DE1187326B - Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Schaltdiode - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Silizium-SchaltdiodeInfo
- Publication number
- DE1187326B DE1187326B DEW26170A DEW0026170A DE1187326B DE 1187326 B DE1187326 B DE 1187326B DE W26170 A DEW26170 A DE W26170A DE W0026170 A DEW0026170 A DE W0026170A DE 1187326 B DE1187326 B DE 1187326B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gold
- silicon
- diffusion
- temperature
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10P95/50—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/40—Resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/38—Devices controlled only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/834—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H10P14/60—
-
- H10P32/00—
-
- H10P32/171—
-
- H10P32/18—
-
- H10P95/00—
-
- H10W72/00—
-
- H10W99/00—
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US754894A US3067485A (en) | 1958-08-13 | 1958-08-13 | Semiconductor diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1187326B true DE1187326B (de) | 1965-02-18 |
Family
ID=25036844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEW26170A Pending DE1187326B (de) | 1958-08-13 | 1959-08-10 | Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Schaltdiode |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3067485A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| BE (1) | BE580578A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| DE (1) | DE1187326B (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| FR (1) | FR1232232A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| GB (1) | GB922617A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| NL (1) | NL241982A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2321390A1 (de) * | 1972-05-02 | 1973-11-15 | Matsushita Electronics Corp | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen |
| DE2341311A1 (de) * | 1973-08-16 | 1975-03-20 | Licentia Gmbh | Verfahren zum einstellen der lebensdauer von ladungstraegern in halbleiterkoerpern |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1212641B (de) * | 1958-09-12 | 1966-03-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Getterung von unerwuenschten Eisenspuren aus Siliziumkoerpern fuer Halbleiteranordnungen |
| NL122120C (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1959-06-30 | |||
| DE1156177B (de) * | 1960-09-02 | 1963-10-24 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zum Herstellen von Leistungsgleichrichtern aus Silizium |
| DE1295089B (de) * | 1960-12-23 | 1969-05-14 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors |
| DE1154871B (de) * | 1961-01-13 | 1963-09-26 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit wenigstens einem pn-UEbergang |
| US3242392A (en) * | 1961-04-06 | 1966-03-22 | Nippon Electric Co | Low rc semiconductor diode |
| US3227933A (en) * | 1961-05-17 | 1966-01-04 | Fairchild Camera Instr Co | Diode and contact structure |
| US3121808A (en) * | 1961-09-14 | 1964-02-18 | Bell Telephone Labor Inc | Low temperature negative resistance device |
| US3233305A (en) * | 1961-09-26 | 1966-02-08 | Ibm | Switching transistors with controlled emitter-base breakdown |
| NL284623A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1961-10-24 | |||
| DE1258983B (de) * | 1961-12-05 | 1968-01-18 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit epitaktischer Schicht und mindestens einem pn-UEbergang |
| US3211096A (en) * | 1962-05-03 | 1965-10-12 | Texaco Experiment Inc | Initiator with a p-n peltier thermoelectric effect junction |
| US3300841A (en) * | 1962-07-17 | 1967-01-31 | Texas Instruments Inc | Method of junction passivation and product |
| NL297288A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1962-08-31 | |||
| NL301034A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1962-11-27 | |||
| NL301451A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1962-12-17 | |||
| NL303035A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1963-02-06 | 1900-01-01 | ||
| US3196329A (en) * | 1963-03-08 | 1965-07-20 | Texas Instruments Inc | Symmetrical switching diode |
| US3244566A (en) * | 1963-03-20 | 1966-04-05 | Trw Semiconductors Inc | Semiconductor and method of forming by diffusion |
| DE1283397B (de) * | 1963-05-27 | 1968-11-21 | Siemens Ag | Transistoranordnung |
| US3313012A (en) * | 1963-11-13 | 1967-04-11 | Texas Instruments Inc | Method for making a pnpn device by diffusing |
| DE1439347A1 (de) * | 1964-03-18 | 1968-11-07 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterstromtores vom pnpn-Typ |
| US3423647A (en) * | 1964-07-30 | 1969-01-21 | Nippon Electric Co | Semiconductor device having regions with preselected different minority carrier lifetimes |
| US3502515A (en) * | 1964-09-28 | 1970-03-24 | Philco Ford Corp | Method of fabricating semiconductor device which includes region in which minority carriers have short lifetime |
| DE1279847B (de) * | 1965-01-13 | 1968-10-10 | Siemens Ag | Kapazitive Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US3421057A (en) * | 1965-08-23 | 1969-01-07 | Ibm | High speed switching transistor and fabrication method therefor |
| US3418181A (en) * | 1965-10-20 | 1968-12-24 | Motorola Inc | Method of forming a semiconductor by masking and diffusing |
| US3522164A (en) * | 1965-10-21 | 1970-07-28 | Texas Instruments Inc | Semiconductor surface preparation and device fabrication |
| US3473976A (en) * | 1966-03-31 | 1969-10-21 | Ibm | Carrier lifetime killer doping process for semiconductor structures and the product formed thereby |
| US3462311A (en) * | 1966-05-20 | 1969-08-19 | Globe Union Inc | Semiconductor device having improved resistance to radiation damage |
| US3427515A (en) * | 1966-06-27 | 1969-02-11 | Rca Corp | High voltage semiconductor transistor |
| US3440113A (en) * | 1966-09-19 | 1969-04-22 | Westinghouse Electric Corp | Process for diffusing gold into semiconductor material |
| US3464868A (en) * | 1967-01-13 | 1969-09-02 | Bell Telephone Labor Inc | Method of enhancing transistor switching characteristics |
| US3640783A (en) * | 1969-08-11 | 1972-02-08 | Trw Semiconductors Inc | Semiconductor devices with diffused platinum |
| FR2121405A1 (en) * | 1971-01-11 | 1972-08-25 | Comp Generale Electricite | Integrated circuit with resistor(s) - applied without attacking silicon substrate with resistor-trimming etchant |
| US4126713A (en) * | 1976-11-15 | 1978-11-21 | Trw Inc. | Forming films on semiconductor surfaces with metal-silica solution |
| DE2755418A1 (de) * | 1977-12-13 | 1979-06-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelements |
| US4253280A (en) * | 1979-03-26 | 1981-03-03 | Western Electric Company, Inc. | Method of labelling directional characteristics of an article having two opposite major surfaces |
| JPS5821342A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| DE3532821A1 (de) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 | Siemens Ag | Leuchtdiode (led) mit sphaerischer linse |
| US5284780A (en) * | 1989-09-28 | 1994-02-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for increasing the electric strength of a multi-layer semiconductor component |
| DE102007020039B4 (de) * | 2007-04-27 | 2011-07-14 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zur Herstellung einer vertikal inhomogenen Platin- oder Goldverteilung in einem Halbleitersubstrat und in einem Halbleiterbauelement, derart hergestelltes Halbleitersubstrat und Halbleiterbauelement |
| CN103050545A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-17 | 上海韦尔半导体股份有限公司 | Tvs二极管及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE552308A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1956-10-29 | |||
| DE1012696B (de) * | 1954-07-06 | 1957-07-25 | Siemens Ag | Halbleiteruebergang zwischen Zonen verschiedenen Leitungstypus und Verfahren zur Herstellung des UEberganges |
| DE1018560B (de) * | 1955-08-19 | 1957-10-31 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit einem oder mehreren p-n-UEbergaengen, vorzugsweise fuer Schaltzwecke oder zur Schwingungserzeugung, deren Durchbruchscharakteristik einen negativen Ast aufweist |
| DE1029483B (de) * | 1954-01-28 | 1958-05-08 | Marconi Wireless Telegraph Co | Verfahren zur Herstellung von npn- oder pnp-Transistoren |
| GB799670A (en) * | 1954-02-04 | 1958-08-13 | Gen Electric | Improvements in electric current control devices utilising the semi-conductor germanium |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2666814A (en) * | 1949-04-27 | 1954-01-19 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translating device |
| NL82014C (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1949-11-30 | |||
| US2859140A (en) * | 1951-07-16 | 1958-11-04 | Sylvania Electric Prod | Method of introducing impurities into a semi-conductor |
| US2750542A (en) * | 1953-04-02 | 1956-06-12 | Rca Corp | Unipolar semiconductor devices |
| US2833969A (en) * | 1953-12-01 | 1958-05-06 | Rca Corp | Semi-conductor devices and methods of making same |
| NL209275A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1955-09-02 | |||
| US2866140A (en) * | 1957-01-11 | 1958-12-23 | Texas Instruments Inc | Grown junction transistors |
-
0
- NL NL241982D patent/NL241982A/xx unknown
-
1958
- 1958-08-13 US US754894A patent/US3067485A/en not_active Expired - Lifetime
-
1959
- 1959-07-10 BE BE580578A patent/BE580578A/fr unknown
- 1959-08-04 GB GB26660/59A patent/GB922617A/en not_active Expired
- 1959-08-10 DE DEW26170A patent/DE1187326B/de active Pending
- 1959-08-12 FR FR802692A patent/FR1232232A/fr not_active Expired
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1029483B (de) * | 1954-01-28 | 1958-05-08 | Marconi Wireless Telegraph Co | Verfahren zur Herstellung von npn- oder pnp-Transistoren |
| GB799670A (en) * | 1954-02-04 | 1958-08-13 | Gen Electric | Improvements in electric current control devices utilising the semi-conductor germanium |
| DE1012696B (de) * | 1954-07-06 | 1957-07-25 | Siemens Ag | Halbleiteruebergang zwischen Zonen verschiedenen Leitungstypus und Verfahren zur Herstellung des UEberganges |
| DE1018560B (de) * | 1955-08-19 | 1957-10-31 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit einem oder mehreren p-n-UEbergaengen, vorzugsweise fuer Schaltzwecke oder zur Schwingungserzeugung, deren Durchbruchscharakteristik einen negativen Ast aufweist |
| BE552308A (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1956-10-29 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2321390A1 (de) * | 1972-05-02 | 1973-11-15 | Matsushita Electronics Corp | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen |
| DE2341311A1 (de) * | 1973-08-16 | 1975-03-20 | Licentia Gmbh | Verfahren zum einstellen der lebensdauer von ladungstraegern in halbleiterkoerpern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1232232A (fr) | 1960-10-06 |
| US3067485A (en) | 1962-12-11 |
| BE580578A (fr) | 1959-11-03 |
| GB922617A (en) | 1963-04-03 |
| NL241982A (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1900-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1187326B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Schaltdiode | |
| DE961469C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer elektrische UEbertragungsvorrichtungen | |
| DE1246890B (de) | Diffusionsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE1032404B (de) | Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten | |
| EP0343369A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Thyristors | |
| DE1024640B (de) | Verfahren zur Herstellung von Kristalloden | |
| DE1210488B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-bauelementen, insbesondere von Tunnel-Diodenbzw. Esaki-Dioden, mit im Halbleiterkoerper eingebettetem PN-UEbergang | |
| DE2354523C3 (de) | Verfahren zur Erzeugung von elektrisch isolierenden Sperrbereichen in Halbleitermaterial | |
| DE1514376B2 (de) | Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1041161B (de) | Flaechentransistoranordnung | |
| DE4310444A1 (de) | Schnelle Leistungsdiode | |
| DE1130522B (de) | Flaechentransistor mit anlegierten Emitter- und Kollektorelektroden und Legierungs-verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE69719527T2 (de) | VERFAHREN ZUM DOTIEREN EINES BEREICHES MIT BOR IN EINER SiC-SCHICHT | |
| DE1150456B (de) | Esaki-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| EP0005744A1 (de) | Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierten Siliciumsubstraten | |
| DE1564940B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halb leiteranordnung sowie danach hergestellte Anordnung, insbesondere Transistor | |
| DE1278023B (de) | Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE112016001599T5 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
| DE1217000B (de) | Photodiode | |
| DE1210084B (de) | Mesa-Unipolartransistor mit einem pn-UEbergang in dem mesafoermigen Teil des Halbleiterkoerpers | |
| DE1564170C3 (de) | Halbleiterbauelement hoher Schaltgeschwindigkeit und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1170082B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE1227562B (de) | Verfahren zum Herstellen von Tunneldioden nach Esaki fuer hohe Frequenzen mit kleinerPN-UEbergangsflaeche und nach diesem Verfahren hergestellte Tunneldioden | |
| DE2209534A1 (de) | Micro-Alloy-Epitaxie-Varactor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE102009051317A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement sowie Halbleiterbauelement |