DE2338902A1 - Speicher-targetelektrode - Google Patents
Speicher-targetelektrodeInfo
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Description
.Düsseldorf, 30.07.1973
Tektronix, Inc.
Beaverton,
Oregon, V. St. A.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Elektronenbildspeichereinrichtungen,
und insbesondere auf eine Speicher-Targetelektrode für eine Kathodenstrahlröhre, welche ein auf
einer derartigen Targetelektrode gebildetes Elektronenbild während einer steuerbaren Zeit speichert und ein Lichtabbild
und/oder elektrische Signale erzeugt, welche einem derartigen Abbild entsprechen. Die Speicher-Targetelektrode enthält eine
Schicht aus leitfähigem Material, welches auf einer Fläche eines Trägers aus Isolatxonsmaterial aufgebracht ist, sowie ein dielektrisches
Speichermaterial, welches an dem leitfähigen Material anhaftet, das unregelmäßige Sprünge aufweist, welche in dem
Material dielektrische Bezirke mit unregelmäßigen Umrandungen ausbilden, wobei die Sprünge Bereiche des leitfähigen Materiales
freilegen.
Die Speicher-Targetelektrode kann die Form eines regelmäßigen oder unregelmäßigen gemusterten Metallgitters oder eines leitfähigen
Gitters aufweisen, auf welchem das Dielektrikum anhaftet, v/oüei dieses unregelmäßige Spränge hat, welche dielektrische Bezirjce
bilden und die Bereiche des Gitters freilegen.
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Talefon (Ο211) 32Ο8 58
Telegramme Custopat
Das dielektrische Material kann aus Leuchtstoff bestehen, wenn eine direkte Betrachtung gewünscht wird, und die Trennung der
dielektrischen Bezirke, welche Durchgänge für die Elektronenbewegung ergeben, ermöglicht es diesen, ein bistabiles Ladungs—
abbild für eine unbegrenzte aber steuerbare Zeit zu bilden und zu speichern und ein dementsprechendes Lichtabbild auszusenden.
Der Träger besteht aus transparentem Material, und die leitfähige Schicht sowie das unregelmäßig unterbrochene Muster des
Dielektrikums werden von dem Träger gestützt.
Durch die Erfindung werden Speicher-Targetelektroden derjenigen Art verbessert, welche in der US Patentschrift Nr. 3 293 474
beschrieben ist. Dort ist ein Metallgitter mit gleichförmigem oder kohärentem Aufbau beschrieben, welches auf einem transparenten
Träger aufgebracht ist, wobei dielektrische Bezirke durch die Bezirke des Gitters getrennt sind. Es ist sehr kostspielig,
diese Targetelektrode herzustellen,dd-hierzu teuere Produktionseinrichtungen und optische Geräte erforderlich sind. Auch kann
bei der Verwendung einer Targetelektrode mit gleichförmigem Aufbau eine nach Moire" benannte störende Wechselwirkung auftreten.
Bei einer Speicher-Targetelektrode mit gleichförmigem Aufbau ergibt ein Teil einer Kurvenform, welche sich entlang benachbarten
Bezirken der Targetelektrode erstreckt, eine wahrnehmbare Abstufung, was zu einer Verzerrung dieses Teiles der Kurvenform
führt. Auch hat das dargestellte Bild am Rand ein geringeres Auflösungsvermögen und einen niedrigeren Kontrast.
Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, eine Speicher-Targetelektrode
zum Speichern von Elektronenbildern zu schaffen, welche bei einfachem Aufbau kontrastreichereis Bilder mit höherem Auflösungsvermögen und geringerer Verzerrung ergibt.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einer Speicher-Targetelektrode zum Speichern eines Elektronenbildes erfindungsgemäß vorgesehen,
daß sie ein Substrat aus elektrisch leitfähigem Material sowie
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eine auf dem Substrat aufgebrachte dielektrische Speicherschicht aufweist, die Tp.it einer Vielzahl unregelmäßiger Sprünge versehen
ist, längs deren Verlauf das elektrisch leitfähige Material des Substrates jeweils freilegt. Es ist ein freistehendes Metallgitter
mit unregelmäßigen öffnungen vorgesehen, welches als Kollektorgitter in einer Elektronenröhre verwendet werden kann.
Die erfindungsgemäße Speicher-Targetelektrode ist insbesondere verwendbar bei einer bistabilen direkt zu betrachtenden Kathodenstrahlröhre,
welche einen Teil eines Kathodenstrahloszillographen bildet, um Kurvenformen abklingender elektrischer Signale zur
längeren Betrachtung zu speichern. Indessen kann eine derartige Röhra auch für den herkömmlichen Speicherbetrieb verwendet werden,
beispielsweise in der Radar-, Ultraschall- oder Rechnertechnik.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den
Unteransprüchen.
Die Erfindung wirci nachstehend anhand eines Ausführungsbeispieles
in Verbindung mit der zugehörigen Zeichnung erläutert. Darin zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Speicherröhre entsprechend der Erfindung;
Fig. 2 einen Horizontalen Teilausschnitt entlang der Linie 2-2
der Fig. 1 in vergrößertem Maßstab zur Erläuterung einer Ausführungsform einer Speicher-Targetelektrode nach der
Erfindung;
Fig. 3 eine Ansicht entlang der Linie 3-3 der Fig. 2 zur Er-
aet.
läuterung eines Teiles hinteren Abschnittes der Speicher-Targetelektrode;
Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines Diffusers für die Elektrophorese-Beschichtung mit dielektrischem Material
auf einer leitfähigen Schicht;
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Fig. 5 eine Querschnittsansicht einer Speicher-Targetelektrode, nachdem die dielektrische Schicht auf der leitfähigen
Schicht aufgebracht worden ist;
Fig. 6 eine Teilquerschnittsansicht in vergrößertem Maßstab,
aus welcher die Anordnung der getrockneten Bezirke des dielektrischen Materiales hervorgeht;
Fig. 7 ähnlich wie Fig. 6 schematisch eine metallische Beschichtung
auf der unregelmäßig aufgebauten Targetelektrode;
Fig. 8 ähnlich wie Fig. 7 eine Targetelektrode ohne das metallisch beschichtete Dielektrikum aber mit fotografischem
Film;
Fig. 9 einen vergrößerten Querschnitt eines metallischen Gitters mit unregelmäßigen öffnungen;
Fig. 10 eine ähnliche Ansicht wie in Fig. 9 mit einem Dielektrikum
auf dem Gitter, welches mit unregelmäßigen Sprüngen versehen ist und
Fig. 11 einen vergrößerten Querschnitt eines Gitters mit regelmäßigem
Muster mit einem Dielektrikum, welches mit unregelmäßigen Sprüngen versehen ist.
Sine zur unmittelbaren Betrachtung bestimmte Speicherröhre IO
enthält eine gemäß der Erfindung aufgebaute Speicher-Targetelektrode 12, welche in Fig. 1 dargestellt ist. Diese Speicherröhre
kann ein Binzel-Elektronenstrahlerzeugungssystern mit einer Kathode
14, ein Steuergitter 16, eine Fokussieranode 18 in Verbindung mit einem Paar Horizontalablenkplatten 20 und einem Paar Vertikalablenkplatten
22 aufweisen. Das Einzel-Elektronenstrahlerzeugungssystem kann verwendet werden, um entweder einen Schreibstrahl
oder einen Lesestrahl aus Elektronen zu erzeugen, indem mechanisch
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miteinander gekoppelte Schalter 24, 26 und 28 verwendet werden, welche jeweils mit dem Steuergitter 16, Horizontalablenkplatten
und Vertikalablenkplatten 22 verbunden sind, wenn zwischen der Schreibstellung und der Lesestellung wie beim Betrieb herkömmlicher
Speicherröhren umgeschaltet wird, der in der vorgenannten Patentschrift beschrieben ist. Naturgemäß können stattdessen
getrennte Elektronenstrahleinrichtungen zum Schreiben oder Lesen verwendet werden.
Der Schreibstrahl bildet ein Elektronenladungsabbild auf der
Speicher-Targetelektrode 12, wobei der Schreibstrahl über die Speicher-Targetelektrode bei einem Eingangssignal abgelenkt wird,
welches den Vertikalablenkplatten 22 zugeführt wird. Der Lesestrahl wird verwendet, um die Speicher-Targetelektrode 12 abzutasten,
wobei ein elektrisches Ausgangssignal auf der Leitung 30 entsprechend dem Ladungsabbild erhalten wird, welches auf der
Speicher-Targetelektrode gespeichert ist. Der Abtastbetrieb kann wie bei herkömmlichen Fernsehrastern erfolgen.
Es können eine oder mehrere Hilfselektronenstrahleinrichturigen
innerhalb des Kolbens der Speicherröhre 10 vorgesehen sein, um die Speicher-Targetelektrode 12 im wesentlichen gleichförmig mit
Elektronen mit niedriger Geschwindigkeit zu beaufschlagen, um das Ladungsabbild zu halten, welches auf der Speicher-Targetelektrode
durch den Schreibstrahl erzeugt worden ist, nachdem der Schreibstrahl nicht langer auf diese Elektrode auftrifft.
Die Speicher-Targetelektrode 12 enthält eine dünne Schicht 34 aus lichtdurchlässigem, leitfähigem Material, vorzugsweise Zinnoxyd,
und eine dielektrische Speicherschicht 36 in der Form von Bezirken mit unregelmäßigen Umrandungen, welche durch unregelmäßig ausgebildeten
Sprünge 38 getrennt sind, die Bereiche der metallischen Beschichtung oder des Filmes 34 freilegen. Der metallische Film
ist auf einer transparenten Schirmplatte 40 aufgebracht. Der dielektrische Abschnitt der Speicher-Targetelektrode 12 hat ein
reliefartiges Aussehen, wenn er aus der Richtung der Kathode be-
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trachtet wird. Wenn die dem leitfähigen Film 34 zugeführte Targetspannung
sich innerhalb des stabilen Bereiches der Targetspannungen befindet, in welchem die dielektrische Speicherschicht
der Speicher-Targetelektrode ein Ladungsabbild für eine unbegrenzte,
steuerbare Zeit speichert, erzeugt der Schreibstrahl aus Elektronen hoher Geschwindigkeit durch Sekundäremission ein
Ladungsabbild auf der dielektrischen Schicht 36, welches positiver
als die nicht durch den Strahl beauflagten Bereiche ist. Das Potential des derart eingeprägten Ladungsabbildes liegt über
einer kritischen Spannung, welche dem ersten Nulldurchgangspunkt der Kurve für die Sekundäremission des Dielektrikums entspricht,
während die verbleibenden, nicht mit Elektronen beauflagten Bereiche der dielektrischen Speicherschicht 36 ein Potential unter
dieser kritischen Spannung haben. Die sogenannten Flutelektronen des Hilfssystemes, welche auf die Speicher-Targetelektrode auftreffen,
erzeugen eine beträchtliche Emission von Sekundärelektronen von der Targetelektrode, um das Potential der beschriebenen
Bereiche der dielektrischen Speicherschicht 36 auf einen stabilen Spannungspegel zu bringen, welcher der Spannung der
leitfähigen Beschichtung 34 entspricht, und die Flutelektronen bringen das Potential der unbeschriebenen Bereiche auf einen
niedrigen stabilen Spannungspegel, welcher der Spannung entspricht, welche der Kathode der Hilfselektronenstrahleinrichtung
32 zugeführt ist. Der Betrieb einer bistabilen Speicherröhre, die Verwendung der durch die Röhre 10 gespeicherten Information
sowie deren Auslöschen sind im einzelnen in der US Patentschrift 3 293 473 erläutert.
Die dielektrische Speicherschicht 36 der Speicher-Targetelektrode 12 kann aus Leuchtstoffmaterial mit herkömmlichen Leuchtstoffen bestehen, beispielsweise aus P-I Phosphor und fotoleitenden
Leuchtstoffen, so daß die dielektrische Speicherschicht
ein sichtbares Abbild entsprechend dem gespeicherten Ladungsbild erzeugt, wenn die Speicherröhre dem zur direkten Betrachtung
bestimmten Typ entspricht. In diesem Fall kann die auf der Speicher-Targetelektrode gespeicherte Information direkt vor dem
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Auslesen der gespeicherten Information betrachtet v/erden p Eine
Kollimator- oder Richtelektrode 42 kann als tfandbeschichtung auf der Innenfläche des Trichterabschnittes der Röhre 10 neben der
Speicher-Targetelektrode 12 vorgesehen werden und mit einer Quelle für ein positives Gleichspannungspotential verbunden
werden, um die Flutelektronen auf die Speicher-Targetelektrode zu fokussieren und die Verzerrung des gespeicherten Abbildes
zu verhindern, da die positiven Bezirke der Speicherelektrode einige der Elektronen von den angrenzenden negativen Bezirken
abziehen.
Falls die dielektrische Speicherschicht 36 nicht aus Leuchtstoff sondern aus einem anderen Sekundärelektronen aussendenden Material
besteht, muß die Speicherröhre mit einer herkömmlichen Ausleseschaltung
versehen werden, um ein elektrisches Ausgangssignal zu
ergeben, welches dem auf der Speicher-Targetelektrode gespeicherten Ladungsbild entspricht. Ein derartiger Auslesebetrieb
ist in der bereits erwähnten US Patentschrift Nr. 3 293 474 erläutert.
Gemäß Fig. 2 und 3 enthält eine Ausführungsform der Speicher-Targetelektrode
12 nach der Erfindung eine dünne metallische Beschichtung 34, welche auf einer Fläche einer transparenten
Schirmplatte 40 aufgebracht ist, welche vorzugsweise aus Glas besteht und den Schirmabschnitt des Kolbens einer Kathodenstrahlröhre
bildet. Die Schirmplatte 40 enthält eine Halterungseinrichtung für die Targetelektrode 12. Der Kolben enthält
vorzugsweise einen trichterförmigen Abschnitt 44 aus keramischem Material, welcher mittels einer Frittedichtung aus Glas
46 gegenüber der Schirmplatte 40 abgedichtet ist. Die metallische Beschichtung 34 ist aus lichtundurchlässigem leitfähigem
Material, beispielsweise Aluminium oder Silber oder einem lichtdurchlässigen, leitfähigen Material, beispielsweise Zinnoxyd
hergestellt und bildet eine Kollektorelektrode. Ein Abschnitt 34a der Kollektorelektrode 34 erstreckt sich durch die
Frittedichtung 46 zu dem äußeren Teil des Röhrenkolbens, um einen elektrischen Leiterabschnitt zum Verbinden der Kollektor-
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elektrode 34 nit einer elektrischen Quelle zu bilden.
Die dielektrische Speicherschicht 36 besteht aus unabhängigen dielektrischen Bezirken, von denen jeder unregelmäßig aufgebaut
ist, d.h. die Umrandungen sind unregelmäßig, so daß Sprünge 38 zwischen angrenzenden dielektrischen 3ezirken entstehen und dadurch
unregelmäßige Bereiche der Kollektorelektrode 34 freigelegt v/erden. Die unregelmäßig gebildeten dielektrischen Bezirke
sind voneinander durch unregelmäßige Sprünge getrennt. Die dielektrischen
Bezirke haben unregelmäßige Abstände und befinden sich in engem Kontakt mit der Kollektorelektrode 34. Die dielektrische
Speicherschicht 36 bildet jedoch keine kontinuierliche Schicht über dieser, so daß die durch die unregelmäßig angeordneten
dielektrischen Bezirke gebildete Kapazität wesentlich herabgesetzt wird, wenn die Aufladung durch den Schreibstrahl erfolgt,
welcher auf die Speicner-Targetelektrode auftrifft. Die unregelmäßigen
dielektrischen Bezirke haben im wesentlichen die gleiche Stärke.
Ein Bildraster 48 in der Forin mehrerer gezeichneter Linien kann
auf der Innenfläche der Formplatte 40 unter der Speicher-Targetelektrode 12 eingearbeitet sein, wenn die dielektrische Schicht
aus Leuchtstoff besteht, um ein inneres Bildraster zum Untersuchen
des sichtbaren Abbildes zu ergeben, welches auf der Speicher-Targetelektrode erzeugt wird. Das Bildraster 48 kann
hergestellt werden, indem eine Glasfritte auf der Innenfläche
der Schirmplatte 40 aufgedruckt wird, welche die Rasterlinien
ergibt. Das Bildraster 48 kann von der Kante aus belichtet werden, indem Licht durch die Schirmplatte 4O projiziert v/ird.
Vorzugsweise werden Speicher-Targets mit dielektrischen Eezirken in unregelmäßiger Anordnung auf leitfähigen Einrichtungen mit
unregelmäßigen Sprüngen zwischen den dielektrischen Bezirken, v/elche Abschnitte der leitfähigen Einrichtung freilegen, nach dem
Elektrophorese-Verfahren hergestellt. Fig. 4-6 erläutern die Herstellung eines Targets mit einer Schirmplatte. Eine Schirm-
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platte 40 oder ein dielektrischer Träger, dessen eine Fläche mit einem metallischen Film 34 versehen ist, ist auf einem Metallrahmen
50 angeordnet, der elektrisch mit der metallischen Beschichtung 34 und einem negativen Anschluß für 120 V bis 240 V
in einer Konstantstromquelle verbunden ist. Eine Gegenelektrode 52 befindet sich etwa 4 cm entfernt vom Metallrahmen 50 und ist
mit der positiven Klemme der Gleichspannungsquelle verbunden. Die Gegenelektrode 52 ergibt ein gleichförmiges elektrisches
Feld zwischen dem Rahmen 5O, der metallischen Beschichtung 34 und der Elektrode 52 für den Elektrophorese-Vorgang.
Die Schirmplatte 4O, der Metallrahmen 5O und die Gegenelektrode
sind in einer Suspension aus kolMdem dielektrischen Material angeordnet, welche Isopropanol mit 2% Wasser und etwas dreiwertigem
Kation, beispielsweise Aluminiumnitrat besteht, so daß sich eine kolloide Suspension in dem Behälter C bildet. Wenn sich ein
elektrisches Feld aufbaut, wenn eine Gleichspannung an den Metallrahmen 50, die Beschichtung 34 und die Gegenelektrode 52
in der kolloiden Suspension angelegt wird, werden dielektrische Teilchen von dem Metallrahmen 5O und der Beschichtung 34 aufgrund
des Elektrophorese^Effektes angezogen und niedergeschlagen, so daß
eine kontinuierliche dielektrische Speicherschicht entsteht, wenn die Schirmplatte 4O aus dem Plattierungsbad gemäß Fig. 5 entnommen
wird. Dielektrische Materialien, beispielsweise Aluminiumoxyd oder Magnesiumoxyd und Silikat-Leuchtstoffe, beispielsweise
P-I Phosphor, welches allgemein als Zink- oder Thiosilikat bekannt
ist, oder dergleichen kann verwendet werden, um die kolloide Suspension zu bilden.
Die Plattierungszeit für die gewünschte dielektrische Beschichtung
von 5x10 mm Stärke beträgt etwa 10 min. Der Targetaufbau wird vom Behälter C entnommen und in der Umgebungsluft in einer vertikalen
Position getrocknet, um die Bildung von Wasserspuren während etwa 5 min. zu verhindern, wodurch unregelmäßige Sprünge 38 in der
dielektrischen Speicherschicht gebildet werden, welche getrennte dielektrische Bezirke mit spitzwinkligem Querschnittsprofil gemäß
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Pig. 6 bilden. Die Sprünge 38 erstrecken sich zu der leitfähigen Beschichtung 34 und legen Bereiche der Beschichtung frei. Diese
Targetelektrode hat unregelmäßig gebildete dielektrische Bezirke und Sprünge, welche reliefartig ausgebildet sind, und die
Targetelektrode kann nunmehr auf dem Kolben einer Kathodenstrahlröhre
über eine Frittedichtung 46 angeordnet v/erden und als bistabile Targetelektrode arbeiten. Die Herstellung der
Targetelektrode 12 ist daher recht einfach und hat den Vorteil eines hohen Auflösungsvermögens, kann zur Feldbildung dienen
oder dielektrische Anordnungen für Speicherzwecke bilden, und es können große Targetelektroden mit anderen periodischen oder
unregelmäßigen Anordnungen hergestellt werden, welche den Moire-Effekt nicht zeigen.
Im folgenden wird ein Beispiel einer metallischen Gitterwerkelektrode
mit regelmäßigen polygonen öffnungen gemäß der Erfindung dargestellt.
Nach dem vorgenannten Verfahren kann ein Targetaufbau für eine Targetelektrode 12 hergestellt werden, d.h. ein Träger 4O mit
einem Film bzw. einer Beschichtung 34 auf dem Träger kann in einem kolloiden Bad eingebracht werden, es kann eine elektrophorese
Ablagerung während 10 min.erfolgen und der Targetaufbau entfernt werden, so daß er 5 min trocknen kann. Magnesiumoxyd
oder Aluminiumoxyd ist das bevorzugte Dielektrikum, welches zum Herstellen einer Gitterwerk-Elektrode verwendet werden kann. Die
getrocknete Targetelektrode wird dann in eine Glocke bei einem Vakuum von 10 torr eingebracht und eine Schicht mit 100O-200O A
aus Chrom auf die Targetelektrode 12 gemäß Fig. 7 aufgebracht, so daß die Schicht 54 auf den dielektrischen Bezirken 36 und auf
der leitfähigen Beschichtung 34 aufgebracht wird, wenn Sprünge auftreten. Die mit Chrom beschichtete Targetelektrode wird von der
Glocke entfernt und die mit Chrom beschichteten dielektrischen Be zirke 36 werden von der Metallbeschichtung 34 entfernt. Falls das
Dielektrikum Magnesiumoxyd ist, wird eine Essigsäurelösung verwendet, um die dielektrischen Teilchen zu entfernen, und im Falle
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eines Dielektrikums aus Aluminiumoxyd werden die dielektrischen
Bezirke durch eine milde Lösung aus natrium- oder Kaliumhydroxyd
entfernt.
fotografische Schicht 56 mit hohem Auflösungsvermögen wird auf die unregelmäßig gemusterte Schicht 54 aus Chrom aufgebracht,
und der Film 56 wird durch die Schirmplatte 40 und die Beschichtung
34 mit Zinnoxyd hindurch belichtet, uni ein fotografisches
Muster entsprechend dein unregelmäßigen Chrommetallmuster und dem
unbelichteten unregelmäßigen Muster zu bilden, wo die dielektrischen Bezirke angeordnet sind. Der Film 56 wird dann entwickelt
und auf ein elektroformierendes Substrat mit positivem AZ-111
Photoresistmaterial aufgebracht. Dieses Material wird belichtet und in herkömmlicher Weise behandelt, ura die belichteten Bereiche
zu entfernen und das durch die Sprünge gebildete Muster als Bruchstellen
in dem Photoresistmaterial zurückzulassen.
üickel wird im Herkömmlichen Plattierverfahren in die Ausnehmungen
auf dem elektroformierenden Substrat oder Kern plattiert, so daß
ein i^ickelgitterwerk mit unregelmäßig geformten Öffnungen gebildet
wird. Das liickelgitterwerk wird dann von dem Substrat mit
Azeton entfernt, welches das Photoresistmaterial löst und das Gitterwerk davon befreit.
Das freie Gitterwerk wird in die Glocke eingebracht und mit einer
c Schicht mit einer Stärke von etwa 1000 A beschichtet, indem thermisch das Chrom auf beide Seiten des Gitterwerkes aufgedampft
wird, um das Gitterwerk mit der geeigneten Fritte in einer xvathodenstrahlröhre anzuordnen. Ein Abschnitt eines derartigen
Gitterv/erkes 58 ist in Fig. 9 dargestellt und kann als Steuergitter in einer Katnodenstrahlröhre oder als Gitterwerk in einer
Übertragungs-Kathodenstrahlröhre verwendet werden.
^s Gitterwerk 58 kann eine dünne dielektrische Speicherschicht
36 in der gleichen weise erhalten, wie es in Verbindung mit der Tarqetelektrode 12 in Fig. 4-6 beschrieben wurde, worauf
Sprünge 33 in der dielektrischen Speicherschicht nach dem Trocknen
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des Dielektrikums die metallischen Bereiche des Gitterwerks dort frei legen, wo die Sprünge 38 auftreten (Fig. 1O) so daß
eine bistabile Speicher-Targetelektrode mit unregelmäßig ausgebildeten Öffnungen hergestellt wird, die in einer Kathodenstrahlröhre
zur Übertragung oder Ladungsspeicherung verwendet werden kann.
Ein Metall-Gitterwerk 6O gemäß Fig. 11 mit Öffnungen der gleichen
Größe, welche in gleicher Weise angeordnet sind, kann mit einer dünnen Schicht aus Dielektrikum in der gleichen Vfeise wie das
Gitterwerk 58 der Fig. IO beschichtet werden, und ein kohärentes
Gitterwerk mit unregelmäßigen Sprüngen 38, welches Bereiche des Metalles des Gitterwerkes freilegt, in denen die Sprünge auftreten,
kann als bistabiles Target in einer übertragungs- oder Ladungs spei cherröhre verwendet werden, viie sich aus Fig. 11 ergibt,
hat die dielektrische Speicherschicht 36 einen Querschnittsaufbau, bei welchem die Drähte des Gitterwerkes sich mit den
dielektrischen Abschnitten auf den Drähten zwischen angrenzenden Stegen des Kreuzes schneiden, welche einen Abstand zueinander
aufweisen und Sprünge 38 bilden und den blanken Draht dazwischen freilegen. Die Gitterwerktargets gemäß Fig. 10 und 11 sind beispielsweise
auf starren Trägern angeordnet, welche wiederum innerhalb eines trichterförmigen Abschnittes der Speicherröhre
angeordnet sind. Die Gitterwerkaufbauten gemäß Fig. 9-11 werden nach der entsprechenden Ausrichtung in dem Trichter vorzugsweise
nach außen über eine Steckeranordnung verbunden, welche in der US Patentanmeldung Nr. 88 739 beschrieben ist, welche am
12. November 1970 eingereicht wurde.
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Claims (12)
1. Speicher—Targetelektrode zum Speichern eines Elektronenbildes,
dadurch gekennzeichnet , daß sie ein Substrat (34) aus elektrisch leitfähigem Material sowie
eine auf dem Substrat aufgebrachte dielektrische Speicherschicht (36) aufweist, die mit einer Vielzahl unregelmäßiger
Sprünge (38) versehen ist, längs deren Verlauf das elektrisch leitfähige Material des Substrates jeweils frei liegt.
2. Target-Speicherelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein Träger (4O) aus nichtleitfahigem
Material vorgesehen ist, auf welchem dieses Substrat (34) aus leitfähigem Material angeordnet ist.
3. Target—Speicherelektrode nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet , daß das Substrat (34) aus leitfähigem Material eine kontinuierliche Schicht auf dem
Träger (4O) bildet.
4. Speicher-Targetelektrode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet , daß das Substrat aus leitfähigem Material ein Gitter (58) mit unregelmäßig bemessenen
Öffnungen ist.
5. Speicher-Targetelektrode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet/, daß das Substrat aus leitfähigem Material ein Gitter mit gleichmäßig bemessenen Öffnungen
ist.
6. Speicher-Targetelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet , daf? fm Inneren des Kolbens einerElektronenspeicherröhre angeordnet ist, die eine
Schreibeinrichtung für einen Schreibstrahl aus Elektronen
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hoher Geschwindigkeit enthält, welche auf die Speicher-Targetelektrode
(12) gerichtet sind, und eine Einrichtung den Schreibstrahl über die Speicher-Targetelektrode bewegt und
ein Elektronenabbild auf der dielektrischen Speicherschicht (36) herstellt und eine Halteeinrichtung in dem Kolben
Elektronen niedriger Geschwindigkeit im wesentlichen gleichförmig über die Speicher-Targetelektrode derart schickt, daß
das Elektronenbild auf der dielektriscnen Speicherschicht (36) gespeichert ist.
7. Speicher-Targetelektrode nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet , daß die Halteeinrichtung eine lichtdurchlässige Schirmplatte (40) aus Glas aufweist,
welche einen Teil des Kolbens bildet, auf welchem die Speicher-Targetelektrode (12) angeordnet ist, und die dielektrische
Speicherschicht (36) aus Leuchtstoff besteht.
8. Speicher-Targetelektrode nach Anspruch 6 oder 7, dadurch
gekennzeichnet , daß die Leseeinrichtung in dem Kolben die Speicher—Targetelektrode (12) mit einem Lese—
strahl aus Elektronen abtastet und ein. elektrisches Auslesesignal
auf der leitfähigen Beschichtung (34) entsprechend dem in der dielektrischen Speicherschicht (36) gespeicherten
Elektronenbild erzeugt.
9. Speicher-Targetelektrode nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Speicher-Targetelektrode
(12) bistabil aufgebaut ist, so daß das Elektronenbild für eine unbegrenzte steuerbare Zeitspanne
speicherbar ist.
10. Speicher-Targetelektrode nach einem der Ansprüche 6 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähige
Beschichtung (34) einen kontinuierlichen Film auf der Halteeinrichtung (40) aufweist.
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11. Speicher-Targetelektrode nach einem der Ansprüche 6 bis 9r
dadurch gekennzeichnet , daß das leitfähige Substrat ein Gitterwerk (58) mit regelmäßigen öffnungen
aufweist.
12. Speicher-Targetelektrode zur direkten Bildbetrachtung entsprechend
einem Elektronenbild nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein
lichtdurchlässiger Träger (40) aus elektrisch isolierendem Material vorgesehen ist, eine Beschichtung (34) aus leitfähigem
Material auf einer Fläche des Trägers (40) in der Form einer kontinuierlichen Schicht angeordnet ist und eine
dielektrische Speicherschicht (36) aus einem Sekundärelektronen emittierenden Leuchtstoff über der Beschichtung
reliefartig angeordnet ist und getrennte Leuchtstoffbezirke mit unregelmäßiger Form ausbildet, welche durch unregelmäßige
Sprünge (38) getrennt sind, die Bereiche der leitfähigen Beschichtung (34) frei legen und das bistabile Speichern von
in der Speicherschicht gebildeten Elektronenbildern gestatten, so daß entsprechende sichtbare Bilder herstellbar
sind.
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