DE1427749A1 - Verfahren zum Zertrennen von scheiben- oder plattenfoermigen Halbleiterkoerpern in kleinflaechigere Koerper und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zum Zertrennen von scheiben- oder plattenfoermigen Halbleiterkoerpern in kleinflaechigere Koerper und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

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Description

iMEIRi^CElinGKSPfΤΏ3ΗΚΒ Erlangen» 1G *j g*
Aktiengesellschaft V/erner-von-Slemens-Str·
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Verfahren zum Zertrennen von aeheiben- oder plattenförmigen Halbleiterkörpern in kleinfläch ic ere Körper und Vorrichtung zur Durchführung dea V erf ahrens mumi
Die vorliegende Erfindung bezieht sieh auf ein neuartiges Verfahren zur Ilerotellung von maßhaltigen Halbleiterprlatten.» wie sie in Halbleiterelementen, z«B. auf der Basis einea einkriotallinen Ilalbleiterkörpero aua Gerssaniuta, !Silicium oder einer »chen Verbindung» wie etwa nach Art einer Aj^j-B^ Verwendung finden können» indem großflächigere Halblsiterplatteß, sie von Halbleiterrohlingen abgetrennt 12nd dann gegebenenfalls
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anschließend durch einen Kipp-» oder/und einen AtsprosseS in ötitamtes· üieke gewonnen werden, mittels eines geeigneten W gea mit derart durch einen schneid- oder Bitzvorgang in mindestens eine ihrer Oberflächen eingearbeiteten Spuren versehen wird, daß sie dann durch einen Breehvorgang an diesen jpuren in die kleinflächigeren Platten übergeführt werden können, und Vorrichtungen zur Durchführung dieses Verfahrens«,
Die vorliegende Erfindung hat zum Ziel* die auf vorbestimrafte Stärke gebrachten Platten größerer Flüchenauodelning in einfacher ϊ/eiee für ä^n Zertreimungavorgang beim Einarbeiten der Zer-trennungaspuren zu halten* unmittelbar an einem solchen Träger d@n Vorgang des Zerbreehens in die kleinfiäehigeren Elemente vorzunehmen und gegebenenfalls die kleinfiäohigeren Elemente unmittelbar an ihr em Träger für Vorrats- oder Lagers»; ecke eventuelle. weitere gemeinsame Behandlungsprozesse au
Ferner ist sinngemäß Ziel der Erfindung "»-die auf daa gewünschte Baß gebrochenen kleinflachigeren Platten in leichter V/eia@ ·?βη. itorem Träger entfernen bzw:· lösen au können·
S läßt sich die vorgezeichnete Aufgab© vorteilhaft dadurch lÖsenR daß als SJräger 4er zu sertrennenden großflächig@rea in ihrer pick© jKiShaltig:vorg©ürbeiteten Halbleiterplatten ein© folie Isemitst, wi£dj> -§%&. auf·,.-dj6?i eisen^ ..ihrer Oberflächen-mit einer'.. Haftmass^-biM. einem Bsf*Btitt©lUiber|SUg versieben wlrd,:bKw worden,
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an ihrer einen. Oberfläche in ihrer Lage zu Aalt end "en Kalbleitierplatten lediglich au! diese Oberfläche des l'rägerkörpers aufgedrückt zu werden brauchen und dann unmittelbar ausreichend an diesem l'rüger haften. Diese Folie braucht nur eine aehr geringe Dicke von z.te* etwa 0,2 mm zu haben. Dabei empfiehlt sich allerdings dann» diese i-'olie auf eine entsprechende Unterlage aufzulegen bf.w, unmittelbar auf einem entsprechenden starren 2rägerkörper festzuepannen, bevor die zu zertrennenden großflächigen Halbleiter plat ten an die mit Haftmittel versehene Fläche der Folie angedrückt werden. Dieser starre Körper kann dabei gegebenenfalls gleichzeitig ein Hilf »tisch sein» der sich dann in einer entsprechenden vorbestimmten Lage in die Einrichtung einsetzen HiSt9 in welcher an der Oberflache der Halbleiterplatten die Zertrennungespuren eingearbeitet werden* Diese eingesetzte Hilfetischplatte geht dabei vorzugsweise eine gegenseitige Passung mit der tischplatte büw. ihrem !Tracer an der Zertreifungsvorrichtung ein« oo daß sie eich an diesem in verschiedene Richtungen umsetzen läßt entsprechend der Richtung der Sertrennungsapuren, welche an der Oberfläche der Halbleiterplatte erzeugt werden οollen.
Die liotwendigkeit dieses Umsetzens der üüschplatte lüöt sich dann umgehen, wenn der irugor dieser HiI fet lochplatte in der eigentlichen Zertrenmmgüvorrichtung derart angeordnet b^w. eingebaut ist, daß er seinerzeitβ durch eine Drehbewegung oder Schwenkbewegung oo verstellt werden kann, wie es der Erzeugungorichtung der verschiedenen in den meisten Fällen einander schneidenden
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Zertrennungaepuren an der Oberfläche der Halbleiterplutten entspricht· Die Erzeugung der Zertrennungsopuren in der Oberfläche der Ealbleiterplatte wird im allgemeinen vorzugsweise mit einem Ritswerkzeug in Form eine« Diamanten erfolgen, der eine entsprechend geschliffene Schneidkante aufweist, die in der erwünschten Weise Zertrennungeüpuren hoher Güte in der Oberfläche der Halbleiterplatte erzeugt«
in der Halbleiterplattenoberfläohe die entsprechenden Zertrennungespuren erzeugt worden aind» wird an den Halbleiterplatten der Vorgang des Zerbrechens in die kleinflächigeren Flatten durchgeführt·
Di« Folie wird daher von der starren Trägerplatte, an der sie 2.B. eingespannt war, gelöst, und «8 kann an ihr nunmehr unmittelbar der Zertrennungovorgang der großen Halbleiterplatten in die kleineren Halbleiterplatten durchgeführt werden, denn die Folie kann ohne weiteres der Biegungebewegyng folgen, welche für den Vorgang des Zerbrechena der großflächigen Platten durchgeführt werden muß·
Dieser Vorgang dee Zerbrechens könnte unmittelbar von Hand durchgeführt werden in ähnlicher Welse» wie ee üblich ist, beim Zerschneiden von Glasplatten einen Breohvorgang entsprechend den mit dem Glasschneider erzeugten Rltaepuren durchzuführen· In wirtschaftlicherer und sicherer Weise läßt eich der Vorgang dea Ζ*τ-breehene der großflächigen Ilalbleiterplatten in die kleinfllichigeren Hatten jedoch dadurch durchführen, daß die Folie mit den
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γοη ihr getragenen.» mit Spuren versehenen Halbleiterplatten mit 4eren freier Oberfläche auf eine weiche Unterlage entsprechend geeigneter Dicke gelegt wird und nunmehr über die Rückseite der Polie ein walzen- bzw, s-lulenartiger Körper mit einer Itollbewegung binweggeführt wird» Zweckmäßig wird dabei der Walzenkörper derart über die Rückseite der Folie hinwabgeführt, daß neine AcLae uioh parallel zu den :puren an den großflächigen Halbleiterplatten bewegt, an denen ein Zertrennungsvorgang der großflächigen Platten durchgeführt werden 30II. sobald ein solcher WalzenbL», üiulenkörper dann mit seiner Anlagefläche sich oberhalb einer Zertrennungsspur befindet» wird durch den von ihm an dieser stelle auf die großflächige ilalbleiterpl'itte auegeübten Druck ein.« Durchbiegung dieser Platte hervorgerufen werden» die zur Entstehung eine» Brucbe3 entlang der upur der Haibleitorplatte führt.
Ic eine uolohe \.alze kann ζ·Β. eine zylindrische Walze benutzt /erden. Xs empfiehlt aich dabei, die«· Walsse mit einem relativ •geringen Durchoesser zu wählen, der mindeatena kleiner 1st als di« parallelen Jpuren, welche zwei einander benachbart liegende kleinflächigere llalbleitereleaente beat innen, eo dafl ea auf diese v.eioe gelingt, die großflächige, mit spuren versehene Halbleiterplntte praktlach restlos für die Zertrennung in kleinflächigere Platten auszunutzen bia auf diejenigen Randteile, die nicht mehr der I'ltichenuuodehnung einer zn erzeugenden kleinflMchl·» Platte entsprechen und dabei jeweils eine genügende Biegebe*
der il&lblelterplatte an der Zertrennungsspur entsteht, trotxden die benachbarten Zertrennungsapuren noch nahe der Ober-
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fläche der weichen Unterlage verbleiben· lo hat es sieh z.B. zweckmäßig und aucreiehend ergeben, eine Walze mit dem Durchmesser von etwa 4 mm sju benutzen, wenn eine Tr;igerfolie für die großflächigen Halbleiterplatten mit einer rtUrke von etwa 0,2 mra plus Ilaftmittelttberzug benutzt wurde und die Kantel Inge der sm erzeugenden quadratischen kleinflächigen Platten einen -Wert von etwa 3 mm
titatt einer zylindrischen Walze könnte im Kahmen der !Erfindung jedoch auch eine solche benutzt werden, die den Churakter einer vielkantigen Saale bssw. eines Prismas hat, dessen Grundflächen regelmäßige Vielecke sind, wobei dessen Vieleckseiten ein« Länge entsprechend der Kantenlänge der zu erzeugenden kleinflächigen Platten haben. v,ird eine solche Walze dann bei entsprechender iftihrung über die Hüekseite der Folie derart hinweggeillhrt, daß jeweils eine aeitenkante der Mantelfläche der aäule oberhalb einer Zertrennungsapur der großileichigen lialbleiterplatte au liegen kommt und mit einem gewissen Druck auf der Halbleiterplatte lastet, so wird in einEgeaaüer weise auf diese Welse der Vorgang dea Verbrechens entsprechend den Zertrennungsupuren an der groß» flächigen Halbleiterplatte hervorgerufen.
ütatt einer solchen vieleckigen üäule könate im Hahaten der Erfindung gegebenenfulla auch eine zylindrische Walze benutzt werden, die an ihrer AuSenmaiitelfläohe nit entsprechend angeordneten rippenartigen Erhöhungen versehen ist, deren gegenseitige Entfernung in der Uniangerichtung der Entfernung zweier benachbarter Zertrennungeepuren an der zu zertrennenden Halbleiterplatt· entaprioht.
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Eine entsprechende Form einer solchen geeigneten Säule kann auch beispielsweise dadurch erreicht werden« daß lediglich von der Oberfläche der Waise swischen zwei benachbarten Mantellinien entsprechender Lage jeweils eine Vertiefung in die Oberfläche der Waise von z.B. bogenförmiger Gestalt eingearbeitet wird·
Ia Bahnen der Erfindung für das Zertrennen der großflächigen Flatten in kleinflächige Platten liegt auch noch eine weitere Löeuqg, nach welcher entweder ein selbsttätiger Dehnun£üvorgang oder üchruapfungovorgang an der Trägerplatte für das Zerbrechen bew« Zertrennen der großflächigen Halbleiterplatten auegenutzt wird« ftird z.B. eine solche Trägerfolie für die Halbleiterplatten benutzt, deren -vcrkstoff quellfähigen Charaktere ist» aο wird» wenn diese Tragerfolie zusammen alt den von ihr getragenen· Bit Zertrennungoepuren versehene Ilalbleiterplatte in ein enteprechendes Bad gebracht wird» der Werkstoff der Trägerfolie sich entsprechend volleaugen· Auf diese tteise wird an den Stellen» wo die Bitsaperen In der Halbleiterplatte vorhanden sind» durch die Dehnung der Tragerfolie eine entsprechend« Zugspannung bat* gegebenenfalls auch eine entsprechende Biegespannung er*#ugt werden» die eu» Bruch der Ilalbleiterplatte fuhrt. Sas Haß der auegeübten Zugspannung bzw· Biegespannung wird eich dabei nach der Kraft rieht en» die Ale iol#e des Aufquellen« d«s Irägerkörpere ist· Ss kaatt eich daher alt fiückeicht auf die Erzeugung «liier ausreichenden Kraft notwendig aaohen, dieser Foil« «ine entsprechende Mlndeetttärke su geben« Hierbei kann gegebenenfalls auch so verfahren werden« daß auch auf derjenigen Oberfläche, wo die Halb*
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leiterplatten mit den Sertrennungeepureii versehen sindt noch eine zusätzliche Platte aufgeklebt wird» die Ebenfalls quellfähigen Charakters ist. Beim Einbringen in das Bad werden also beide Folien dann entsprechend quellen und dann gemeineam entsprechende Zugspannungen erzeugen·
Verden im üahmen dieser letzteren Lösung zwei Platten benutzt, welche verschiedene Quellfähigkeit haben» so wird also die eine der flatten eine größere Dehnung erfahren ale die andere, so daß unmittelbar außer einer Zugopannung gleichzeitig auch eine entsprechende Biegespannung erzeugt wird« Ba es Üblich ist, eine geritzte Glasplatte derart zu brechen, daß beiderseitο der Hitzspur eine Uisg©beanspruchung von derjenigen Oberfläche aus durchgeführt wird, wo sich die Hitζspur berindet, kann es sich im Bahnen der Erfindung dabei ale zweckmäßig ergeben« die Platte größerer Quellfähigkeit an derjenigen Oberfläche der großflächigen Ilalbleiterplatten au benutzen» wo eich die Sertrennungaepurei* befinden«
Ib Rahmen dieses löaungogedankens wurde eo an uich liegen« wenn« «riI bereite angeführt» in Verbindung mit einer Folie quellfähigen Charaktere «Ine folie benutzt wird» die die Eigenschaft hat» daß an ihr ein Gchnrapfproaeß erzeugt bzw. ausgelöst «erden kann. Hierfür kann beispielsweise eine Platte aus eine« Kunststoff benutzt mmramn, der im Verlaufe eintβ MraebehandlungeprQseeses gereckt worden 1st» wonach dieser Zustand an diese« Körper eingefroren wurde. Dieser eingefroren gereckte Zustand kann dann be-
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kajmtermaßen durch eine 5ntsprechende Erwärmung de» Körpers wieder aufgehoben werden, ao daß in dem Körper dann eituprechende 3chruiapfupannungen entstehen» die bestrebt yind» die ihm aufgezwungene Reekung wieder rUckgän^ic su machen· Im Eahmen der .Erfindung könnte non..t beispielaweiae auf der einen Oberfläche der Halbleiterplatten eine Folie quellfähigen Charaktere und auf der anderen äeite eine solbe Folie mit JohrumpfCharakter mit Haftung befestigt werden« Durch das Einbringen der Folie in ein Bad für die Erzeugung des Quellen» an der einen Folie kann dann« wenn diesen Bad in einem entsprechend erwärmten Zustand benutzt wirdf gleichseitig auch der :5chrumpfprozeQ im der anderen Folie eingeleitet werden·
Die Badflüasigkeit, die jeweils für dieaea Quellen deu l'olienkörpera benutzt wird, muß dübel derart gewlUilt werden, daß sie noch nicht mindestens wührend dor Zeitdauer dieaee '„uellprozesaee dar, ITiiftralttel löat, durch welche« die groOflächigen Ktilbüterplatten an der Träger folie gehalten v^erden. Ba können jedoch dabei gegebenenfalls auch scwei verschieden» Bäder benutzt werden, wobei data eine Bad eine β öl ehe FlUeaigkeit enthält, die Ewar einen Quellvorgang an dem Folienkörpor erzeugt» aber noch nicht ein löoungoeiittel für das Haftmittel darstellt, durch welches die üalbleltttrplatten an der Folie gehalten werden. Die Folie wird aluo dann nacheinanderin ewei verschiedenartige Bäder entsprechender Funktion gebracht·
der Vorgang des Verbrechens an den großflächigen UaIbleiterplatten durchgeführt worden iet» «acht es sieh notwendig«
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die erzeugten kleinflächigen Platten von der irigerfolie vfieder zu entfernen· ύ s kann in einfacher Weise dadurch erfolgen, daß die üirägerfolien in ein entsprechendes Bad eingebracht büw» eingehangen werden· Die kleinflächigcn Platten werden sich cl&nn von dei* Folie liioen, so daß die !folie und die kleinflächigen Platten sich dann in getrenntem Zustand in dem Bad befinden· %±rä die Flüssigkeit aus dem Badbehälter entfernt, z.B· durch Absaugen, Abgießen oder Ablassen, ao können die kleinflächigen Platten für sich aus dem Badbehälter entnommen werden·
Ee knnn gegebenenfalls auch i'Ur da ο /bläuen der Platten üo vorgegangen werden, daß eine einzelne oder mehrere Folien geraeineam in je einen siebartigen Behälter eingebracht bj:w, eingehan^en und dieeer dann in dua Bad eingesetzt wird· Hachdem die kleinflichigen Platten aicli von der Srugeifolie gelüüt haben, wird der entoprechende ;;iebboliiilter uuu dem Bad wieder berauagenorauen, und ca können dann aue deia Ci ebbchf.lter die Polio und die kleinflächigen Platten je fur sich entnommen werden·
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Zur näheren ,.rlHut rung der .jrfindunc an lltmä einiger A wird nunmehr auf die Figuren öui Zeichnung Blzug n
In üen einander entsprechenden Riosen nach den Figuren 1 und 2, von denen i'ig. 2 eine i>chnittdaratellung gouiUßß der Schnittlinie H-II nach ϋ£, 1 ist, bezeichnet 1 eine bie^otoe ilrtte b:vu Tracer., olio, die nuß einem Kunststoff« wie a,B· aus Polyvinylchlorid etvja nit einer ütürlce von 0»2 mn bae-cht· Biene 'friit"orfolie vird an ihrer einen Oberfläche ciit einen ."lebfähigen Haftmittel To:aehen bar/» ist bereits mit diet-on Haftmittel vnrcehen worden· L'üch der JDars ellung gemäes dei riguren 1 und 2 iet dieue x'riigorfolio bereitü vuf einov an ihreif .. eitlichen Teilen abgeeetrten Diachplatte 2 mittels der Eparmsehienen 2a feingespannt» die mittels der iichi-r.uben 2b r=n der 1 litte 2 befestigt sind. Auf die Ire liierende» r,iit liaftmittel irertMshene Obcrflilche der folie 1 eind, wie die Figuren aeigen» eine Viela«hl von flüchigen jilulbleitereeiieiben 3, a.B* hub cinkrietallinera Siliziuiat aufgediüekt worden» so dnos sie fe^t an der iOlie iiaften· Dieae Halbleiterscheiben können a»B« von einem stabföraigejn einkristallinen Jialbleiterrohling» ζ·Β· mittele einer üifiuaanteüge» abgeschnitten und dann auf ein vorbootimmtoß Dickenraatta durch einen X4ipp-Prozess ge.chliffen worden oein.
Ein ßolcheo Aggregat 1 bis 3 «ird auf den Tisch einer Vorrichtung ftlx das Einarbeiten der Zertrennungi spuren nach Art Ton ♦ bei». 5, wie ei« an einigen der Uelbleiterpl^tten 3 in Wig· 1 *u entnehmen sind, JLn die freie überflüche der ilalbleiterplatten 3
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gebracht* Oae iiinaibeiten dieeer Eertrenming. spure« in die Oberfläche kann. a*B* mit Hilfe eines äiastarrten vorgenommen vmr<3en* ! ach der Drtrstellur geiaüsß Fig* 1 erg&nsen sich die in a ei isueinaüdsr senkrechten Richtungen eingearbeiteten «puren 4 bsw* su ^■uadratenr wie aie in diesel i&lXe den liiai'i.'Esg der zu den kleiiiflächigcrea Halblöitcrplattor, ©nt^
.is Izann nua orv/tinocht ßeiiit an der Folie 1 ^e-eile auv.eer üen in die lialbleitarplf.'tten eifige irbeiteten Sejptx^nnungsepurea läoch oin©n iiindieutigen weiteren Anhalt isu höben» v/eiia die F -lie in eine v/eitera Vorrichtung? nämlich diejöiiig© für die Ersseurung des ?o£göngee des Äcrbreüiiens der Hülbleitorplatten eingebr^clit «ird» claisit iti dieser Ybrrichttmg οεαιπ. die S-rtrennungospuren eine eiadeutlg vorbeotisiate Sage in £bßug auf d;-ß ^cr^seiiß haben bew# aöf einfache f?eise erhalten können, -. elches für ä&n Vorgang uots Serbreehena ale Mlfeeinrieirfcusg benutat sird* Um solche entsprechende» Marken, aft der l^olie 1 *u sehaffoH, -ist z*B. die Platte 2» auf welcher die jFöli® 1 festgv«poamt ist, noch frit £o,nangen 2e irerselxen· Auf die se tsise ksiaa mittels eines entsprechenden SichnGldr&Tkz&VLgtsBt welehee dureli die folie- Mnöurch jewcilla in eine der Bolirungen Zt eingefüiirt wlrd# a«s der !rolle eine entsprechende Karlce In Form einco Lochee ta euegeschnlttoa werden* JSieße I9UChGTr ta dieiies daön# wie in der weiteren BeflChrelbUBg erläutert werden-.ttirdy ale Mar&«n fiar dae Aufsetaon der Folie» beispielstfeise über entspreohende, sie in der lagt orientierende -t if te«
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IiacMen an allen Hulbleltorplatter«. die u7ttUn.3ch.ten Bltaapuren oraeu^t fvoxden Bind, vüird tJie rolle 1» v.elake die -islblGltsrpl&tten trägtt nunmehr für den Vorgang «lös Verbrechens der HaIbleitorplf:itten 3 von der ϊlatte 2 entfernt, öle wird min anschließend -.'.uf einer solche weiche UnUrlß^e alt den freien Qborriiiehen der lialbleitcx'rlatten 3 gelegt, fe^o, wenn ^e ells danach oO^cnübcr döfj eißfre- rbeltfitcu. Z^rti-enrtun^iiopuren 4 bes?· ein ent,-p* echendor ürtliclior Jiaick ai-vf <liq Eilen ölte der folie ausgeübt wird» eine solche 3ie{rebüanßpruc vaxp 4er bssw. den jewei- !'r-ilbloitcrpl^tten sntlar^ äsr je eiligen eingearbeiteten
v/ixd» dn..>s üntlr-.ng: dieser Zrtreimun£33pur ein Jruch der ifalbl&lt rplette stattfindet· Vorzüge ?;ei e ¥/lrd «Iie;-e Uruckbeöinöprucliuiitj der ku sicrt rennenden nut te ~)QV)->.l1b nur an einer Kertrcrmur:^.. χ;«ρ der ?i lbleit< rp-latte L.uß— f.v liliirt. ü· ö iuam. s.B· in einfacher /elae, wie bö-'.eita aj;; efiUirt, üiA'iiiiJuna^; e:x es 3-durch erfolgen, da..ο übo:: ΛIe Rticltoeite der i-iille eine .♦ lae der; rt hiiiwojgefülirt wird, d an sie einen ent* sprechenden Brück txut das Aggregat cuaübt· Die Aexisrieiitung der * alse be^ sßt sicli dabei vorzugsweise aüglichct exakt parallel au den eingegrabenen ^artrerjjiiingsüpuren der 11· Ib leiterplatt en·
Die bei einer aolchen Druckbeanopn chuug der 'Uilbleiterplatten ar, dieaen für «lic Herbeiführung dee Drueheo ausgeübten Bio£e~ b aßspruchimcön oind etwa gleichartig denjenigen, welche enteisnen» wenn man «ine vorvjt-ritate 6 las & el eibe ^Uf die Kaute einoo Sieches derart lect, do^o die Projektion dor ilitzcpur iiit der ' Lante dec ϊΐον hea ausulbjeinfällt und daim auf den frei lausladenden
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i'eil der Glasplatte; rait einer solchen Biegekraft ei23geY?lrktwi dasö die Glasplatte an der £ teile der eingearbeiteten serbrieM·
Da im d©n lialbleit. rpl: t-ten bei dea /tiisi'ülirtm/^beispiel nacü. iig einander senkrecht schneidende liit es puren 4 bsw· 5 eingearbeitet airid, ist ob ß-atuFgeiaiisa ffir die vollständige 2 rtreraiung der froti-Qfliiehigen. iiülb-lciterpliitt© .in die klöinf lliciiige r en blatten eriorülerlich, aui'ein rderfol^entl eine solciie alse in je einer zueimaidöf senkrechten Eicfctun^en i*ber die απ eieren Hüelceite
t/i.e lia^unaime- cIbgü sole!.en Verbrechens der ^roGsflüchi^en II· Iblelterpliitten mittßlo einer öolcii^n weise voiaiiöckaulielit '&*%+" "" die Viß. 3 der l-leichmmn» In dießei bcDOlclmat' 6 eine -ilrtte. Auf tilöuer befindet aich die weiche Unterlage 7» welche die*-Folie-J. aufgelegt lBtt an welcher an ihmr unteren fläche die >ait eingegrabenen Äerti'enmingßspuren, ^ie κ·Β· 4»
fialbleitörpl^ttton 3 'haiten· ti boeeiC'luiet eine aylindri , Avelche /ait ilirex- Äcüae 8a in einer solchen nung vomier ilatte 6 pta'ailel zu den eingegraboxien ' apuren 4 über die föick. ßite der ifolie 1 Miiweggeiührt vrirci, ä dabei die ont:ipr^chenüien Kalbleiturplatten 3 örtlich in die -.eiche üntörlaije 7 eingedtiiskt weiden· ifeis Mausa des Äiiuirüekena ist dabei derart beiaea«en, Unas an der je eiligen «ertrcnnunßß» 4 apur 4 eine, ooielie Biegeboanapruchung ΰ,η dar dioi.er gegenüber1» , liegenden Oberfläche der 11 lbloiterplßtten bsra* der folie her- voTgeTvUwi wird, daaa an dieser ZertrennunisSfipur 4 ein enteteht. 809812/0428^
- 14 -■■'■·'
BI/-. βΐ/1702
;tntt uiner Walae mit sylin&rioeliera IMiang kann gegebexteniullo aucii eine *. alse 3 alt polygonalem TÄifuni» geniiß Figur 4 benutat werden» wobei die ueit©nlänge 10 des IOlygona der örundiläöhen der valae der üntfernuBf; &w&l«r Ritsüpuren» s»E· 4 nach Figur 1f un der Hiilblelterplatte entspricht· ,line aolctie polf^ümile ^ alee bijw. ,".'iiile v?ir<5 «leiter derart über die 2?r;i£ierfolle 1 Iiißwegge« führt» %i©lciie an ihrer anderen öbcrfliolie die Kalbleiterplatt en
5 trägt t &iü eine weitenkaate 9a der polygonalen «alsse b w. wäul öicli jeweils oberhiilb eiaor Hitaigp«r 4 bwg· der Ilalbleiterplatte bsw. -platten auf die Träger folie 1
einer Waise nach .i.rt einer polygonalen ;iuule kannte aucli Figur 5 eise «ylindriaöhe v^alse 11 benütat werdffls* on ihrer idantelflidie gaaaß einer dtircäi die Kitsöpuren an den leiterplattttn best losten ent opreoh enden l'eilung stit hervoratehenden Kippen 11a vercehen lot« Es setr.t aleh dann die jeweilig« Hippe 11a als liruckotUcic an derjenigen Jteile auf der EUctaoite der Ir.lgerfolie 1 auf, der eine lützapur nn den Flatten Z bie 5
die erwünacbt« Blndeuticlteit der relativen Laße der Zertrennuniiscpuren In besag auf die Ache« der Zertrennuneewilise und even» tuell deren Kasten oder Hippen an der Hantelflacoe jeweils gewührleiotct lot, tauO elco, abgegeben davon, Aa.il die Trie«rioli· 1 in vorbeatiamtor Welse t5rtlich auf Her Tiuchplatte angeordnet wird« die polygonale ^äal· fur eint oolche Abwulaung ihrer Sauft·!» fläche auf der Träcerfolie 1 geführt mmrä&n* daß, wie
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Ab
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die fielt©nkantea der ifol^gonalen c!EnIti Jeweils an.dor richtigen
auf d«r .i'rägerfolie gegsaüfcör irf.2igr Sltaapur der groß-EalMeit€^Süra«tseii, wo sie die
der sw ssertrsrnientlcai ^roßüarcililifea Halfcleit^rplötten an ±bren erzeugen, sollen.
' Bfcr iss- richtige örtliche Aufbringen der SxftgerfoZie sit öen an ihr härtenden Balfeleiterplatten auf 3«r eatsjpr©clieiia©n platt© Äer gertreiffisangsvorriiäitui^ea könaen, wie bereita in biadutng ©it der Erlaoter^tsg der Figur 1 'wtße&fom vmsr&&9 die la Taeautat Tserdön» welch« an vier Bckea der i
sind* Me 23OlIe 1 wird ait älmtexi iöelierai 1a oti0tt4eutet wurde, a#B« aaeli Figiar' € auf Stifte 16 an d«r tifjchplatte 6 dea? BrechelairieJbtuiig Bö kann äabei gleichüsüitijg; üuch noch ammms liutaen ueaogen werdea» daß die frlig*r|>latte 2, «?«lehe meii dea figuren 1 und 2 kenutst «ur4et ita ihrer .oberen «M iaiter€ri JEante Mit eätsfepeGließden be— epnftsr«n iienroretitiliei^i«3i StJäten, «acfc Art von 2d i?®reehen ist» an welche die Folie 1 mit ihren ;'eitcnkont«n an^eloßt werden konnte, -iolofae HiXfoiinlageleietim kÖBBen ölnn^etaüü auäh fin der Tiecbplatte il#r Bredieinriobtun^ mich Figur 6 b»nutKt «orden, 321 welcher dl« Tracer folie mutzr BrechYorriobtursß und dass gegebenenfitllo jsuoiitslich noch feotg«ep<inQt wird
©Ine eiinJeutige relativ* FOlirun^ aar walEc baw. ü;iulc alt Ifarer- ^c^e« nM gegebeneßfaäle den Kt«st«a aa Üur©r l&mtelfM«lie in bosuß aur die lage der ZertreaaujsgaüjpireE an den fi&H&elierplatten Qtattfindet, kann gecaäß Figur 6 eine oolche
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walze 12 s*B· an ihrer »clic 12a ait äaimrddern» wie ζ·Β· 13» .vergeben sein* die aiefc an Salmst-angen 14 entBprecljender Zaimteilung» »lic an der Grundplatte 15 der Brechvorrichtung beleatigt Bind» als Führungen bewegen* Die gleiche wirkung könnte dadurcii erreicht werden» daß unmittelbar an der giachplatt· nolchc ZabnctJingenfUiiruuijen vorgesehen b.w. eingearbeitet eind· ϋε könnte auch die !Crcigerfolle Λψ welcfte ait liaitung die Halfelelterplatten 3 trüfrtt an ihrer Bandaose iait einer Perforieruug vergehen sein» iR »eiche aus uuf der Velle der WaI^e sltzcBde Zalmrad oingreii't» oder durch welche es bis in eiae zabßstaji^enartige Teilung &Ά der Tischplatte hindurchgreift.
In i'ißur 6 iet noch i;eael£t, »ie die 2ertrennUDyg&walae 12 sit ihrer .eile t2a in je eines der ortnieatec l&ger 17 b:*w. 1ü drehiutt von denen j «dec derselben Iu vertikaler Eichtuag
ortafeatcn ,.:,i4,ea 19 b:;w. 20 ^eüibrt 1st und unter der «irkuag Je einer der !Druckfedern 21 bi.w» 22 steht» welche α ich an je einem der Über die Lnden der iUlulen 19 bi.v/· 20 er» streckenden Quer Joch abotlltacn.
Bei diener ^uafUJiruiiß nach Figur 6 ist gLeieh&elti£ d«r /ufbau derart gewühlt, daß auch der ^laoh, auf welchen das zu ztrtrwinende jyytea getragen lot, al ο ein .ohlittsn benutst wird, welcher unter der talse 12 hindurchiieisoßen b£»· gefdlirt wird, eo das durch dieao ^dilittenbewe^ung Über die alt dem acfilitten verbundene Zahnstange 4 un-»d das Zahnrad 1? unodttelbar die v.ulae 12 angetrieben tttrtU
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At» T42774S
JXJ> ΈΊΑ ββ/1702
ßu ist zu erkennen, daß, wenn der Brechproseß, der mit der Druckwalze durchgeführt worden ist, die Platte 1 die einaelnen kleiafliichigeren durch Zentrierung erseugten ilalbleiterplcttten noch trägt f so daü diese platten dann gegebenenfalls in diesem Zustand unmittelbar auf Lager gehalten oder an diesem träger gemein weiterbehandelt werden können, wenn a ie nicht unmittelbar d von diesem abgelöst werden· Das kann» wie bereita in der ullge-Eteinen Beöchreibuns angeführt worden iat» a.B. dadurch erfolgen, daß die Platte 1 zusammen alt den unterteilten Halbleiterplätten 3 gegebenenfalls im Taschen rait siebartigen ITänden in ©inen Badbehälter eingehangen wird, der ein Lösungsmittel für das Haftmittel enthält, mittelo welchem die Platten 3 an der Platte 1 haften.
Damit die siebartigen Behälter eine aöglichot gro0e Lebensdauer haben, können diese auch zweckmäßig aua einem gegenüber dem IiösungsBiittel dea Badea beständigen Kunststoff, wie ζ·Β· Polytetrafluorethylen, hergeötellt werden, wie es auch unter deij ilandelcnaaen l'aflon bekannt geworden iat·
Uta die kleiafläeiligen llalbleitertabletten nach dem /;bläüun££ypro- zeSi zuaasaen mit limer ursprünglichen Trägerplatte auf einfache Weise wieder aus dem Badbehälter entfernen zu können, kann erao verfahren werden, daß die Tragplatte mit den
zertrennten ilalbleit erplatt en» bevor Die in das Bad gebracht wird, in einen siebartigen Behälter eingebracht b^w.
wird· Ifaoit dea Löaungsproiefl befinden sich dann die kleinfläcaigen
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Platten in dem ^iCb ala ^αωαβίΐ) ehält er , so daü alao die Seile der uruprüngliclien iüniieit ge&einsaia aus dem Badbehälter wieder iiercaia^öiioaiaeii wei'den kümien· Als ein geeiguetea lüauiigsiaittel baw. iJLi. eiae Tür daiä Bad geeiüiiete Iliiuaigkeit liaim &«B· Aceton benutat
Figur 7 zeigt noch eine BiHBeldaretellung der Anordnung nach figur 6 für das Äusamcienwirkeii der Zahnstangenfülirung 14 und des Zaknradee 13» welche beide zugleich den Antrieb für die BrmStwalze 12 bilden«
7 Figuren
1^ Ansprüche
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- 19 .-

Claims (1)

  1. PLA. 61/1782
    1* Verfahren sur Herst ellusg kleinfiä eiligerer Halbleiterkörper durch Zertrenne» größerer Hali3leit©ri>lattent dadurch xiBty daß die au eertarenneadea Halfcleiterplatten auf die mit Haftmittel ^earaehene Fläene einer Folie auigedrUekt usi Hash dea Hinarbeiten der 2eFtT®tmwagmpw?Bn§ welche dem Uiafaag der-klein-ÜäiSfcigareti Hatten oätesrecilMai« in die OberfXadie der Ealbleitexplatten adttele ©iss© Werkseiigee file Balbleiterplattexi unter der BleeeilUii£keit oder Quelifthigkeit der Folie aa : stellen ü®t
    2m Verfahren Bach Anspnigh 1t äa&ureh. gekennaelehnet» des di@ Folie bereits ¥©£■ oäei· ^@h dem Auftoü@k«n ä@r Halbleiterplatten awf umm. SaÄiüäeli© Ulr i^i Torgasg S@@ Binariseitene d®r S©r-'Ireimungsspiiren auf einer-et&Krem l^ttefiag® fsatgespemil; wird«
    3· 'Terfalirea aseSi Aaep^u^h 1 oder -2* dadtrr-ib g®k«aiiiselctt»@t f an der VorriöbtISiSg, aa w«leJier Sie Sertrenaiaiigeepuren an der
    ier nal'öleitÄJf plat tea «rssii^t wurden» gleichseitig weiter® - *8Mbier«Big: am ämr Foti® tsrse^t wird, oittels wal* die folie dasii £i& #im@r M^ri^Miaisg stoa Serbsrasfeaa der HaIb sit rm>fo®s&tw®a*s? Z*gtt der 2erts^na«agespisren ein- wwtümi leasm· -
    4* Yerfalireii :::a&ii Anspa^tlt 1 oder eiasa äfer £»leenien9 dadurch «»äaniiKeielmstg das-:dle ,folie» welöh* tie Mt eiagearseiteiien ^©r©®Jsea®3"Hs2fel#iter^Utttea trägt« jr.lt der freien Ob«r-
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    fläche dieser Balble it erplatt en auf eine WaIoMs Unterlage aufgelegt wird» wonach dann von der Rückseite der I1OlIe eae an den stellen der Zertrennungsapureti eine solche Druck- oder Biegespannung hervorgerufen wird« die sins Bruch öer Hslbleitierplattati an den stellen der Bitzapuren führt·
    5· Verfahren nach Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet, dteS für daß iiindrUcken der Pl ittö in die weiche Unterlage über die die Ilalhlö it erplatt β tragende i?oliö eine V/alze «it entsprechendem Druck hiiweggeführt wird«
    6· Verfahren nach Ansprach 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine '..alge mit aylindriochera Umfang über die lolie mit entaprechendem Druck hinwe&ßeführt \/ird.
    7· Verfahren nuch ,Anapnieh 5 oder 6, dadurch gskennaeichnet t daß die 1.alse einen .uurchmeuaor hat» der mindeeteiio kleiner ist als die doppelte Dntfernung zweier in die Oberfläche der Halbleiterpl itten eingoareeiteter 2ertrennung»spuren·
    8. Verfahren nach Anapruch 5* dadurch gekennzeichnet, daß über die die Hulbleit erplatt en tragende Folie eine ¥/alze mit polygonjalenv Umfang hinweggeführt wird» wobei die Beiteiiläßg© des Polygons der Kantenliinge der zu erseugendesi klel&flächigeren Halbleiterplatten bBW. dem gegenseitigen Abstand ssneier in die Oberfläche der llalbleiterplatten eiagegrabener RItssapuren entspricht*
    9· Verfuhren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, <Saß bei Anordnung der die Halbleiter plat te tragenden Folie auf der weichem
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    142774Q 61/1782 H- . w
    jait einer vorbestimmten Lage &®τ Zertretaian^a&^we®n feessug auf die seitenkante*! oder eine feilung an der die Walze relativ zur 3! lochplatte derart geführt bewegt daß b©i ihres bewegungen, bhängi gen Umlauf um ihr© Brehaeha© ihrer Kajit en Jeweils oberhalb der I*age der sa der zu zerfcreehendeii Halbleiterplatte aufoetat
    10· Verfahren, nach iVnapruch 5 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die BroclisynlKe an einem ^ahnr*idayi?ten geführt ir-t. - .
    11« Verfahren nach Anopruch 10r dadurch i!ekeniizeichnety iaß döüteno ein Ziilinrad an dor Uelle üer Druckwalze mit einer ' ge an dem iüiocii der Brechvorrichtung im &ingrifr
    12« Verfahren nach Ancpruch 1 oder ©lnesi d©r folgenden» » daS die die IialbXeit®rplatten tragend© mindestens an der Vorrichtung an welcher in die Halbleiterplatten* die aertr©niiii«i;3apuron eingearbeitet vrerden» mit einer Markierung, inefeesondere einer Perforierung» veraehan durch welche »ie dann in einer eindeutigen VOrbedti ZertJr@nnuiig8spurea ia bsisug auf dau ZsrtreimungswsrkJseiig an£" Am 2iaeh der Brsehvorriobtung aufgebracht werden kann.
    13. Verfahr®» nach Anspruch 1e dadurch go&ennseiehiiet 9 daß di© die Ilalblaiterpliitten tragend® "Folie au3 einem quelliil stoff "besteht unä diese Folie sueanBaen mit den mit
    versslieasn Ilalbl eiterplatt en in ®Xn Bo &
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    142774°
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    bracht wird, wodurch die 2ra£pl.'itte der Halbleiterplatte sieb rait der Baöflüsslglceit vollaaugt und durch ihre !Deliming eine solche Beanspruchung der Halbleiterplatten an den Zertrenmmgaspuren erzeugt» daß an diesen stellen ein entsprechender Bruch erfolgt«
    14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gefeem2eichnet, daß eine folie iiue Polyvinylchlorid und al» Badflüseigkeit für die S deü Cuellprozeaues Aceton benutzt werden.
    15· Verfahren nach Anspruch 1 oder «inest der folgendem* dadurch gekennzeichnet» daß nach Erßeugung der Bruchetellen an den 2er~ trerniungespuren die folie, welche die zertrennten kleinflächlgeren Halhlelterplatten trägt in ein Bad gebracht wird» durch welch e a das Haftnittel »flachen den kleinfläeiligeren Platten und der Folie In Lüeung geht.
    BAD
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DE19611427749 1961-11-10 1961-11-10 Verfahren zum Zertrennen von scheiben- oder plattenfoermigen Halbleiterkoerpern in kleinflaechigere Koerper und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens Pending DE1427749A1 (de)

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