DE1273700B

DE1273700B - Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE1273700B
Application number: DEST23638A
Authority: DE
Inventors: Dr Fritz Guenter Adam
Original assignee: Deutsche ITT Industries GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 1965-04-07
Filing date: 1965-04-07
Publication date: 1968-07-25
Also published as: NL6604583A; GB1078547A; BE679171A; ES325287A1

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

HOIl

Deutsche KL: 21g-11/02

Nummer: 1273 700

Aktenzeichen: P 12 73 700.7-33 (St 23638)

Anmeldetag: 7. April 1965

Auslegetag: 25. Juli 1968

Es ist bereits bekannt, daß in der Praxis bei elektrischen Halbleiterbauelementen, wie Gleichrichtern, Transistoren usw. die theoretische Abbruchspannung nicht erreicht wird. Dies beruht unter anderem darauf, daß bereits vor Erreichen der möglichen Abbruchspannung Durchbrüche dort stattfinden, wo der pn-übergang eine schwache Stelle aufweist. Insbesondere finden solche Durchbrüche dort statt, wo der pn-übergang an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tritt.

Man hat deshalb versucht, den pn-übergang an der Oberfläche in verschiedener Weise zu schützen, um diese Durchbrüche zu verhindern oder herabzusetzen. So wird beispielsweise bei dem sogenannten Planarverfahren der pn-übergang durch Diffusion unter Verwendung einer aufgewachsenen SiIiziumoydschicht erzeugt, so daß sich danach der an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tretende Teil des pn-Übergangs unter einer schützenden Oxydschicht befindet. Dadurch wird zwar eine Verbesserung erzielt, jedoch reicht diese Maßnahme nicht aus, um die Abbruchspannung bis auf den theoretisch möglichen Wert zu erhöhen.

Bei Gleichrichtern hat man eine Verbesserung in der Weise erzielt, daß die Halbleiteroberfläche dort, wo der pn-übergang an die Oberfläche tritt, so abgeschrägt wird, daß die Oberfläche des Halbleiterkörpers mit der Fläche des pn-Übergangs auf der hochohmigeren Seite einen spitzen Winkel bildet. Vorteilhaft liegt dieser Winkel zwischen 15 und 30°.

Bei unsymmetrischen pn-Übergängen, wie sie bei Halbleiterbauelementen in der Regel vorliegen, bewirkt eine derartige Abschrägung der Halbleiteroberfläche eine Herabsetzung der elektrischen Feldstärke an der Oberfläche. Dadurch wird es möglich, die theoretische Abbruchspannung der hochohmigen Halbleiterzone zu erreichen.

Es ist jedoch sehr schwierig, diese Maßnahme bei Halbleiterbauelementen, wie z. B. Transistoren anzuwenden, die durch Diffusion hergestellt wurden. Der hier in Frage kommende pn-übergang zwischen der hochohmigen Kollektorschicht und der niederohmigen Basisschicht an der Oberfläche liegt in den meisten Fällen so dicht unter der Oberfläche (etwa 3 bis 8 μ), daß die geringste Beschädigung der entstehenden scharfen Kanten einer Abschrägung an dieser Stelle die Wirksamkeit der Abschrägung wieder zunichte macht.

Eine weitere Schwierigkeit ergibt sich bei diffundierten Transistoren geringerer Größe daraus, daß bei einem Abschrägungswinkel von weniger als 30°, wie er zur Erhöhung der Abbruchsspannung erfor-Halbleiterbauelement

Anmelder:

Deutsche ITT Industries
Gesellschaft mit beschränkter Haftung,
7800 Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19

Als Erfinder benannt:

Dr. Fritz Günter Adam, 8500 Nürnberg

derlich ist, die Fläche auf der Kollektorseite des Halbleiterplättchens so klein wird, daß das Befesti-

ao gen des Plättchens auf einem Sockel erheblich erschwert wird, da diese Fläche gegenüber der Oberseite des Plättchens weit zurücktritt. Auch bedeutet diese kleinere Kollektorfläche eine wesentlich schlechtere Wärmeableitung und daher eine Erhö-

a5 hung des Wärmewiderstandes.

Eine andere Lösung zur Verhinderung eines Oberflächendurchbruchs besteht nach dem deutschen Gebrauchsmuster 1905127 darin, daß in der Nähe eines pn-Übergangs eine ringförmige niederohmigere Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie die angrenzende Zone des pn-Übergangs angeordnet ist.

Die Erfindung betrifft ein derartiges Halbleiterbauelement mit einem mehrere Zonen unterschiedliehen Leitfähigkeitstyps aufweisenden Halbleiterkörper, welche mindestens einen an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tretenden pn-übergang zwischen einer niederohmigeren und einer relativ hochohmigen Zone bilden, die in der Nähe des pn-Ubergangs eine ringförmige niederohmigere Zone vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die niederohmigere Zone des pn-Übergangs aufweist.

Bei dem aus dem deutschen Gebrauchsmuster 1 905 127 bekannten Halbleiterbauelement soll zur Verhinderung eines Oberflächendurchbruchs der Abstand zwischen der ringförmigen niederohmigeren Zone von der anderen, den pn-übergang bildenden niederohmigeren Zone mindestens eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger oder 0,5 bis 5 Ba- sisdicken, bei einer Siliziumdiode etwa 500 μ, betragen. Dieser Dimensionierung liegt die Vorstellung zugrunde, die Sperrspannung an der Oberfläche auf

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mehrere pn-Übergänge zu verteilen. Die Verhinde- Herstellung eines planaren Transistors nach F i g. 1 rung eines Oberflächendurchbruchs wird bei diesem dargestellt; in

bekannten Halbleiterbauelement jedoch nur unvoll- F i g. 8 bis 12 sind Schnitte durch einen Halbleiterkommen erreicht, wenn die Potentialverteilung im körper nach verschiedenen Verfahrensstufen eines Halbleiterkörper nicht berücksichtigt wird. 5 anderen Herstellungsverfahrens für einen planaren

Die obengenannten Schwierigkeiten bei der Erzie- Transistor nach der Erfindung dargestellt, lung einer Feldabschwächung eines pn-Übergangs an Der Transistor nach F i g. 1 besteht aus einem

der Halbleiterkörperoberfläche sind bei dem Halb- Halbleiterkörper mit mehreren Zonen unterschiedleiterbauelement nach der Erfindung vermieden. Bei liehen Leitungstyps. Der Halbleiterkörper hat eine dem Halbleiterbauelement nach der Erfindung ist — io Kollektorzone 1 vom η-Typ, an die sich eine Kollekim Gegensatz zu dem aus dem deutschen Gebrauchs- toranschlußzone 5 vom n+-Typ anschließt. Von der muster 1 905 127 bekannten Halbleiterbauelement — anderen Seite aus wurden in der Zone 1 verschieauch die Potentialverteilung im Halbleiterkörper bei dene Zonen unterschiedlichen Leitungstyps durch der Erzielung einer ,Feldabschwächung eines pn- Diffusion unter Verwendung einer oberflächlichen Übergangs an der Halbleiterkörperoberfläche berück- 15 Oxydschicht als Maske hergestellt. Die Oxydschicht sichtigt. Die Erfindung, durch die diese Vorteile er- ist mit 11 bezeichnet und hat unterschiedliche Dicke, reicht werden, besteht darin, daß die ringförmige nie- weil sie an einigen Stellen während des Verfahrens derohmigere Zone vom pn-übergang einen solchen entfernt und wieder neu gebildet wurde. Die Basis-Abstand aufweist, daß bei der Spannung Null oder zone 2 ist vom p-Typ und innerhalb der Basiszone beim Anlegen einer im Verhältnis zur Durchbruch- 20 ist eine Emitterzone 3 vom n+-Typ angeordnet. Die spannung kleinen Spannung an die den pn-übergang Metallkontakte für Emitter und Basis sind mit 7 bildenden Zonen sich die Raumladungszonen des und 8 bezeichnet und mit den Zuleitungen 9 und 10 pn-Ubergangs und der ringförmigen niederohmige- versehen. Der Kollektorkontakt 6 befindet sich auf ren Zone in der relativ hochohmigen Zone ver- der äußeren Fläche der n⁺-Zone 5. einigen. 25 In der Nähe des pn-Übergangs zwischen der KoI-

Da das Halbleiterbauelement nach der Erfindung lektorzonel vom η-Typ und der Basiszone 2 vom so ausgebildet ist, daß. die sich beim Anlegen einer p-Typ ist eine Zone 4, ebenfalls vom p-Typ, ange-Spannung an den Transistor vom pn-übergang zwi- ordnet, welche die Basiszone 2 ringförmig umgibt, sehen Basis und Kollektor ausbreitende Raum- Diese ringförmige Zone 4 hat eine bestimmte Breite a ladungszone mit der an einer ringförmigen nieder- 30 und einen bestimmten Abstand b von der Basisohmigeren Zone vorhandenen Raumladungszone ver- zone 2. Die Größen α und b sind in der F i g. 1 in einigt, gelangt die Raumladungszone des pn-Über- bezug auf die Diffusionsmaske 11 aus Siliziumoxyd gangs im wesentlichen nicht mehr an die Oberfläche angegeben. Es muß dabei berücksichtigt werden, daß des Halbleiterkörpers, Außerdem ist dann die Feld- sich als Folge der Diffusion die Zonen 2 und 4 noch stärke proportional der Raumladungsflächendichte 35 unter die Oxydschicht 11 ausbreiten, wie dies in im Flächenelement des pn-Übergangs nahe der Ober- F i g. 1 dargestellt ist.

fläche und bleibt es auch bei weiterer wachsender Die Wirkungsweise der ringförmigen Zone 4 soll

Raumladungszone. an Hand der Fig. 2 näher erläutert werden, in

Aus diesem Grund wächst die Feldstärke an der welcher der Teil des Halbleiterkörpers des Transit

Oberfläche nicht oder zumindest nur sehr wenig an. 40 stors von Fig. 1 vergrößert dargestellt ist, wo die

Eine weitere Verbesserung des Halbleiterbauele- beiden Zonen 2 und 4 einander benachbart sind, ments erhält man dann, wenn die ringförmige nie- Zwischen den Zonen 1 und 2 sowie zwischen den

derohmigere Zone tiefer in den Halbleiterkörper hin- Zonen 1 und 4 ist jeweils ein pn-übergang vorhaneinreicht als die niederohmigere Zone des pn-Über- den, der in F i g. 2 durch eine ausgezogene Linie gangs. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht 45 dargestellt ist. Wenn an dem Transistor keine Spanwerden, daß die Störstellenstoffe für die ringförmige nung anliegt, so bildet sich um jeden pn-übergang niederohmigere Zone, durch ein zweifaches Diffu- eine Raumladungszone aus, die weiter in die Zone sionsverfahren tiefer' in den Halbleiterkörper ein- höheren spezifischen Widerstandes hineinreicht als gebracht werden als .die Störstellenstoffe der nieder- in die Zone niedrigeren spezifischen Widerstandes, ohmigeren Zone des pn-Übergangs. 50 Die hochohmigere Zone ist bei dem Ausführungs-

Um ein zweifaches. Diffundieren bei der Herstel- beispiel die Kollektorzone 1 vom η-Typ, und die lung einer tief liegenden ringförmigen niederohmige- niederohmigeren Zonen sind die Basiszone 2 vom ren Zone zu vermeiden, kann im Halbleiterkörper an p-Typ und die ringförmige Zone 4 vom p-Typ. Die der Stelle eine Vertiefung erzeugt werden, an der Raumladungszonen, die sich ausbilden, wenn keine durch Diffusion die ringförmige niederohmigere Zone 55 Spannung zwischen Basis und Kollektor anliegt, sind erzeugt wird, die sich tiefer in den Halbleiterkörper in F i g. 2 schraffiert dargestellt. Wenn eine Spannung hinein erstreckt als die niederohmigere Zone des pn- zwischen Basis und Kollektor angelegt wird, so dehnt Übergangs. sich die Raumladungszone zwischen Basis und KoI-

Die Erfindung wird an Hand der Figuren näher lektor aus, wie dies durch die überwiegend zueinerläutert, in denen Ausführungsbeispiele des Halb- 60 ander parallelen gestrichelten Linien in der Basis und leiterbauelements nach der Erfindung dargestellt in der Kollektorzone dargestellt ist. Die von dem sind. pn-übergang zwischen der Kollektorzone 1 und der

F i g. 1 zeigt einen Schnitt durch einen planaren Basiszone 2 entfernteren gestrichelten Linien entTransistor nach der Erfindung; sprechen einer höheren Spannung zwischen Basis F i g. 2 zeigt einen Schnitt durch einen Teil des 65 und Kollektor. Aus F i g. 2 kann auch entnommen Transistors nach Fi g^l; in werden, daß bei angelegter Spannung die Ausdeh-Fig. 3 bis 7 sind Schnitte durch einen Halbleiter- nung der Raumladungszone in der Basiszone 2 gekörper nach verschiedenen Verfahrensstufen der ringer ist als in der Kollektorzone 1. Dies beruht auf

dem unterschiedlichen spezifischen Widerstand der beiden Zonen.

Die ringförmige Zone 4 hat keinen Anschluß, so daß sich ihre Raumladungszone nicht verändert. Wenn nun eine Spannung zwischen Basis und KoI-lektor angelegt wird, so breitet sich die Raumladungszone zunächst in der Kollektorzone 1 auch an der Oberfläche des Halbleiterkörpers aus, wird jedoch schon bei geringer Erhöhung der Spannung mit der Raumladungszone an dem pn-übergang zwischen der Kollektorzone 1 und der ringförmigen niederohmigeren Zone 4 zusammenfließen. Bei weiterer Erhöhung der Spannung zwischen Basis und Kollektor breitet sich dann die Raumladungszone zwischen den Zonen 1 und 2 längs der Raumladungszone zwischen den Zonen 1 und 4 aus, so daß an der Oberfläche des Halbleiterkörpers die Feldstärke nicht oder nur in sehr geringem Maße erhöht wird. Auf diese Weise ist es möglich, daß die Durchbruchspannung bis an den theoretisch möglichen Wert herankommt.

Aus den an Hand der F i g. 2 aufgezeigten Zusammenhängen ergibt sich auch die Bemessung der Werte der Größen α und b (Fig. 1), also des Abstandes der ringförmigen niederohmigeren Zone 4 von der Basiszone 2 und der Breite der ringförmigen niederohmigeren Zone 4. Der Abstand der ringförmigen niederohmigeren Zone 4 von dem pn-übergang zwischen Basiszone 2 und Kollektorzone 1 muß nämlich so gewählt werden, daß schon beim Anlegen einer verhältnismäßig geringen Spannung an den pn-übergang zwischen Basiszone 2 und Kollektorzone 1 die so erweiterte Raumladungszone mit der Raumladungszone an der ringförmigen niederohmigeren Zone 4 zusammenfließt. Es kann sich dann an der Oberfläche des Halbleiterkörpers nur eine geringe Feldstärke aufbauen.

Die Breite der ringförmigen niederohmigeren Zone 4 ergibt sich aus der maximalen Spannung, die an den pn-übergang zwischen den Zonen 1 und 2 angelegt werden soll. Wie aus F i g. 2 ersichtlich ist, wandert die Begrenzung der Raumladungszone bei steigender Spannung zwischen Basis und Kollektor an der die ringförmige niederohmigere Zone 4 umgebenden Raumladungszone entlang. Um die mit der Erfindung angestrebte Wirkung auch bei höheren Spannungen zu erzielen, muß daher die Ringzone 4 so breit sein, daß sich die Raumladungszone bei der maximalen Spannung zwischen den Zonen 1 und 2 nicht über die Ringzone 4 hinaus ausdehnt und jenseits der Ringzone 4 an die Halbleiteroberfläche gelangt.

Eine weitere Verbesserung wird erzielt, wenn die ringförmige niederohmigere Zone 4 tiefer in den Halbleiterkörper hineinreicht als die Basiszone 2. Auf diese Weise wird erreicht, daß die Feldlinien noch eindeutiger von der Oberfläche weggerichtet werden, nachdem eine gewisse Spannung überschritten ist.

Diese weitere Verbesserung des Halbleiterbauelements nach der Erfindung kann auf verschiedene Weise verwirklicht werden.

Die Herstellung eines Transistors mit einer tief liegenden ringförmigen niederohmigeren Zone soll an Hand der F i g. 3 bis 7 näher beschrieben werden. Die F i g. 3 bis 7 zeigen Schnitte durch einen Halbleiterkörper nach verschiedenen Stufen des Herstellungsverfahrens. Es soll hier gleich betont werden, daß Halbleiterbauelemente nach der Erfindung nicht nur einzeln hergestellt werden können, indem in jedem Halbleiterkörper ein Halbleiterbauelement hergestellt wird, sondern daß es auch möglich ist, zahlreiche Halbleiterbauelemente gleichzeitig in einer einzigen Halbleiterscheibe herzustellen. Die Halbleiterscheibe kann dann am Schluß entsprechend zerteilt werden, oder es können auch mehrere Halbleiterbauelemente — mit geeigneten Verbindungen zu einer Schaltung zusammengefaßt — in der Halbleiterscheibe verbleiben.

Der Halbleiterkörper, von dem ein Teil in F i g. 3 dargestellt ist, hat eine Zone 1 vom η-Typ, die später als Kollektorzone dient und an die sich eine Zone 5 vom n⁺-Typ anschließt, die zur besseren Kontaktierung des Kollektors dient. Auf der frei liegenden Oberfläche der Zone 1 wird eine Oxydschicht 11 erzeugt und mit dem bekannten Fotoätzverfahren mit Hilfe eines lichtempfindlichen Lackes eine ringförmige Zone 14 durch Ätzen entfernt. An dieser Stelle werden geeignete Störstellenstoffe aufgebracht und eindiffundiert, so daß eine ringförmige niederohmigere Zone 4 vom p-Typ in der Zone 1 vom η-Typ erzeugt wird. Dieser Zustand ist in Fig. 4 dargestellt.

Anschließend wird wieder mit Hilfe des Fotoätzverfahrens ein Teil der Oxydschicht bei 15 entfernt, so daß eine Maske für die Basisdiffusion entsteht. Nun wird wieder Störstellenstoff der gleichen Art wie zuvor in den Halbleiterkörper eindiffundiert, so daß, wie in F i g. 6 dargestellt, eine Basiszone 2 vom p-Typ erhalten wird, die von einer tiefer reichenden ringförmigen niederohmigeren Zone 4 vom p-Typ umgeben ist. Durch geeignete Bemessung der Störstellenstoffmenge und der Diffusionszeit wird erreicht, daß die ringförmige niederohmigere Zone 4 tiefer in den Halbleiterkörper hineinreicht als die Basiszone 2. An sich wird dies schon dadurch erreicht, daß die ringförmige niederohmigere Zone 4 zweimal der Diffusion unterworfen wird. Es kann aber auch schon bei der ersten Diffusion (F i g. 4) dafür gesorgt werden, daß die ringförmige niederohmigere Zone 4 tiefer in den Halbleiterkörper reicht.

Der so erhaltene Transistor ist in Fig. 7 im Schnitt dargestellt. Die einzelnen Teile des Transistors sind mit den gleichen Bezugszeichen wie die Transistorteile in F i g. 1 versehen. Der Unterschied zum Transistor nach Fig. 1 besteht darin, daß die ringförmige niederohmigere Zone 4 tiefer in den Halbleiterkörper hineinreicht als die Basiszone 2.

Bei dem eben beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach der Erfindung ist eine zweifache Diffusion zur Herstellung der ringförmigen niederohmigeren Zone und der Basiszone erforderlich.

An Hand der F i g. 8 bis 12 wird noch ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit tief liegender ringförmiger niederohmigerer Zone beschrieben, bei dem eine zweifache Diffusion für die Ringzone und die Basiszone nicht erforderlich ist.

In den Fig. 8 bis 12 sind wieder Schnitte durch einen Halbleiterkörper nach verschiedenen Schritten des Verfahrens zur Herstellung eines planaren Transistors nach der Erfindung dargestellt. Bei diesem Verfahren wird an der Stelle, an der die ringförmige niederohmigere Zone im Halbleiterkörper erzeugt werden soll, zunächst eine Vertiefung hergestellt. Die Vertiefung kann in jeder beliebigen Weise er-

zeugt werden, jedoch muß darauf geachtet werden, daß bei einer mechanischen Herstellung der Vertiefung die Oberflächenschicht, die Störungen des Kristallgitters enthält, entfernt wird. Vorzugsweise wird die Vertiefung durch Ätzen hergestellt.

Der Halbleiterkörper, bestehend aus der Zone 1 vom η-Typ und der Zone 5 vom n+-Typ, hat, wie in Fig. 8 dargestellt, auf der frei liegenden Fläche der Zone 1 eine Oxydschicht 11, von der Teile nach dem Fotoätzverfahren dort entfernt wurden, wo die Basiszone und die ringförmige niederohmigere Zone erzeugt werden sollen.

Nun wird auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Schicht 16 aus Fotolack aufgebracht und nach dem Belichten durch eine entsprechende Maske der Lack dort entfernt, wo die ringförmige niederohmigere Zone erzeugt werden soll. Wie aus der Fig. 9 entnommen werden kann, bleibt durch die Lackschicht 16 die Basiszone abgedeckt.

Nun wird eine Ätzung durchgeführt, bei der sich, wie in Fig. 10 dargestellt, die ringförmige Vertiefung 17 im Halbleiterkörper ergibt. Anschließend wird der Fotolack 16 von der Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt und die Diffusion zur Erzeugung der Basiszone 2 und der ringförmigen niederohmigen Zone 4 durchgeführt.

Das Ergebnis dieses Diffusionsschrittes ist in Fig. 11 dargestellt. Aus dieser Figur kann entnommen werden, daß zwar die Dicke der Basiszone 2 und die Dicke der ringförmigen niederohmigeren Zone 4 gleich sind, daß aber die ringförmige niederohmigere Zone 4 tiefer im Halbleiterkörper angeordnet ist infolge der vorausgegangenen Erzeugung der Vertiefung durch Ätzen.

Der fertige Transistor ist in Fig. 12 dargestellt. Die Einzelteile sind mit den gleichen Bezugszeichen wie die Teile des Transistors in Fig. 1 bezeichnet. Zum Unterschied von den Ausführungsformen nach Fig. 1 und 7 ist die ringförmige niederohmigere Zone 4 in diesem Fall unter einer Vertiefung im Halbleiterkörper angeordnet und liegt deshalb wie bei der Ausführungsform nach F i g. 7 tiefer als die Basiszone 2.

Claims

Patentansprüche:

1. Halbleiterbauelement mit einem mehrere Zonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps aufweisenden Halbleiterkörper, welche mindestens einen an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tretenden pn-übergang zwischen einer niederohmigeren und einer relativ hochohmigen Zone bilden, die in der Nähe des pn-Übergangs eine ringförmige niederohmigere Zone vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die niederohmigere Zone des pn-Übergangs aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige niederohmigere Zone (4) vom pn-übergang einen solchen Abstand aufweist, daß bei der Spannung Null oder beim Anlegen einer im Verhältnis zur Durchbruchspannung kleinen Spannung an die den pn-übergang bildenden Zonen (1, 2) sich die Raumladungszonen des pn-Ubergangs und der ringförmigen niederohmigeren Zone (4) in der relativ hochohmigen Zone (1) vereinigen.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der ringförmigen niederohmigeren Zone (4) so bemessen ist, daß die Raumladungszone des pn-Übergangs bei der maximalen Spannung noch unterhalb der ringförmigen niederohmigeren Zone (4) endet.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige niederohmigere Zone (4) sich tiefer in den Halbleiterkörper erstreckt als die niederohmigere Zone (2) des pn-Übergangs.

4. Halbleiterbauelement nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige Zone (4) eine Vertiefung (17) im Halbleiterkörper umgibt.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 905 127.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen