AT255491B - Halbleiteranordnung mit einer durch Diffusion erzeugten Basiszone und Verfahren Herstellung der Halbleiteranordnung - Google Patents
Halbleiteranordnung mit einer durch Diffusion erzeugten Basiszone und Verfahren Herstellung der HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- AT255491B AT255491B AT1077365A AT1077365A AT255491B AT 255491 B AT255491 B AT 255491B AT 1077365 A AT1077365 A AT 1077365A AT 1077365 A AT1077365 A AT 1077365A AT 255491 B AT255491 B AT 255491B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- semiconductor arrangement
- producing
- diffusion
- base zone
- base
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1>
Halbleiteranordnung mit einer durch Diffusion erzeugten Basiszone und Verfahren zur Herstellung der Halbleiteranordnung
EMI1.1
<Desc/Clms Page number 2>
EMI2.1
<Desc/Clms Page number 3>
Auf diese Oberfläche werden, wie im Zusammenhang mit dem Ausführungsbeispiel 1 beschrieben, eine hochohmige Epitaxieschicht, eine n-leitende Basisschicht, Emitter- und Basisanschlüss aufge- bracht. Die Abweichung der Oberfläche von der 111-Ebene um mehr als 40 hat eine stufenförmige Legierfront am Emitter zur Folge. Die Ausbildung der Basisrestzone entspricht also z. B. der in Fig. 3 dargestellten, während das Ausführungsbeispiel 1 zu einer keilförmigen Basisrestzone, wie sie in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist, führt.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Halbleiteranordnung, insbesondere Transistor, mit einer diffundierten Basiszone, einer einlegierten Emitterzone und auf der gleichen Halbleiteroberfläche liegender Emitter- und Basiselektrode, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter-pn-Übergang (14) so ausgebildet ist, dass die zwischen Emitter-pn-Übergang (14) und Kollektor-pn-Übergang (15) noch verbleibende Restbasiszone (13) in einer Richtung mindestens einen Bereich mit zunehmender Basisdicke (11) und mindestens einen Bereich mit abnehmender Basisdicke (10) aufweist (Fig. 1, 2 und 4).
EMI3.1
basiszone (13) in unmittelbarer Folge, insbesondere mehrmals, stetig zu- und abnimmt (Fig. 3).
5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach einem derAnsprüchel bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterzone (6) in eine um 1, 5 - 20 gegen die 111-Ebene geneigte Oberfläche (7) eines Halbleiterkristalls einlegiert wird.
**WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (1)
- 6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterzone (9) in einen Halbleiterkristall einlegiert wird, dessen Ober- fläche (8) gegen die 111-Ebene eine Neigung von mehr als 40 hat, jedoch einen kleineren Neigungswinkel aufweist als der Winkel, den die 111-Ebene mit der 110-bzw. 100-Ebene bildet. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE255491T | 1964-12-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT255491B true AT255491B (de) | 1967-07-10 |
Family
ID=29751355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT1077365A AT255491B (de) | 1964-12-01 | 1965-11-30 | Halbleiteranordnung mit einer durch Diffusion erzeugten Basiszone und Verfahren Herstellung der Halbleiteranordnung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT255491B (de) |
-
1965
- 1965-11-30 AT AT1077365A patent/AT255491B/de active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2846637A1 (de) | Halbleiterbauelement mit mindestens einem planaren pn-uebergang und zonen- guard-ringen | |
| DE2006729C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode | |
| AT255491B (de) | Halbleiteranordnung mit einer durch Diffusion erzeugten Basiszone und Verfahren Herstellung der Halbleiteranordnung | |
| DE2142204A1 (de) | Thyristor | |
| DE1564317A1 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
| DE1251440C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE1439739A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1589453A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| AT253023B (de) | Halbleiteranordnung, insbesondere druckempfindliche Halbleiteranordnung, und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE1514401C (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE1206091C2 (de) | Hochfrequenz-Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1910315C3 (de) | ||
| DE1295237B (de) | Druckempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1212642C2 (de) | Halbleiterbauelement, insbesondere Mesatransistor, mit zwei moeglichst kleinflaechigen Elektroden mit parallelen Kanten und Verfahren zum Herstellen | |
| DE3005458A1 (de) | Thyristor zum verlustarmen schalten kurzer impulse | |
| DE1764759B2 (de) | Verfahren zum Kontaktiren einer Halbleiterzone | |
| DE1514284A1 (de) | Aus Halbleiter-Schaltelementen bestehendes Gebilde | |
| DE1910315A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1439480C3 (de) | Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| AT246814B (de) | Anordnung zur Umwandlung mechanischer Schwingungen in elektrische | |
| DE1514841A1 (de) | Halbleiterdiode | |
| AT233631B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen | |
| DE1614184A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Schaltelementes | |
| DE2316339A1 (de) | Pyroelektrisches target fuer kameraroehren | |
| CH494472A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit mindestens zwei pn-Übergängen |