DE1253993B - Vorrichtung zum Behandeln von rotationssymmetrischen Teilen mit einer Fluessigkeit - Google Patents
Vorrichtung zum Behandeln von rotationssymmetrischen Teilen mit einer FluessigkeitInfo
- Publication number
- DE1253993B DE1253993B DE1963S0088037 DES0088037A DE1253993B DE 1253993 B DE1253993 B DE 1253993B DE 1963S0088037 DE1963S0088037 DE 1963S0088037 DE S0088037 A DES0088037 A DE S0088037A DE 1253993 B DE1253993 B DE 1253993B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- liquid
- container
- side wall
- rotationally symmetrical
- treating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G3/00—Apparatus for cleaning or pickling metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Weting (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
C23f
Deutsche Kl.: 48 dl -1/08
Nummer: 1 253 993
Aktenzeichen: S 88037 VI b/48 dl
Anmeldetag: 26. Oktober 1963
Auslegetag: 9. November 1967
Es sind Vorrichtungen zum Herstellen von Ausnehmungen in einem Werkstück mit Hilfe einer Ätzflüssigkeit
bekannt, bei denen das Werkstück den Boden des die Ätzflüssigkeit enthaltenden Gefäßes
bildet.
Verhältnismäßig häufig tritt die Aufgabe auf. rotationssymmetrische
Teile oder Muster mit einer Flüssigkeit zu behandeln. So kann z. B. die Aufgabe auftreten, auf Metallplatten durch Abscheidung eines
Fremdmetalls aus einer elektrolytischen Flüssigkeit ein rotationssymmetrisches Muster, z. B. Ringe, zu
erzeugen. Weiter werden recht häufig Werkstücke gereinigt, geätzt oder gebeizt, wobei diese Werkstücke
selber rotationssymmetrisch sein können bzw. wobei auf dem Werkstück ein rotationssymmetrisches
Muster vorhanden ist, welches lediglich der Behandlung unterzogen werden soll, während andere Teile
des Werkstückes nicht mit der Behandlungsflüssigkeit in Berührung kommen sollen.
Die Erfindung löst diese Aufgabe auf eine neue Weise. Sie betrifft deshalb eine Vorrichtung zum Behandeln
von rotationssymmetrischen Teilen oder Mustern mit einer Flüssigkeit in einem Behälter, dessen
Boden durch das zu behandelnde Teil gebildet wird. Sie ist erfindungsgemäß gekennzeichnet durch
einen Behälter mit einer im wesentlichen parallel zur Symmetrieachse des Teiles oder Musters liegenden
Seitenwand, einem dem Teil oder Muster gegenüberliegenden, mit der Seitenwand zusammenhängenden
und eine Öffnung aufweisenden Deckel und einem Antrieb, der den Behälter um die Symmetrieachse
des Teiles oder Musters mit einer solchen Geschwindigkeit in Drehung versetzen kann, daß die
Flüssigkeit durch die Fliehkraft an der Seitenwand des Behälters gehalten wird.
In den Zeichnungen ist ein Ausführungsbeispiel dargestellt, aus dem weitere Einzelheiten und Vorteile
der Erfindung hervorgehen. In
F i g. 1 ist ein Halbleiterkörper dargestellt, welcher mit Hilfe einer erfindungsgemäß aufgebauten
Vorrichtung behandelt wird;
F i g. 2 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung im Schnitt,
F i g. 3 in der Aufsicht.
Es sei angenommen, daß ein Halbleiterbauelement mit einer aufgebrachten Metallelektrode, ζ. Β. aus
einem Gold-Halbleiter-Eutektikum, behandelt werden
soll. Es kann sich beispielsweise, wie in Fig. 1, um eine Halbleiterscheibe 2 handeln, welche aus
p-leitendem Silizium besteht und in welche auf der einen Flachseite eine Goldfolie mit einem geringen
Antimongehalt einlegiert wurde. Durch das EinVorrichtung zum Behandeln
von rotationssymmetrischen Teilen
mit einer Flüssigkeit
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dr.-Ing. Reimer Emeis, Ebermannstadt
legieren der Gold-Antimon-Folie entsteht in bekannter Weise eine η-leitende Zone 3 in dem Halbleiterkörper,
auf welcher eine metallische Elektrode 4 ruht, die im wesentlichen aus einem Gold-Silizium-Eutektikum
besteht. Aus verschiedenen Gründen erscheint es nun zweckmäßig, den Rand der Elektrode
abzuätzen, so z. B. zu dem Zweck, daß der Rand der im wesentlichen aus Gold bestehenden Elektrode
nicht zu nahe an dem Rand des pn-Übergangs liegt, welcher die p-leitende und die η-leitende Zone des
Halbleiterkörpers voneinander trennt. Dieser Rand tritt für gewöhnlich als ringförmige Linie nur wenige
Mikron vom Rand der Elektrode entfernt an die Halbleiteroberfläche. Auf der η-leitenden Zone 3
ruht die Elektrode 4. Auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers kann z. B. eine Aluminiumfolie
5 einlegiert sein, welche als ohmsche Kontaktelektrode der p-leitenden Zone 2 dient.
F i g. 2 zeigt einen Behälter, welcher aus einer Seitenwand 11 und einer Deckelwand 12 besteht,
welche miteinander zusammenhängen. Als Boden des Behälters dient die Halbleiterscheibe 2, welche
die Elektrode 4 trägt. Der Behälter kann aus einem geeigneten Kunststoff hergestellt sein, welcher beim
Aufsetzen auf die Halbleiterscheibe flüssigkeitsdicht mit dieser abschließt. Besonders bewährt haben sich
bestimmte Polymere, welche gegen die Behandlungsflüssigkeiten resistent sind, z. B. Polyäthylen oder
Polytetrafluorethylen.
Die Behälterwand 11 ist weiter über das Halbleiterbauelement 2 hinausgezogen und sitzt auf dem
Außenläufer 13 eines Motors auf, dessen Anker 14 z. B. auf einen Tisch aufgesetzt sein kann. Die Behälterwand
11 kann an dem Außenläufer 13 durch Preßsitz oder z. B. mit Hilfe einer Schraube befestigt
sein. Der Motor 13, 14 dient als Antrieb der
709 687/402
1 253
Vorrichtung. Es kann sich z. B. um einen Elektromotor verhältnismäßig hoher Drehzahl handeln, mit
dessen Hilfe die gesamte Vorrichtung um die Symmetrieachse des Halbleiterkörpers in Drehung versetzt
werden kann.
Wird nun in den Behälterhohlraum eine Flüssigkeit eingefüllt, so wird diese bei entsprechender
Drehgeschwindigkeit durch die Fliehkraft an die Seitenwand 11 des Behälters gepreßt und bildet etwa
einen Hohlzylinder. Die Innenwand dieses Hohl-Zylinders ist durch die Öffnung in der Deckelwand
12 des Behälters bestimmt, da überschüssige Teile der Flüssigkeit aus dieser Öffnung ausfließen.
Die Flüssigkeit 15 kann mit Hilfe einer Spritzflasche in die Vorrichtung eingefüllt werden, wobei
diese Vorrichtung bereits eingeschaltet ist. Auf diese Weise wird vermieden, daß Flüssigkeit auf die nicht
zu behandelnde Oberfläche der Elektrode 4 gelangt. Es sei angenommen, daß es sich bei der Flüssigkeit
um Königswasser handelt, welches die Elektrode 4 auflösen kann. Wie aus Fig. 2 zu ersehen ist, ist die
Öffnung im Deckel und damit die Flüssigkeitsmenge 15 so bemessen, daß gerade noch der Rand der
Elektrode 4 entfernt wird. Hierbei können auch gewisse Unregelmäßigkeiten des Randes der Elektrode
4 symmetriert werden. Gegebenenfalls kann mit Hilfe der erfindungsgemäßen Vorrichtung überhaupt
erst ein rotationssymmetrisches Muster erzeugt werden.
Beim Einfüllen der Flüssigkeit kann die Vorrichtung bei genügend hoher Geschwindigkeit des Motors
13, 14 praktisch jede beliebige Lage einnehmen. Es hat sich als zweckmäßig erwiesen, die Flüssigkeit
mit Hilfe einer Spritzflasche in die kopfstehende Vorrichtung einzufüllen, so daß überschüssige Flüssigkeit
nach unten in einen Auffangbehälter abfließen kann. Gegebenenfalls kann auch die Flüssigkeit
erst eingefüllt werden und danach der Motor 13,14 eingeschaltet werden, worauf der Flüssigkeitshohlzylinder
15 augenblicklich entsteht.
In F i g. 3 ist die Vorrichtung in der Aufsicht dargestellt. Wie aus dieser Figur hervorgeht, ist am
Rand der Öffnung der Deckelwand 12 eine Ausnehmung 16 angebracht, welche mit Hilfe einer Klappe
17, die in Richtung des Pfeiles 18 verschoben werden kann, unterschiedlich weit offen gehalten wird.
Mit Hilfe dieser Ausnehmung 16 und der Klappe 17 läßt sich der Innendurchmesser der Flüssigkeitssäule
15 genau einstellen, da die Entfernung der Klappe 17 vom Mittelpunkt der Vorrichtung die Größe des
Flüssigkeitshohlzylinders 15 bestimmt.
Hierdurch ergibt sich auch die Möglichkeit, verschiedene
Verfahrensvorgänge in derselben Vorrichtung durchzuführen, z. B. nach der Entfernung des
Randes der Elektrode 14 mit Hilfe von Königswasser die Halbleiteroberfläche mit Hilfe einer
»CP-Ätzlösung« (Mischung aus Flußsäure und rauchender Salpetersäure im Volumenverhältnis 1:1)
zu ätzen, wobei nunmehr der an die Oberfläche tretende Rand des pn-Übergangs zwischen den Zonen 2
und 3 besonders leicht zugänglich ist. Man braucht in diesem Fall lediglich die Klappe 17 in einen solchen
Bereich zu verschieben, daß die »CP-Ätzlösung«, welche aus Flußsäure und Salpetersäure besteht,
nicht mehr ganz bis zum Rand der Elektrode 4 herankommt. Hieraus ergibt sich ein weiterer Vorteil
der erfindungsgemäßen Vorrichtung, da .nunmehr die Kontaktelektrode des Halbleiterkörpers durch
die Ätzflüssigkeit nicht mehr unterätzt wird.
Für eine elektrolytische Behandlung, z. B. für das elektrolytische Ätzen oder Oxydieren einer Halbleiteroberfläche,
kann die erfindungsgemäße Vorrichtung ebenfalls verwendet werden, indem z. B. ein
entsprechender Elektrolyt in den Behälter eingefüllt wird. Die Stromzuführung kann über Schleifringe erfolgen.
In F i g. 2 ist ein Schleifring 19 auf der Seitenwand 11 dargestellt, welcher an den negativen Pol
der Elektrolysespannung gelegt werden kann. Er steht mit einer Metallplattierung 20 im Inneren des
Gefäßes in Verbindung. Der positive Pol der Elektrolysespannung kann an den Außenläufer 13 ebenfalls
mit Hilfe eines Schleifringes 21 angelegt werden.
Es besteht auch die Möglichkeit, insbesondere bei der Elektrolyse, verschiedene Flüssigkeiten mit unterschiedlicher
Dichte übereinanderzustapeln, wobei infolge der Fliehkraft die Flüssigkeit mit der höheren
Dichte sich außen befindet. Die beiden Flüssigkeiten müssen in diesem Fall nicht mischbar sein. Man
kann z. B. eine organische Flüssigkeit, wie Trichloräthylen oder Tetrachlorkohlenstoff, als neutrale
Flüssigkeit und einen wäßrigen Elektrolyten als aktive Flüssigkeit verwenden.
Die Drehgeschwindigkeit muß entsprechend der Größe der Flüssigkeitssäule bemessen werden. Bei
Halbleiterbauelementen bis zu 25 mm Durchmesser waren Umdrehungszahlen bis 3000 Umdrehungen
pro Minute ausreichend.
Aus der hohen Beschleunigung infolge der Rotation der Vorrichtung ergibt sich als weiterer Vorteil,
daß bei der Behandlung entstehende Gasblasen in der Flüssigkeit, z. B. Ätzblasen, sich sehr leicht
von der Halbleiteroberfläche ablösen.
Claims (3)
1. Vorrichtung zum Behandeln von rotationssymmetrischen
Teilen oder Mustern mit einer Flüssigkeit in einem Behälter, dessen Boden durch das zu behandelnde Teil gebildet wird,
gekennzeichnet durch einen Behälter mit einer im wesentlichen parallel zur Symmetrieachse
des Teiles oder Musters liegenden Seitenwand, einem dem Teil gegenüberliegenden, mit
der Seitenwand zusammenhängenden und eine Öffnung aufweisenden Deckel und einem Antrieb,
der den Behälter um die Symmetrieachse des Teiles oder Musters mit einer solchen Geschwindigkeit
in Drehung versetzen kann, daß die Flüssigkeit durch die Fliehkraft an der Seitenwand
des Behälters gehalten wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Behälter aus einem gegen
Ätzflüssigkeiten widerstandsfähigen Kunststoff, insbesondere einem Polymer, besteht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Öffnung in der
Deckelwand des Behälters veränderbar ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 565 765;
Zeitschrift für Metallkunde, 1924, S. 132/133.
Deutsche Patentschrift Nr. 565 765;
Zeitschrift für Metallkunde, 1924, S. 132/133.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 687/402 10.67 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1963S0088037 DE1253993B (de) | 1963-10-26 | 1963-10-26 | Vorrichtung zum Behandeln von rotationssymmetrischen Teilen mit einer Fluessigkeit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1963S0088037 DE1253993B (de) | 1963-10-26 | 1963-10-26 | Vorrichtung zum Behandeln von rotationssymmetrischen Teilen mit einer Fluessigkeit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1253993B true DE1253993B (de) | 1967-11-09 |
Family
ID=7514185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1963S0088037 Pending DE1253993B (de) | 1963-10-26 | 1963-10-26 | Vorrichtung zum Behandeln von rotationssymmetrischen Teilen mit einer Fluessigkeit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1253993B (de) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE565765C (de) * | 1929-07-24 | 1932-12-08 | Vladimir Gusseff | Verfahren und Vorrichtung zur elektrolytischen Bearbeitung von Metallen |
-
1963
- 1963-10-26 DE DE1963S0088037 patent/DE1253993B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE565765C (de) * | 1929-07-24 | 1932-12-08 | Vladimir Gusseff | Verfahren und Vorrichtung zur elektrolytischen Bearbeitung von Metallen |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3001726C2 (de) | Vorrichtung zum Behandeln einer Leiterplatte | |
DE1253993B (de) | Vorrichtung zum Behandeln von rotationssymmetrischen Teilen mit einer Fluessigkeit | |
DE919303C (de) | Kristallgleichrichter | |
DE1615497A1 (de) | Verfahren zur Trennung einer Elektrode vom Werkstueck beim elektrochemischen Raeumziehen von OEffnungen und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens | |
DE1172378B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung | |
DE715946C (de) | Zuendeinrichtung fuer Vakuumentladungsgefaesse mit fluessiger Kathode | |
AT218571B (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiterelementen mit einem strömenden Ätzmittel | |
DE1119625B (de) | Verfahren zum AEtzen der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers | |
DE1163118B (de) | Vorrichtung zur Oberflaechenbehandlung mit Fluessigkeiten laenglich gestreckter Gegenstaende, insbesondere aus Metall | |
DE664239C (de) | Galvanisierringbad mit bewegtem Warenring | |
DE1082786B (de) | Verfahren und Einrichtung zur formgebenden elektrolytischen Bearbeitung von Koerpernaus halbleitendem oder leitendem Material | |
DE100206T1 (de) | Vorrichtung zum behandeln eines gegenstandes in einer vakuumkammer. | |
DE966905C (de) | Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme | |
DE1163975C2 (de) | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiteranordnungen | |
DE1910315C3 (de) | ||
DE1105069B (de) | AEtzverfahren eines pn-UEberganges bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE1071844B (de) | ||
DE2524702A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur entfernung von verunreinigungen in fluessigen metallen | |
DE1206090B (de) | Verfahren zum AEtzen eines Mesatransistors | |
AT255491B (de) | Halbleiteranordnung mit einer durch Diffusion erzeugten Basiszone und Verfahren Herstellung der Halbleiteranordnung | |
DE27603C (de) | Scheidung durch elektrolytische Dialyse | |
DE1765890B1 (de) | Verfahren zum Elysieren,insbesondere Entgraten von Werkstuecken ohne Vorschubbewegung zwischen Elektrode und Werkstueck | |
DE7428330U (de) | Vorrichtung zur aetzung von halbleiteraktivteilen | |
DE975772C (de) | Verfahren zur Herstellung von Legierungsflaechengleichrichtern oder -transistoren | |
DE1489631A1 (de) | Verfahren zur Erhoehung der Sperrspannung thermisch oxydierter Siliziumkoerper mit mindestens einer Sperrschicht |