DE1222975B - Transistor-Relais-Schalteinrichtung - Google Patents

Transistor-Relais-Schalteinrichtung

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DE1222975B
DE1222975B DEH51024A DEH0051024A DE1222975B DE 1222975 B DE1222975 B DE 1222975B DE H51024 A DEH51024 A DE H51024A DE H0051024 A DEH0051024 A DE H0051024A DE 1222975 B DE1222975 B DE 1222975B
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DE
Germany
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transistor
emitter
base
resistor
transistors
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Pending
Application number
DEH51024A
Other languages
English (en)
Inventor
Georg Riedmayr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Masch und Zahnradfabrik
Gleason Hurth Tooling GmbH
Original Assignee
Masch und Zahnradfabrik
Carl Hurth Maschinen und Zahnradfabrik GmbH and Co
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Publication date
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Priority to NL6411063A priority patent/NL6411063A/xx
Priority to FR996879A priority patent/FR87658E/fr
Priority to US416959A priority patent/US3307082A/en
Priority to GB49095/64A priority patent/GB1084579A/en
Publication of DE1222975B publication Critical patent/DE1222975B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/64Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors having inductive loads
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/14Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature

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  • Relay Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • Transistor-Relais-Schalteinrichtung Die Erfindung bezieht sich auf eine Transistor-Relais-Schalteinrichtung mit einem Nullanschluß, einem Anschluß für ein ständiges positives Potential (Speisespannung) und mit mindestens zwei Transistoren, von denen der eine mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke parallel liegt zur Emitter-Basis-Strecke des anderen, in der die Transistoren mit ihren Emittern an den 0-Punkt angeschlossen sind, einer der Transistoren mit seinem Kollektor über eine zu beeinflussende Relaisspule am ständigen positiven Pol liegt und die Basis eines der Transistoren an einem Signaleingang angeschlossen ist.
  • Es ist eine eigensichere Anordnung zum Steuern eines elektromagnetischen Schalters über eine Transistor-Schalteinrichtung_bekannt, bei der zwei Transistoren vorgesehen sind, von denen der eine mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke parallel liegt zur Emitter-Basis-Strecke des anderen. Bei dieser Anordnung ist eine positive Speisespannung, die an der Basis des Eingangstransistors liegt, durch einen veränderlichen Widerstand beeinflußbar, so daß je nach seinem Widerstand ein Relais ein- oder ausgeschaltet wird. Diese Schalteinrichtung ist zum Steuern von logisch arbeitenden automatischen Maschinen nicht geeignet, weil sie für logische Verknüpfungen nicht brauchbar ist. Die bekannte Einrichtung ist beispielsweise zu einer »Und«-Aussage unfähig. Außerdem ist sie insbesondere für ausgedehnte Schalteinrichtungen nicht verwendbar, weil sie nicht mit einem einheitlichen Signalpegel arbeitet (deutsche Auslegeschrift 1083 396).
  • Zweck der Erfindung ist eine für logische »Und«-»Oder«-Aussagen geeignete Schalteinrichtung, die mittels eines kontaktlosen Schalters praktisch beliebig viele Kontakte beeinflussen kann, welche voneinander unabhängigen Stromkreisen zugeordnet sein können. An sich wäre es denkbar, ein Relais mit Hilfe eines bistabilen Kippschalters zu betätigen, doch hätte diese Anordnung den Nachteil, daß unter der Voraussetzung einer Speisespannung immer einer der beiden Transistoren stromführend ist, auch dann, wenn kein Impuls gegeben wird. Darüber hinaus ist es beim bistabilen Kippschalter, wenn keine besonderen Maßnahmen ergriffen werden, ungewiß, welcher Transistor eingeschaltet ist. Der Erfindung ist jedoch die Aufgabe gestellt, daß immer genau definierte Zustände vorhanden sind.
  • Nach einem noch nicht veröffentlichten Vorschlag wird diese Aufgabe gelöst durch eine Transistor-Relais-Kombination mit einem mittels eines Transistors wirkenden Einschaltkreis, der zusätzlich zu den ständigen Potentialen einen Einschalteingang aufweist und mit einem mittels eines anderen Transistors wirkenden Löschkreis, der einen weiteren Löscheingang hat. Dabei liegt die Emitter-Kollektor-Strecke des Löschtransistors parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Einschalttransistors. Diese Nebenordnung der beiden Kreise hat den Vorteil, daß der Löschkreis vor dem Einschaltkreis dominieren kann, was der Einrichtung eine erhöhte Stabilität verleiht. Die Schalteinrichtung nach dem noch nicht zum Stand der Technik gehörenden Vorschlag ist insbesondere für pnp-Transistoren, also im wesentlichen für Germanium-Transistoren, geeignet. Diese haben den Nachteil, daß sie verhältnismäßig temperaturempfindlich sind.
  • Der über den genannten Vorschlag herausgehende Zweck der Erfindung ist eine höhere Temperaturstabilität.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Basis des ersten Transistors in bekannter Weise mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist, die Basis des ersten Transistors über einen Widerstand an einem Einschalteingang und die Basis des zweiten Transistors über einen Widerstand an einem zusätzlichen Löscheingang liegt, wobei die Basis des zweiten Transistors über einem Widerstand und in an sich bekannter Weise die Basis des ersten Transistors über einem Widerstand an dem Nullanschluß liegen, daß zwischen dem Emitter des ersten Transistors und dem positiven Pol parallel zur Relaisspule in an sich bekannter Weise ein Widerstand liegt, daß zwischen dem Emitter des ersten Transistors und dem Emitter des zweiten Transistors in im Prinzip bekannter Weise eine Diode angeordnet ist, deren Durchlaßrichtung vom ersten zum zweiten Transistor weist, und daß zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem Nullanschluß eine weitere Diode mit einer Durchlaßrichtung zum Nullanschluß vorgesehen ist.
  • Dioden mit einer bestimmten Durchlaßrichtung in Verbindung mit Transistoren und Widerstände, die parallel liegen zur Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors sind bekannt. Für diese Merkmale wird kein Schutz begehrt (deutsche Auslegeschrift 1117 168 und USA.-Patentschrift 2 866 909).
  • Durch die Anordnung nach der Erfindung ist es möglich, pnp-Transistoren, d. h. also beispielsweise Silicium-Transistoren, zu verwenden, die eine höhere Temperaturstabilität aufweisen als beispielsweise Germanium-Transistoren.
  • Die Figur zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung. Sowohl dem Einschaltkreis als auch dem Löschkreis ist ein Transistor in Emitterschaltung zugeordnet. Es liegt der Emitter sowohl des ersten Transistors T1 für den Einschaltkreis als auch der Emitter des zweiten Transistors T2 für den Löschkreis am sogenannten 0-Punkt. Der Kollektor des Transistors T1 ist über die zum Schaltrelais gehörende Spule 10 mit dem positiven Pol P der Stromquelle verbunden, während seine Basis über einen Widerstand R 10 am Einschalteingang 11 liegt. Die Basis des Transistors T1 ist ferner über einen Widerstand R 14 in einer später beschriebenen Weise an den 0-Punkt angeschlossen. Der zweite Transistor T2 für den Löschkreis ist mit seinem Kollektor an der Basis des ersten Transistors T1 angeschlossen und liegt mit seiner Basis über einem Widerstand R 13 am Löscheingang 12. Ferner sind die Basen beider Transistoren über Widerstände R 14 bzw. R15 mit dem 0-Punkt verbunden. Die Relaisspule 10 beeinflußt in bekannter Weise Kontakte, deren Anzahl sich nach der Leistung der Relaisspule richtet, auf jeden Fall aber sehr groß sein können. Zwischen dem Emitter des ersten Transistors und dem positiven Pol ist ein Widerstand R 6 der Relaisspule 10 parallel geschaltet. Zwischen dem Emitter des ersten Transistors T 1 und dem Widerstand R 6 einerseits und dem Widerstand R 14 und dem Emitter des zweiten Transistors T2 andererseits ist eine Diode 27 mit der Durchlaßrichtung zum 0-Punkt hin gerichtet eingebaut. Ferner ist zwischen dem Emitter des Transistors T2 des Löschkreises einerseits und dem Widerstand R15 und dem 0-Punkt andererseits eine zweite Diode 28 ebenfalls mit der Durchlaßrichtung zum 0-Punkt gerichtet vorgesehen. Der 0-Punkt entspricht dem negativen Pol der Speisespannungsquelle.
  • Durch die Diode 27 und den. Widerstand R 14 wird an der Diode.27 ein Spannungsabfall erzielt, so daß zwischen Basis und Emitter eine. kleine negative Vorspannung herrscht. Entsprechende Verhältnisse werden am Transistor T2 erwirkt durch die Diode 28 und den Widerstand R 15. Dieser kleine Spannungsabfall genügt für npn-Transistoren, also beispielsweise Silicium-Transistoren, so daß die Schaltung über einem größeren Temperaturbereich stabil bleibt im Vergleich zu Germanium-Transistoren. überdies können Germanium-Transistoren grundsätzlich nicht so hohe Temperaturen zugemutet werden wie Silicium-Transistoren. Bei entsprechender Polung sind npn-Transistoren in den Einrichtungen nach dem noch nicht bekannten älteren Vorschlag auch verwendbar, jedoch würde dort die für die Germanium-Transistoren notwendige große Vorspannung den Signalpegel stärker belasten und das Eingangssignal abschwächen.
  • Wird an den Einschalteingang 11 entweder infolge einer logischen Verknüpfung in vorgeschalteten logischen Gattern oder direkt vom Pol P aus über den Einschalteingang 11 ein Einschaltimpuls gegeben, so wird der Transistor T1 leitend, und die Spule 10 des Relais spricht an. Wird am Löscheingang 12 ebenfalls infolge einer logischen Verknüpfung oder direkt vom Pol P aus ein Löchimpuls gegeben, so wird der Transistor T2 leitend und die Spannung zwischen Emitter und Basis des Transistors T 1 abgebaut. T 1 wird gesperrt, und das Relais 10 fällt ab.
  • Bei der geschilderten Anordnung - sind Widerstände in Leitungsabschnitten erwähnt, wo sie für das Verständnis erforderlich sind. Es kann der eine oder der andere wegfallen, wenn der entsprechende Leitungsabschnitt bereits den erforderlichen Widerstand aufweist. Auch können Widerstände in Leitungen vorgesehen werdet!, wenn diese gewissermaßen von Natur aus keinen genügend hohen Widerstand haben. Es wurde nur ein einziges Beispiel der Erfindung gegeben, es sind Ausgestaltungen möglich.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: --Transistor-Relais-Schalteinrichtung mit einem Nullanschluß, einem Anschluß für ein ständiges positives Potential (Speisespannung) und mit mindestens zwei Transistoren, von denen der eine mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke parallel liegt zur Emitter-Basis-Strecke des anderen, in der die Transistoren mit ihren Emittern an den 0-Punkt angeschlossen sind, einer der Transistoren mit seinem Kollektor über eine zu beeinflussende Relaisspule am ständigen positiven Pol liegt und die Basis eines der Transistoren an einem Signaleingang angeschlossen ist, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß die Basis des ersten Transistors (T1) in bekannter Weise mit dem Kollektor des zweiten Transistors (T2) verbunden ist, die Basis des ersten Transistors (T1) über einen Widerstand (R 10) an einem Einschalteingang (11) und die Basis des zweiten Transistors (T2) über einen Widerstand (R13) mit einem zusätzlichen Löscheingang (12) liegt, wobei die Basis des zweiten Transistors (T2) über einem Widerstand (R15) und in an sich bekannter Weise die Basis des ersten Transistors (T1) über einem Widerstand (R 14) an dem Nullanschluß liegen, daß zwischen dem Emitter des ersten Transistors (T1) und dem positiven Pol (P) parallel zur Relaisspule (10) in an sich bekannter Weise ein Widerstand (R6) liegt, daß zwischen dem Emitter des ersten Transistors (T1) und dem Emitter des zweiten Transistors (T2) in im Prinzip bekannter Weise eine Diode (27) angeordnet ist, deren Durchlaßrichtung vom ersten zum zweiten Transistor weist, und daß zwischen dem Emitter des zweiten Transistors (T2) und dem Nullanschluß eine weitere Diode mit einer Durchlaßrichtung zum Nullanschluß vorgesehen ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1083 396, 1117168; USA.-Patentschrift Nr. 2 866 909.
DEH51024A 1963-01-08 1963-12-04 Transistor-Relais-Schalteinrichtung Pending DE1222975B (de)

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DEH51024A DE1222975B (de) 1963-12-04 1963-12-04 Transistor-Relais-Schalteinrichtung
NL6411063A NL6411063A (nl) 1963-01-08 1964-09-23 Schakelinrichting
FR996879A FR87658E (fr) 1963-01-08 1964-11-30 Dispositif de commande électrique, notamment pour machine-outil, ainsi que le produit industriel tel que machine équipée de ce dispositif
US416959A US3307082A (en) 1963-01-08 1964-12-01 Switching arrangement
GB49095/64A GB1084579A (en) 1963-01-08 1964-12-02 Transistor relay circuit arrangement

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4649286A (en) * 1983-07-29 1987-03-10 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Power supply circuit for vehicle

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US2866909A (en) * 1957-01-17 1958-12-30 Gen Dynamics Corp Electronic switch
DE1083396B (de) * 1956-11-10 1960-06-15 Standard Elektrik Lorenz Ag Eigensichere Anordnung zum Steuern eines elektromagnetischen Schalters ueber einen Transistor
DE1117168B (de) * 1957-01-17 1961-11-16 Telefunken Patent Transistorrelaisschaltung

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