DE1244962B - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement-Gehaeuses - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement-GehaeusesInfo
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
- B23K11/14—Projection welding
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Die Bonding (AREA)
Description
Nummer: 1244 962
Bekannte Gehäuse für Halbleiterbauelementp bestehen in der Regel aus einer Grundplatte und einem
becherförmigen Oberteil, das über einen Flansch mit einem Flansch des Bodenteiles verbunden ist. Diese
Verbindung wird häufig durch Widerstandsschweißung hergestellt. Dabei kann einer der Flanschteile
mit einer Schweißwarze versehen sein.
Der Aufbau des Oberteiles solcher Gehäuse bereitet dann Schwierigkeiten, wenn durch dieses Oberteil
ein Anschlußleiter elektrisch isoliert und gasdicht durchgeführt werden muß. Wenn man dabei den zwischen
dem Anschlußleiter und dem Oberteil liegenden Isolierteil aus Druckglas macht, dann muß der
den Glaskörper umschließende Teil des Oberteiles in der Lage sein, bei allen im Betrieb des Halbleiterbauelementes
vorkommenden Temperaturen einen ausreichenden Druck auf den Glaskörper auszuüben.
Eine Beanspruchung des Glaskörpers auf Zug würde nämlich zu Rissen führen.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementgehäuses, nach welchem
ein becherförmiger Gehäuseteil mit elektrisch isolierender Druckglas-Durchführung im Bodenteil
über eine Randzone mit einem zweiten Gehäuseteil durch elektrische Widerstandsschweißung verbunden
wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß der Mantelkörper der Becherform
nach seinem an der Bildung der elektrisch isolierenden Durchführung beteiligten Längenanteil zur Bildung
einer Aufsetzfläche für die Schweißelektrode in der Dicke seiner Mantelfläche in Richtung auf die
Achse des Gehäuses zu verringert ist und an seiner für die Verschweißung mit dem anderen Gehäuseteil
bestimmten Fläche unterhalb dieser gewonnenen Randzone mit der oder den Warzen bzw. Erhebungen
für die elektrische Widerstandsverschweißung versehen ist oder mit solchen an den anderen Gehäuseteil
in Berührung gebracht wird.
Dadurch ergibt sich ein besonders billiges Halbleiterbauelement, da der metallische Teil des Oberteiles
des Gehäuses trotz des verhältnismäßig geringen Materialaufwandes vollständig homogen aufgebaut
ist. Wegen des geringeren Durchmessers des Schweißflansches kann man auch mit einer niedrigeren
Schweißleistung auskommen. Dadurch läßt sich auch die Temperaturbeanspruchung des Halbleiterelementes
während des Schweißvorganges niedriger halten.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen wird nunmehr auf die
Figuren der Zeichnung Bezug genommen.
In F i g. 1 bezeichnet 1 den grundplattenförmigen Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterbauelement-Gehäuses
Halbleiterbauelement-Gehäuses
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Karl Heinz Geyer, München;
Hans Jürgen Nixdorf, Berlin-Lankwitz
Gehäuseteil, der für die Befestigung der Halbleiteranordnung mit einem ausladenden Gewindebolzen 2
versehen ist. Dieser Grundplattenteil trägt an einem von seiner oberen Fläche ausladenden SockelteilS
das über eine Hilfsträgerplatte 4 an ihm befestigte bzw. angedrückte Halbleiterelement 5, z. B. ein Silizium-Flächengleichrichterelement.
Der zweite Gehäuseteil 6 hat becherartigen Aufbau. Er besteht aus einem Mantelkörper 7 und weist in seinem Bodenteil
zur Bildung der elektrisch isolierenden Durchführung den unter Druckspannung gesetzten Glaskörper 8 auf,
welcher seinerseits den inneren metallischen Hülsenteil 9 der elektrisch isolierenden Durchführung umschließt.
In diesem Teil 9 ist mit einem abgesetzten Teil ein Metallkörper 10 eingesetzt, wofür er mit
einem Teil geringeren Durchmessers 11 versehen ist, so daß sich ein Absatz 12 ergibt, mit welchem sich
der Körper 10 auf den oberen Rand von 9 aufsetzt. Diese beiden ineinandergreifenden Teile sind vorzugsweise
durch eine Hartlötung miteinander verbunden. Der Körper 10 weist nach seinem unteren Ende
zu eine Aussparung 13 auf, in welche das obere Ende des biegsamen elektrischen Anschlußleiters 14 eingesetzt
ist, nach seinem oberen Ende zu eine Aussparung IOfl für die Befestigung eines äußeren elektrischen
Anschlußleiters. Dieser Litzenleiter 14 ist an beiden Enden zunächst vorzugsweise mit einer um ihn
herum gepreßten Hülse 15 bzw. 16 versehen, die z. B. durch einen Rollprozeß unter Verdichtung des Litzen-
709 617/382
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, nach welchem ein becherförmiger
Gehäuseteil mit elektrisch isolierender Druckglas-Durchführung im Bodenteil über eine Randzone
mit einem zweiten Gehäuseteil durch elektrische Widerstandsverschweißung verbunden wird, dadurch
gekennzeichnet, daß der Maatelkörper der Becherform nach seinem an der Bildung der elektrisch isolierenden Durchführung
beteiligten Längenanteil zur Bildung einer Aufsetzfläche für die Schweißelektrode in der Dicke
seiner Mantelfläche in Richtung auf die Achse des Gehäuses zu verringert ist und an seiner für
die Verschweißung mit dem anderen Gehäuseteil bestimmten Fläche unterhalb dieser gewonnenen
Randzone mit der oder den Warzen bzw. Erhebungen für die elektrische Wklerstandsverschweißung
versehen ist oder mit solchen an dem anderen Gehäuseteil in Berührung gebracht wird.
2. Schweißvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekeonzeichnet,
daß die eine der Schweißelektroden aus mehreren Ringsektoren besteht, die so ausgebildet
sind, daß sie den becherförmigen Gehäuseteil umgreifen und sich auf die Aufsetzfläche aufsetzen
können.
3. Schweißvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ringsektoren der
elektrischen Schweißelektrode nach ihrer Zusammensetzung um den becherförmigen Gehäuse-
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1962S0079596 DE1244962B (de) | 1962-05-24 | 1962-05-24 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement-Gehaeuses |
CH413863A CH409153A (de) | 1962-05-24 | 1963-04-02 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
FR935787A FR1364809A (fr) | 1962-05-24 | 1963-05-22 | Procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur et dispositif pour sa mise en oeuvre |
GB2095263A GB968655A (en) | 1962-05-24 | 1963-05-24 | A process for the production of a semi-conductor device including the step of welding together two housing parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1962S0079596 DE1244962B (de) | 1962-05-24 | 1962-05-24 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement-Gehaeuses |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1244962B true DE1244962B (de) | 1967-07-20 |
Family
ID=7508304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1962S0079596 Pending DE1244962B (de) | 1962-05-24 | 1962-05-24 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement-Gehaeuses |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH409153A (de) |
DE (1) | DE1244962B (de) |
GB (1) | GB968655A (de) |
-
1962
- 1962-05-24 DE DE1962S0079596 patent/DE1244962B/de active Pending
-
1963
- 1963-04-02 CH CH413863A patent/CH409153A/de unknown
- 1963-05-24 GB GB2095263A patent/GB968655A/en not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH409153A (de) | 1966-03-15 |
GB968655A (en) | 1964-09-02 |
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