DE1621325B2 - Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer Schicht eines Überzugstorfes auf eine Fläche - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer Schicht eines Überzugstorfes auf eine FlächeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufdampfen einer Schicht eines Überzugsstoffes auf eine Fläche,
wobei eine gegen die zu überziehende Fläche hin verlaufende Dampfströmung des Überzugsstoffes erzeugt
wird und der Überzugsstoff vor dem Aufbringen auf die Fläche von einem Plasma in einer Plasmazone beeinflußt
wird, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Bei bekannten Aufdampf-Verfahren wird das Überzugsmaterial in einer kontrollierten Atmosphäre verdampft
und auf einer in den Dampfstrom gebrachten Unterlage zum Kondensieren gebracht. Da das Über-
zugsmaterial bis zum Erweichen der zu überziehenden
Fläche dampfförmig bleiben muß, bedingt dieses Verfahren verschiedene Einschränkungen bei seiner praktischen
Anwendung. Beispielsweise ist der vom Dampf bis zur Kondensation zu durchlaufende Weg von begrenzter
Länge, und die Ausrichtung des Dampfstromes ist schwierig. Ferner sind häufig spezielle Vorkehrungen
erforderlich, um die chemische Gleichmäßigkeit der Überzüge zu gewährleisten.
Gemäß der DT-AS 1111 477 werden für die magnetische
Aufzeichnung verwendbare Speichertrommeln dadurch hergestellt, daß auf die Oberfläche eines vorbereiteten
und erhitzten Zylinders unter Drehung des Zylinders im Vakuum eine Ni-Fe-Legierung aufgedampft
wird, indem in einem Abstand von der Oberfläche des zu beschichtenden Zylinders eine Schmelze der
Ni-Fe-Legierung erzeugt und während des Aufdampfungsverfahrens aufrechterhalten wird. Das Verdampfungsverfahren
unter Vakuum kann gewünschtenfalls auch durch ein elektrisches Feld oder ein Plasma zwischen
der Schmelze und der Oberfläche des Zylinders gesteuert werden. Dieses bekannte Aufdampfungsverfahren
geht in seinen Maßnahmen aber nicht über die allgemein bekannten Aufdampfungsverfahren hinaus,
die den bekannten Nachteil mit sich bringen, daß eine nur ungenügende Haftfähigkeit der Schichten und eine
unzureichende Gleichmäßigkeit der Schichten erreicht wird.
Aus der DT-AS 10 89 154 ist ein Verfahren zur Verbesserung der Oberflächenhaftfähigkeit und der Oberflächenfestigkeit
von Kunststoffen für auf diese aufzubringende Schichten bekannt. Zu diesem Zweck wird
vor dem Aufbringen der eigentlichen Schicht die Oberfläche des Kunststoffes dadurch vorbehandelt, daß der
Kunststoff in ein Vakuum eingebracht und die Oberfläche des Kunststoffes der Einwirkung eines Plasmas
einer Niederdruckgasentladung ausgesetzt wird. Durch ein derartiges Verfahren mag die Oberflächenhaftfähigkeit
eines derart behandelten Kunststoffes absolut gesehen vergrößert werden. Trotzdem läßt die Haftfähigkeit
in vielen Fällen zu wünschen übrig. Die Gleichmäßigkeit der auf den Kunststoff aufgebrachten
Schicht wird aber durch dieses Verfahren nicht beeinflußt und kann deshalb auch nicht hierdurch verbessert
werden.
Aus der britischen Patentschrift 9 39 275 ist auch bereits ein Verfahren zum Aufbringen von dünnen Metallschichten
durch Ionenneutralisation bekanntgeworden, bei dem zwischen einer Anode und Kathode eine
Niederdruckentladung gezündet wird, die aus der Kathode Metallionen freisetzt. Diese Metallionen werden
mit Hilfe eines elektrichen Feldes, das zwischen einer Steuerelektrode und der Kathode erzeugt wird, auf die
zu beschichtende Fläche beschleunigt, wo sie neutralisiert werden und den gewünschten Überzug auf der zu
beschichtenden Schicht ergeben.
Der in Anspruch 1 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Aufdampfen
einer Schicht eines Überzugsstoffes, insbesondere eine in der Xerographie oder Phtotoelektrosolographie verwendbare
Schicht, auf eine Fläche anzugeben, mit dem eine verbesserte Haftfähigkeit dieser Schicht auf einer
Unterlage und eine verbesserte chemische Gleichmäßigkeit dieser Sicht erzielt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale im Kennzeichen des Anspruchs 1 gelöst.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich eine verbesserte Haftfähigkeit des aufgebrachten Überzugsstoffes und eine verbesserte chemische Gleichmäßigkeit
der aufgebrachten Schicht erreichen, die gleichzeitig eine Verbesserung der Gleichmäßigkeit der physikalischen
Eigenschaften, wie etwa des spezifischen Widerstandes, mit sich bringt. Gleichzeitig wird erreicht,
daß die Strecke, die der Überzugsstoff von seiner Verdampfung bis zur Ablagerung auf der zu beschichtenden
Fläche durchlaufen kann, ohne daß die zu erreichende Haftfähigkeit oder die chemische Gleichmäßigkeit
herabgesetzt werden, verlängert werden kann, was manchmal für die geometrische Ausgestaltung
der Aufdampfvorrichtung vorteilhaft ist. Insbesondere gute Ergenisse wurden bei der Herstellung von
photoleitfähigen Schichten für die Xerographie und die Photoelektrosolographie erzielt. Speziell für diese beiden
Fälle sind die Haftfähigkeit und die Gleichmäßigkeit von Vorteil, da zur Herstellung und Aufzeichnung
guter Bilder physikalische und elektrische Werte genau eingehalten werden müssen.
Vorzugsweise wird das Verfahren mit einem Plasma durchgeführt, das mit dem Überzugsstoff reagiert und
diesen in einem metastabilen Zustand auf oder in die Nähe der zu überziehenden Unterlage bringt. Abhängig
von dem jeweils zu überziehenden Gegenstand ist es jedoch erforderlich, das Plasma aus Stoffen auszuwählen,
die sie zu erzeugenden Überzüge nicht in unerwünschter Weise verunreinigen. Bei der Herstellung
sehr guter photoleitfähiger Schichten (z. B. für die Xerographie) bilden ein Wasserstoffplasma oder ein Ammoniakgas-Plasma
spezieil gute Träger für Selen, Arsen und Tellur sowie deren Mischungen. Ein wesentlicher
weiterer Vorteil des Verfahrens besteht in seiner besonders günstigen Steuerbarkeit.
Vorteilhafte Ausführungsformen des Verfahrens bzw. der Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
sind in den Unteransprüchen beschrieben.
Im folgenden soll die Erfindung näher an Hand von
in der Zeichnung dargestellten vorzugsweisen Ausführungsbeispielen erläutert werden.
F i g. 1 zeigt die Reaktionskammer in Form eines Rohres innerhalb einer Anordnung zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens mit kontinuierlicher Strömung;
F i g. 2 zeigt ein System für kontinuierliche Strömung,
in das das Überzugsmateriai in Dampfform eingegeben wird; und
F i g. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung.
F i g. 1 zeigt schematisch ein System für kontinuierli-
ehe Strömung zur Herstellung von Überzügen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren. Die Reaktionskammer 5, vorzugsweise aus Glas oder Quarz, besteht
aus einem Behälter 6 mit einer Eintrittsöffnung 7 sowie einer Abschlußplatte 8 mit einer Austrittsöffnung 9. Die
Eintrittsöffnung ist mit einem Vorratsbehälter 11 für das Trägergas verbunden, die Austrittsöffnung ist an
die Pumpe 12 angeschlossen. Ferner sind Eintritts- und Austrittsventile 13 und 14 dargestellt, die den Gasstrom
steuern.
Zur Erzeugung einer Plasmazone innerhalb der Kammer ist eine Anregungsquelle vorgesehen. Beim
dargestellten Ausführungsbeispiel besteht diese aus einer wassergekühlten Kupferquelle 15, die einen Teil
der Kammer umgibt und an einen elektrichen Leistungsgenerator 16 angeschlossen ist. Die geerdete
Elektrode 17 ist zur Begrenzung des Plasmas an einem vorbestimmten Punkt vorgesehen. Unter Plasmazone
soll hier der gesamte Bereich verstanden werden, in-
nerhalb dessen ein Plasma vorliegt.
In der dargestellten Einrichtung wird eine Dampfströmung in Pfeilrichtung erzeugt, die das Überzugsmaterial von der Quelle 18 zur Unterlage 19 (aus Aluminium,
Messing, Glas, Plastik od. ä.) transportiert, die in Strömungsrichtung hinter dem Begrenzungspunkt
des Plasmas angeordnet ist.
In der dargestellten Einrichtung wird eine Dampfströmung
in Pfeilrichtung erzeugt, die das Überzugsmateril von der Quelle 18 zur Unterlage 19 (aus Aluminium,
Messing, Glas, Plastik od. ä.) transportiert, die in Strömungsrichtung hinter dem Begrenzungspunkt des
Plasmas angeordnet ist.
Während des Betriebes wird das Trägergas kontinuierlich in die Reaktionskammer geleitet, zum Plasma-Stadium
angeregt und dann an einem bestimmten Punkt der Strömung in den geerdeten Zustand gebracht.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden Trägergas und Überzugsmaterial in
geeigneter Kombination verwendet, so daß das Plasma mit dem in der Reaktionskammer angeordneten Überzugsstoff
reagiert und diesen zu den zu überziehenden Teilen transportiert. Es ist jedoch wünschenswert, daß
der Überzugsstoff in genügend instabiler Form transportiert wird, so daß er sich auf Flächen (einschließlich
der zu überziehenden Unterlage), mit denen er hinter der Plasmazone in Berührung kommt, ablagert. Das bedeutet,
daß das Überzugsmaterial in der Plasmaphase des Trägergases transportabel sein soll, jedoch im
Dampfzustand genügend instabil, um auf der zu überziehenden Fläche in den festen Zustand zurückzukehren.
Im folgenden werden einige spezielle Werte und Stoffkombinationen aufgeführt:
Die Pumpe 12 wird derart betrieben, daß sie Wasserstoff von Vorratsbehälter 11 durch die Reaktionskammer
5 mit einem Unterdruck von 20 bis 100 μίτι Hg
leitet. Ein elektrischer 100 Watt-Generator 16, liefert einen Wechselstrom mit einer Frequenz von 30 MHz
an die Spule 15. Es wird festgestellt, daß die Lichtintensität des Plasmas nahe der Spule am größten ist und in
Strömungsrichtung immer mehr abnimmt.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel besteht die Quelle 18 aus einer Anhäufung von Selen, die vorzugsweise
in der Plasmazone der Kammer angeordnet ist. Die Ablagerung von Selen in Form eines sehr gleichmäßigen
Films findet nur auf Flächen hinter der Plasmazone statt. Selen bildet keinen Überzug in der Plasmazone
selbst.
Der Betriebsdruck des vorstehend beschriebenen Verfahrens kann im Bereich von 10 μπι bis zu einigen
mm Hg liegen, was von der der Spule zugeführten Leistung abhängt. Zur Erzeugung des Plasmas kann auch
ein anderes geeignetes Material, z. B. Ammoniak, verwendet werden. Der verwendete Wechselstrom soll
möglichst im Gebiet der Hochfrequenz liegen.
Die Prüfung eines sehr dünnen, nach dem beschriebenen Verfahren erzeugten Films mit dem Elektronenmikoskop
zeigt, daß der Film aus eng gepackten Klümpchen von etwa 1000 Angström Durchmesser besteht.
Messungen der Elektronenbeugung derartiger Selenfilme beweisen die amorphe Form dieser Schichten.
Daher ist das erfindungsgemäße Verfahren gut geeignet für die. Herstellung von Schichten, für die Bildherstellung
durch Photoelektrosolographie sowie für andere Zwecke, in denen eine dünne phtotoleitfähige
Schicht sehr guter Gleichmäßigkeit verwendet wird.
Im folgenden soll in einem Ausführungsbeispiel die Anwendung des erfindungsgemäßen Überzugsverfahrens
zur Herstellung einer Bildplatte für die Photoelektrosolographie beschrieben werden.
Bildplatten, wie sie vielfach bei der Photoelektrosolographie
verwendet werden, bestehen aus einer ungleichmäßigen, leicht brüchigen Schicht eines photoleitfähigen
Stoffes, die auf eine stabile mechanische Unterlage aufgebracht ist. Daher kann das oben beschriebene
Verfahren zur Bildung eines dünnen Selenfilms
ίο auf einer Unterlage 19 aus einer 2 μπι starken Schicht
aus Glycerinester von hydriertem Kolophonium auf einem Polyäthylentherephthalat-Film verwendet werden,
der mit einem dünnen durchsichtigen Aluminiumüberzug versehen ist. Der abgelagerte Selenfilm hat
vorzugsweise eine Stärke von etwa 0,2 μπι. Die Platte wird dann im Dunkeln mit einer Korona-Endladungseinrichtung
auf ein positives Potential von etwa 60 Volt aufgeladen, wie dies bei bekannten Xerographieverfahren
geschieht. Danach erfolgt eine optische Bildbelichtung mit 1,51 χ 102 Photonen/cm2 mit einer Lichtquelle
mit einer Wellenlänge von 4000 Angström-Einheiten. Die Platte wird etwa 2 Sekunden lang in Zyklohexan
eingetaucht. Dadurch ergibt sich ein gutes Abbild des optischen Bildes.
Das Verfahren läßt sich nicht nur dann durchführen, wenn das Plasma mit dem Überzugsmaterial in fester
Form reagiert.
Wie in F i g. 2 dargestellt ist, kann das Überzugsmaterial in Dampfform in das Plasma eingegeben werden.
Die in F i g. 2 dargestellte Einrichtung entspricht derjenigen aus F i g. 1 mit dem Unterschied, daß die Reaktionskammer
5' mit einem oder mehreren Seitenarmen 21 versehen ist, die das Überzugsmaterial enthalten. Jeder
Seitenarm ist mit einer Heizeinrichtung versehen, wie z. B. dem elektrichen Heizelement 20. Wie in
F i g. 1 ist die Pumpe 12' an die Austrittsöffnung 9' und der Vorratsbehälter W an die Eintrittsöffnung T angeschlossen.
Die Anordnung enthält die Ventile 13' und 14' und eine Einrichtung zur Plasmaerzeugung mit
einer Spule 15', die an einem elektrischen Leistungsgenerator 16' angeschlossen ist. Die elektrisch geerdete
Elektrode 17' umgibt den Behälter 6' in Strömungsrichtung hinter der Plasmazone. Die Abschlußplatte 8' ermöglicht
Zugang zum Inneren des Behälters 6' zur Eingäbe der Unterlagen 19' und des Überzugsmaterials.
Im Betrieb wird dem Überzugsmaterial 18' Hitze zugeführt,
wodurch es schnell verdampft und zusammen mit dem Trägergas aus dem Behälter 11 in die Plasmazone
eingeführt wird. Die dargestellte Einrichtung wird anders betrieben als diejenige gemäß Fig. 1. Es sei
darauf hingewiesen, daß der Grad bzw. die Geschwindigkeit der Ablagerung auf den Unterlageflächen 19'
höher ist als bei derjenigen Einrichtung, bei der das Plasma mit dem Überzugsmaterial in festem Zustand
reagiert, wenn dieses in die Plasmazone gebracht wird. Die erzeugten Schichten weisen bei beiden Verfahren
dieselben Eigenschaften auf.
F i g. 3 zeigt schematisch eine weitere Anordnung zur Durchführung des Verfahrens. Auf einer Grundplatte
23, die mit einer Eintrittsöffnung 24 für das Trägergas und einer Austrittsöffnung 25 für eine Saugpumpe
oder eine andere Unterdruckeinrichtung versehen ist, ruht eine glockenförmige Haube 22. Die Anordnung
enthält ferner einen oder mehrere Sockel 26, von denen jeder mit einer Heizeinrichtung 27 versehen ist. Die
Spule 28 ist auf einem isolierenden Zylinder aus Glas aufgebracht und mit einer hochfrequenten Stromquelle
ähnlich der bereits beschriebenen verbunden. Die Un-
terlage 31, die durch eine geeignete Vorrichtung gehalten wird, ist über dem Zylinder in dem bei Erhitzung
des Überzugsmaterials 32 erzeugten Dampfstrom angeordnet. In F i g. 3 ist die Unterlage 31 schematisch in
hängender Lage über dem Zylinder dargestellt. Sie ist mit gläsernen Aufhängevorrichtungen 33 befestigt, die
an der Kammer 22 mit Saugnäpfen 34 befestigt sind.
Die Arbeitsweise der in F i g. 3 dargestellten Einrichtung entspricht derjenigen aus F i g. 2. Ein geeignetes
Trägergas wird durch die Eintrittsöffnung in die Glokkenhaube geleitet. Durch die Vakuumpumpe wird ein
Unterdruck erzeugt. Ein hochfrequenter Strom wird an die Spule angeschaltet und bewirkt eine Anregung des
im Zylinder befindlichen Trägergases in den Plasmazustand. Das Überzugsmaterial wird verdampft und gelangt
in die Plasmazone. Es wird in Richtung der Unterlage transportiert und bildet darauf eine sehr gleichmäßige,
gut haftende Schicht.
Für die Arbeitsweise des beschriebenen Transportvorganges mit einem Wasserstoff-Plasma wurde die
folgende Theorie entwickelt.
Es wird vermutet, daß aktive Wasserstoffarten, wie atomarer Wasserstoff und energiereicher molekularer
Wasserstoff, durch Aufprall von Elektronen auf das Wasserstoffmolekül erzeugt werden, und daß diese aktiven
Wasserstoffarten bei Kollision mit dem Überzugsmaterial metastabile gasförmige Hydride bilden.
Die Hydride zerfallen wohl auf der Fläche der Reaktionskammer
und wurden dort in Form eines metallichen Films verbleiben, wenn nicht die hohe Stärke des
Plasmas in der Plasmazone vorhanden wäre. Die fortgesetzte Bildung der metastabilen gasförmigen Hydride
in diesem Gebiet verhindert jegliche Eigenablagerung. Verringert sich die Glimmstärke, so bedingt die
damit verbundene verringerte Abfuhr eine Ablagerung von Überzugsstoff. Auf diese Weise lagert sich eine
Schicht dieses Stoffes auf den Oberflächen der in dem Dampfstrom angeordneten Teile ab.
Wie bereits ausgeführt wurde, sollen das Trägergas und das Überzugsmaterial in der geeigneten Kombination
verwendet werden. Diesbezüglich stellte sich heraus, daß gewisse Gase, z. B. Argon, zum Transport von
Selen, Arsen, Tellur und deren Mischungen, nach dem beschriebenen Verfahren nicht geeignet sind. Es sei ferner
bemerkt, daß sowohl Chlor- und Jodplasma zur Herstellung gleichmäßiger Überzüge aus diesen Metallen
gut verwendet werden können, eine Verwendung zur Herstellung von Schichten für die Xerographie
oder die Photoelektrosolographie nicht günstig ist. Dies liegt an der Verunreinigung der gebildeten
Schicht durch das Chlor, wodurch eine Verschlechterung der verlangten xerographischen Eigenschaften
eintritt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 509 532/319
Claims (21)
1. Verfahren zum Aufdampfen einer Schicht eines Überzugsstoffes auf eine Fläche, wobei eine gegen
die zu überziehende Fläche hin verlaufende Dampfströmung des Überzugsstoffes erzeugt wird und der
Überzugsstoff vor dem Aufbringen auf die Fläche von einem Plasma in einer Plasmazone beeinflußt
wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine durch die Plasmazone verlaufende Strömung eines
Trägerstoffes erzeugt wird, der Trägerstoff in der Plasmazone zum Übergang in den Plasmazustand
angeregt wird, und eine vor dem oder während des Durchlaufs des Trägerstoffes durch die Plasmazone
vereinigte Strömung aus Trägerstoff und Überzugsstoff mit der zu überziehenden Fläche in Berührung
gebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömung aus Trägerstoff und
Überzugsstoff durch Einleiten eines Trägergases in eine Überzugsstoff enthaltende Reaktionskammer
gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägergas zur Überführung
in den Plasmazustand mit Hilfe eines hochfrequenten elektrichen Feldes angeregt wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma
an einem Punkt zwischen der Plasmazone und der zu überziehenden Fläche wenigstens zum Teil abgebaut
wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägerstoff
Wasserstoff verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägerstoff Ammoniak
verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Überzugsstoff Selen
verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Überzugsstoff Arsen
verwendet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Überzugsstoff Tellur
verwendet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägerstoff Wasserstoff
und als Überzugsstoff Selen verwendet wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß der Überzugsstoff innerhalb der Plasmazone verdampft wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzugsstoff
außerhalb der Plasmazone verdampft wird und daß der Dampf zur Beigabe zum Trägerstoff in die Plasmazone
hinein oder vor dieser in Strömung geleitet wird.
13. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 12, gekennzeichnet
durch eine Reaktionskammer (5; 5'; 22) mit einer darin angeordneten, mit dem Überzugsstoff zu
überziehenden Fläche (19; 19'; 31), eine Aufheizeinrichtung (16; 20; 27) zur Erzeugung einer Dampfströmung
des Überzugsstoffes, eine über der Reaktionskammer eine Druckdifferenz erzeugende Ein-
richtung (11, 12; 11', 12') zur Erzeugung einer Strömung des Trägerstoffes und eine Energieerzeugungseinrichtung
(16; 16'; 28) zur Anregung des Trägerstoffes in den Plasmazustand in einem Bereich
entlang dem Strömungsweg des Trägerstoffes.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Energieerzeugungseinrichtung
zur Anregung des Trägerstoffes in den Plasmazustand gleichzeitig die Aufheizeinrichtung zur
Erzeugung einer Dampfströmung des Überzugsstoffes bildet.
15. Vorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer
(5) einen Einlaß (7) und einen Auslaß (9) aufweist, daß der Einlaß (7) mit einem Vorratsbehälter (11)
für einen gasförmigen Trägerstoff verbunden ist und daß der Auslaß (9) mit einer Gasabsaugpumpe
(12) verbunden ist.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Einlaß (7) sowie der Auslaß
(9) jeweils mit einem Ventil (13, 14) zur Steuerung der Gasströmung durch die Reaktionskammer versehen
sind.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Anregung
des Trägerstoffes in den Plasmazustand bewirkende Energieerzeugungseinrichtung durch eine einen Teil
der Reaktionskammer (5) umgebende, elektrich leitfähige Spule (15) gebildet wird, die mit einem elektrischen
Leistungsgenerator (16) verbunden ist.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß in Strömungsrichtung des gasförmigen
Trägerstoffes auf die Spule (15) folgend eine einen Teil der Reaktionskammer umgebende geerdete
Elektrode (17) vorgesehen ist.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der durch die Aufheizeinrichtung
(20) zu verdampfende Überzugsstoff (18') in einem den dampfförmigen Überzugsstoff in die Gasströmung des Trägerstoffes in Strömungsrichtung
einleitenden Seitenarm (21) der Reaktionskammer (5) angeordnet ist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strom des dampfförmigen
Überzugsstoffes aus dem Seitenarm (21) der Reaktionskammer (5) vor der geerdeten Elektrode (17) in
die Gasströmung des Trägerstoffes mündet.
21. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strom des dampfförmigen
Überzugsstoffes aus dem Seitenarm der Reaktionskammer (5) in den von der Spule (15) umschlossenen
Teil der Reaktionskammer (5) einleitbar ist.
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