DE1197631B - Verfahren und Vorrichtung zur Zuechtung von metallischen Einkristallen in Form von haarfeinen Staebchen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Zuechtung von metallischen Einkristallen in Form von haarfeinen StaebchenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
Deutsche Kl.: 40d-3/0tf
Nummer: 1197631
Aktenzeichen: G 35112 VI a/40 d
Anmeldetag: 1. Juni 1962
Auslegetag: 29. Juli 1965
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Züchtung von Einkristallen in Form von haarfeinen Stäbchen
aus einer Metallquelle, das folgende Verfahrensschritte umfaßt: Einbringen der gewählten Metall·
quelle in eine gegen die Außenatmosphäre isolierte Verdampfungskammer, Einbringen einer Unterlage
für die Züchtung von Kristallen in die Verdampfungskammer und Erwärmen der Metallquelle im Vakuum
auf eine Temperatur, bei der das Metall verdampft. Die Erfindung betrifft weiterhin auch eine Vorrichrung
zur Durchführung eines Verfahrens der genannten Art.
Das Züchten von Einkristallen durch Verdampfen niedrigschmelzender Metalle im Vakuum und durch
Niederschlagen des Metalldampfes auf eine Unterlage ist bekannt. Auf diese Weise wurden bereits Einkristalle
aus Zink und Kadmium sowie aus Silber hergestellt.
Es war bisher nicht möglich, nach dem Verfahren der eingangs erwähnten Art Einkristalle aus Metallen
herzustellen, deren Schmelzpunkt verhältnismäßig hoch ist und deren Oxyde einen verhältnismäßig
niedrigen Dissoziationsdruck aufweisen. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
und eine Vorrichtung zu schaffen, mit dem bzw. mit der auch Einkristalle von hochschmelzenden
Metallen hergestellt werden können.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird nun bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art
erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß als Metallquelle Chrom, Gold, Nickel, Kupfer, Eisen, Kobalt
oder deren Legierungen verwendet werden, wobei diese Metalle auf eine Temperatur aufgeheizt werden,
die höher ist als die Temperatur der Unterlage, und daß die Verdampfungskammer evakuiert wird, wobei
gleichzeitig ein Teil des verdampften Metalls eindringt, so daß der Sauerstoffdruck in der Kammer
unter dem Dissoziationsdruck der Metallquelle bleibt.
Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung besteht aus einer Verdampfungskammer,
in der eine Metallquelle und eine Unterlage für die zu züchtenden Einkristalle angeordnet ist,
und aus einer Heizeinrichtung zum Aufheizen der Metallquelle der Unterlage und ist dadurch gekennzeichnet,
daß die Verdampfungskammer dauernd mit einer Vakuumquelle verbunden ist und die Metallquelle
auf eine höhere Temperatur aufheizbar ist als die Unterlage.
Die Erfindung wird nun näher an Hand von Zeichnungen erläutert, in denen
F i g. 1 teilweise im Schnitt eine Seitenansicht einer
Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von
metallischen Einkristallen in Form von
haarfeinen Stäbchen
metallischen Einkristallen in Form von
haarfeinen Stäbchen
Anmelder: . ..
General Electric Company, Schenectady, N. Y.
(V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. M. Licht
und Dr. R. Schmidt, Patentanwälte,
München 2, Theresienstr. 33
Als Erfinder benannt:
Charles Robert Morelock, Ballston Spa, N. Y.
(V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 29. Juni 1961 (120 560)
Vorrichtung zur Züchtung von metallischen Einkristallen zeigt,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform
einer aus Metallquelle und Unterlage bestehenden Anordnung für die Vorrichtung nach
Fig.l,
Fig. 3 eine andere Ausführungsform einer aus Metallquelle und Unterlage bestehenden Anordnung
und
F i g. 4 eine weitere Ausführungsform einer aus Metallquelle und Unterlage bestehenden Anordnung.
Die in Fig. 1 gezeigte Verdampfungskammer 10 wird von einem Quarzrohr 11 gebildet, das von einem
Heizkörper 12 umgeben ist, der eine Plattendrahtwicklung enthält. Der Heizkörper 12 umschließt nur
einen Teil des gesamten Rohres 11, so daß das beheizte Gebiet, in dem die Verdampfung und der
Niederschlag der metallischen Einkristalle stattfindet, nicht mit der Gesamtlänge des Rohres 11 übereinstimmt.
Ein Rohr aus Pyrexglas 15 ist mit dem oberen Ende des Rohres 11 so verbunden, daß
beide Rohre eine Einheit bilden, und das obere Ende des Rohres 15 ist mit einer (nicht gezeigten) Evakuiervorrichtung
verbunden. Eine seitlich nach außen gerichtete Verlängerung 16, die ebenfalls mit dem
Rohr 15 so verbunden ist, daß beide Teile eine Einheit bilden, ist vollständig abgedichtet, so daß keine
Öffnung in den Raum führt, der durch die Rohre 11 und 15 gegeben ist. Man verwendet Pyrexglas an
Stelle von Quarz in der beschriebenen Weise, da sich dies leichter bearbeiten und formen läßt und die
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Kosten für die gesamte Vorrichtung dadurch gesenkt werden.
Ein gewöhnlich zylindrischer Körper wird als Metallquelle 20 gezeigt, der in die beheizte Zone der
Kammer 10 eingebracht ist, wobei der Körper 20 selbstverständlich eine Öffnung in Richtung der
Längsachse besitzt. Eine Unterlage für das Kristallwachstum wird etwa in die Mitte des Körpers 20 eingeführt
und erstreckt sich aufwärts über das obere Ende des Körpers 20 so weit, daß ein Teil dieser
Unterlage über die beheizte Zone hinausreicht, die durch den Heizkörper 12 begrenzt ist.
Die Unterlage 21 läßt sich in die gezeigte Stellung für die Auftragung herunterlassen und umgekehrt
vollständig aus der beheizten Zone des Heizkörpers 12 herausführen, zu welchem Zweck eine Winde 25
angebracht ist. Diese Winde besteht aus einem Wolframdraht 26, der auf eine Rolle 27 aufgewickelt oder
von dieser abgewickelt werden kann. Die Rolle 27 ist fest mit einer drehbaren Welle 28, die in einem Lager
29 gelagert ist, verbunden. Das am weitesten von der Rolle 27 entfernte Ende der Welle 28 ist mit einem
Magneten 30 verbunden, der durch eine drehbare Vorrichtung 31 betrieben werden kann. Die Vorrichtung
31 besteht aus einem Körper 32, aus einem geeigneten Kunststoff oder einem anderen nichtleitenden
Material und enthält eine Anzahl von Magneten 33, die mit dem Magneten 30 zusammenwirken, um
die Welle 28 zu drehen, wenn die Vorrichtung 31 gedreht wird. Wie in der Zeichnung dargestellt, bewirkt
eine Drehung der Vorrichtung 31 im Uhrzeigersinn, daß der Draht 26 auf die Rolle 27 aufgewickelt wird
und die Unterlage 21 aus der beheizten Zone der Verdampfungskammer 10 entfernt wird.
Zusammengefaßt läßt sich sagen, daß bei einer An-Ordnung der verschiedenen Bestandteile der Vorrichtung,
wie sie F i g. 1 zeigt, metallische Einkristalle oder haarfeine Stäbchen erzeugt werden können,
indem der Heizkörper 12 die Temperatur in der Verdampfungskammer 10 so aufheizt, daß die Metallquelle
20 verdampft wird. Da ein Teil der Unterlage 21 gegen eine unmittelbare Bestrahlung durch den
Heizkörper 12 abgeschirmt ist, d. h. daß die Metallquelle selbst eine Isolierung schafft, ist die Temperatur
dieses Teils der Unterlage 21 innerhalb der Metallquelle 20 niedriger als die der Metallquelle
selbst. Außerdem wird Wärme entlang dem Körper 21 aufwärts geleitet und ein Teil der Wärme durch
den Abschnitt des Körpers 21 nach außen abgegeben, der nicht in der durch den Heizkörper 12 beheizten
Zone liegt. Auf diese Weise schlägt sich der in der Kammer 10 vorhandene Metalldampf in Form von
Einkristallen nieder.
Man vermutet, daß die Einkristalle oder haarfeinen Stäbchen einen Kern an den schraubenförmigen Ver-Setzungen
bilden, die an oder in der Oberfläche der Unterlage auftreten. Nach dieser ersten Kernbildung
wird die schraubenförmige Versetzung dem Kristall einverleibt, und das axiale Wachstum schreitet fort,
indem Metallatome an den Seiten des Kristalls absorbiert werden, zur Spitze wandern und in das Gitter
an der Stelle der schraubenförmigen Versetzung eingebaut werden.
Gemäß diesem Vorgang sollten Kristalle bei Übersättigungen wachsen, die unter einem kritischen Über-Sättigungsverhältnis
α liegen, das für eine meßbare, zweidimensionale und homogene Kernbildung erforderlich
ist. Das Übersättigungsverhältnis α ist gleich p/p0, wobei ρ der tatsächliche Druck des
Niederschlagsdampfes und P0 der Sättigungsdruck des
niedergeschlagenen Dampfes ist. Diese Drücke werden durch die Temperaturen der Verdampfung und
der Oberfläche der Unterlage geliefert.
Nach dem angenommenen Wachstumsvorgang sollte für das Züchten von Einkristallen keine untere
Grenze für den Dampfdruck vorhanden sein. Bei Verwendung der Metalle, welche die Erfindung vorschlägt,
d.h. bei Verwendung von Chrom, Nickel, Eisen, Kupfer, Gold oder Kobalt, wurden bei
einem Dampfdruck von weniger als ΙΟ"6 mm Quecksilbersäule keine Einkristalle gebildet. Es ist
wahrscheinlich, daß die Wirkung des Metalldampfes, die durch eine andauernde Evakuierung der Verdampfungskammer
ermöglicht wird, derartig ist, daß der Sauerstoffdruck in der Wachstumszone unter
dem Dissoziationsdruck des MetaUoxyds bleibt und lediglich einen Metalldampfdruck von mindestens
1Ö~6 mm liefert. Der Dissoziationsdruck der Oxyde
von Chrom, Eisen, Nickel und Kupfer beträgt etwa IO-20, 10~12, IO-8 bzw. 10~7 mm Quecksilbersäule.
Da alle Prüfungen einen fast gleichen Metalldampfdruck ergaben, würde man erwarten, daß Oxyde bei
Verwendung von Chrom sich Stärker auswirken würden als bei Verwendung von Kupfer. Die Beobachtungen
bestätigen diese Annahme.
Es ist also bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wichtig, daß vor dem Erreichen
des Sättigungsverhältnisses der partielle Sauerstoffdruck unter dem Dissoziationsdruck des verwendeten
Metalloxyds liegen muß, wenn haarfeine Stäbchen gebildet werden sollen. Die obere Grenze für den
Dampfdruck sollte lediglich pa beim Schmelzpunkt Tm
des zu prüfenden Metalls betragen. Die größte Annäherung an diese Grenze wurde bei Versuchen mit
Gold und Kupfer erreicht, bei denen haarfeine Stäbchen gezüchtet wurden, wenn die Temperatur der
Unterlage in einem Bereich von 20° C unter dem entsprechenden Schmelzpunkt gehalten wurde.
Die Züchtung von haarfeinen Stäbchen ist also nicht auf einen bestimmten Metalldampfdruck beschränkt;
sie ist vielmehr abhängig von der vorstehend beschriebenen oberen und unteren Grenze.
Diese Aussage wird durch die Tatsache erhärtet, daß die bei Versuchen zur Züchtung von haarfeinen Stäbchen
angewendeten Dampfdrücke in einem Bereich von 10 ~7 mm Quecksilbersäule bei Verwendung von
Gold und 0,1 mm Quecksilbersäule bei Verwendung von Cadmium lagen.
Mehrere Versuche zur Züchtung von metallischen Einkristallen oder haarfeinen Stäbchen wurden an
verschiedenen Metallen durchgeführt. Bei diesen Versuchen wurden jeweils eine Unterlage und eine
Metallquelle in die Verdampfungskammer der Fig. 1 eingebracht, während die Kammer fortlaufend durch
den Heizkörper 12 beheizt wurde und gleichzeitig andauernd evakuiert wurde. Bei diesen Versuchen
wurde die Vorrichtung auf die gewünschte Betriebstemperatur erwärmt, ehe die Unterlage in die Verdampfungskammer
gesenkt wurde, so daß der Sauerstoff oder andere atmosphärische Verunreinigungen
in der Vorrichtung so weit als möglich entzogen worden waren. Die Metallquelle, die Verdampfungstemperatur, die Wachstumsdauer, die Länge der
haarfeinen Stäbchen und die Zusammensetzung der Unterlage bei den verschiedenen Proben sind in der
nachstehenden Tabelle aufgeführt:
Verdampftes
Metall
Metall
Verdampfungstemperatur 0C
Wachstumsdauer Stunden
Größte Länge
der haarfeinen Stäbchen
der haarfeinen Stäbchen
Unterlage
Cr
Cr
Ni
Ni
Au
Au
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu.
Fe
Fe
Fe
Fe
Fe
Fe
Co
Co-Fe (23 »/ο Co, 77%Fe)
1050
900
1200
1050
1050
875
830
930
1020
1000
1000
950
1030
1060
1150
1150
1060
1150
1020
1120
Wie bereits erwähnt, ist es erforderlich, daß die Unterlage auf einer Temperatur unter der der Metallquelle
gehalten wird, damit eine Kristallbildung eintritt. Dieses Temperaturgefälle läßt sich auf verschiedene
Weise herstellen. Beispielsweise zeigt F i g. 2 einen Körper für die Unterlage und einen als Metallquelle,
die eine Einheit bilden und in diesem Fall aus einer spiralförmig gewickelten Spule 35 bestehen.
Bei Verwendung der gezeigten Anordnung wird das Metall von der Innenfläche der äußersten Spirale der
Spule 35 verdampft, da diese unmittelbar der Strahlungswärme des Heizkörpers ausgesetzt ist, und wird
auf der Außenfläche einer zweiten Spirale 37 niedergeschlagen, da diese gegen eine unmittelbare Erwärmung
durch den Heizkörper geschützt und dementsprechend kühler ist. Der gleiche Verdampfungs- und
Niederschlagsvorgang findet auf allen aufeinanderfolgenden Spiralen statt und schreitet nach innen fort
und endet bei einer innersten Spirale 38. Man hat festgestellt, daß das normale Temperaturgefälle zwischen
den aufeinanderfolgenden Spiralen etwa 17° C beträgt. Temperaturunterschiede von 15° C oder
mehr reichen gewöhnlich aus, um das verdampfte Metall niederzuschlagen und die gewünschten haarfeinen
Stäbchen zu züchten.
F i g. 3 zeigt eine leicht abgewandelte Form einer Vereinigung von Metallquelle und Unterlage, die
durch Ziffer 40 bezeichnet wird. In diesem Fall ist die Metallquelle eine flache Folie 41, die mit einer
größeren Unterlage 42 zur Züchtung der Kristalle durch Verbindungsstücke 43 verbunden ist. Der
Körper 42 ist etwas langer als der Körper 41, so daß er über die beheizte Zone hinausreicht, wie die
Unterlagen der Fig. 1. Obwohl in diesem Fall die
Unterlage 42 der unmittelbaren Erwärmung durch den (nicht gezeigten) umgebenden Heizkörper ausgesetzt
ist, besitzt er einen weit größeren Querschnitt, so daß die Wärme in Aufwärtsrichtung geleitet wird
und in dem Teil, der außerhalb der beheizten Zone liegt, abgegeben wird. Durch Anwendung eines derartigen
Aufbaus wird ermöglicht, daß ein ausreichendes Temperaturgefälle zwischen den Körpern 41 und
16
50
16
48
16
120
70
16
16
50
16
16
V3
1
50
16
16
V3
1
50
16
V6
V8
16
V6
V8
keine
100
100
keine
300
150
300
150
keine
200
200
keine
100
100
300
100
100
300
keine
200
200
keine
200
100
Mo-Raster
Mo-Raster
Mo-Raster
Mo-Raster
Au-Folie
Au-Folie
Cu-Folie
Cu-Folie
Cu-Folie
Cu-Folie
Cu-Folie
Cu-Folie
Fe-Folie
Fe-Folie
Mo-Raster
Mo-Raster
Fe-Folie
Fe-Folie
Mo-Folie
Mo-Folie
42 aufrechterhalten wird und Kristalle auf der Unterlage 42 niedergeschlagen werden,
F i g. 4 zeigt eine besondere Ausführungsform einer Vereinigung von Metallquelle und Unterlage, die sich erfindungsgemäß ausgezeichnet bewährt hat. In diesem Fall ist die Metallquelle ein Draht 50, der sich durch die Mitte einer vollständig abgeschlossenen Unterlage für die Züchtung von Kristallen 51 erstreckt. Der Draht 50 ist gegen den Körper 51 durch einen Isolierring 52 isoliert, ist aber elektrisch mit der Bodenplatte des Körpers 51 verbunden, so daß Strom sowohl durch den Körper 50 als auch durch den Körper 51 geleitet werden kann. Der Strom wird von einer Quelle 53 durch die Drähte 54 zugeführt. Diese Vorrichtung wird durch Einbringen des beschriebenen Aufbaus in eine Verdampfungszone wie in F i g. 1 und durch Erwärmen der Anordnung auf eine Temperatur unterhalb der Temperatur, bei der eine Kondensation des Metalls eintritt, in Betrieb genommen. Durch Durchleiten von Strom durch die beiden Körper kann die Temperatur des Drahtes 50 auf einen Wert oberhalb der Temperatur des Körpers 51 erhöht werden. Dieser Temperaturunterschied beruht auf der unterschiedlichen Leitfähigkeit der beiden Körper. Die verhältnismäßig geringe Größe des Drahtes 50 bildet also einen größeren Widerstand als der Körper 51, so daß der Draht 50 stärker elektrisch aufgeheizt wird als der Körper 51. Eine derartige Vorrichtung ermöglicht eine genaue Steuerung des Temperaturgefälles zwischen der Unterlage und der Metallquelle.
F i g. 4 zeigt eine besondere Ausführungsform einer Vereinigung von Metallquelle und Unterlage, die sich erfindungsgemäß ausgezeichnet bewährt hat. In diesem Fall ist die Metallquelle ein Draht 50, der sich durch die Mitte einer vollständig abgeschlossenen Unterlage für die Züchtung von Kristallen 51 erstreckt. Der Draht 50 ist gegen den Körper 51 durch einen Isolierring 52 isoliert, ist aber elektrisch mit der Bodenplatte des Körpers 51 verbunden, so daß Strom sowohl durch den Körper 50 als auch durch den Körper 51 geleitet werden kann. Der Strom wird von einer Quelle 53 durch die Drähte 54 zugeführt. Diese Vorrichtung wird durch Einbringen des beschriebenen Aufbaus in eine Verdampfungszone wie in F i g. 1 und durch Erwärmen der Anordnung auf eine Temperatur unterhalb der Temperatur, bei der eine Kondensation des Metalls eintritt, in Betrieb genommen. Durch Durchleiten von Strom durch die beiden Körper kann die Temperatur des Drahtes 50 auf einen Wert oberhalb der Temperatur des Körpers 51 erhöht werden. Dieser Temperaturunterschied beruht auf der unterschiedlichen Leitfähigkeit der beiden Körper. Die verhältnismäßig geringe Größe des Drahtes 50 bildet also einen größeren Widerstand als der Körper 51, so daß der Draht 50 stärker elektrisch aufgeheizt wird als der Körper 51. Eine derartige Vorrichtung ermöglicht eine genaue Steuerung des Temperaturgefälles zwischen der Unterlage und der Metallquelle.
Eine anhaltende Evakuierung der Verdampfungskammer ist erfindungsgemäß entscheidend. Da Metalle
mit einem außerordentlich geringen Dissoziationsdruck verwendet werden können, ist erforderlich,
daß der in der Anordnung vorhandene Sauerstoff so weit als möglich entzogen wird. Darüber hinaus ist
wesentlich, daß der Sauerstoff, der durch die Wandungen der verschiedenen Gefäße in die Anordnung diffundiert,
nicht in Berührung mit dem Metalldampf in der beheizten Zone für die Züchtung der Kristalle
gelangt. Durch ständiges Evakuieren der Verdamp-
fungszone 10 wird diese Notwendigkeit verwirklicht, so daß andauernd der Metalldampf in Aufwärtsrichtung
durch die Rohre 11 und 15 geleitet wird und der möglicherweise vorhandene Sauerstoff dadurch
herausgetrieben wird. Auf diesem Wege wird erstmalig ermöglicht, daß der Sauerstoffdruck in der
Verdampfungskammer unter dem Dissoziationsdruck der Oxyde der Metallquelle liegt, auch wenn die zur
Verdampfung gebrachten Metalle außerordentlich starke Oxydbildner sind. Es versteht sich von selbst,
daß die Vorrichtung und das Verfahren in gleicher Weise wirksam sind, wenn Kristalle gezüchtet werden
sollen, die aus Stoffen bestehen, bei denen eine Verunreinigung durch Oxydbildung keine nennenswerte
Schwierigkeit darstellt.
Claims (6)
1. Verfahren zur Züchtung von Einkristallen in Form von haarfeinen Stäbchen aus einer Metallquelle,
das folgende Verfahrensschritte umfaßt: Einbringen der gewählten Metallquelle in
eine gegen die Außenatmosphäre isolierte Verdampfungskammer, Einbringen einer Unterlage
für die Züchtung von Kristallen in die Verdampfungskammer, Erwärmen der Metallquelle im
Vakuum auf eine Temperatur, bei der das Metall verdampft, dadurch gekennzeichnet,
daß als Metallquelle Chrom, Gold, Nickel, Kupfer, Eisen, Kobalt oder deren Legierungen
verwendet werden, wobei diese Metalle auf eine Temperatur aufgeheizt werden, die höher ist als
die Temperatur der Unterlage, und daß die Verdampfungskammer evakuiert wird, wobei gleichzeitig
ein Teil des verdampften Metalls eindringt, so daß der Sauerstoffdruck in der Kammer unter
dem Dissoziationsdruck der Metallquelle bleibt.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bestehend aus einer
Verdampfungskammer, in der eine Metallquelle und eine Unterlage für die zu züchtenden Einkristalle
angeordnet ist, und aus einer Heizeinrichtung zum Aufheizen der Metallquelle und
der Unterlage, dadurch gekennzeichnet, daß die Verdampfungskammer (10) dauernd mit einer
Vakuumquelle verbunden ist und die Metallquelle (20, 35, 41, 50) auf eine höhere Temperatur
aufheizbar ist als die Unterlage (21, 37, 42, 51).
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallquelle (50) und die
Unterlage (51) an eine Heizstromquelle (53) angeschlossen sind.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (12) zum
Aufheizen der Metallquelle (20, 35, 41, 50) und der Unterlage (21, 37, 42, 51) außerhalb der
Verdampfungskammer (10) angeordnet ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der Unterlage über
die durch die Heizeinrichtung (12) beheizte Zone in der Verdampfungskammer (10) hinausragt.
6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (12) nur
einen Teil der Verdampfungskammer (10) umschließt und die Metallquelle (20, 35, 51) eine
axiale öffnung besitzt, in welcher die Unterlage (21, 37, 51) angeordnet ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
W.D. Lawson und S.Nielsen, »Preparation of Single Crystals«, London, 1958, S. 21 bis 23.
W.D. Lawson und S.Nielsen, »Preparation of Single Crystals«, London, 1958, S. 21 bis 23.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 628/304 7.65 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12056061A | 1961-06-29 | 1961-06-29 |
Publications (1)
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|---|---|
| DE1197631B true DE1197631B (de) | 1965-07-29 |
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ID=22391103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEG35112A Pending DE1197631B (de) | 1961-06-29 | 1962-06-01 | Verfahren und Vorrichtung zur Zuechtung von metallischen Einkristallen in Form von haarfeinen Staebchen |
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| DE (1) | DE1197631B (de) |
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| PT69113A (en) * | 1978-01-25 | 1979-02-01 | Euratom | Preparation of selective surfaces for high temperature solar energy collectors |
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- 1962-06-28 CH CH778862A patent/CH399421A/de unknown
- 1962-06-29 SE SE7281/62A patent/SE302292B/xx unknown
-
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- 1963-05-02 FR FR933380A patent/FR1355305A/fr not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| None * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE302292B (de) | 1968-07-15 |
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| CH399421A (de) | 1965-09-30 |
| GB978790A (en) | 1964-12-23 |
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