DE2633619C2 - Speicherplatte für eine Kathodenstrahlröhre und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Description

Speicherschicht herausragenden Vorsprünge ist bei den einzelnen Vorsprüngen weitgehend identisch, so daß die Kollektorwirkung viel gleichmäßiger als beim Stand der Technik wird.

Ein Verfahren zur Herstellung einer Speicherplatte nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, siehe die US-PS 35 31 675, besteht darin, eine Trägerglasplatte zunächst mit Nickel und dann mit Gold durch Aufdampfen zu beschichten und auf diese Metallschichten photopolymerisierbares Material aufzubringen, das dann an- schließend eiit einem Muster aus Punkten belichtet und entwickelt wird. Die um die Punkte herumliegenden Bereiche des photopolymerisierbaren Materials werden gelöst und beseitigt und die Platte dann gebacken. Anschließend werden die dadurch wieder frei liegenden Schichten aus Nickel und Gold um die Punkte herum weggeätzt Anschließend wird mit einem Ätzmittel auch das Glas um die Punkte herum weggeätzt, so daß sich schließlich die bereits eingangs erwähnten Vorsprünge bilden. Anschließend wird die Glasplatte gereinigt und mit einer dünnen, transparenten leitenden Schicht aus Zinnoxid oder dergleichen versehen und dann das dielektrische Leuchtstoff material, z. B. ein P-I-Leuchtstoff in die geätzte Platte eingegossen, um so eine im wesentlichen halbleitende Leuchtstoffschicht zu erzeugen, die nur von den Vorsprüngen unterbrochen wird. Schließlich wird die Platte gebacken und damit das Herstellungsverfahren abgeschlossen.

Es ist erkennbar, daß diese Verfahrensweise recht umständlich und zeitaufwendig ist und außerdem, wie bereits ausgeführt, zu einer Speicherplatte mit ungleichförmigem Aufbau führt

Besser ist da schon das Verfahren gemäß der DE-OS 24 20 001, bei dem zunächst eine Lage aus photopolymerisierbarem Material, in welchem eine Dispersion leitender Teilchen aus Kobalt enthalten ist, auf eine von einem elektrischen Stützkörper getragene leitende Schicht aufgebracht wird. Anschließend wird durch eine Photomaske hindurch das polymerisierbare Material belichtet und polymerisiert Das polymerisierte Material wird dann ausgewaschen, so daß aus leitenden Kobaltteilchen bestehende Vorsprünge auf der leitenden Schicht der Stützplatte zurückbleiben.

Diese soweit fertiggestellte Stützplatte wird dann mit einem Schrumpfmittel wie Azeton, wäßrigem Ammoniumsulfat, Alkohol oder anderen hydrophilen Stoffen behandelt, wodurch es zu einer Schrumpfung der Kobaltvorsprünge kommt. Dann wird eine weitere photopolymerisierbare Schicht, die Leuchtstoff enthält auf die leitende Schicht mit den Kobaltvorsprüngen so aufgebracht und von hinten belichtet wodurch die photopolymerisierbare Schicht in den nicht von den metallischen Vorsprüngen geschützten Bereichen polymerisiert wird. Eine Photomaske ist hier also nicht erforderlich, weil die Vorsprünge die Photomaske selbst bilden. Anschließend wird mit Wasser ausgewaschen, wobei die um die Vorsprünge herumliegenden, nicht aktivierten Bereiche entfernt werden, so daß die einzelnen Vorsprünge aus Kobaltteilchen freigelegt werden. Anschließend wird der Aufbau erneut einem Schrumpfmittel ausgesetzt, wodurch die verbliebene, mit Leuchtstoffteilchen versehene Schicht zusammenschrumpft und eine noch größere Fläche der Vorsprünge freilegt.

Einzelne Merkmale des erfindungsgemäßen Verfahrens sind daher bereits an sich bekannt. Nachteilig bei der bekannten Verfahrensweise ist jedoch, daß zur Bildung der Vorsprünge leitende Teilchen (Kobaltkü gelchen) verwendet werden, deren Haftung auf der leitenden Beschichtung der Speicherplatte weniger gut ist als die Haftung der erfindungsgemäß verwendeten, mittels Glasfritte verbundenen Glaskügelchen. Außerdem ist das zur Herstellung der leitenden Teilchen verwendete Kobaltmetall recht teuer.

Es sei noch erwähnt daß dadurch, daß Glaskügelchen zum Aufbau der Vorsprünge benutzt werden, und nicht nur einfach Glasfritte, sich viel höheie Vorsprünge ergeben. Wird nämlich für die Herstellung der Vorsprünge lediglich Frittenmaterial benutzt breitet sich dieses beim Versintern aufgrund der Oberflächenspannung so stark aus, daß keine ausreichend hohen Vorsprünge mehr entstehen. Erst dadurch, daß mittels Glasfritte am Stützkörper befestigte, einen Durchmesser von 10—20 Mikrometer aufweisende Glaskügelchen zur Bildung der Vorsprünge benutzt werden, ergibt sich die oben geschilderte Lösung der Aufgabe.

In den Unteransprüchen 2—5 werden vorteilhafte Ausgestaltungen der Speicherplatte beansprucht, während die Unteraircprüche 6 und 7 ein besonders günstiges Verfahren zur Herstellung der Speicherplatte zum Inhalt haben.

So ist insbesondere die Speicherplatte gemäß Anspruch 2 deshalb von Vorteil, weil sie wegen der vergrößerten Fläche der einzelnen Vorsprünge einen noch besseren Kollektorwirkungsgrad aufweist Dieser höhere Kollektorwirkungsgrad ermöglicht wiederum, den Elektronenstrahl mit größerer Geschwindigkeit über die Speicherplatte zu führen, ohne daß die Helligkeit absinkt oder umgekehrt bei gleichbleibender Geschwindigkeit die Helligkeit zu erhöhen. Zudem besitzt die erfindungsgemäße Speicherplatte eine höhere Lebensdauer, weil sie mit niedrigeren Spannungspotentialen arbeiten kann.

Die erfindungsgemäße Speicherplatte läßt sich auch deshalb besonders wirtschaftlich herstellen, weil sie einschließlich der Vorsprünge mit der darauf befindlichen leitenden Beschichtung zur Herstellung einer neuen Speicherplatte wieder benutzt werden kann, indem einfach eine neue dielektrische Speicherschicht gemäß den Merkmalen der Verfahrensansprüche aufgebracht wird.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert, die in den Zeichnungen dargestellt sind. Es zeigt

F i g. 1 eine schematische Darstellung einer Kathodenstrahlröhre mit einer Speicherplatte;

F i g. 2, 3, 4 u. 5 Schnittansichten zur Erläuterung des Herstellungsverfahrens für eine Speicherplatte;

F i g. 6 in teilweise weggebrochener perspektivischer Darstellung die fertige Speicherplatte;

F i g. 7 eine vergrößerte Detailansicht der in F i g. 6 dargestellten Speicherplatte;

F i g. 8a u. 8b in teilweise weggebrochenen perspektivischen Ansichten weitere Ausführungsformen einer Speicherplatte.

In F i g. 1 ist eine Kathodenstrahlröhre 10 dargestellt, die einen Kolben 12 umfaßt. Der Kolben 12 besteht aus isolierendem Material und enthält eine Elektronenstrahlerzeugungseinrichtung mit einem Glühfaden 14, einer Kathode 16, die mit einer negativen Hochspannungsquelle verbunden werden kann, einem Steuergitter 1? und einer Fokussier- und Beschleunigungsstruktur 20. Der von der Elektronenstrahlerzeugungseinrichtung ausgehende Elektronenstrahl 22 aus Elektronen hoher Geschwindigkeit wird mittels Ablenkplatten 24 in horizontaler und mittels Ablenkplatten 26 in vertikaler

5 6

Richtung gemäß Eingangs- und Ablenksignalen ausge- trode 52 stellt eine dünne transparente Beschichtung aus lenkt, die in herkömmlichen Schaltkreisen 30 aufgrund beispielsweise Zinnoxid dar, die in geeigneter Weise mit eines einem Eingangsanschluß 28 zugeführten Signals dem Abgriffpunkt eines Spannungsteilers verbunden ist, erzeugt werden. Durch die Ablenkung wird der der die Widerstände 58 und 60 umfaßt, die zwischen Elektronenstrahl längs einer am Ende des Kolbens 12 5 Massepotential und einem positiven Potential angegegenüberliegend zur Elektronenstrahlerzeugungsein- schlossen sind. Der Widerstand 58 ist veränderlich und richtung angeordneten Speicherplatte 32 gemäß dem wird so eingestellt, daß der Leuchtschirmelektrode 52 Eingangssignal geführt. ein geeignetes Betriebspotential zugeführt wird. Alterin der Kathodenstrahlspeicherröhre sind in her- nativ kann die Leuchtschirmelektrode 52 auch mit kömmlicher Weise eine oder mehrere Flutelektronener- io Verstärkungseinrichtungen verbunden sein, um das Zeugungseinrichtungen 34 vorgesehen, die aus einer Auslesen von auf der Speicherplatte gespeicherter Kathode 36, einem Steuergitter 38 und einer Anode 40 Information zu ermöglichen.

bestehen. Die Kathoden 36 werden in herkömmlicher Die Vorsprünge 54 aus Glaskügelchen mit einem

Weise auf niedrigem Spannungspotential gehalten, das Durchmesser von 10—20 Mikrometern sind miteinan-

typischerweise Massepotential ist, während das Gitter is der und auf dem Stützkörper 50 mittels einer glasartigen

38 mit einem niedrigeren, negativen Spannungspoten- Fritte befestigt und besitzen vorzugsweise eine konische

tial verbunden ist. Die von den Flutelektronenerzeu- Konfiguration. Sie sind mit ihren Konusgrundflächen

gungseinrichtungen 34 abgegebenen Elektronen diver- auf dem Stützkörper 50 befestigt, während die

gieren zu einem konisch geformten Elektronenstrahl Konusspitzen sich durch die äußere Oberfläche der

und verteilen sich gleichförmig über die Speicherplatte 20 dielektrischen Speicherschicht 56 hindurch nach außen

32. erstrecken. Die Oberfläche des Stützkörpers 50, der die

An der Innenseite des Kolbens 12 sind zwischen den Vorsprünge 54 trägt, sowie auch die Vorsprünge selbst

Flutelektronenerzeugungseinrichtungen 34 und der sind mit der leitenden Beschichtung 52 bedeckt, wobei

Speicherplatte 32 mehrere Elektroden angeordnet, die die leitend beschichteten, aus Glaskügelchen bestehen-

vorzugsweise als im Abstand angeordnete Beschichtun- 25 den Vorsprünge 54 Kollektorelektroden bilden, wie im

gen aus leitendem Material gebildet sind, wobei die folgenden noch näher erläutert wird. Die Vorsprünge 54

erste Beschichtung 42 im wesentlichen als Fokussierelek- können auch eine Konfiguration besitzen, die nicht

trode für die von den Flutelektronenerzeugungseinrich- konisch ist, beispielsweise wäre eine pyramidenförmige,

tungen abgegebenen Flutelektronen dient, wenn sie mit eine dreieckige oder auch eine andere Form denkbar,

einer geeigneten Quelle für positives elektrisches 30 Die dielektrische Speicherschicht 56 läßt sich zum

Potential verbunden ist, während eine zweite Elektro- Leuchten anregen und besteht vorzugsweise aus einem

denbeschichtung 44, die im Abstand zu der Beschichtung P-1-Leuchtstoff.

42 angeordnet und ebenfalls mit einem positiven Informationen werden auf der Speicherplatte 32 Potential elektrisch verbunden ist, als Fokussier- und mittels des Elektronenstrahls 22 aufgeschrieben, wobei Kollimatorelektrode arbeitet. 35 die Informationen z. B. den vertikalen Ablenkplatten 26 Eine dritte Beschichtungselektrode 46, die sich im zugeführte Signale sind, während der Elektronenstrahl Abstand zu der Beschichtung 44 befindet und ebenfalls in horizontaler Richtung mittels der horizontalen mit einem positiven Potential verbunden ist, arbeitet Ablenkplatten 24 ausgelenkt wird. Neben dem elektrigleichfalls als Fokussier- und Kollimatorelektrode. sehen Auslesen wird die auf der Speicherplatte Infolge der von diesen Elektroden ausgeübten Kollima- 40 aufgeschriebene Information auch durch den transpatorwirkung werden die Elektronen von den Flutelektro- renten Stützkörper 50 hindurch sichtbar,
nenerzeugungseinrichtungen 34 über der inneren Während des Betriebs werden die Potentiale so Oberfläche der Speicherplatte 32 gleichförmig verteilt. eingestellt, daß die Elektronen des Elektronenstrahls 22 Eine vierte Elektrodenbeschichtung 48 ist zwischen eine verhältnismäßig hohe Geschwindigkeit für den der Elektrode 46 und der Speicherplatte 32 jeweils im 45 Schreibvorgang besitzen und in der Lage sind, Abstand angeordnet und mit einem positiven Potential Sekundärelektronen zu erzeugen, wenn sie auf das verbunden. Auch die Beschichtung 48 arbeitet als Speicherdielektrikum 56 auftreffen. Die von dem fokussierende und kollimierende Elektrode für die Elektronenstrahl 22 getroffene Fläche wird vom Flutelektronen, außerdem aber als Hilfskollektorelek- Massepotential auf das Potential der Leuchtschirmelektrode, um die von der Speicherplatte 32 abgegebenen 50 trode 52 angehoben, wobei der Leuchtstoff im Sekundärelektronen sowie auch die Elektronen, die Speicherdielektrikum 56 an dieser Stelle zum Leuchten nicht von der Speicherplatte und deren Kollektorelek- angeregt wird. Die Sekundärelektronen werden dann troden aufgefangen werden, aufzufangen. von den als Kollektorelektroden wirkenden mit der Die Elektroden 42, 44, 46 und 48 sind jeweils mit leitenden Beschichtung 52 versehenen Vorsprüngen 54 abfallend positivem Potential verbunden, wobei das 55 gesammelt und die vom Elektronenstrahl 22 getroffenen höchste positive Potential an der Elektrode 42 anliegt, Gebiete des Speicherdielektrikums 56 positiv aufgelaum optimale Betriebsergebnisse zu erhalten. den, so daß die Flutelektronen von den Flutelektro-Die Speicherplatte 32 umfaßt einen dielektrischen, nenerzeugungseinrichtungen 34 zu diesen positiv plattenförmigen Stützkörper 50 mit einer glatten geladenen Flächen hingezogen werden. Sie emittieren Oberfläche, auf der eine Serie von Vorsprüngen 54 aus eo Sekundärelektronen in einem Verhältnis von 1:1 von Glaskügelchen mit einem Durchmesser von 10—20 Mi- diesen Flächen, wobei die Sekundärelektronen über die krometern fest in Form eines bestimmten Musters als Kollektorelektroden wirkenden mit der leitenden aufgebracht sind Des weiteren ist eine Beschichtung 52 Beschichtung 52 versehenen Vorsprüngen 54 gesamaus transparentem leitendem Material vorgesehen, die melt werden, was bewirkt, daß die Information sichtbar eine Leuchtschirmelektrode bildet, sowie eine dielektri- 65 wird und unbegrenzt erhalten bleibt so daß sie zur sehe Speicherschicht 56. Die den Stützkörper 50 genaueren Untersuchung auch photografiert werden bildende isolierende Platte besteht aus transparentem kann. Der Leuchtschirm kann in herkömmlicher Weise Material, beispielsweise Glas. Die Leuchtschirmelek- dadurch gelöscht werden, daß an die Leuchtschirmelek-

trode ein Impuls gelegt wird, der das Speicherdielektrikum 56 auf das Potential der Kollektorelektroden anhebt und dann auf Massepotential absenkt, so daß die Flutelektronen den Leuchtschirm auf diesem Potential halten, bis der Elektronenstrahl 22 wiederum Informationen aufschreibt. In diesem Zusammenhang sei auf die US-Patentschrift 35 31 675 verwiesen, die den Betrieb einer solchen bistabilen Kathodenstrahlspeicherröhre beschreibt

Um die Herstellung der Speicherplatte 32 näher zu erläutern, sei auf die F i g. 2—7 verwiesen. In F i g. 2 ist ein transparentes Glied 62 dargestellt, das eine Photomaske 64 mit einem Lochmuster aufweist. Der transparente Stützkörper 50 ist auf der Photomaske 64 angeordnet Um den Umfang des Stützkörpers 50 wird ein Rahmen 66 angeordnet und eine photopolymerisierbare Aufschlämmung 68 aus Polyvinylalkohol, Wasser, Ammoniumdichromat sowie einer 50 :50 Mischung von einer Fritte und Glaskügelchen mit Durchmessern von 10—20 Mikrometern, sowie Isopropylalkohol auf die leitende Beschichtung 52 ausgegossen.

Zwar ist eine Mischung von Glasfritte und Glaskügelchen im Verhältnis von 50:50 vorzuziehen, jedoch sollte das Verhältnis von Glasfritte zu Glaskügelchen so sein, daß ausreichend Fritte vorhanden ist, um das Anhaften der Glaskügelchen aneinander und auf dem Stützkörper 50 sicherzustellen. Die glasartige Fritte besitzt im wesentlichen den gleichen Ausdehnungskoeffizienten wie die den Stützkörper 50 bildende Glasfrontplatte der Kathodenstrahlröhre.

Es wird eine kollimierte Lichtquelle 70 verwendet, um Lichtstrahlen 72 durch das transparente Glied 62, die Löcher in der Photomaske 64 und den Stützkörper 50 in die Aufschlämmung 68 zu richten, so daß das Licht die photopolymerisierbare Aufschlämmung 68 aktiviert und dadurch den Polyvinylalkohol in diesen Gebieten polymerisiert und eine Mischung von Glaskügelchen und glasartiger Fritte an dieser Stelle fixiert.

Der Rahmen 66 wird entfernt und die Leuchtschirmstruktur mit Wasser gewaschen, wodurch die nicht «o polymerisierte Aufschlämmung entfernt und ein Muster von Vorsprüngen 54, bestehend aus einer Mischung von Glaskügelchen und glasartiger Fritte, zurückgelassen wird.

Ein Schrumpfungsmittel wird auf die Leuchtschirmstruktur aufgebracht, wie beispielsweise Azeton, wäßriges Ammoniumsulfat, Alkohol oder andere hydrophile Stoffe, wodurch die Glaskügelchen und glasartige Fritteteilchen enthaltende Masse zu einer dichteren Masse durch schnelles Herausziehen des H2O schrumpft, wodurch die Vorsprünge 54 ein deutlich erkennbares Muster bilden. Die Leuchtschirmstruktur wird dann mit der Oberseite nach unten in einen Backofen gestellt und gemäß einem herkömmlichen Frittzykhis gebacken. Während des Backzyklus bei einer Temperatur von etwa 400 bis 50O⁰C läuft die Fritte durch einen flüssigen Zustand hindurch und verfestigt sich wieder, wodurch die Glaskugeln aneinander und an dem Stützkörper 50 anzementiert werden.

Der Grund dafür, daS die Leuchtschirmstruktur mit dem Vorsprungsmuster aus der Mischung aus Glaskügelchen und glasartiger Fritte mit ihrer Oberseite nach unten gebacken wird, ist der, daß die Vorsprünge mit der richtigen Höhe und einer im wesentlichen konischen Konfiguration geschaffen werden sollen, wie es in der F i g. 3 dargestellt ist

Die Leuchtschirmstruktur wird dann nach dem Backen einer Aufsprühoperation unterzogen, bei der Zinnoxid auf die Vorsprünge 54 enthaltende Oberfläche aufgesprüht wird, wodurch sich eine transparente leitende Beschichtung 52 ergibt, wie es in Fig.4 erkennbar wird.

Eine photopolymerisierbare Aufschlämmung 74 aus Polyvinylalkohol, Wasser, Dimethylsulfoxid, Ammoniumdichromat und Leuchtstoff wird auf die leitende Beschichtung 52 aufgebracht, wie in F i g. 5 dargestellt, woraufhin eine kollimierte Lichtquelle 70 Lichtstrahlen 72 durch den Stützkörper 50, die leitende Beschichtung 52 in die Aufschlämmung 74 richtet und die Lichtstrahlen die Aufschlämmung 74 an den Gebieten polymerisiert, wo keine Vorsprünge vorhanden sind.

Wie zu erkennen ist, wird für dieses Verfahren keine Photomaske benötigt, weil die leitend beschichteten Vorsprünge 54 bereits eine Photomaske bilden, so daß im Bereich eines jeden leitend beschichteten Vorsprungs 54 keine Polymerisation des Polyvinylalkohole auftritt.

Die Struktur wird mit Wasser ausgewaschen, wodurch die nicht polymerisierte Aufschlämmung beseitigt und eine Schicht von durch Licht polymerisierte Aufschlämmung zurückgelassen wird, die eine dielektrische Speicherschicht 56 bildet. Die Leuchtschirmstruktur wird dann mit dem gleichen Schrumpfmittel getränkt, mit dem die Vorsprünge geschrumpft wurden, um so auch die dielektrische Speicherschicht zu einer dichteren Konfiguration zu schrumpfen, so daß das jeden leitend beschichteten Vorsprung 54 umgebende Speicherdielektrikum 56 von diesem Vorsprung weg geschrumpft wird, wodurch ein großes Gebiet eines jeden, leitend beschichteten Vorsprungs freigelegt wird. Zwar wird das photopolymerisierbare Material zur Bildung des Musters von Glaskügelchen und dielektrischer Speicherschicht in Form einer Aufschlämmung verwendet, jedoch kann das Material auch die Form eines photopoiymerisierbaren trockenen Films haben. Wie aus den Fig.6 und 7 entnommen werden kann, neigt sich das Gebiet der dielektrischen Speicherschicht 56, das jeden beschichteten Vorsprung 54 umgibt, nach oben und weg von dem Vorsprung, wodurch um den Vorsprung eine kragenförmige Fläche 76 gebildet wird, die am besten dadurch definierbar ist, daß sie in der Form eines abgeschrägten Lochs vorliegt. Auf diese Weise wird von jedem als Kollektorelektrode wirkenden leitend beschichteten Vorsprung 54 eine vergrößerte Kollektorfläche geliefert, wodurch die von der dielektrischen Speicherschicht 56 abgegebenen Sekundärelektronen wirksamer gesammelt werden können. Die leitend beschichteten Vorsprünge 54 erstrecken sich auch über die äußere Oberfläche der dielektrischen Speicherschicht 56 hinaus, und zwar um etwa die halbe Höhe des Vorsprungs.

Nach dem Schrumpfen der Speicherleuchtschirmstruktur wird sie in einem Ofen bei einer geeichten Temperatur gebacken, um das organische Bindemittel zu entfernen und eine dielektrische Speicherschicht zurückzulassen, die im wesentlichen aus Leuchtstoffmaterial besteht Der Speicherleuchtschirm wird dann vervollständigt und in dem Kolben 12 an Ort und Stelle gemäß herkömmlicher Frittenabdichtverfahren zusammengebaut, wobei der Stützkörper 50 zur Frontplatte wird

Das Muster der leitend beschichteten Vorsprünge 54, das die Kollektorelektrodenstruktur bildet, wird vorzugsweise so ausgebildet, daß der Abstand zwischen den Mitten angrenzender Vorsprünge geringer ist, als der Durchmesser des Elektronenstrahls 22, wodurch verbes-

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serte Kollektoreinrichtungen für das Sammeln der Sekundärelektronen sich ergeben, außerdem optimale Bildauflösung des Leuchtschirms, Beseitigung von Spurabschattung und verbesserte Sichtdarstellung und Ablesegenauigkeit der auf dem bistabilen Speicherleuchtschirm gespeicherten Information. Der Sammelwirkungsgrad der Kollektorvorsprünge 54 für die Sekundärelektronen wird aufgrund der größeren Oberfläche und wegen der Anordnung der Leuchtstoff-Fläche, die die Vorsprünge umgibt, verbessert. Dadurch ergibt sich eine größere Schreibgeschwindigkeit und eine verbesserte Leuchtkraft des Leuchtschirms. Die Lebensdauer des Speicherleuchtschirms wird erhöht, weil der Leuchtschirm an einem niedrigeren Betriebspotential arbeiten kann und die Verschlechterung des Leuchtschirms bei niedrigem Betriebspotential geringer ist.

Die Fig.8a erläutert eine Ausführungsform eines Speicherleuchtschirms, bei der die leitend beschichteten Kollektorvorsprünge 54a aus mittels Glasfritte befestigten Glaskügelchen in Form von im wesentlichen ununterbrochenen Vorsprüngen mit keilförmigem Querschnitt bestehen, die mit ihren Grundflächen an dem Stützkörper 50a befestigt sind und deren Spitzen sich über die äußere Oberfläche der dielektrischen Speicherschicht 56a hinaus erstrecken. Auf diese Weise bilden alternierende Reihen von dielektrischer Speicherschicht und leitenden Kollektorvorsprüngen 54a die Leuchtschirmstruktur der Fig.8a. Leitend beschichtete Kollektorvorsprünge 54b können auch unterbrochen sein, wie es in F i g. 8b erläutert ist, und die dielektrische Speicherschicht 56ft kann in den Gebieten fortlaufend sein, in denen die Kollektorvorsprünge nicht fortlaufend sind.

Die angrenzend zu den Kollektorvorsprüngen 54a und 54Z> liegenden dielektrischen Speicherschichten 56a und 56b sind abgeschrägt, um eine größere Kollektorfläche in der gleichen Weise zu schaffen, wie es bei dem Kollektorvorsprungsmuster der F i g. 2—7 der Fall war.

Die Leuchtschirmstrukturen der Fig.8a und 8b werden in der gleichen Weise hergestellt, wie die der Fig. 2-6.

Die erfindungsgemäße Speicherplatte ist nicht nur leicht und damit wirtschaftlicher herstellbar als Speicherplatten gemäß dem Stand der Technik. Der Stützkörper mit der darauf durch Frittenmaterial befestigten Glaskügelchen und der wiederum darauf aufgebrachten leitenden Beschichtung ist wiederverwendbar, weil die dielektrische Speicherschicht entfernt werden kann, so daß der Stützkörper einschließlich darauf befindlicher leitender Beschichtung für die Herstellung einer neuen Speicherplatte wiederverwendet werden kann. Zudem erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren eine genauere Festlegung der Vorsprünge, so daß sich ein geringerer Ausschuß als beim Stand der Technik ergibt.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

i». dielektrischen Vorsprünge (54) polymerisiert, in das e. photopolymerisierbare Material (74) eingeleitet, und

1. Speicherplatte für eine Kathodenstrahlröhre das photopolymerisierbare Material (74) unter mit einem dielektrischen Stützkörper, bei der eine Entfernung des nicht polymerisierten Materials Fläche des Stützkörpers, die in das Innere der 5 unter Belassung einer Leuchtstoff enthaltenden Kathodenstrahlröhre weist, mit in einem Muster dielektrischen Speicherschicht (56) ausgewaschen angeordneten dielektrischen Vorsprüngen versehen wird und daß schließlich die dielektrische Speicherist, bei der auf der mit den dielektrischen schicht (56) der Behandlung mit einem Schrumpfmit-Vorsprüngen versehenen Fläche eine leitende, tel ausgesetzt wird, um die Speicherschicht (56) unter transparente Beschichtung angebracht ist, über der io Freilegung einer größeren Fläche der Vorsprünge eine dielektrische Speicherschicht angeordnet ist, (54) von diesen wegschrumpfen zu lassen.

durch die sich die von der leitenden Beschichtung 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn-

bedeckten dielektrischen Vorsprünge hindurch er- zeichnet, daß der Stützkörper (50) mit dem Muster

strecken und mit ihren freien Enden über die freie aus Glaskugelchen und glasartige Fritte enthalten-

Außenfläche der dielektrischen Speicherschicht 15 den Bereichen mit der Oberseite nach unten

hinausragen, dadurch gekennzeichnet, gebacken wird, daß die dielektrischen Vorsprünge (54) aus Glaskü-

gelchen mit einem Durchmesser von 10 bis

20 Mikrometer bestehen, die mittels Glasfritte

zusammengehalten und am Stützkörper (50) befe- 20

stigtsind. Die Erfindung betrifft eine Speicherplatte für eine

2. Speicherplatte nach Anspruch 1, bei der die Kathodenstrahlröhre nach dem Oberbegriff des Andielektrischen Vorsprünge (54) konische Form spruchs 1. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahaufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen ren zur Herstellung einer derartigen Speicherplatte, konischem dielektrischem Vorsprung (54) und 25 Aus der US-PS 35 31 675 ist bereits eine Speicherplatdielektrischer Speicherschicht (56) ein nach außen te der eingangs genannten Art bekannt, bei der die sich vergrößernder Abstand vorgesehen isL Speicherplatte mit aus einem isolierenden Substrat

3. Speicherplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch herausgeatzten Vorsprüngen versehen ist, wobei diese gekennzeichnet, daß die dielektrischen Vorsprünge Vorsprünge und die Oberfläche, von der sie einstückig (54) längs des Stützkörpers (50) streifenförmig 30 ausgehen, mit einer dünnen Schicht transparenten verlaufen (Fig. 8a). leitenden Metalloxids beschichtet wird, um als Kollektor-

4. Speicherplatte nach Anspruch 3, dadurch elektrode zu dienen. Auf dieser die Kollektorelektrode gekennzeichnet, daß die streifenförmigen Vorsprün- bildenden leitenden Schicht wird dann eine dielektrische ge (54a) sich jeweils kontinuierlich über den ganzen Speicherschicht derart aufgebracht, daß die kegelförmi-Stützkörper (50) erstrecken (Fig. 8a). 35 gen Vorsprünge sich durch diese dielektrische Speicher-

5. Speicherplatte nach Anspruch 3, dadurch schicht hindurch erstrecken.

gekennzeichnet, daß mehrere streifenförmige Vor- Die Herstellung der kegelförmigen Vorsprünge sprünge (54b) einen über den Stützkörper (54b) mittels Ätzen ist recht aufwendig, außerdem kann es verlaufenden diskontinuierlichen Streifen bilden dazu kommen, daß aufgrund unterschiedlicher Ätztiefen (Fig.8b). 40 die nachträglich aufgebrachte dielektrische Speicher-

6. Verfahren zur Herstellung einer Speicherplatte schicht unterschiedliche Dicken aufweist Aufgrund für eine Kathodenstrahlröhre nach einem der dieser unterschiedlichen Dicken erhalten die aus der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Speicherschicht herausragenden Vorsprünge wiederum Lage photopolymerisierbaren Materials (68) mit unterschiedliche Flächen, was zu Schwierigkeiten beim einer durchweg in ihr verteilten Dispersion von 45 Betrieb der Speicherplatte führt, weil die Kollektorwir-Glaskügelchen und glasartiger Fritte über die kung nicht mehr einheitlich ist Die Ätzung erschwert Oberfläche eines dielektrischen Stützkörpers (50) auch die Feststellung von Ungleichförmigkeiten und aufgebracht, Licht (72), das das polymerisierbare Fehlern an den Vorsprüngen selbst sowie auch an der Material (68) in den vom Licht getroffenen dielektrischen Speicherschicht. Die für den Betrieb der Bereichen polymerisiert, durch ein Muster von 50 Speicherplatte wichtigen Vorsprungsflächen können öffnungen in einer Photomaske (64) geleitet, das zudem dadurch beeinträchtigt sein, daß Leuchtstoff an photopolymerisierbare Material (68) unter Entfer- den Vorsprüngen zu weit hinaus anhaftet und dadurch nung des nicht polymerisierten Materials und unter deren Kollektorwirkung mindert.

Belassung von Glaskügelchen und glasartige Fritte Aufgabe der Erfindung ist es, die oben angegebenen enthaltenden Bereichen ausgewaschen, der dielek- 55 Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und trische Stützkörper (50) mit den belassenen Berei- eine Speicherplatte zu schaffen, die einfacher und chen gebacken wird, wobei die glasartige Fritte die billiger herstellbar ist und außerdem eine verbesserte Glaskügelchen aneinander und an der Oberfläche Betriebsweise dadurch aufweist, daß die Fläche der aus des dielektrischen Stützkörpers (50) festhält, wo- dem Dielektrikum herausragenden Vorsprünge mögdurch die dielektrischen Vorsprünge (54) erzeugt 60 liehst gleichförmig gemacht wird, werden, daß die leitende Beschichtung (52) auf die Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst. Oberfläche mit dem Muster aus dielektrischen daß die dielektrischen Vorsprünge aus Glaskügelchen Vorsprüngen (54) aufgebracht, eine Lage photopo- mit einem Durchmesser von 10—20 Mikrometer bestelymerisierbaren Materials (74) mit darin dispergier- hen, die mittels Glasfritte zusammengehalten und am ten Leuchtstoffpartikeln auf die leitende Beschich- 65 Stützkörper befestigt sind.

tung (52) aufgebracht, Licht (72), das das die Eine in dieser Weise aufgebaute Speicherplatte ist

Leuchtstoffpartikel enthaltende photopolymerisier- nicht nur in erwünschter Weise viel einfacher und bare Material (74) in den Bereichen außerhalb der billiger herstellbar, auch die Fläche der aus der