DE1225317B - Verfahren zum Aufbringen einer Schicht auf einen Traeger fuer die elektronenmikroskopische Untersuchung - Google Patents
Verfahren zum Aufbringen einer Schicht auf einen Traeger fuer die elektronenmikroskopische UntersuchungInfo
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- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
Description
ßUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
HOIj
Deutschem.: 21g-37/10
Nummer: 1225 317
Aktenzeichen: G 31066 VIII c/21 g
Anmeldetag: 2. Dezember 1960
Auslegetag: 22. September 1966
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer Schicht auf einen Träger für die elektronenmikroskopische
Untersuchung, bei dem die Schicht durch Niederschlagung wenigstens zeitweise elektrisch
geladener Teilchen erzeugt wird.
Zum Aufbringen von dünnen Schichten auf Träger, welche für die verschiedensten Zwecke der Wissenschaft
und Technik benötigt werden, gelangen eine Reihe von verschiedenen Verfahren zur Anwendung.
Dabei spielen die Verfahren, die unter vermindertem Druck arbeiten, eine wichtige Rolle. Davon
seien genannt: Kathodenzerstäubung und Aufdampfen im Hochvakuum z. B. für optische Vergütungen,
Spiegelherstellung und elektronenmikroskopische Präparationszwecke. Das Arbeiten im
Hochvakuum hat den Vorteil, daß die Schichten sehr rein sind; der verminderte Druck gestattet außerdem
ein leichteres Verdampfen von Stoffen mit geringem Dampfdruck. Ist eine gleichmäßige Belegung einer —
zumindest mikroskopisch ja meist unregelmäßigen — Oberfläche erwünscht, so ist es möglich, die zu belegenden
Objekte entsprechend zu drehen und — bei temperaturempfindlichen Objekten — außerdem
noch zu kühlen. Für viele Objekte genügen diese Voraussetzungen jedoch noch nicht. So wird z. B. bei sehr
schwer verdampfbaren Stoffen die Oberfläche der zu bedampfenden Objekte durch die hocherhitzte Verdampfungsquelle
hohen Strahlungsbelastungen ausgesetzt, die bereits zu einer Veränderung der Oberfläche
führen können, was dieses Verfahren für elektronenmikroskopische Präparation ausschließt
oder in seinem Wert stark herabsetzt. Wie Versuche gezeigt haben, ist dabei eine Kühlung des Objektträgers
auf tiefe Temperaturen von etwa —100° C bei gewissen Präparaten, wie z. B. Eis oder organischen
Substanzen mit einem Schmelzpunkt von etwa 0° C, nicht ausreichend, da durch die auftreffende
Strahlung und die freiwerdende Kondensationsenergie der ankommenden Teilchen, welche nach dem
Kondensieren die Schicht bilden, eine Veränderung der Oberfläche durch Sublimieren von Wasser
eintritt.
Es sind auch schon Verfahren zur Herstellung von .Leuchtschirmen bekannt, wobei die in einer Flüssigkeit
verteilten fluoreszierenden Teilchen vermöge der Schwerkraft auf dem Schirm abgesetzt werden, bzw.
die pulverförmige Substanz in einer elektrischen Gasentladung auf der Unterlage niedergeschlagen wird.
Auch sind Untersuchungen von Aerosolen in Elektronenmikroskopen, wobei das Niederschlagen des
Aerosols auf dem Objektträger in einem elektrischen Feld erfolgt, bekannt. Schließlich ist auch schon ein
Verfahren zum Aufbringen einer Schicht auf
einen Träger für die elektronenmikroskopische
Untersuchung
einen Träger für die elektronenmikroskopische
Untersuchung
Anmelder:
Dr. Fritz Grasenick,
Dr. Herwig Horn,
Ing. Erich Jakobic,
Dr. Otto Reiter, Graz (Österreich)
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. Prinz und Dr. rer. nat. G. Hauser,
Patentanwälte,
München-Pasing, Ernsbergerstr, 19
Als Erfinder benannt:
Dr. Fritz Grasenick,
Dr. Herwig Horn,
Ing. Erich Jakobic,
Dr. Otto Reiter, Graz (Österreich)
Beanspruchte Priorität:
Österreich vom 4. Dezember 1959
Österreich vom 4. Dezember 1959
Verfahren zum Abscheiden von Kolloidteilchen, die in einer wässrigen Emulsion zerstäubt und dann im
elektrischen Feld niedergeschlagen werden, bekannt. Beim Zerstäuben laden sich die Wassertröpfchen
negativ auf, verdunsten dann, und die darin verteilten Kolloidteilchen bleiben auf dem Träger haften. Bei
keinem dieser Verfahren tritt jedoch das Problem einer Wärmeabführung, bzw. der übermäßigen Erhitzung
des Schichtträgers auf.
Der störende Einfluß der Wärmestrahlung bzw. unerwünschte Temperaturerhöhungen des Schichtträgers
werden bei dem Verfahren zum Aufbringen einer Schicht auf einem Träger für die elektronenmikroskopische
Untersuchung, bei dem die Schicht durch Niederschlagung wenigstens zeitweise elektrisch
geladener Teilchen erzeugt wird, erfindungsgemäß dadurch vermieden, daß bei Verwendung
einer Ionenquelle und/oder Verdampfungsquelle mit nachträglicher Ionisation zur Aufbringung der zu
untersuchenden Schicht der Träger derart angeordnet wird, daß der Träger von den von der Ionen- und/
oder Verdampfungsquelle ausgehende Licht- oder
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Wännestrahlen nicht getroffen wird und daß der
elektrisch geladene Teilchenstrahl durch elektrische und/oder magnetische Felder so abgelenkt wird, daß
er auf den Träger trifft.
Dadurch wird erreicht, daß eine unnötige Strahlungsbelastung der Objektoberflächen vermieden
wird. Die Verwendung von Ionenstrahlen erlaubt es nun auch, diese knapp vor Auftreffen auf die Oberfläche
durch ein elektrisches Gegenfeld abzubremsen, so daß nur mehr eine geringe, noch verbleibende
Kondensationsenergie durch Wärmeumsatz objektschädigend wirken kann. Viele empfindliche Objekte
sind schon allein durch diese Maßnahme einer Schichtauftragung ohne Schädigung zugänglich. Für
besondere Fälle ist es dann um so leichter, durch Kühlung die nicht vermeidbare Kondensationsenergie
abzuführen. Diese Maßnahmen sind jedoch nicht nur für temperaturempfindliche Objekte wichtig, bei
denen es erst durch sie gelingt, eine für elektronenmikroskopische Zwecke einwandfreie Behandlung
durchzuführen, sondern erlauben es auch, Sonderbehandlungen, wie z. B. Kontrastierungen durchzuführen,
wobei angestrebt werden muß, daß die ankommenden Teilchen dort bleiben, wo sie auftreffen.
Das gelingt umso besser, je kühler der Auffänger, je besser das Endvakuum und je geringer die kinetische
Energie der Teilchen ist, was durch Abbremsen der Teilchen vor dem Auftreffen erreicht wird. Ist eine
möglichst gleichmäßige Belegung der Oberfläche wichtig, so ist die Anwendung von Ionen vorteilhaft,
da durch wechselnde elektrische oder magnetische Felder eine Einstreuung der Teilchen auf das Objekt
von allen Richtungen auch ohne Bewegung des Objektes selbst erfolgt. Das ist umso nützlicher, wenn
das Objekt gekühlt werden muß, da das Drehen eines gekühlten Objektes aus mechanischen und
Wärmeleitungsgründen schwierig ist.
Ferner erlaubt die Messung des Ionenstromes die Intensität der auf dem Präparat auftreffenden Teilchen
zu überprüfen und auch die für die Erzielung einer gewünschten Schichtdicke nötige Behandlungszeit festzulegen.
Für die Herstellung von Misch- und Wechselschichten bestimmter Zusammensetzung, können die
Teilchen aus zwei oder mehreren Ionenquellen auf ein und dieselbe Stelle des Objektes gelenkt werden
und dadurch zur Reaktion kommen. Sollen die Schichten aus Verbindungen bestehen, die einen sehr
hohen Verdampfungspunkt haben, oder die nicht unzersetzt verdampfen, ist diese Methode besonders
vorteilhaft anzuwenden, wenn aus den einzelnen Komponenten leicht Ionenströme zu gewinnen sind.
Als Beispiel sei die Auftragung von SiC-Schichten aus zwei getrennten Ionenquellen genannt.
Als weiterer Vorteil dieses Verfahrens ergibt sich, daß man bessere Vakuumverhältnisse auch während
des Aufdampfens aus glühendheißen Strahlungsquellen aufrechterhalten kann, da schwer oder nicht ausheizbare
Apparateteile abgeschirmt werden können, welche sonst durch die aus der Bedampfungsquelle
empfangene Strahlung Gase abgeben würden.
Kommen Dampfquellen mit nachträglicher Ionisation zur Verwendung, so kann diese z. B. in an
sich bekannter Weise so durchgeführt werden, daß man quer zur Richtung des Dampfstrahles Elektronen
führt, welche die Dampfteilchen ionisieren.
Claims (5)
1. Verfahren zum Aufbringen einer Schicht auf einen Träger für die elektronenmikroskopische
Untersuchung, bei dem die Schicht durch Niederschlagung wenigstens zeitweise elektrisch
geladener Teilchen erzeugt wird, dadurch
gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer Ionenquelle und/oder Verdampfungsquelle mit
nachträglicher Ionisation zur Aufbringung der zu untersuchenden Schicht der Träger derart angeordnet
wird, daß der Träger von den von der Ionen- und/oder Verdampfungsquelle ausgehenden
Licht oder Wärmestrahlen nicht getroffen
as wird und daß der elektrisch geladene Teilchenstrahl
durch elektrische und/oder magnetische Felder so abgelenkt wird, daß er auf den Träger
trifft.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß elektrische und/oder magnetische
Wechselfelder verwendet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von Mischoder
Wechselschichten zwei oder mehrere Ionen- und/oder Verdampfungsquellen mit nachträglicher
Ionisierung verwendet werden, wobei die elektrisch geladenen Teilchenstrahlen, für die
Herstellung von Mischschichten gleichzeitig und für. die Herstellung von Wechselschichten nacheinander
auf den Träger auftreffen.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrisch geladene
Teilchenstrahl vor dem Auftreffen auf den Träger durch ein elektrisches Gegenfeld abgebremst
wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dicke der aufgebrachten Schicht durch Messung des elektrisch geladenen Teilchenstroms
ermittelt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 668 545, 818 984,
894;
Deutsche Patentschriften Nr. 668 545, 818 984,
894;
Kolloid-Zeitschrift, Bd. 103, H. 3, 1943, S. 228
bis 232.
bis 232.
609 667/329 9.66 © Bundesdruckerei Berlin
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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AT878359A AT212050B (de) | 1959-12-04 | 1959-12-04 | Verfahren zum Aufbringen von Schichten auf Träger, insbesondere für die elektronenmikroskopische Präparation |
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1959
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1960
- 1960-12-02 DE DEG31066A patent/DE1225317B/de active Pending
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- 1960-12-02 CH CH1350360A patent/CH391418A/de unknown
- 1960-12-05 GB GB4178660A patent/GB973805A/en not_active Expired
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Also Published As
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