DE1264615B - Emitteranschluss eines Leistungstransistors - Google Patents

Emitteranschluss eines Leistungstransistors

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Dr Dieter Gerstner
Rudolf Gothot
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TDK Micronas GmbH
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Deutsche ITT Industries GmbH
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
    • H10D84/121—BJTs having built-in components
    • H10D84/125—BJTs having built-in components the built-in components being resistive elements, e.g. BJT having a built-in ballasting resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10D62/133—Emitter regions of BJTs
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