Schreibvorrichtungen zur Bombardierung des Speicherschirms mit einem Schreibstrahl (22) aus Hochge schwindigkeitselektronen und zur Ablenkung des Schreibstrahls über den Speicherschirm (50—56) aulweist, um ein elektronisches Bild gemäß einer Eingangsinformation auf der dielektrischen Speicherschicht zu erzeugen, das der Eingangsinformation entspricht, wobei innerhalb der Umhüllung (12) Halteeinrichtungen zur im wesentlichen gleich >o förmigen Bombardierung des Speicherschirm (50—56) mit Niedergeschwindigkeitselektronen vor gesehen sind, um das elektronisch erzeugte Bild fur eine unbegrenzte und steuerbare Zeit auf der dielektrischen Speicherschicht (56) bistabil zu speichern.