DE137800C - - Google Patents

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DE137800C
DE137800C DENDAT137800D DE137800DA DE137800C DE 137800 C DE137800 C DE 137800C DE NDAT137800 D DENDAT137800 D DE NDAT137800D DE 137800D A DE137800D A DE 137800DA DE 137800 C DE137800 C DE 137800C
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof

Description

KAISERLICHES
PATENTAMT.
Den Gegenstand der vorliegenden Erfindung bildet ein Verfahren zur Herstellung lichtempfindlicher Selenzellen, und zwar besteht das Wesentliche dieses Verfahrens darin, dafs die metallischen Leiter, z. B. Kupferdrähte, während des Einbettens in das Selen durch Beschwerung mittelst Gewichte oder Federn in straff gespanntem Zustande erhalten werden. Dadurch wird erreicht, dafs die Leiter bei der behufs Auftragens des Selens nöthigen Erwärmung nicht etwa infolge Ausdehnung aus ihrer gegenseitigen Lage zu einander gebracht werden, sondern die ihnen anfänglich gegebene, vollkommen parallele Lage unverändert beibehalten. Daraus ergiebt sich der Vortheil, dafs die metallenen Leiter in einem sehr geringen Abstande von einander angeordnet werden können, mithin also die Möglichkeit gegeben ist, sehr kleine Zellen von hoher Empfindlichkeit herzustellen.
In der· beiliegenden Zeichnung ist eine zur Ausführung des neuen Verfahrens dienende Vorrichtung, sowie eine auf dem angegebenen Wege erhaltene fertige Selenzelle dargestellt. Mit α ist der zweckmäfsig aus Glas oder einem anderen durchsichtigen oder auch undurchsichtigen Materiale bestehende Träger bezeichnet, dessen Oberfläche den Selenkörper aufnehmen soll. Ueber diesen Träger α sind nun in geeigneten Abständen Drähte c gespannt, welche auf der einen, in Fig. 1 linken Seite an einem feststehenden Rahmen d befestigt und durch.
die Oeffnungen zweier zu beiden Seiten des Trägers α festgehaltenen Leisten b b hindurchgeführt sind. Die Oeffnungen dieser Leisten stehen in bestimmten Abständen von einander, so dafs die Drähte c ebenfalls in ganz bestimmten Entfernungen von einander parallel über dem Träger α verlaufen. Aufserdem ist ein mit einer entsprechenden Anzahl von Oeffnungen versehener als Beschwerungsgewicht dienender Körper e vorgesehen, durch welchen die Drähte c gleichsam belastet werden, so dafs sie beständig in gespanntem Zustande erhalten bleiben.
An ihrem in Fig. 1 rechten Ende sind die Drähte c auf je einen drehbaren Zapfen aufgewickelt, so dafs sie gleichsam nach Art von Violinsaiten mehr oder weniger gespannt werden können. Wenn es sich darum handelt, eine sehr grofse Anzahl neben einander liegender Drähte vollkommen gleichmäfsig zu spannen, so kann die eben beschriebene Anordnung mit Vortheil dahin abgeändert werden, dafs man die durch die beiden Leisten b b hindurchgeführten Drähte an ihren beiden Enden in irgend einer Weise befestigt und an Stelle des allen Drähten gemeinsamen Gewichtes e für jeden einzelnen Draht ein besonderes kleines Gewicht anwendet, welches beispielsweise durch einen Haken an den Draht angehängt werden kann. Auf diese Weise ist eine Regelung der Spannung der Drähte von Hand entbehrlich gemacht. Wenn nun in der in Fig. 1 ange-
deuteten Weise die Drähte in paralleler Lage zu einander auf den Träger α gespannt sind, so wird letzterer auf etwa 200 ° C. erwärmt, das Selen in geschmolzenem Zustande aufgetragen und in bekannter Weise weiter verfahren. Die eingebetteten Drähte werden schliefslich in der aus Fig. 2 ersichtlichen Weise verbunden.

Claims (1)

  1. Patent-Anspruch:
    Verfahren zur Herstellung lichtempfindlicher Selenzellen, dadurch gekennzeichnet, dafs auf den Selenträger aufgezogene Metalldrähte während des Auftragens des geschmolzenen Selens durch Gewichts- oder Federwirkung in gespanntem Zustande erhalten werden.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1207507B (de) * 1956-03-23 1965-12-23 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors
US5266300A (en) * 1989-08-02 1993-11-30 Texaco Inc. Method of making porous alumina

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1207507B (de) * 1956-03-23 1965-12-23 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors
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