DE1514362B1 - Feldeffekttransistor - Google Patents

Feldeffekttransistor

Info

Publication number
DE1514362B1
DE1514362B1 DE19651514362D DE1514362DA DE1514362B1 DE 1514362 B1 DE1514362 B1 DE 1514362B1 DE 19651514362 D DE19651514362 D DE 19651514362D DE 1514362D A DE1514362D A DE 1514362DA DE 1514362 B1 DE1514362 B1 DE 1514362B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
insulator
channel
field effect
control electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651514362D
Other languages
English (en)
Inventor
Olmstead John Aaron
Scott Joseph Hurlong
Philip Kuznetzoff
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1514362B1 publication Critical patent/DE1514362B1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7831—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
    • H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H01L29/42376—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the length or the sectional shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

1 2
Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor liegenden Bereich des Körpers 23. Dieser Bereich als mit halbleitendem Kanal, an den eine Quellenelek- Kanal 31 wird bezeichnet.
trode und eine Abflußelektrode angeschlossen sind, Der Kanal wird als η-Halbleiter angenommen, da
und mit einer durch einen Isolator, der sich über die die Abflußströme durch den Kanal Elektronenströme gesamte Fläche zwischen Quellenelektrode und Ab- 5 sind. Der Kanal 31 kann einen Elektronenüberschuß flußelektrode erstreckt, gegenüber dem Kanal ge- besitzen, wenn keine Spannung an der Steuerelektrennten Steuerelektrode. trode anliegt, oder es kann im Kanal 31 durch An-
Es sind Feldeffekttransistoren (z. B. aus der USA.- legen einer positiven Spannung an das Gitter ein Patentschrift 3 056 888) bekannt, bei denen die Elektronenüberschuß induziert werden. Der Isolator Quellenelektrode, der Kanal und die Abflußelektrode io 29 besteht vorzugsweise aus Siliziumoxyd, obwohl in einer gemeinsamen Ebene an der Kristalloberfläche auch andere Isolatoren verwendet werden können, abschließen und bei denen die Steuerelektrode vom Der Isolator 29 weist zwei Stufen oder Bereiche
Kanal durch eine Isolierschicht gleichmäßiger Dicke unterschiedlicher Dicke 29 α und 29 b auf. Der Isolagetrennt ist. tor 29 ist über dem neben der Quellenelektrode 25
Der Nutzfrequenzbereich eines solchen Feldeffekt- 15 liegenden Abschnitt des Kanals 31 dünner (Bereich transistors läßt sich nach oben erweitern, wenn man 29 a) und über dem neben der Abflußelektrode 27 die Steuerelektrode etwas von der Abflußelektrode liegenden Abschnitt des Kanals 31 dicker (Bereich entfernt und in Richtung auf die Quellenelektrode hin 29&). Dieser dickere Bereich erbringt bei allen Ausversetzt, so daß ein der Abflußelektrode benachbarter führungsformen der Erfindung eine verbesserte Be-Teil des Kanals nicht von der Steuerelektrode über- 20 triebsstabilität.
deckt wird. Es hat sich jedoch gezeigt, daß bei derart Eine vorzugsweise metallische Steuerelektrode 33
ausgebildeten Feldeffekttransistoren sich die Betriebs- liegt auf dem Isolator 29, der sie vom Kanal 31 trennt, charakteristika mit der Zeit und in Abhängigkeit von Die Steuerelektrode 33 kann sich lediglich über den der Umgebungstemperatur verändern können. Diese dünneren Bereich 29 a des Isolators 29 erstrecken. Veränderungen sind vermutlich auf Bewegungen und 25 Vorzugsweise überdeckt sie sowohl den dünneren als Konzentrationsänderungen von Ionen an oder in der auch den dickeren Bereich des Isolators 29. Fläche des Isolators über dem nicht vom Gitter über- Eine niederohmige Quellenelektrode 35 aus Metall
deckten Kanalabschnitt zurückzuführen. steht in ohmschem Kontakt mit dem Quellenbereieh
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die 25, und eine niederohmige, metallische Abflußelek-Stabilität derartiger Feldeffekttransistoren zu verbes- 30 trode 37 steht in ohmschem Kontakt mit dem Absem. Diese Aufgabe wird bei einem Feldeffekttran- flußbereich 27. Eine Isolierschicht 30 überdeckt die sistor mit halbleitendem Kanal, an den eine Quellen- Oberfläche des Körpers 23 neben der Quellen-, Abelektrode und eine Abflußelektrode angeschlossen fluß- und Steuerelektrode.
sind, und mit einer durch einen Isolator, der sich über Das erste Ausführungsbeispiel 21 kann mit einem
die gesamte Fläche zwischen Quellenelektrode und 35 Schaltkreis 39 betrieben werden. Ein Leiter 41 verbin-Abflußelektrode erstreckt, gegenüber dem Kanal ge- det die Quellenelektrode 35 mit Erde 43, eine Steuertrennten Steuerelektrode, erfindungsgemäß dadurch leitung 45 verbindet die Steuerelektrode 33 mit über gelöst, daß der Isolator an dem neben der Abfluß- eine Vorspannungsquelle 47 und eine in Reihe hierelektrode liegenden Abschnitt des Kanals dicker und mit geschaltete Signalquelle 49 mit der Erde 43, und an dem neben der Quellenelektrode liegenden Kanal- 40 ein Leiter 51 verbindet die Abflußelektrode 37 über abschnitt dünner ist und daß sich die Steuerelektrode eine Spannungsquelle 53 und einen Lastwiderstand 55 über den dünneren Bereich des Isolators erstreckt. mit Erde 43.
In unterschiedlichen Ausgestaltungen der Erfin- Die an die Steuerelektrode 33 angelegte Spannung
dung kann die Steuerelektrode sich ebenfalls über ist hauptsächlich auf dem über dem dünneren Isoladen dickeren Bereich des Isolators erstrecken, oder 45 torbereich 29 a liegenden Teil der Steuerelektrode es kann über dem dickeren Isolatorbereich auch ein wirksam und ändert den von der Quellenelektrode 25 getrennter Leiter angeordnet sein, der wahlweise auch zur Abflußelektrode 27 fließenden Strom. Der über an die Steuerelektrode angeschlossen sein kann. dem dickeren Isolatorbereich 29 b liegende Steuer-
Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Dar- elektrodenteil wirkt hauptsächlich als eine unter Vorstellungen von Ausführungsbeispielen näher erläutert. 50 spannung stehende, elektrostatische Abschirmung zur Es zeigt weiteren Stabilisierung des Arbeitsverhaltens des
Fi g. 1 teils im Schnitt und teils in perspektivischer Transistors.
Ansicht eine erste Ausführungsform der Erfindung, Das verstärkte Ausgangssignal kann über dem
Fi g. 2 eine zweite Ausführungsform der Erfindung Lastwiderstand 55 an Anschlüssen 57 abgenommen
im Schnitt und 55 werden. Die in Fig. 1 gezeigte Polarität der Vor-
Fig. 3 eine dritte Ausführungsform der Erfindung spannung und Stromquellen ist zum Betrieb eines
im Schnitt. Transistors 21 mit η-leitendem Kanal bestimmt.
Einander entsprechende Teile sind in den Figuren Fig. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform 61 der
durchweg mit gleichen Bezugsziffern versehen. Erfindung, die ähnlich der in Fig. 1 gezeigten Aus-
Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform21 der Erfin- 60 führungsform21 ist, abgesehen davon, daß sich die dung, die einen Isolator aufweist, der in Richtung des Steuerelektrode 33 lediglich über den dünneren Be-Stromflusses durch den Kanal eine abgestufte Dicke reich 29 a des Isolators 29 erstreckt und daß eine gebesitzt. Die Anordnung 21 enthält einen Halbleiter- trennte Elektrode 63 über dem dickeren Bereich 29 δ körper 23 aus P-Silizium, eine Quelle 25 und einen des Isolators 29 liegt. Wie gezeigt, ist die Elektrode Abfluß 27, die beide aus η-leitendem Silizium be- 65 63 mit einem Leiter 65 verbunden, stehen und im Abstand voneinander im Körper 23 Die zweite Ausführungsform 61 kann in dem an
angeordnet sind. Ein Isolator 29 überdeckt den zwi- Hand Fig. 1 beschriebenen Schaltkreis 39 betrieben sehen Quellenelektrode 25 und Abflußelektrode 27 werden, wobei die Elektrode 63 und der Leiter 65
3 4
offen sind. Wahlweise kann der Leiter 65 unmittelbar Bei solchen polykristallinen Strukturen wird der Iso-
an den Leiter 45 angeschlossen werden, so daß lator vorzugsweise durch Dampfniederschlag herge-
Steuerelektrode 33 und Elektrode 65 dieselbe Span- stellt. Ebenfalls können bei Anordnungen mit poly-
nung aufweisen. kristallinen Kanälen das Kanalmaterial auf dem
Nach einer anderen Alternative kann die zweite 5 Isolator oder der Isolator auf dem Kanal nieder-
Ausführungsform61 mit dem in Fig. 1 gezeigten geschlagen werden.
Schaltkreis 39 betrieben werden, wobei aber die Die Herstellweise von Feldeffekttransistoren mit
Elektrode 63 über den Leiter 65 mehr oder weniger isolierter Steuerelektrode ist ähnlich denen, die zur
negativ gegenüber der Steuerelektrode 33 gehalten Herstellung ebener, bipolarer Transistoren und einwird, ίο heitlicher, monolitischer Anordnungen verwendet
F i g. 3 zeigt eine dritte Ausführungsform 71 der werden. Die Verfahren der Störstoffdiffusion können
Erfindung, die ähnlich der ersten Ausführungsform verwendet werden, und die geometrischen Abmes-
21 (F i g. 1) ist, abgesehen davon, daß sich die sungen können durch präzise Abdeckung und photo-
Steuerelektrode 33 nur über den dünneren Bereich lithographische Verfahren festgelegt werden. 29 a des Isolators 29 erstreckt und daß der dickere 15 Die Herstellung eines solchen Elements mit abge-
Bereich29ö des Isolators 29 nicht überdeckt ist. Die stuftem Isolator kann gemäß folgendem Verfahren
dritte Ausführungsform 71 kann in dem in F i g. 1 vorgenommen werden: Ein leicht dotiertes p-leitendes
gezeigten Schaltkreis 39 betrieben werden. . Siliziumscheibchen von etwa 2,5 cm Durchmesser
Die verbesserte Betriebsstabilität des in den An- und 0,018 cm Dicke wird an einer Seite poliert, und Sprüchen gekennzeichneten Feldeffekttransistors 20 die Oberfläche wird in einem Ofen, der eine Dampfwird dadurch erreicht, daß bei diesem eine versetzte atmosphäre zur Erzeugung eines Oxyd-Flächenüber-Steuerelektrode und ein dickerer Isolator über dem zugs enthält, bei ungefähr 900° C stark oxydiert. Der neben der Abflußelektrode liegenden Kanalabschnitt gebildete Oxydüberzug wird dann auf ausgewählten, vorgesehen sind. Die Betriebsstabilität ist ferner durch Abdeckung festgelegten Flächen unter Verdurch Anbringen einer elektrostatischen Abschirmung 25 wendung von photolithographischen Verfahren wegin Form einer Elektrode63 verbessert (Fig. 2). geätzt.
Diese Stabilisierung kann durch Anlegen einer Span- Danach wird das Scheibchen bei ungefähr 10500C nung an den Leiter 65 modifiziert werden, wie im 10 Minuten lang in einer Atmosphäre erhitzt, die Zusammenhang mit F i g. 2 beschrieben wurde. Bei ein n-Dotiermittel, z. B. Phosphor, enthält, wodurch der Ausführungsform nach Fig. 1 ist der dickere 3° Quellen- und Abflußbereich im Abstand von etwa Isolator durch die Steuerelektrode überdeckt, die 25 Mikron dort geschaffen werden, wo das Scheibeine unter Spannung stehende Abschirmung darstellt. chen nicht durch das Oxyd abgedeckt ist. Die gesamte
Der in Fig. 1 gezeigte Schaltkreis 39 ist nur bei- übrige Oxydschicht wird dann entfernt, spielsweise für alle verwendbaren Schaltkreise gezeigt. Anschließend wird das Scheibchen bei ungefähr Andere Schaltkreise können zum Betrieb einer oder 35 900° C in einem nassen Sauerstoffgas etwa 5 Stunmehrerer Ausführungsformen der Erfindung benutzt den lang erhitzt, bis sich eine andere, zweite Oxydwerden. Beispielsweise kann der Schaltkreis ein schicht von ungefähr 0,4 Mikron Dicke gebildet hat. Verstärkerkreis in einem Hochfrequenzempfänger Das Scheibchen wird dann auf Zimmertemperatur sein. Weiterhin kann jede Signal- und Spannungs- abgekühlt und erneut bei ungefähr 400° C in trokquelle49 und 47 ein Gleichstrom-, Niederfrequenz- 40 kenem Wasserstoffgas für etwa 5 Minuten erhitzt, wechselstrom- oder Hochfrequenzwechselstromsignal um die gewünschte Kanaleigenschaft zu erzielen, liefern. Bei einer solchen Betriebsweise können die Die zweite Oxydschicht wird über dem Quellen- und Anordnung und der in F i g. 1 gezeigte Schaltkreis Abflußbereich selektiv durch Ätzen entfernt, als ein Mischer arbeiten. Die über dem Kanal liegende Oxydschicht wird
In den Figuren ist der Halbleiterkörper 23 elek- 45 dann unter Verwendung einer Reihe photolithotrisch nicht angeschlossen. Jedoch kann an ihn eben- graphischer Arbeitsschritte und partieller Ätzvorfalls eine Vorspannung, entweder mit einem Gleich- gänge abgestuft, um die Oxyddicke zu reduzieren, strom- oder einem Wechselstromsignal angelegt wer- Die Anzahl dieser Arbeitsvorgänge hängt von der den: dadurch entsteht ein Hilfssignaleingang. Wenn geforderten Anzahl von Oxydstufen ab. Beim vorder Halbleiterkörper 23 dünn ist und einen den Ver- 50 liegenden Beispiel wurden zwei Stufen an jeder hältnissen entsprechenden ohmschen Widerstand auf- Einheit vorgesehen mit einer Dicke von 0,2 und weist, kann auch eine Hilfssteuerelektrode als Hilfs- 0,4 Mikron und mit einer Länge von ungefähr 6,4 und signaleingang gegenüber der Steuerelektrode 33 an 17,2 Mikron Länge. Auf das gesamte Scheibchen wird ihm angeordnet werden. Metall aufgedampft, das danach selektiv von allen
Die beschriebenen Ausführungsformen der Erfin- 55 Flächen des Scheibchens weggeätzt wird mit Ausdung können Strukturen aufweisen, bei denen der nähme oberhalb des Quellenbereiches, des Abfluß-Kanal aus einem Einkristall gebildet ist, z.B. un- bereiches und der abgestuften Oxydbereiche. Das mittelbar als Einkristall oder durch Aufwachsen auf über dem abgestuften Oxyd zwischen dem Quelleneinem Einkristallkörper hergestelltes Silizium. Bei und Abflußbereich liegende Metall bildet die Steuersolchen Einkristallstrukturen kann der Isolator aus 60 elektrode des Transistors. Das Scheibchen wird dann einer Dampfphase niedergeschlagen werden oder bei in getrennte Einheiten oder Teile geschnitten. Die einigen Materialien, wie Silizium, durch thermische Einheiten oder Teile werden auf einem geeigneten Oxydation gezüchtet werden. Träger befestigt und Leitungen daran angeschlossen,
Die Ausführungsformen der Erfindung können z. B. durch Thermokompression. Nach Anbringen
ebenfalls Strukturen mit einem Kanal aus einem poly- 65 der Anschlüsse werden die Einheiten eingekapselt,
kristallinen Material aufweisen, wie z. B. Kadmium- Die Feldeffekttransistoren, wie sie in den An-
sulfid, Kadmiumselinid oder Tellur, die vorzugsweise Sprüchen gekennzeichnet sind, behielten nach einer
durch Niederschlagen von Dampf erzeugt werden. Betriebsdauer von 162 Stunden bei Zimmertempera-
tür und 16,5 Volt Spannung zwischen Quellen- und Abflußelektrode und —22,5 Volt Spannung zwischen Quellenelektrode und Steuerelektrode innerhalb 8 °/o ihre ursprünglichen Betriebscharaktenstiken bei. Dies stellt eine Stabilitätsverbesserung gegenüber dem Durchschnitt vergleichbarer Feldeffekttransistoren um mindestens einen Faktor zwei dar. Bei höheren Betriebstemperaturen war der Stabilitätsunterschied zwischen den bekannten Feldeffekttransistoren und den Feldeffekttransistoren, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet sind, noch bemerkenswerter.
Ferner zeichnen sie sich durch eine höhere Ausgangsimpedanz, eine höhere Durchbruchsspannung zwischen Quellenelektrode und Abflußelektrode und durch eine niedrigere Rückkopplungskapazität zwisehen Steuerelektrode und Abflußelektrode aus.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Feldeffektransistor mit halbleitendem Kanal, an den eine Quellenelektrode und eine Abflußelektrode angeschlossen sind, und mit einer durch einen Isolator, der sich über die gesamte Fläche zwischen Quellenelektrode und Abflußelektrode erstreckt, gegenüber dem Kanal getrennten Steuerelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolator (29) an dem neben der Abflußelektrode liegenden Abschnitt des Kanals (31) dicker und an dem neben der Quellenelektrode liegenden Kanalabschnitt dünner ist und daß sich die Steuerelektrode (33) über den dünneren Bereich (29 ä) des Isolators erstreckt.
2. Feldeffektransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Steuerelektrode (33) ebenfalls über den dickeren Bereich (29 b) des Isolators (29) erstreckt.
3. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein getrennter Leiter (63) über dem dickeren Bereich (29 b) des Isolators angeordnet ist.
4. Feldeffekttransistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die über dem dünneren Bereich (29 a) liegende Steuerelektrode (33) an den über dem dickeren Bereich (29 b) des Isolators liegenden, getrennten Leiter (63) angeschlossen ist.
5. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode (33) unsymmetrisch zwischen Quellen- und Abflußelektrode (41, 51) liegt derart, daß ein Teil der Steuerelektrode (33) einem Abschnitt der Quellenelektrode (25) gegenüberliegt und daß einem an die Abflußelektrode (27) angrenzenden Kanalabschnitt keine Steuerelektrode gegenüberliegt.
6. Feldeffekttransistor nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine an die Quellenelektrode und die Abflußelektrode angeschlossene Spannungsversorgungseinrichtung (53) zur Herstellung eines Ladungsträgerflusses im Kanal, der von der Quellenelektrode zur Abflußelektrode gerichtet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19651514362D 1964-07-31 1965-07-27 Feldeffekttransistor Pending DE1514362B1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US386654A US3339128A (en) 1964-07-31 1964-07-31 Insulated offset gate field effect transistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1514362B1 true DE1514362B1 (de) 1970-10-22

Family

ID=23526498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651514362D Pending DE1514362B1 (de) 1964-07-31 1965-07-27 Feldeffekttransistor

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3339128A (de)
BR (1) BR6571601D0 (de)
DE (1) DE1514362B1 (de)
ES (1) ES315940A1 (de)
GB (1) GB1110391A (de)
NL (1) NL6509900A (de)
SE (1) SE331314B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2706623A1 (de) * 1977-02-16 1978-08-17 Siemens Ag Mis-fet fuer hohe source-drain-spannungen
EP0444712A1 (de) * 1990-03-02 1991-09-04 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Mehrfachgatter-Dünnfilmtransistor

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6501946A (de) * 1965-02-17 1966-08-18
US3450960A (en) * 1965-09-29 1969-06-17 Ibm Insulated-gate field effect transistor with nonplanar gate electrode structure for optimizing transconductance
US3439236A (en) * 1965-12-09 1969-04-15 Rca Corp Insulated-gate field-effect transistor with critical bulk characteristics for use as an oscillator component
GB1136569A (en) * 1965-12-22 1968-12-11 Mullard Ltd Insulated gate field effect transistors
GB1175601A (en) * 1966-03-28 1969-12-23 Matsushita Electronics Corp Insulated-Gate Field-Effect Transistor
GB1132810A (en) * 1966-03-30 1968-11-06 Matsushita Electronics Corp Field-effect transistor having insulated gates
US3454844A (en) * 1966-07-01 1969-07-08 Hughes Aircraft Co Field effect device with overlapping insulated gates
US3463974A (en) * 1966-07-01 1969-08-26 Fairchild Camera Instr Co Mos transistor and method of manufacture
US3436622A (en) * 1966-12-20 1969-04-01 Texas Instruments Inc Compound channel insulated gate triode
US3775646A (en) * 1970-01-28 1973-11-27 Thomson Csf Mosaic of m.o.s. type semiconductor elements
US3604990A (en) * 1970-04-01 1971-09-14 Gen Electric Smoothly changing voltage-variable capacitor having an extendible pn junction region
US3611070A (en) * 1970-06-15 1971-10-05 Gen Electric Voltage-variable capacitor with controllably extendible pn junction region
US3770988A (en) * 1970-09-04 1973-11-06 Gen Electric Self-registered surface charge launch-receive device and method for making
US3902186A (en) * 1970-10-28 1975-08-26 Gen Electric Surface charge transistor devices
US3703667A (en) * 1971-03-17 1972-11-21 Rca Corp Shaped riser on substrate step for promoting metal film continuity
USRE28952E (en) * 1971-03-17 1976-08-31 Rca Corporation Shaped riser on substrate step for promoting metal film continuity
JPS5145438B1 (de) * 1971-06-25 1976-12-03
JPS5329075B2 (de) * 1972-02-12 1978-08-18
US4236167A (en) * 1978-02-06 1980-11-25 Rca Corporation Stepped oxide, high voltage MOS transistor with near intrinsic channel regions of different doping levels
US4318216A (en) * 1978-11-13 1982-03-09 Rca Corporation Extended drain self-aligned silicon gate MOSFET
US4232327A (en) * 1978-11-13 1980-11-04 Rca Corporation Extended drain self-aligned silicon gate MOSFET
DE3063085D1 (en) * 1979-05-30 1983-06-16 Xerox Corp Monolithic hvmosfet array
JPS5927102B2 (ja) * 1979-12-24 1984-07-03 富士通株式会社 半導体記憶装置
JPS5713777A (en) 1980-06-30 1982-01-23 Shunpei Yamazaki Semiconductor device and manufacture thereof
US6900463B1 (en) 1980-06-30 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US5859443A (en) * 1980-06-30 1999-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
GB2150746B (en) * 1983-12-02 1988-02-24 Habib Serag El Din El Sayed Mos transistor with surface accumulation region
GB8400336D0 (en) * 1984-01-06 1984-02-08 Texas Instruments Ltd Field effect transistors
US5679968A (en) * 1990-01-31 1997-10-21 Texas Instruments Incorporated Transistor having reduced hot carrier implantation
JP2616153B2 (ja) * 1990-06-20 1997-06-04 富士ゼロックス株式会社 Ｅｌ発光装置
KR940005293B1 (ko) * 1991-05-23 1994-06-15 삼성전자 주식회사 게이트와 드레인이 중첩된 모오스 트랜지스터의 제조방법 및 그 구조
US5448081A (en) * 1993-02-22 1995-09-05 Texas Instruments Incorporated Lateral power MOSFET structure using silicon carbide
US10276679B2 (en) * 2017-05-30 2019-04-30 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3056888A (en) * 1960-08-17 1962-10-02 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor triode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3056888A (en) * 1960-08-17 1962-10-02 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor triode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2706623A1 (de) * 1977-02-16 1978-08-17 Siemens Ag Mis-fet fuer hohe source-drain-spannungen
EP0444712A1 (de) * 1990-03-02 1991-09-04 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Mehrfachgatter-Dünnfilmtransistor

Also Published As

Publication number Publication date
US3339128A (en) 1967-08-29
BR6571601D0 (pt) 1973-09-20
ES315940A1 (es) 1965-11-01
SE331314B (de) 1970-12-21
NL6509900A (de) 1966-02-01
GB1110391A (en) 1968-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1514362B1 (de) Feldeffekttransistor
DE1197548C2 (de) Verfahren zum herstellen von silizium-halbleiterbauelementen mit mehreren pn-uebergaengen
DE3889245T2 (de) Integrierter und kontrollierter Leistungs-MOSFET.
DE2160427C3 (de)
DE1464390B2 (de) Feldeffekttransistor
DE1181328B (de) Gesteuertes Halbleiterbauelement
DE2734694A1 (de) Isolierschicht-feldeffekttransistor mit kleiner kanallaenge und verfahren zu seiner herstellung
DE1614300C3 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Gateelektrode
DE1614389A1 (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement
DE2503864B2 (de) Halbleiterbauelement
DE1437435B2 (de) Hochfrequenzverstärker mit Feldeffekttransistor
DE1282796B (de) Integrierte Halbleiteranordnungen und Verfahren zum Herstellen derselben
DE2160462A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung dieser halbleiteranordnung.
DE1514350B1 (de) Feldeffekttransistor mit einem mehrere parallele Teilstromwege enthaltenden Stromweg steuerbarer Leitfaehigkeit
DE2727944C2 (de)
DE1564151C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Feldeffekt-Transistoren
DE2833068A1 (de) Integrierte halbleitervorrichtung
EP0172327B1 (de) Integrierbare Leistungstransistoranordnung
DE2953394T1 (de) Dielectrically-isolated integrated circuit complementary transistors for high voltage use
DE1297233B (de) Feldeffekttransistor
DE1762435B2 (de) Hochverstaerkende integrierte verstarkerschaltung mit einem mos feldeffekttransistor
DE1297236B (de) Verfahren zum Einstellen der Steilheit von Feldeffekttransistoren
DE2513893C2 (de) Transistorverstärker
DE1514362C (de) Feldeffekttransistor
DE1949523B2 (de) Halbleiterbauelement mit einem Isolierschicht-Feldeffekttransistor