DE1414863A1 - Schaltungselement - Google Patents
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Description
•!ΚΓ | 1 ' | |
PATENTANWÄLTE Dr-fng KΛΝ'/Τ Γ\}~0\ |
BERti | |
DmL-(Ot1. K. GFi,=:!-; i~2.r.NJ | ||
+14863 | ||
Sie Erfindung besieht sieh auf ein neues Schaltungselement, dae lsi besonderen bei sehr niedrigen !Temperaturen arbeitet und negative dynamische «fiaerstsadsiBer&aiaie auiweist.
IUr Schalter, Verstärke», Oszillatoren und Mikrowellen« Inr ich tunken sind eine Ansah1 von Sohaitungselementea
begannt und allgemein in Qebrauch. Diese umfassen Dioden, funnel'
dioden und Transistoren, um nur die 3ebräuefiliohste& Siebente
su nennen. Obwohl jede» dieser Element« for versshied^ne g*eu*s
verwendet werden kann* so weisen sie jedoeh an sich gewiss·
Bangui auf, so dass esdurchaus erwünscht 1st, db«r eia vollständig neues SohaltungselsKenit veri'dgta su känaea« das ni®h%
nur diese Eltosat· ersetzen kann sondern auch neue Äombiaationea von Merkmalen unter Einschluas eines negativen Widerständewertes aufweist.
.8098 0 1/0 221?
file Irfind&ng sieht deshalb tin Btue* Sehaltuagsele*
»ent τον »it «ie·» dynamischen negativen Wideret an daaerkiial
sowie «In Schal tungseieiicnt der genannten ArC, das abvandlungS"
fällig is« UAd «inen hoben Grad von flelseitigkeit und Verwendbarkeit aufweist. Das erfindungsgemä&e Schaltungselement kann
thermisch, aagnetisch und elektromagnetisch getttutjrt oder bteinflusst werden» Die Erfindung sieht ferner «la üchaltuagee lernt at vox, das im *es*ntlicbea raueoiiirti ist« und das sehr
klein aufgebaut und oha· scb»ierisü:eit*ü betrieben »erden kann.
üie Erfiüduüa ei ent weiterhin ein Verfahren vor, saite dessen
Hilfe ein negativer Widerstand er »ie It «erden kann, so ds.se eich
die Möglichkeit ergibt, ein bistabllee Element sowie eine neue
Schaltung su sohaffea, die für elektronisch* Einrichtungen nie
Schalter, Xmpedanstrsnsforaatoren, ferstärker, fcisoher, Detektoren und ObenrelleAgeaeratorea verwendet «erden kann,
neue Schaltungselement besteht nach der
aus »indesttns svei sugeordÄet« Körper aus Stoffen, die Slektrooeaemerglespftlt· auiwtieea, und die von eimander durch eine
dünne dielektrische Bohioht getrennt sind, welche schient den
Durchgang eines erheblioheA Verschieb«βtrosi*β luläist. feist
einer dieser iL&tptg einen Fnergiespalt auf, der sich von de»
des anderen Körpers unterscheidet, so kann «in BestrH eines
dynamischen negativen wider stände· dadurch geschaffen werden,
dass durch das lleaeat ein geeigneter elektrischer Strom geleite*
wird. Diese verschiedenen Bnergiespaite können in den &*&
förper bildenden Steffen und bei den feaperaturen, bei denen
das Sleaent betrieben wird» an sich vorhanden sein o&tr durch
Beeinflussen der elektrischen Ilgensohaften a»r Körper geeehäffen «erden* Die beiden Körper, aus denen das Schaltungselement
sich susaomensetzt, können sich beide in supraleitenden Zustand
■ 8098 01/02 2?
befinden j «ie können beide m* Baibteitma.ltoctolwvodar de?
•la« Körper kann supraleitend taad des andere Korps* 5ία Halbleiter »eia. BtI dos stehttabeadtu Beßönffeifcuas wird 1» allg«-
melaea davon aue&agaageii, dass die beidea Korρ** slofc 1« »upr*-
I^itendeα Zustand befindta, $dtr das« nur 2in äup**i*lteader
Körper zueaaten s&t elaefi fcalbLeiStr ir^£»eadct «isd· Bi«
fladuag sieht selbatveretänalioh auch die ^rwendung voa
Halbleiterkörpern beim Aufbau dt» Scheitungselea&xitia Tor, so
dass die nachstehende Beechreibuag; sieb muoh m£ dieie Aueflhrun^eloru; der iiffindung bexitht.
Bas ertiaduasas«aräSe Veriahrec li&aa« kusz seeast,
als eia Teriaiirea sum lrstugea uad Beeiaf lueses elaee elektrischen Stromes aagesehea *erd#a, da» dadur-cL g^^eaaseiuiiaet ist,
das» twei Körper aus StoΠen alt charaktarietischen flektröaeaeaergieepaltea durch elaea ddaaca dielektriaciitn film ¥oa eiaander getrennt werdea, durch den ?oa dem eineα Körper suk anderen ein erheblicher Vereehiebeetroc flieBen kaaa» und dass
zwischen dea genannten beiden K.örp«rn eine elektrische Foteatialiifferens erzeugt wird« Dadurch, daee la den £a«rgieapaite& der
beiden Körper eia Unterschied gesch&£iea uad durch das Element
eia geeigneter eltktrieciier Strom geleitet wird, mlx& eia Be*
%IrJc mit eineoi dynaö.i»cfc«n negativen Aiderßtaad erEeufjfc.
Das erflndungegeaiäße Schaltuagt« Iettent und dae 7er*
fahrea sub Eraielen ein·· Btslrke· nit einem dynamiachen negativen widerstand wird nunmehr auef öhr lieh oeec3arieb«a· Ia den
beiliegenden Zeichauagen iat dl«
f ig.1 uad 2 i% «la stark vergrößt.rt*r queresäJLitfc durch typische AUQfdhrungen dta «r£iaduageg*ftäS«a Sch*ituaga-
«lernent*β,
Flg.3 eine graphische Darstellung der Be^ietmiig der
ffmperafcur
80980 1/022?
3?e«pe*atur sur lntenaitur a·· feagnetfeldes iir einen
typischen Supraleiter, wobei der Β«χirk der Supreleltfahigkeit steigt «lrd,
Pig .4 und 5 Je ein· KurvenKeiohnung, die den Streu in besug
aui die Spannung bei« Arbeiten eine· erf indungsgeaäöeii
Schaltungselemente» zeigt
Fig.6 und 7 je eine Darstellung der wirkung einer Verstärkung
dee iaagnetieldes und der Srhöhun; der Temperatur de«
erfindungScSeisuiSen SchaltungseleEeates, woraus tu ersehen ist, in welcher ./eise diese Faktoren euig steuern der Arbeit des Elementes benutzt mrd&n körnen,
B eine Darstellung der Funktion der Beziriisdiciite i ir
die beiden, das schaltungselement bildenden körper,
.9 eine Darstellung;; eines typischen jer^tes Eit Einrichtungen, die die iLÖryor iai Zustand der Supraleitfähigkeit halten und die Arbeit des ochaltungselefcentes
steuern,
10-13 je eine Schaltung, in der eine Zwei-Parameter-Abwandlung des erilnciung^HeBtatien üchaltun^sele&enteB
verwendet ist,
· 14 und 15 eine Draufsicht be*.«, eiu Querschnitt einer
Drei-Faraiaetfer-Abwandlung des cehaltun-selei»fciites und
die
Fig* 16 und 1? 4« *iD* Grundechaltuag, in der das Bchaltungseleuent nach den Figuren 14 und 15 verwendet «erden '
kann·
Die Figuren 1 und <2 xeigen di« einfachste Ausföhrung
de· erfiaduagasenääen SchaltuagseieKentes, dessen Abaessimgefi
in der Zeichnung aus Qriaden der Klarheit stark vergröbert sind«
In der ?ig«1 ist eine Unterlage 10 dargestellt, auf der das
809801/022?
_ , ι ι ι ι vrf vy w
durch elfte Klammer eusaiuEengefasste Schaltua^aeleir.eat angeordnet
let* Si···· Element besteht aus einem ersten Körper 11,
der an «late Unterlage angebracht oder auf dieser geformt ist,
und aus einem »weiten Körper 13« welche beiden Körper von einander durch die ele&triache Isolation getren.it sind· Von der
Halbleiter· und der Supralelterschicht gehen geeignete elektrische
Le it er drähte ab, die scbeniatisch dargestellt sind.
Zum Pcrrren der Leiterdrante kann jedes «^eignete Verfahren
angewendet «erden.
Die Fig.2 zeigt eine Abwandlung, bei der einer der
iLor^ts sowohl ale unterläge als auch als ein Teil des Elemente·
dient, wobei 12.eine* dinne elektrische !eolation und 15 der
zweite Körper ist. In Übereinstimmung mit der Definition des
SchaltunjaeIurentes nach der Erfindung können diese Anordnungen
abgewandelt «erden, «obei die Körper 11, 15 und 14 aus einem
Supraleiter oder einem halbleiter bestehen Können.
Aus der Beschreibung der figuren 1 und 2 let su ersehen,
dass far das erf induline ^eirä ^e SchaltungBeiesMint icindeatene
drei Bauelemente erforderlich sind und ewari swel Körper,
die sich im supraleitendem lustend b^finäea, uder die aus
halbleitern bestehen, die bei aiäari;eß Temperaturen einen
nennenswert starken strom fahren k-nnen, oder es dann eine Kornblnation
beider Arten von K.orρerα vorgesehen ^eroea, und ein
drittes Bauelement, dae aus einer daaago diel^ktrischea Schicht
besteht, die den Durchgang eines erheblichen Versöüitbestroiie·
Bulässt.
Bevor die Arbeltsweise dee erfindulgejea&äeA Schal«
tungselementee und die Kittel, mit denen es arbeitet, erläutert
*ird, solieft die einseiften Bauelemente definiert werden. Das
dieser Bauelemente besteht aus de α» supraleitenden Körper,
80 980 1/0227 OMNAL INSPECTED
. „ 14U86S
der das «int Bauelement des erflrtdua^s^dinä^ea Bcraltuajat;le...eates
bilden itana. Supraleiter sind an β IcJu bekannt und «tonnen
allgemein als Metalle definiert »erden» Ii^ bei einer Annäherung
der Temperatur an den absoluten tlullpunkt eine Zustand·*
änderung erfahren können. Bei Abwesenheit ein^a -^netftldes
»erden diese Leiter, wenä deren i'e^fer^tui? sich ü&il absoluten
Nullpunkt nähert» plotaüoh supraleitend, wobei ^estm ,widerstand
.sieioh Null #ird. Die lea^eratur, bei der diese Zuatands-
erfolgt, ist als ub^rgan^etea^eratur öeK.annt, die far
Metall verschieden ist· Die ^ber^un^steu^uxatur betragt
llr Taatal 4,4°£f iir Slei 7,«Λ, fir JiobiUB
Öci, £ir Aluminium 1,<io£ und iar 'ώίηη $%7°&· ,tird Jedoch auf
den Supraleiter die iirait eines ^a^etleldes au£j,^e-ibt, au erniedrigt
sieb die Jbergaa^stem^eratur. Jlua ist in dc-r Fl.j.3
achematisqh far einen typischen supraleiter dar^atellt, ^obei
die Teiuptratur in besu^ auf aas ».a^uetiülo. aui^tLrajöa ist·
In dieeer Figur ist die Jhusg&a&atQisiyvratui: ü»it t beseicnnet,
icdirund B aas leid darstellt, b«i deib das material in den Zustand
aur-cKicehrt, in de^ es den noxibalen >rid«r@taua aufweist,
ganz gieioh, wie tief aie '£ftu.ymr+tur ist. Daraus iat isu ersehen,
dass bei jeder Bedingung der i'^ij^tixatur uad des .-.agnetie
Idee, die in dee von der üurve naoh der lig·^ uiaeon Io erneuen
Beairk liegt, äex Körper iia Zustand der Supraleitf-hi^elt erhalten
wird. SaQh der l'heorie der bu^ralextioäii^eit (Fh.ys.fiev.
Ifii 1175 (iy>7) besteht ein Spalt im ^öörtragunas
enersiespeictruD. Die Grübe dieses tip-tltes hän^t von der
peratur und de κ iwagnetield sowie vou de i vVai^l des .«aüeriaia ab.
Der Supraleiter stellt daher eia vurbildlichue I2.aueitiii.0at iar
aas erfiaduags^ejciiüe Soi>altungseleüiunt dar, da ueasea Aroeiten,
wie noch später ausführlich erläutert «ird, dadurcn beeinflußt
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werden isatin, aase die Temperatur oa&r das umgebende Magnetfeld
oder beide Faktoren reguliert «erden«
wird das Schaltungselement auβ sue! supraleitenden
Körpern aufgebaut, so iet i» allgemeinen die Verwendung von
iwei verschiedenen supraleitenden Metallen vorau*ieh·!!« dl·
verschiedene Jber^angetemperatures aufweisen, um unt«r»chied-Iiehe
iaer^ießpaite zu schaffen, die erforderlich sind, wie
noch anhand der Fl£#£ erlätaert wira. Es Jcean jedoch fiir beide
.",vjrt«r daeeelbe supraleitende retail verwendet «erden» vorausgesetzt,
dass Xbe£ die Enersiezustände 4er Bauelemente die eriorderliohen
Kontrollen ausgeübt werden, um den erforderlichen
unterschiedlicuön Euer^iespalt au ei'ztiU^ea,
Das andere B, ueleiaent des erfindunsejäeiSHaen Schaltunssaelemeates
kanu aus einet, Halbleiter bestehen. Far die 2*ecite der
Lriindun.5 #ird der Halbleiter als ein Material döfiaiert» das
bei Raumtemperatur die normale Leitfahiikeit aufseiet mit einer
erheblichea. thermischen Irre^uns der i.läKtronen at. Inergieapalt
zwischen den Valenz- und ivondufctionebuadern. Der Halbleiter «oll
überdies bei den niedrigeα Temperaturen eine n«anene«erte LeIti
*&i£K.eit aufweisen, bei denen das eriinduaga^emäSe Schaltungselement arbeiten ausa, um den supraleitenden &orper im Zustand
der Supraleitfähigkeit «u erhalten. Die fir da« SchaltUttgeelexi-eat
^eeigneciin Halbleiter tännen aas döia sOiSenannttn "eehten11
(intrinsic) halbleitern oder aus einem der sogenannten "narkotisierten"
(doped) Halbleiter bestehen, welche letztgenannten sowohl die p-lusführung als auch die n-Ausfohrung unfaeaen«
Die Veritendung eint» Halbleiters siaeaBtmen mit «in·«
sich im supraleitenden Zustand befindlichen £drpef b«d«ut«t,
düse es ii.^^llQh w&re, mit etwae höheren Temperaturen su «rfeeit«n,
wenn «in supraleitendes Material mit einem
, ■ BAD
809801/0227 —
«· ö — -
hohen Übergangspunkt gewählt wird. Bestehen beide Körper aus
Halbleitern, so let eine Kühlung natürlich nicht erforderlich.
Das dritte Bauelement des eri indungegeisäßen Schal«
tungselementes besteht aus einet, elektrischen Isolator in form
einer diinaea Isaterialsehieht, die normalerweise als Nichtleiter
angesehen wird, die jedoch genügend dann ist, üb den Durchgang
eines Elektronenvereoniebestromes und den Durchgang einer «essbaren Stromißenge an der verwendeten Dicke zuzulassen· Sie Stromsenge, die veranlasst «erden kann, aber den Isolator su fliegen,
ist proportional dec Bezirk A der wirksamen uberkreueung und
verhindert sich mit wachsender Dicke der Isolationsschicht.
Sachkundigen wird es klar sein, dass die Isolation nicht so dick sein kann, als dass zum Herbeiführen eines elektrischen
Zusammenbruchs hohe Spannungen erforderlich sind. Ais verwendbare elektrische Isolatoren seien angefahrtι dünne schichten
von Dielektrika nie Alumialusoxyd, Slllkoiraonoxyd und Kupfer-
Ais Beispiel far ein nach der Erfindung ausgebautes
Schaltungselement eel ein Draht oder ein Film aus Aluminium angefahrt, der einen Draht oder einen Film aus Blei kreuzt,
wobei die Drahte von einander durch eine dünn« Schiebt aus
ο
20 A betragt. Zm Betrieb wird dieses Schaltungselement auf
ein«? Temperatur gehalten, die niedriger liegt als die
gangs temperatures für beide supraleitenden Metalle, so dass
beide Metall· sieh la supraleitenden Zustand befinden. Danach
wird dujeh das Sc&aituagssleasa« ein el· fe tr lecher Strom geleitet beispielsweise vom Blei durch das Aluminlumoxyd sum Aluminium oder umgekehrt, wobei die as Ile&ent liegenden Spannungen gemessen und in bezug auf den strom aufgezeichnet werden,
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so dass sich die in deα Figuren 4 und 5 dargestellten Kurven
ergeben« die typische Arbeltskurven sind.
Aus der Fig.4 ist zu ersehen, dass das Schaltungselement
"besondere und vorteilhafte Merkmale entwickelt» mean
ein Strom hindurchgeleitet «ivd* Zierat einmal ist fdr ^ede
Spannung ein einziger Stroawert vorhanden, und for atroswerte
zwischen I- und I^ gibt es drei mögliche »Spannungswerte· überdies
ist zwischen den koordinaten (V^ 1^) und (V^I) der dynamische
viderotand des Elementes negativ* Sctlieislich sind die
Kurven zum Ursprung symmetrisch» ^a bedeutet» dass die Einrichtung
fAr die Sichtung dee Steromflusees nicht empfindlich
ist. Dieses letzfegeaannte ker&mal gilt allein i'ir das erflndungssemäiie
Schaltungselement.
Besteht eines der Bauelement©-aus einem Halbleiter»
so lie :en die A:erte f.ir V0 (F is »4·) im Hereich von Zehnteln Volt,
wahrend la dem Falle, in dem beide ivor^er Supraleiter sind» die
far 7Q im Bereich von ffciliivolt liefen· Aus der Fig.4
K.ann ferner las Interessante ersehea weraen, dass die Arbeitskurve der einer TmiutiIdi^dt sleicht, so dass dae erfindungsge-E.ä3e
Bct.altun^seiement als Ersata fur diese Element© verwendet
werden *.ann. i*s v^ird besonders darauf hingewiesen, daßö aaa
Vorlie sea des negativen Widerstandes im Bereich des Stromes von
I^ bis Ip einige günstige f-ertanale bietet, die cieui erfindungsgemäBen
Schaltungselement eigen sind.
üie Fig.5 soll zeigen, dass bei einer gegebenen
Vorbelastung wegen des negativen wideret&ndes ü#s Bchaltun^seieiuentes
zwei Spannungswerte (V(O) und V(1) moglieh sind, la dieser figur stellt die gestrichelte Linie die Eelastungslinie
dar. £>a die Hinrichtung» sie in der ?lä>4- dargestellt» symmetrisch
ist, so sonnen durcn üffikeiiren der ötroiEzufihrung zwei
- BAD ΟΒΙβίΜΜ-8Ü9801/0227
Z
-ίο- 1414865
andere gleichwertige stabile Positionen erhalten werden. Das
Vorhandensein von vier !»öglieben stabilen Positionen far dieses
Schalt unbelt? ment macht dieses einzigartig· Schließlich wird
darauf hingewiesen, dass las Elt-uent an s-tch rauscharm ist, .
da es bei TecE-t-raturen arbeitet, die tieier Herren als ungefähr
7,20K. Dieser Umstand lasst das eriinduüj;s.;eiEaue Schaltungselement
far Verstärker, Oszillatoren und dergleichen besonders
geeignet ersaheinen.
öie Floren 6 und ? zeilen zus-ssiren a-ifc der Fii.s.3
die ^,iglicirstjit, das Arueiten dee eriliulua^s .,eui.usen Schaltungselemente© su steuern. Vie bei d«r ri$.3 Den. er κ t, «.-mn ein Metall
innerhalb eiues Seisperaturoereiebes νοα 0°& oxs zur jber-
jstemperatur des Metalls im supraleitenden iustand erhalten
werden. Fs ist überdies möglich, dvSts metall supraleitend- zn
halten, w&an es der EinwirKung eines Jäa^netfelaee ausgesetzt
wird, dessen Intensität'im Bereich von Null bis zu einem endlichen
Wert liegt» der in der Big.5 bei h aar;estfcilt ist und
von dem betretenden Supraleiter aDhangt. Fir den supraleitenden
Körper bestehea daher zwei kogiicnÄeiten fir eine Beeinflussung
und zwar thermisch und magnetisch, wie noch zu ersehen sein
wird, stehen fir den Halbleiterkörper noch «eitere Beeinflus-BU«gS0iÖglicr;K.eiten
zux Verf^una;, wenn dieser als Bestandteil
dec bchaifcun^aelecentefi verwendet .vird.
Besteht das Schaitca^selea^feQt aus einen uder mehreren
Supraleitenden Körpern, so K&sm ^e^eigt werden» dass der Strombereich
I1-Ig und der Spannungsherden V^-Vp kleiner wird,
wtnri die Temperatur sich der Jbergangstemperat^ir aesjenigett— ~—-■
Supraleiters annähert, der die aitdriät-rt >
bter^aa jetenperatur
aufweist. Die« ist in der Fig.? eohematieah d&rges&eiit. v/ird
die Temperatur von der übex-^an^steL.pferaCur aus
80 980 1/0227
so vergrößert sich der StroBitoereich IyI^ b^8 au* e*nen Höchstwert und verkleinert eich dann bei der Annäherung an den absoluten Nullpunkt. Beim absoluten iiullfcunkt «irde'der negative
aiderstana veredelnden»
Ibeneo können die gleicntA Änderungen bei I ^-I2 Ufiä
V1-Y^ dadurch erhielt werden, dass die Anordnung der Einwirkung
eines fcaänetfeldes (Fig.6) ausgesetzt wird, wobei der negative
wideretand verschwindet, wenn die Intensität de» Magnetfeld
genügend verstärkt wird. Fs bat eich gezeigt, daee der Höchstwert von V2"V1 *a*eäohlich nlt de» kleineren Energiespalt identisch 1st, den die beiden, das Schaltungselement bildenden Körner aufweisen, überdies 1st der Wert das mittleren Spannung
^I * 2' gleich ein Halb <les größeren ü'ner sleep al tee* den
5
die beiden Hurper aufweisen·
9a die elektrischen Kerkaal« dee Fifteen te β von der
Temperatur, auf der die Einrichtung gehalten sirα, und von 1·γ
Intensität des mindestens den supraleitend«a Körner uaigebenden
taa^netfelde* abhängea, so stehen daher »Sgilehkeitta sur Verfdgung, eine auüercrdentllch empflndlluhe und wlr&&ai&e Bteinflus»
sung des Schaltun^selexoentes auszuüben. Da» Masnet feld kann
entweder konstant sein oder aus eines feocselfeld mit tinea
weiten Frequenzbereich bestehen und kann von auteeia ner beispielsweise Eittels einer Spule oder von «in·» das ein» der eupraleitenden Metalle des Schaltungselement·* durchfliegtadtn Strom
oaer auch von «iaea Strosi *jea«u$t werden, de* durch ·1α«α im
3chAltungeei«tt«nt entbaltroen dritten «et«iliee2ie&$ norealtn
Auf d*e erfladungsgeffi&id Schaltujageel^iient kaaaa auoh
aui eine dritte Art und feise «iogeUrkt »er&ea· ßleae Beein·
il sann allgemein -ile eiektromagnetisch
8 0 9 8 0 1/0227 BAD
bezeichnet und entweder unter Anwendung einer Infrarotstrahlung
oder photoeiektrissh ausgeübt werden.
Die elektrische oyametrie des Sciuiltun^eelenientes
wurde bereits beschrieben und vereinfacht den Finbau dee JIe-Ui. α tea in elektrische Schaltungen. Die Abmessungen dee Eiecentöö können aehr kieiu gehalten werden (und tatsächlich ist der
gedrängte Aufbau des 3abaltunsselesentes in einigen Ver*endun^ageDietea ein Verzug), da die Herstellung nach einem ^eigneten Verfahren durch Aufdampfen auf eine geeignete Unterlage
(beisi-ieisweiet (Ras oder Quarz) *rioiren Kenn, wobei ^t-tall-Ülme ε it einer Diese von weniger als o,Ö01 mm und einer Breite
von weniger ais 1 m, erzeugt meraea Kennen. Der dieieittrische
Separator ^ana durch Oxydieren an der Luft, durch eIt-ütrocheei-S3he Mittel, durch Aufdampfen oder mittt-ie einea anderen geeigneten überEugsverfahrene mit einer i)icKe von ungefähr 2.0 Ϊ
erteujt werden· Das wijrksa&e Voiueen am» metreciiichtisen Aufbaue
lt mH Z
betragt deshalb weniger als 2 χ 10 cur und kaan u» niindestens drei Okruäenordnungen weiter verkleinert «erden.
Ee ist möglich« den negativem 'Aiderstanaebezirk auf
angenoca^en· physikalische Erscheinungen nuruckEufuhren und xu
demonstrieren, dass dieser ein direktes &aß der in den Körpern
vorhandenen inergies{.alte let« Di· iig.ö zei?t die Funktion
der Dichte der Zustande (density of states) und die gefüllten
Bezirke (states) In einem kleinen Energie laterv&li uiü den
Fersi-Fe^el herum far einen Kehrschichtigen Aufbau, der *ua
t»ei durch «ine dünne laolierschioht vöq einander getrennten
supraleitend·« Metallen besten*· ai«i£&*«rtig· uiagfassi· ergeben
sich, wenn der «ine oder beide Körper aus Halbleitern bestehen,
und die nacb«t«h«nae thtoretieche Erörterung besieht sich auf
solch· iil* :,rAKöit. Die nicht nur schematieohe eond*ra auch etark
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vergrößerte Skies· «eigfc den ßnergiespalt und das Antfetigen
der Bezirke an beiden Kanteα des Spaltes. Öle Fig.8 stellt
eine Anordnung aus e»ei von einander elektrisoli iaolisrtsa
Körpern dar, von denen der eine aus einem Metall mit einer
hohen libergangstemperafeur und der andere aus einem föet&ll mit
einer niedrigen über gaage temperatur be β teilt. Wird Ice la« Spannung
angelegt« so »eisen die beiden Ferai-Pe&ei den gleichen
Energiegehalt auf· Bas Anlegen einer spannung igt den ¥trachleben
der einen Zustandediohtigkeltskurve (density-of»states ourve)
in be%u$ auf die andere. Gane eindeutig vergrößert sieh die
Ansah1 der unbesetzten teairke im Letal! 1, in die die Elektronen
des metalls 2 aiiieinwandern können, ffiit der iipannuag, bis
die linken Xanten eines Jeder, Spaltes £usöi&..<sni*aiien. Ebenso
vermindert eich die Ansah 1 der tlenfcroaen im metall 1 α-it der
Spannung, bia dl« 1 lake α Kanten eines joden Spaltes innerhalb
von i^ des Zuaau^^enfaliens oder ungefähr &o iie^a. über dieses
letzte Intervall hinweg erhöht si<3h dit anzahl der Elektronen
im wetul-t 1 we;|ön ies Auatei-sens aar r.ezir«:ej das Produkt u&s
Elektronen im Metall 1 aal der Locfaer (holes) iß. metall 2 ist
jfcduoü aoch kleiner als das irrodukt der Elektronen im Metall 2
&al der Locher (holes) im iv.eball 1, da die Eermi-Funktion eiok
'AU zwei versohiederiea spalten auswirkt. Üaa ürgebnis besteht
aus einen positiven iiettoafcrom, der vom Metall 1 zum Metali 2
ilieiit und der eineu Iiochstviert bei einer spannung
W ■ ■ «a - f ι <Ό
erreicht. '7ird die Spannung reiter erhöht, so gelängt die
linke ICaxxte der Elektrone aver teilung iir das Metall 2 in einen..
Bewirkt in dem keine Steilen verfügbar sind. Daait wird der
Otrom schwächer, wenn diü äpanuung auaeei^t., so dass dies den
• - 80980 1/0227
1414865
Bezirk dta negativen srlderetandes darstellt. Nur »enn die Spannung einen wert
lihereteigt, boi der die linke Kante dee Spaltes tar das Metall 2
mit der rechten Kante dee Spaltes far das atetali 1 zusammenfallt, wird der Strom wieder stärker» (fcan bemerke, dass bei
3J » O0S kein Bezirk negativen Widerstandes vorhanden sein norde ι
der Stro» wir de bis zu einer Spannung nach der aieichung (2)
au£ des ifert Null bleiben). Aue den ulelohungen (1) uad (2)
ist su ersehen, dass die Spannungediiierens zwischen den Punk*
tea des stärksten und des schwächsten 3trosse, die den Besirk
des negativen Widerstandes abgrensea» ein direktes Maß des
vollen fnergleSpaltes ^2 ^1 fdr daa M#taii 1 iet· ^i» ^
1st unmittelbar beβtinnt. Die Ungewissheit über die stelle des
Ursprungs kann dadurch beseitigt weraen, dass die Symmetrie der
Kennlinie benutzt und der volle Spalt gesessen mlrd und zwar
<L i£ for das Metall 2 als die Differenz der apanaung iswiechen
den Mittelpunkten der Bezirke negativen «videratandee for positive und negative Spannungen.
Unter Benutzung dieser Helatltrnen wurde der fert des
Spaltes fur Blei bestimmt nit 2 <f pfo - (4,35 i O,iO)kTc,
unabhängig von der Temperatur im Intervall ο,80K: - 1,20K.
Der gesessene Spalt iaz Aluminium betrug 2. t Al(1°K) -(1,8 - 0,3)kTc und 2 £Al(0,8°£) - (2,3 - 0,3)*cTc. Die yerte
7,20K und 1,2°£ wurden tug die Jbergangstesperatureß von
Blei besw. Aluminium benutzt. Unter Anwendung d^r in der Literatur (Phyd.Bev. 108 11?5 (1957) gegebenen Abhängigkeit des Spaltes umfassen diese Werte für Aluffiinium am absoluten Nullpunkt
einen begrenzenden Spalt von 2 ^1 · (2,7 * 0
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■ s auss darauf hingewiesen «erden, dass bei diesen
Beispielen die .erte oei Verwendung von jUumißluinfiißi»n erhalten wurden, die sowohl bei der !Te^p^r&tur bib auch Ik &agnttleid
breite supraleitend© überginge aufwiesen«
iird der ein« oder »erdta beide Supraleiter nach
der iig.ö durch Halbleiter ersetet, danii besteht der Spalt
aus dec charakteristischen Inersies^alt in dem Elektronenener-
^ifes^ejttruia» das zu de& oder den Lattrialieffi des Halbleiters
gehört· Die beiden Supraleiter (oder Supraleiter und Balbleit«
oder auch zwei Falb ie lter) fassen so auf einander· abgestimmt
oder auf andere .."üiee beeinflusst werae?it -ass eier in der Fig.6
dargestellte Inurgles^altuntereuhled göeahaiien üird, um einen
Bezirk dynamischen negativen Widerstandes zu ere&ugtn* Dies
bedeutet, dass bei Verwendung won £«el Supraleitern geeiga«-
ai verschiedene Materialien btuutst werdet; doch
auch das gleiche Supraleiterüiateriil verwt-ndct wsrdeo.,
wenn das eine material dadurch verändert wird, dass es der
eines ^.a&netfe'ldes ausgesettt wi^d,-d{is voa de&
vtTfccbieden ist, Cbs auf den anderen Supraleiter.
i. Obwohl der Halbleiter far eine theridachs oder &s.gnetigche
Beeinflueeußg nicht nermenssert empiiadlisb ist, so
kenn er docfc elektromagnetisch beeinflusst sr©ä?<lösu Bei Yerwea·
eines HalbleiterfcÖrper« als Bestandteil des
«erden vorzugsweise g«6lgnet© mittel m®· ?©z?t»il,«a
im Halbleiter yorgesehen» beispielswels® φla dünöer
auf d@r Obcrfli-shc des Uslbl€lt«i?^o
BIe Γ ig.3 te igt dem Aufbau ^ in« β tji'Lm-L-zn dfjFitee,
Lei dea das erfindungs^e&aEe Ssihaltu^gseieiGßss
kann, soll der eine oder sollen beide Körper
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gehalten werden, eo aues natürlich das · gaaae ilement auf einer
genügend tieien Temperatur erhalten werden, um die im üle&ent
benutzten Metalle in den Luetaxid der eupraleitfäiuigKeit zu
versetzen. Zu diesel iwecii wird das Heu^nt geeigneter*eise
lü eiü Bad flüssigen Heliums ^etauoiit (Siedepunkt 4,20K), bei
»r Temperatur einige der Metalle, die verwendet werden
können, supraleitend sind, vorauegeeetüt natürlich, dass irgend
ein umgebendes Wa.jnetfeld nicnt so stark ist, dass die Metalle
in die normale Leiti^hi^iceit zuricicversetEt werden.
Die in der Fig.9 dargestellte Einrichtung weist daher
die an sich bekannte JDewarsche i*lasche auf (20), die flüssiges
Helium 22 enthält. Die Flasche wird getigneterweise von einer
!eolation 24 umgeben und ist mit einer vakuumdichten Anordnung
26 Euiu Durchfahren elektrischer Leitungen ausgestattet. Vo*
oberen Teil der Anordnung geht ein Kohrstutzen 2ύ ab, der zu
einer Vakuumpumpe fuhrt. Diese Rohrleitung ist mit einem Ventil
JO versehen, nobel die Put&pe das erforderliche Vakuum aber des
flüssigen Helium 22 zum Einstellen der fir die steuerung des
Schaltungselementes genünsohten Temperatur aufrecht erhält.
Das Elecent selbst ist bei 32 schematlsoh dargestellt und befindet sieh bei dieser Einriohtung In «Ines, gasdichten Behälter 34, der mit eine» Heiselseent $6 ausgestattet «erden
kann, das ein weiteres MIttel zxm fiegullersn der Temperatur
UE das SohaltungseieMnt herns darstellt. Für das Sehaltungseleiient und das fiele·lernen* aind geeignete eieictrieobt Anschluss·
leitungen 33 und 35 vorgesehen.
Bei der In der Fig,9 dargestellten Einrichtung sind
xwel weitere Kon troll- und Begulierungsisittel vorgesehen. Sas
erste Mittel besteht aus einer Spule 53* die uk die uewarsehe
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«a> 1*7 «* I " I' I I V/ V v<
-
Flasche herumgebunden ist» und durch die ein Strom geleitet
serden kann, der um das riä&ent herum das erforderliche jw
föld zuiL Beeinflussen der Arbeit des Hleuentes erzeugt. Ferner
ist ei at ^aelle elektromagnet isolier Inergie in Form einer
Glühlampe 40 vorgesehen, die die erforderliche photoelekfcrisehe
üdi-r infrarote Strahlung erzeugt, aie durch das Fenster
41 dringt und das Arbeiten des i'ieii.entes elektromagnetisch
bt.viaiiuüüt. UeIbstverstündlich braucht eine derartige Einrichtung
nicht alle diese Steuer- und Bo^uiierun^a&ittel aufzuweisen,
aondern es kDanen auan ändert5 »Itcel zuiu Hegulierea
der i'eiLperatur oder sum Erzeugen' viazu ^aaiiöfcföld©ss beiatiele-
vwlse ein tia^et,vorgesehen, werden, uie dargt-stellten Mittel
zum thermischen., magnetischen oder elektroiuaciuetiBohta Ein^iricen
stellen nur üeiepile ohne Beschränkung auX dite· dar.
Pie figuren 10. - 13 aelian typische Ver*vendungsaidgliciukGiitbn
iir das erilnduhgsgesuä^e Soi.altunsselemeiitf. Jn diesen
Figuren werden sum Ketmzeichoeix von Batterien« Iaduk.taiiz#iderständen
und Kondenaatoren die herivüHKÜchen Bezeichnungen
Vßt L1 H und C benutzt* Die i'ig.io seigt« in welcher ?'.<tis·-
ααύ ^ciiultun^eei£:k.eiit in Verstärker- odtr Osisillatwrkreise
ein^eoaut werden gleich denen, bei d«m«m öIüö BalDleiter~Tunnelaiode
cenutat werden kann· Das Behältung&ei&iuent ist durch
drei Linien in eineu. Bechteck 42 d^r^tstallt und kann seibatverstaudlich.
aus der in Verbindung mit dtη ligurea 1 und 2
bebchriebeaea Ausfahruag bestehen» Die in der j.ig.10 dargestellte
Schaltung; eines typischen Versturkur- wder OeBillatoriireisee
enthalt nur die tirundeluiüeüte» da die Schaltung an
sich beiuuuit und herkauoLiieii ist. Is wird jeduah daraui hingewiesen,
dass die Verwendung des eri'indunge^ecüaiaea souaitunge*
lAft,M eleu-entea
.809801/0227 —'
eleiientee im Vergleich zu einer tj&lsohen xunaeldiüde verscniedeae
wiahtije Vorz-iie aufweist» ϊβ^βα der niedrigen Temperatur* bei der aas i3analtun.$sel, (..eü-t betrieben wird, »eist
es einen niedrigen Rauschpegel auf und isfc Xar die Richtung
des iie ich- oder Vorbeiastungeatromös une&viindilsh. Da die
ttetailischen Elemente bei mehreren AusXahruassIoriLen supraleitend
sind« so ist der '/iderstanüswert bei einer Beinensuiial
^ mit diesen cieaeaten viel niedriger als bei tiacr Leihen-
mit der HalbIeiterdiode, so dass gewiaee Artea von
Schaltun^en gleich der nach der Fi^.10 dargestelltun ilIZ heilen
Frequenzen arbeiten können.
Wie in Verbindung mit der Fi^·5 bemerkt, kann die
Unterlage »entlassen «erden.. Daher kanu der eine oder beide
Körper steif und selbsttragend ausgebildet werden, bierdureh
ergeben sich far den Aufbau viele mb^licLiceiten ^.oei als Beispiel angefahrt sei, dass das eine Detail eine α l'öil der Wa^-
dung einea sutrelait«nd®a £Blkjro«elienb.oJblraasie& odar wellenfahrere
bilden &an&, to daes die geaaste Anordnung vcn eines
supraleitenden kantsel UBisohioseea wird und da©it ^egen äutsere
liner der MLÖsims üann su Ewei oder sehr Elementen
gehören, «in UBietand, der wegen der Syocetri· der Einrichtung *
soweit es sich um die Biohtun« des Stroaifluseee handelt, eine
tfahl Vvn. Batter ie Verbindungen Eulasßt. Dies ist in den Figuren
11 und X2. dargestellt, in denen das gemeinsame Metall a.it 44-beatichiitit 1st, *tOirend die anderen Buueleiuent· mit 4-i? und
b·Belohnet sind. Der elektrisah« Isolator z*isohen den Baueleuentsa trägt die üenajtiffer 46. In den Mguren 11 und 1^ wurden
die anderen Schaltun^seleaent· mim Induktoren, tiondensatoren
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und i/iderstände weggelassen, da sie von der besonderen !Funktion
dar Schaltung abhängen und keinen Teil der Erfindung bilden.
Schließlich sei als Beispiel der Zwelfcörtes- oder
ZweiparaEeter-Iinrichtung die Verwendung des erfinduagsgemäßen
ochaltungseleinentee ale bistabile ε t lenient nach der Fig.15
äü-eiahrt. Bei aer in der £1&·15 dargestellten rfenaltung können
Ei?ei fliögliche Werte tat die as. Element 42 liegende Spannung V
aus einer gegebenen Batterie Vg und vc& Wideretand B aus in
Äohän^igkeit von dem durch das lii&s-ent Iiieüenden Sferoffi erhalten
werden. «Ird uem An&ahiu&& V« ein Spannungsimpuls eugefahrt,
Su kann die Spannung V von ihrem niedrigen Wert zu ihrem
höheren A'ert ö&geschaltefc werden, wenn der augüi ohr te Impuls
positiv ist oder *vqel oberen sum unteren «erts wenn der Impuls
negativ ist. te wurde daher ein neuse bistabiles element ge»
sohaiien, das in iiipjjschaltußgga (flip-ilops) uaa «Sergleichen
sowie la Ioipuisäpeicherfi und anderen iinriahtun^efi. v«?w«adtt
werden Kann.
AUB den Vemeadungsmögliehlceiteii des *iriiüdung»g#»äa«Q
8chaltun;5eeleffientfe, wie anhand der Figuren 10 - 13 beschrieben,
ist zn ersehen, dass durch Versindera dee Vorb«lÄ»tuageitr©aee
und/oder der Sohaltungaeleiaente, «le Widerstände» Batterien
us«, die Arbeitewiflg* dee er£indungag«suiiien sohaltungeeleaentte·
geändert «erden kann, eo dass die« sur Beelnf luaau^g der Arbtlt*
weie« benutzt werden knnxu Ss wird ferner darauf hlnge«l«eeat
dass die MlkruwellenäquiTalente dieser Sehaituagen »lt dem e£-
iindungBgeiixaUen ociialtungaeletent Ια Verbindung gebracht wtrden.
Wie bereifte bei der Erläuterung der diesen Schaltung·-
elementen anhaltenden Beeinfluesbarkeit bes«rict, besteht eine
Steuermoglieb&eit durch Verändern äse umgebenden örtlichen
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. Dieses uajnetfeld kann durch einen in einer
Heu
äuiicren Spule flie/den Strom gleich tier Spule 3& in der Fig.9 erzeugt werden, durch ein strahlendes eittitrou;arjnetiscües Feld gleich der Lichtquelle 40 in der Fig.^, deu daß Element ausgesetzt ist, oder dadurch, dass durch einen aer supraleitenden Körper dea Schaltungselfcißentee ein Strom hindurcaseleitet »ird. Schließlich kann ein drittes metallisches Σlemeat, das supraleitend sein kann oder auch nicht, in die Anordnung eingebaut werden,' das zwl Regulieren der Intensität des <a.;netfeldee dient· Die Figuren-14 und 15 zeigen ein ürel-i'ar&jUiter-Schaltungseleiiifcnt nach der Irfindung. Hierbei sind z#ei Supraleiter 5C und 51 und ein drittes flenient 53 vorgesehen, das ein magnetisches Steuerelement darstellt, das supraleitend sein Rann oder auch nicht. Dieee Bauelemente sind darch die Isolatoren 52 von einander isoliert. Der dea. magnetischen ateuermaterial 55 as. nächsten liegende Körper y\ besteht aus einem Supraleiter, der eine niedrigere übergangsteaperatur aufweist als der Supraleiter 50. Wird durch das magae tische Steuer©leu.ent 53 «in geeigneter Strom geleitet, so itann usi das Έlatent herum das erforderliche iiagaetield erstugt und der tic*antchte irad voa Steuerung treielt «erden. Dae magaetische Steuerelement kann jeduoh auch weggtiaeeen und ein Strom durch den Supraleiter geleitet; «erden, in dem ein &,agae£ield induriert «erden kann, das die erforderliche Steuerung ermöglicht. te ist natürlich erforderlich, den Strom ia. magnetlechen Steuerelement 55 oder im Supraleiter 51 unterhalb desjenigen wertes au halten, bei dea der Supraleiter in den Zustand «urasitgefdhrfc #lrdt In dem er den normalen widerstand aufweist*
äuiicren Spule flie/den Strom gleich tier Spule 3& in der Fig.9 erzeugt werden, durch ein strahlendes eittitrou;arjnetiscües Feld gleich der Lichtquelle 40 in der Fig.^, deu daß Element ausgesetzt ist, oder dadurch, dass durch einen aer supraleitenden Körper dea Schaltungselfcißentee ein Strom hindurcaseleitet »ird. Schließlich kann ein drittes metallisches Σlemeat, das supraleitend sein kann oder auch nicht, in die Anordnung eingebaut werden,' das zwl Regulieren der Intensität des <a.;netfeldee dient· Die Figuren-14 und 15 zeigen ein ürel-i'ar&jUiter-Schaltungseleiiifcnt nach der Irfindung. Hierbei sind z#ei Supraleiter 5C und 51 und ein drittes flenient 53 vorgesehen, das ein magnetisches Steuerelement darstellt, das supraleitend sein Rann oder auch nicht. Dieee Bauelemente sind darch die Isolatoren 52 von einander isoliert. Der dea. magnetischen ateuermaterial 55 as. nächsten liegende Körper y\ besteht aus einem Supraleiter, der eine niedrigere übergangsteaperatur aufweist als der Supraleiter 50. Wird durch das magae tische Steuer©leu.ent 53 «in geeigneter Strom geleitet, so itann usi das Έlatent herum das erforderliche iiagaetield erstugt und der tic*antchte irad voa Steuerung treielt «erden. Dae magaetische Steuerelement kann jeduoh auch weggtiaeeen und ein Strom durch den Supraleiter geleitet; «erden, in dem ein &,agae£ield induriert «erden kann, das die erforderliche Steuerung ermöglicht. te ist natürlich erforderlich, den Strom ia. magnetlechen Steuerelement 55 oder im Supraleiter 51 unterhalb desjenigen wertes au halten, bei dea der Supraleiter in den Zustand «urasitgefdhrfc #lrdt In dem er den normalen widerstand aufweist*
Ale typisches Beispiel fur eine magnetische Steuerung
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eel das UaschaIten βinea bistabilen Elementes angefahrt;· Aue
der Big »6 ist zu ersehen, dass die I-uakte 1 und 2 zwei mögliche
stabile £usti»ade dare te HeA, die ii.it einer 3analttui$ nach der
-16 erhalten werden &ünaen. Buren Erzeugen eine;* positiven
ffipulsee kana das Element von x-unttt 2 su £unjfct 1
oder bei (Jfticehrung des I-eldimpulaee von iun&t 1 zu Punkt 2 um»
werden, tine für diesen /.wecxt geeignete Schaltung
die jLii;.1?, wobei der iA-a.-netielaimj-uls iß der iieiee er-
»ird» dass durcjb eines des einen Teil aes Scüaltungseiebildende;!
Metalle üin Strü^iiBtuls gesendet ««ird.
Obwohl die Veryjendunä sulcLtsr ochultuagsöleueate in
SuLaitungeu nach Fig. 1ö und 17 «nd deren biBtabiies Verhalte»
beschrieben wurde» das in einei;. LIe ·.:trcme&rechner oder la
fcineoi iapulsüi-eiciier ausäenutat: »erden isana^ go ^iIt die allgemeine iiecaLrfcibun^ der Arbeitsweise auch bei einer Ver^enduag
des Schaltungseleceates in βΐη&ϊΰ Verstärker oaer Oscillator.
Iin al Ige meinen &aanea die »verte ά#3 negativen <idör standee
durch Ver-ndern dee örtlichen Ma^netieldee und damit die Arueits*eise
des Ilemeutes, die diesen Parameter umfasst, verändert
fferaen, beispielsweise &&£ Verstaricungs^rad eine» Verstärkers
cdar die rrequens eines Osaillators. Die Veräüderuag
aes VeratärKungSirades eines l/exstarKera gestattet die Modulation
eines Wechselstrosies unter Einschluss der irzeuguag von
Harmonischen und der Frequenzmischung .ve^en der nicht-lint ar en
Beziehungen der Parameter.
Weitere Mündungsgebiete, in denen Attribut· des
Elemente« ausgenutzt «teraen können, umTaeeen einen JcIeinen
e&^Jtindlichea Detektor von Magneteel&ern oder änderungen dee
bagnetfeldee» da die Arbeiteirequene «ine» 0»*ill*toJt»
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dem negativen Jiderstaadsßle&ent eine Funktion des Maine tie Ideeist;
und eine niciht-zersfcorende Ablesevorriclicung in Impulscpeichern
und besonders in solchen Eiit persistenten strömen und
^a^eti eidern, wie sie im Perelstatron oder im Jryutron veraende
b werden« Im letztgenannten Änwendunje^öbiet scann die
von einem Örtlichen Magnetfeld verursachte i*nd©run£ des Parameters
der Vorrichtung, beispielsweise eines lersietatrons,
sum iiestimiuen des ^ustandee dea Impulsaj-tiicheröiemeates ohne
änderung benutzt werden. In diesem Zusammenhang bietet die
&iigllch£eit des Auslesens eines Gitterwerk solcher Ablesevorrichtungea
aui einer gemeinsamen Unterlage j&roüe Vorteile.
Die erfindungstse&äiiön Schaltuniaelfe^ente icanaen
nach eiatr Anzahl an eich bekannter Verfahren hergestellt «erden
die in dar Technik zur Herstellung anderer eio&tronleaher
Elemente, wie (Transistoren, Cryotrons und dergleichen angewendet
werden· Die supraleitenden Materialien Können «ianer in
Form von Drähten oder dünnen Folien verwendet weraen, wie auch
der Isolator natürlich aus einer donnen Schioht oder einer
Folie aus lsoliercaterial besteht« Die Schaltungselemente sonnen
beispielsweise in der Weis· Hergestellt werden, aase im
Vakuum auf eine unterlag· «ine Schicht eines supraleitenden
&äteri*ls, aui dieses ein· £w«ite Schicht aus Isoliermaterial
und schließlich auf dieses eine aweite ScIiicht supraleitenden
Matcrisls ni«d«rg«schlcg;sn «ird, die das il«uL<mt vervollständigt, wird als msetm* supraleitendes Material Alutiniuci verwendet,
so wird dl· Isolierschicht ^eisa*t«meis· durch Oxydiwren
der Oberί loch· d«s Alusiniuss «rrtugt, wonach aui di*
llu»iÄiunojijrdeciiicht das ander* ·ι*ρ£«1·1ϋ·αά· i..«teriai aufg·-
brsolit «tr*. Itoesso kdnnes iräht· *»· liiobium und
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verwendet uhd ulfc einer dinnen tage eines dielektrischen ita-Wrials
j,ls Isolator dazwischen 0;eiire...:£t weraca. wird als einer
4t.r Körper -es" Scho.ituna;s&eieifieutus em iialbleittr vergeudet,
ac air a diw-aei* gtei^nviterweise als unterlage benutzt» auf den
^fl-inscLten Bezirk .auigedämpit oder nach eiaeiL der belcannten
VerXaiiren verwendet. Die Veriair.ren Zur LeXtteilung, Behandlung
uai hancü.aüun^ vva Hülbleitern sind ^ut durciientwiakelt.
Eur Bersteii-un,^ der eriiadungs^eii-aiien ockaLtunseele*-
nente K.ann natirlich eine Anzahl verschiedener supraleitender
..okerifelien verwendet «eraen, Diese umiaBsen oJine Linechranis.ung
Aluminium, Blei, ^inn, lantal, Siobiu^ und indiuBi·
i)ie iir die crf indun^s :;eu.8i2e-n. oafesltun^eeleiumte geeigneten
Halbleiter uaJLaseen ciiae liüschr"uikun^ Germanium,
.,isKiutteiiurid, Bleiteliurid, Silikonkarbid, aalliumarsenid
und die ßogenanßten intermetalliscben Verbindunäen sie ViSsJ3n%
Ini3b und OSzSb9 die aus echten Halbleitern bestehen können oder
die durcii Materialien wie Arsen, Zinn, Phosphor, indium und
dergleichen "narkotisiert" sind und entweder eu den p- oder den
η-Halbleitern -gehören. 2ur Kiaeee der Halbleiter gehören ferner
solche, die stochlometrisch nicht vollwertige Halbleiter eind
wie K&dmiumeultid und Zianoxjd* Die 2ubereituag und Handhabung
aller dieser EaIbIc;lter 1st an eich bekannt*
Abgesehen von d«n neutn und neuartigen Arbeiteserkmalen
der erflndungsgesiäEen Schaltungselei&fsntse bieten diese
viele Möglichkeiten einer riu&iiohen Anordnung, is let belsplelaweiee
möglich eine groEe Ansahl dieser Schaltung··le&tntt
zu einen: Stapel anzuordnen und in die betreffende Einrichtung
direkt einzubauen, nie bereits bemerkt, können die Abmessungen
außerordentlich klein ,^halten «erden, so dass di,e öchaitunge-
-j Ο^·ν --' elemente
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eie&ente in kiniaturgeruten und -schaltungen verwendet worden
lor daß er£ induogegeLuuae schaltungselement wurden
viele VeruieriaungcEWe^e vorgeschlagen, die naci. stehend noch
fciatal aage*uhrt werden sollen. Die £leiUiXite kennen ale Ersatz
i"ar Tunneldioden verwendet »veraen, aie äerfeawartifcj ia achaltern,
Inip8danatraaei'orffiatoreat Vers tor ü.ern und in ifeikrüwelien£requea£-
detektorea, Lisehern und übenvelien^enerätürein ix&mitst vferaen.
überdies &aun die elektrische Sy^e tr ie des Be^ir^a
Widerstandes eine gonelich neu« Kiaase von
far diese £lea.enfce erschließen.
Aue dc-r obenetehendea beechreibun^ dee
i6t ευ ersehen» dass die see einen
keit
hohen ürad von Vieleeitig/in be zu ^ auf die versctiiedvnen
hohen ürad von Vieleeitig/in be zu ^ auf die versctiiedvnen
auiweist, dass es in vielen elektronischen
Schaltungen (unter linsahluse von »ikrowellenkreioen) vielfältig
verwendet werden kann, und aase es die Möglichkeit dee
Einbaue in ein Gerat oder einer anderen räumlichen Anordnung
ohne Schwierigkelten und εit gröBteu wirkungsgrad bietet.
Dieses uQhaltu&gaelefiie&t weist eohlieülich einen Orad von
Sttutrfihigkeit; und Beeinilusäbarkeit auf, den bisher kein
elektronisches Ilement ge£Cigti hat.
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Claims (22)
1) scbaltungseleitent» geucfnaeeiohnet durch mindestens
zwei zusammengehörige Kör pe je aus Materialien» die ü leictroneneaeraieapalte
aufweisen» wobei ^eder der genanst&a. Körper von
benachbarten Eörpera durch eine dänne dielektrische Schiebt
getrennt ist, die den imrebgaog eineβ erheblichen
etromea (tunneling cuffent) suläset«
2) ScfcaltunäeelesLent nach Aaetruch 1t dadurch
Eeicbaett dass mindesfceßB einer der genannten Körner sioii
Euetand der Supraleitfähigkeit; befindet*
3) SchaItun^seietrent nach Anspruch 1 ocier 2, dadurch
^fcüennaeicfciaet, aasa ffiiadesüeua einer der güriiannten. üorper aus
einem Rv*?Xölelter
Schalt ungseIetßenfe nach Anepruch 3«
durch Mittel ζακ Hiaeinleitea eines Stromes in den Halbleiter.
Schaltungseleceat naah einem der verstehenden Ansprüche,
genennzeichnet durch dem geaanntea Element zugeordnete
obeueraittel kuil Verändern der Arbeit des genannten Elementes.
6) Schaltun^aöleiteat nach einem der voratehenden Anspriche
dadurch gekennzeichnet t dates der eine der genannten Körper
einen Suer^iesyalt aufweist, d«r sieb von des des anderen
Karpere unterscheidet· ——'
7)
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7) Schaltungselement nach eine& der Ansprache 1 - 5t
dadurch $ej;eim2eichnet, dass mindestens einer ä&r genannten
Körper supraleitend ist und einen Charakteristiechen Iner^ies{.alt
aufweist« der sich von dein des anderen ilor^ers unterscheidet, wobei dem genannten Element ein Bezirk dynamischen
negativen Widerstandes verlie&en wird, wenn ein elektrischer
Strom hladurchgeleität -vird, uad aass des* ^&nanatea
Steuermittel zugeordnet sind, die dea Umfang dös ^
be 2 ir its negativen #ider© tandes verändern.
8) 3chaitun^seleu«tiJ3t nach iasi-rucn 7» dadurch ^e
zeiaimeu, dase die genanatea Steuerisittei aus Mitteln zuta
Beeiafiueaea des la^netteldsB um ffiindö3fceQS den genannten
supraleitenden Körner herum bestehen»
9) Schaltungselement nach Ansprucii ? -d*3r 8t dadurch
gekennzeichnet, dass die genannten Steuermittel »littei sum
Hegulieren der Temperatur des ^eaanacen i leiten te a umfassen.
10) Schaltungselement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet«
daas die genannten Steuermittel Mittel zur Beeinflussung
des elektromagnetischen Feldes um das genannte Element
herum umfassen.
11) Schaltungselement nach eines der Ansprache 7-10,
^Kennzeichnet durch Mittel, die das genannte Hement auf Temperaturen
der Supraleitf bijaeit halten.
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12) schaltungselement nach eineis der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses eine Unterlage aufweist,
an der mindestens zwei der genannten Eusamaengehdrigea
und durch die genannte dinne dielektrische Schicht von einander getrennten Körper angebracht sind, isobei die genannte Unterlage
vorzugsweise von einen* der genannten Körper ^bildet wird«
13) Schaltungselement nach Anspruch 12» dadurch gekennzeichnet,
dass einer aer genanaten Körper mehreren anderen
Körpern ζugeordnet ist.
Elektronische Schaltung, dadurch gekennzeichnet, dass
diese als ein Bauelement ein Schalt ungseie&ent nach β ine ei der
vorstehenden Ansprache enthalt.
15) ttikroweiienkrels, dadurch gekennzeichnet« dass
als Bauelement ein Schaltungselement nach Anspruch 1-15 enthalt.
16) 7erfahren turn ErBeugen eine« Bezirke
negativen Aiderstandee, dadurch g*ü.ena*«iohaet, dass ein Unterschied
in den Elektroneneaergieapaltea von &«·! sueaasaengehörlgen
Körpern g#BOhafien wl?ä, «elene genannten Körner durch «Int
dinne dielektrische Schicht von einander getrennt sind, dia
den Durchgang eines «eaantHohen Versohlebeetromes (tunneling
current) zulässt, und dass die genannten Körper auo Materialien
bestehen, die £lsktroneiienergl«epaite aufweisen.
- 17)
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— da —
17). Verfahren aacja Anspruch 16, dadurcn ^kennzeichnet,
dass die genannten üjrper aus Mattriaiiea Lörgtstellt werden,
die iu einen kuutand versetzt «erden iconuen, in dea sie fleätrommenersieapalte aufweisen, und dass Kinde β töne einer der genannten Kotier sioh im Zustand der üupraleitiahigKeit befindet.
16) Verfahren nach Anspruch 1?, dadurch gekennzeichnet,
dass die tfexte der genannten lncri$ieepaite und dsu»it der Umfang
des genannten Bezirks dynaxtiachen aegafcivea .iiidaretandes bestimmt «ird.
19) Verfahren nach Ane^rucn 16, dadurch gekennzeichnet,
dass das genannte Bestioaen^ das Begulieren der iemperatur
dee genannten ileü.entea umiastt.
20) Verfahren nach Anspruch 1ot dadurch geitenneeichnet,
daee da» genannte Bestimmen das Beeinflussen der Intensität
eines Magnetfeldes unfaset, das fcindestene einen, der genannten mortar zugeordnet 1st.
21) Verfahren aaeh Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet,
dass das genannte Beetimen das Beeinflussen der Intensität
eines elejttromagaetischen Feldes uniastft, das Bindtstens einem
der genannten Körper zugeordnet ist«
22) Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
dass die genannten Körper Bedingungen unterworfen werden, bei denen ein Unterschied in den fftiten deren £nergi«spalte geschafien nird, und dass durch die genannten Körper ein
scher ötroa hindurchgeleitet wird« _ ^^lAl·
809801/0227
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JP7412449B2 (ja) * | 2020-01-17 | 2024-01-12 | 長江存儲科技有限責任公司 | 高度なメモリ構造およびデバイス |
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- 1961-11-08 DE DE19611414863 patent/DE1414863A1/de active Pending
- 1961-11-09 JP JP4008361A patent/JPS3916032B1/ja active Pending
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