DE1297897B - Vorrichtung zur Analyse einer Probe durch Bombardieren mit Teilchen - Google Patents

Vorrichtung zur Analyse einer Probe durch Bombardieren mit Teilchen

Info

Publication number
DE1297897B
DE1297897B DE1963C0031515 DEC0031515A DE1297897B DE 1297897 B DE1297897 B DE 1297897B DE 1963C0031515 DE1963C0031515 DE 1963C0031515 DE C0031515 A DEC0031515 A DE C0031515A DE 1297897 B DE1297897 B DE 1297897B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sample
ions
ion
particles
bombarding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1963C0031515
Other languages
English (en)
Inventor
Slodzian Georges
Castaing Raymond
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Thales SA
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre National de la Recherche Scientifique CNRS, CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA filed Critical Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Publication of DE1297897B publication Critical patent/DE1297897B/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/14Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
    • H01J49/142Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers using a solid target which is not previously vapourised
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/026Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/252Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung Schicht werden selektiv von den negativ aufgeladenen zur Analyse einer Probe durch Bombardieren mit Bereichen der Probe unter Ausschluß der übrigen Teilchen, die die Emission von kennzeichnenden Bereiche angezogen und löschen deren Ladungen. Ionen durch die Probe auslösen, mit einer Ionen- Dadurch können die noch vorhandenen negativen optik, welche die emittierten Ionen zu einem ein 5 Ladungen völlig beseitigt werden.
Bild der Probenoberfläche erzeugenden Bündel Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung an
fokussiert. einem Ausführungsbeispiel erläutert. Es zeigt
Zur Durchführung der Mikroanalyse einer Probe F i g. 1 ein Prinzipschema der erfindungsgemäßen
ist es bekannt, ein Ionenstrahlsystem zu verwenden, Vorrichtung und
das positive Ionen aussendet und die Probe damit io Fig. 2 eine Einzelheit der Vorrichtung von Fig. 1. bombardiert. Diese positiven Ionen reißen aus der F i g. 1 zeigt die zu analysierende Probe 1. Diese
Oberfläche der Probe Sekundärionen, die von einer Probe kann aus Isoliermaterial bestehen und wird Korpuskularoptik aufgefangen werden, welche zur mittels eines Strahlsystems 2 bombardiert.
Erzeugung eines Bildes dieser Oberfläche geeignet ist. Das Strahlsystem 2 enthält eine Ionenquelle 20,
Durch geeignete Filterung der verschiedenen Korn- 15 die positive Ionen (beispielsweise Argon-Ionen) ponenten des Bildes ist es möglich, automatisch eine emittiert, eine Membran 21 und einen Kondensor 22. Karte der Verteilung der verschiedenen die Probe In dem Weg des Strahls ist ein Gefäß 23 angeordnet, bildenden Elemente oder Isotopen auf der Ober- das mit einem Gas unter niedrigem Druck gefüllt fläche der bombardierten Probe zu erhalten. ist. Dieses Gas kann beispielsweise von gleicher Art
Dieses bekannte Verfahren weist den Nachteil auf, ao wie das in der Ionenquelle verwendete Gas sein. Der daß es sich bei elektrisch schlecht leitenden Proben Druck liegt in der Größenordnung von einigen nur schwierig anwenden läßt. Derartige Proben laden Tausendstel Millimeter Quecksilbersäule. Die Länge sich nämlich unter dem Anprall des Primärionen- des Gefäßes beträgt einige Zentimeter. Das Gefäß Strahls auf ein hohes positives Potential auf, weil ist mit einer Eingangsöffnung 231 und einer Ausdie Zahl der abgegebenen Sekundärionen kleiner als 25 gangsöffnung 232 versehen. Die in das Gefäß eindie Zahl der aufgefangenen Primärionen ist. tretenden Ionen reißen durch Austausch ein Elektron
Die Zielfläche stößt dann den auftreffenden Strahl aus den Gasatomen, ohne daß sie merklich von ab. Dies hat zur Folge, daß das Ausgangspotential ihrer Bahn abweichen, und sie werden dadurch neuder Sekundärionen schlecht definiert ist, selbst wenn tralisiert.
einige Primärionen die Probe erreichen können. 30 F i g. 2 zeigt eine Anordnung, welche zur Beseiti-Dieses Ausgangspotential ändert sich von Punkt zu gung der restlichen Ionen verwendet werden kann. Punkt auf der Auftrefffläche in Abhängigkeit von der Zu diesem Zweck sind am Ausgang des Gefäßes ein elektrischen Leitfähigkeit und dem örtlichen Sekun- Ablenksystem 30 und eine Falle 34 angeordnet,
därionenemissionskoeffizient. Die Ionen werden beispielsweise auf ICTkV be-
Das Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer 35 schleunigt. Die Elektrode 24 liegt an Masse, während Vorrichtung der eingangs angegebenen Art, bei wel- die Probe auf + 3500 V gegenüber Masse liegt. Das eher dieser Nachteil beseitigt ist. elektrostatische Feld zwischen der Probe 1 und der
Nach der Erfindung wird dies erreicht durch eine Elektrode 24 übt keine Wirkung auf die neutralen Einrichtung zur Erzeugung eines auf die Probe ge- Atome aus, welche daher durch die Elektrode hinrichteten Bündels elektrisch neutraler Atome. 40 durchgehen und mit großer Geschwindigkeit auf der Die Einrichtung zur Erzeugung des Atomstrahl- Auftrefffläche der Probe 1 ankommen, aus welcher bündeis weist zweckmäßig eine Ionenquelle, eine sie positive Ionen herausreißen.
Fokussierungseinrichtung und ein im Weg des fokus- Diese werden mittels der Ionenoptik 24,25, 26 sierten Ionenbündels angeordnetes, ein Gas enthal- beschleunigt und so gebündelt, daß sie ein Bild der tendes Gefäß auf. 45 Oberfläche der Probe erzeugen. Eine hierfür ge-Die bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung zum eignete Optik ist beispielsweise in der französischen Bombardieren verwendeten elektrisch neutralen Patentschrift 1240 658 beschrieben.
Atome lösen aus der Probe eine Emission von kenn- Als Folge dieses Bombardements mit neutralen zeichnenden Ionen in gleicher Weise wie ein Born- Atomen und auf Grund der Sekundäremission von bardement mit geladenen Teilchen aus. 50 positiven Ionen nimmt die Auftrefffläche 1 örtliche Dieses Bombardieren durch einen Strahl neutraler negative Ladungen an. Diese Ladungen sind offen-Atome gibt den Vorteil, daß die Energie der für das sichtlich nicht gleichförmig über die Oberfläche der Bombardieren verwendeten Teilchen beliebig so ein- Probe verteilt. Wenn diese Ladungen zu groß wergeregelt werden kann, daß die beste Ausbeute an den, besteht offensichtlich die Gefahr, daß sie ört-Ionen erhalten wird, ohne daß man in Richtung 55 liehe Änderungen des Emissionspotentials der Sekunniedriger Energien durch Überlegungen hinsichtlich därionen hervorrufen, deren Energie beim Auftreffen des Eindringens in das Emissionsfeld eingeschränkt auf dem Bild dann eine große Streuung aufweist. Es ist. Ferner ist die sich auf einer elektrisch schlecht ist zu bemerken, daß diese elektrisch negativen leitenden Probe ansammelnde Ladung sehr viel klei- Ladungen einen sehr viel kleineren Absolutwert wie ner als im Fall einer Bombardierung gleicher Dichte 60 die bei der Vorrichtung gemäß der zuvor genannten mit positiven Primärionen. Diese negative Ladung Patentschrift erscheinenden Ladungen haben, bei der stammt dann nämlich ausschließlich von der Ionen- die Sekundärionen durch Primärionen ausgelöst weremission. den. Die negativen Ladungen sind nämlich aus-Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Er- schließlich auf die Sekundäremission zurückzuführen, findung enthält die Vorrichtung eine Einrichtung zur 65 und die Intensität dieser Emission ist sehr viel kleiner Erzeugung einer sich parallel zur Oberfläche der als die Intensität der Primärionen.
Probe mit möglichst kleiner Geschwindigkeit be- Die Erscheinung der elektrostatischen Aufladung wegenden Schicht positiver Ionen. Die Ionen dieser ist daher durch die Verwendung von neutralen
Atomen für das Bombardement beträchtlich verringert.
Um diese Erscheinung noch weiter herabzusetzen, ist ein Strahlsystem 3 vorgesehen. Dieses Strahlsystem emittiert gleichfalls positive Ionen. Es ist möglichst wenig gegen die Normale auf die Oberfläche der Probe geneigt. Es enthält eine Ionenquelle 33, eine Membran 31 und einen Kondensator 32. Die Ionen gehen durch die Elektrode 24 hindurch, und das zwischen dem Kondensator 32 und der Elektrode 24 herrschende Feld ist so bemessen, daß die Ionen auf der Oberfläche der Probe so ankommen, daß die Normalkomponente ihrer Geschwindigkeit im wesentlichen Null ist, wenn keine positiven Ladungen auf dieser vorhanden sind. Sie bilden daher eine örtlich begrenzte Schicht von positiven Ionen, welche sich parallel zur Oberfläche der Probe bewegt. Wenn sie jedoch in die Nähe einer auf der Oberfläche der Probe befindlichen negativen Ladung kommen, zieht diese die positiven Ionen an, wodurch die ao Ladung automatisch neutralisiert wird.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zur Analyse einer Probe durch Bombardieren mit Teilchen, die die Emission »5 von kennzeichnenden Ionen durch die Probe auslösen, mit einer Ionenoptik, welche die emittierten Ionen zu einem ein Bild der Probenoberfläche erzeugenden Bündel fokussiert, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (20,21,22,23) zur Erzeugung eines auf die Probe gerichteten Bündels elektrisch neutraler Atome.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Erzeugung des Atomstrahlbündels eine Ionenquelle (20), eine Fokussierungseinrichtung (22) und ein im Weg des fokussierten Ionenbündels angeordnetes, ein Gas enthaltendes Gefäß (23) aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (33, 31, 32) zur Erzeugung einer sich parallel zur Oberfläche der Probe mit möglichst kleiner Geschwindigkeit bewegenden Schicht positiver Ionen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der aus der eine Ionenquelle und eine Ionenoptik enthaltenden Einrichtung (33, 31, 32) austretende, auf die Probenoberfläche gerichtete Ionenstrahl einen spitzen Winkel mit letzterer bildet.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE1963C0031515 1962-11-28 1963-11-27 Vorrichtung zur Analyse einer Probe durch Bombardieren mit Teilchen Withdrawn DE1297897B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR916835A FR1349302A (fr) 1962-11-28 1962-11-28 Microanalyseur par émission ionique secondaire

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1297897B true DE1297897B (de) 1969-06-19

Family

ID=8791690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1963C0031515 Withdrawn DE1297897B (de) 1962-11-28 1963-11-27 Vorrichtung zur Analyse einer Probe durch Bombardieren mit Teilchen

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1297897B (de)
FR (1) FR1349302A (de)
GB (1) GB1038220A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2363581A1 (de) * 1972-12-22 1974-06-27 Anvar Verfahren zur zerstoerungsfreien chemischen analyse

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH611735A5 (de) * 1975-07-25 1979-06-15 Fernand Marcel Devienne
FR2363882A1 (fr) * 1976-09-01 1978-03-31 Commissariat Energie Atomique Analyseur ionique a emission secondaire muni d'un canon a electrons pour l'analyse des isolants
US4804837A (en) * 1988-01-11 1989-02-14 Eaton Corporation Ion implantation surface charge control method and apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1240658A (fr) * 1959-07-30 1960-09-09 Centre Nat Rech Scient Dispositif permettant d'obtenir différentes images ioniques de la surface d'un échantillon, et donnant séparément la distribution superficielle de chaque élément constitutif de l'échantillon à étudier

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1240658A (fr) * 1959-07-30 1960-09-09 Centre Nat Rech Scient Dispositif permettant d'obtenir différentes images ioniques de la surface d'un échantillon, et donnant séparément la distribution superficielle de chaque élément constitutif de l'échantillon à étudier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2363581A1 (de) * 1972-12-22 1974-06-27 Anvar Verfahren zur zerstoerungsfreien chemischen analyse

Also Published As

Publication number Publication date
GB1038220A (en) 1966-08-10
FR1349302A (fr) 1964-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69737942T2 (de) Verfahren zum Erreichen eines im Wesentlichen gleichförmigen Oberflächenpotentials eines isolierenden Objektes
DE2837715A1 (de) Verfahren zur analyse organischer substanzen
DE1798021A1 (de) Mikroanalysenvorrichtung
DE2152467C3 (de) Gerät zur Elementenanalyse
DE1922871A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ionenerzeugung
DE102010048276A1 (de) Ionentransporter, Ionentransportverfahren, Ionenstrahlstrahler und medizinischer Teilchenstrahlstrahler
DE2041422A1 (de) Elementanalysator
DE3136787C2 (de)
DE19635645A1 (de) Hochauflösende Ionendetektion für lineare Flugzeitmassenspektrometer
DE1297897B (de) Vorrichtung zur Analyse einer Probe durch Bombardieren mit Teilchen
DE2105805C3 (de) Gerät zur Elektronenspektroskopie
DE1920183A1 (de) Ionenbeschussverfahren
DE906110C (de) Braunsche Roehre fuer Fernsehempfang
DE2047887A1 (de) Bildspeicherrohren
DE2363581C2 (de) Verfahren zur zerstörungsfreien chemischen Analyse
DE2542362C3 (de) Ionenstreuspektroskopisches Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung desselben
EP0200027A2 (de) Ionen-Zyklotron-Resonanz-Spektrometer
DE2817698C2 (de) Ionennachweisvorrichtung
DE567907C (de) Vorrichtung zur Strahlabsperrung in Kathodenstrahl-Oszillographen
DE1806041C3 (de) Nachweisvorrichtung für positive Ionen, insbesondere eines Massenspektrometers
DE3306172A1 (de) Ladungspartikel-mikroskop und verfahren zu seinem betrieb
DE1497093B1 (de) Roentgenelektrophotographisches Aufnahmeverfahren
DE2837799A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur analyse von aus einem chromatographen austretenden fluiden
DE1922871C (de) Ionenquelle
DE2534665C2 (de) Massenspektroskopische Einrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EGA New person/name/address of the applicant
8339 Ceased/non-payment of the annual fee