DE1283397B - Transistoranordnung - Google Patents
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1283 397
Aktenzeichen: P 12 83 397.5-33 (S 85393)
Anmeldetag: 27. Mai 1963
Auslegetag: 21. November 1968
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CO
(N
Eine bekannte Transistoranordnung, insbesondere Mesa- oder Planartransistoranordnung, mit einem
aus Boden und Deckel bestehenden Gehäuse sieht vor, daß der Transistor — insbesondere mit seiner
Kollektorzone — an der Stirnseite einer zylindrisehen, insbesondere stempelartig geformten Elektrodenzuführung
befestigt ist. Außerdem sind konzentrisch zur Achse der zylindrischen Elektrodenzuführung
mindestens zwei weitere Elektrodenzuführungen gegeneinander isoliert angeordnet und
diese konzentrischen Elektrodenzuführungen mit je einer Elektrode des Transistors leitend verbunden.
Schließlich sind die konzentrischen Elektrodenzuführungen und das Gehäuse des Transistors
rotationssymmetrisch zur Achse der zylindrischen Elektrodenzuführungen angeordnet. Eine solche
Anordnung bewirkt kleine effektive Kopplungskapazitäten zwischen den einzelnen Kreisen, in
denen der Transistor betrieben wird. Eine weitere Verbesserung in dieser Beziehung läßt sich erreichen,
wenn besondere Abschirmungsmaßnahmen vorgesehen sind.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Anordnung mit besonders hoher mechanischer Stabilität bei niedrigen
Kopplungskapazitäten zwischen den Elektroden-Zuführungen zu erzielen.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Transistoranordnung, insbesondere Mesa- oder Planartransistoranordnung,
mit einem aus Boden und Deckel bestehenden Gehäuse, bei der der Transistor — insbesondere
mit seiner Kollektorzone — an der Stirnseite einer zylindrischen, insbesondere stempelartig
geformten Elektrodenzuführung befestigt ist und konzentrisch zur Achse der zylindrischen Elektrodenzuführung
mindestens zwei weitere Elektroden-Zuführungen gegeneinander isoliert angeordnet sind,
daß die konzentrischen Elektrodenzuführungen mit je einer Elektrode des Transistors leitend verbunden
sind und schließlich die konzentrischen Elektrodenzuführungen und das Gehäuse des Transistors
rotationssymmetrisch zur Achse der zylindrischen Elektrodenzuführungen angeordnet sind. Diese Anordnung
ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß zwei konzentrische ringförmige Elektrodenzuführungen
und zwei zu diesen Elektrodenzuführungen konzentrische Isolierringe mit unterschiedlichen
Durchmessern derart unter Entstehung eines den Boden des Transistorgehäuses bildenden Tellers oder
Napfes hermetisch miteinander verbunden sind, daß sich an der zentralen zylindrischen Elektrodenzuführung
zunächst der kleinere Isolierring, an diesen die erste der konzentrischen Elektroden-Transistoranordnung
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München,
8000 München
Als Erfinder benannt:
Hans Hargasser,
Dipl.-Ing. Kornelius Noss, 8000 München
Zuführungen, an diese der größere Isolierring, an diesen die zweite der konzentrischen Elektrodenzuführungen
und an diese sich der — insbesondere glocken- oder napfförmige — Deckel der Anordnung
anschließen und daß die untere der ringförmigen Elektrodenzuführungen an ihrer Durchführungsstelle
durch das Gehäuse zylindrisch und parallel zur gemeinsamen Achse der Anordnung verläuft.
Durch die Profilierung der unteren der ringförmigen Elektrodenzuführungen erhält man eine
besonders stabile Anordnung. Außerdem erweist sich diese Struktur auch in elektrischer Beziehung als
sehr günstig.
Eine Anordnung gemäß der Erfindung ist in F i g. 1 im Längsschnitt und in F i g. 2 in Aufsicht
dargestellt. Dabei ist eine stempeiförmige Elektrodenzuführung 1 als Träger für das Transistorsystem 2
verwendet, indem dieses mit seiner Kollektorzone oder Kollektorelektrode sperrfrei mit der Stirnseite
der stempeiförmigen Elektrodenzuführung, insbesondere zentriert zu deren Achse, angelötet ist. Die
stempeiförmige Elektrodenzuführung 1 weist in ihrem oberen Teil einen Kragen 1 α auf, auf welchem
ein aus isolierendem Material bestehender, mit dem oberhalb des Kragens la befindlichen Teil der
Kollektorelektrode 1 verschmolzener oder anderweitig hermetisch verbundener Ring 3 angebracht ist,
der etwa in der Höhe der Unterseite des Mesatransistors abgeschnitten ist.
Außerhalb dieses Ringes 3 ist ein ähnlicher aus isolierendem Material bestehender Ring 4 angebracht.
Zwischen den beiden Ringen 3 und 4 ist der ringförmige Basiselektrodenanschluß 5 ringartig hindurchgeführt.
Ein weiterer als Emitteranschluß dienender Metallring 6 ist ringartig zwischen dem
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3 4
isolierenden Ring 4 und dem Gehäusedeckel 9 des kapazitäten beiträgt. Bei der in den Figuren darge-
Gehäuses hindurchgeführt. stellten Anordnung ist dies mit guter Annäherung
Um den gewünschten hermetischen Abschluß des verwirklicht.
Gehäuses zu erzielen, verwendet man für die Isolier- Eine weitere Verminderung der Kopplungsringe 3 und 4 zweckmäßig (dunkles) Glas oder 5 kapazitäten kann in Weiterbildung der Erfindung
Keramik als Werkstoff, so daß die Ringe vakuum- durch Verwendung von Abschirmblechen erfolgen,
dicht mit den angrenzenden Metallteilen, nämlich Für den am häufigsten vorkommenden Fall der Verden
ringartigen Elektrodenanschlüssen 5 und 6, so- Wendung des Transistors in Basisschaltung liegt die
wie der der Kollektorelektrode 1 verschmolzen wer- Basis des Transistors an Masse. In diesem Falle wird
den können. Um die nötige Festigkeit der Ver- io das Abschirmblech zweckmäßig mit dem Basisbindung
zu gewährleisten, empfiehlt es sich, darauf elektrodenanschlußring 5 verbunden, wie dies auch
zu achten, daß das Material der Isolierteile3 und 4 in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist. Liegt hingegen
einen möglichst dem der (aus demselben Material der Transistor mit seiner Emitterelektrode an Masse
bestehenden) Metallteile 1,5 und 6 angeglichenen (Emitterschaltung), so wird das Abschirmblech
thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt. Da 15 zweckmäßig mit dem Emitteranschlußring verder
Gehäusedeckel 9 nur mit dem Metall des bunden. In diesem Falle kann genau die gleiche
Emitterelektrodenanschlußringes 6 in Verbindung Konstruktion, wie sie in der Figur dargestellt ist,
gebracht ist, was insbesondere durch Verlöten ge- Verwendung finden. Zum Unterschied zu dem in den
schieht, ist eine derartige Forderung für den Ge- Figuren dargestellten Fall wird dann die Emitterhäusedeckel
9 nicht notwendig. 20 elektrode mit dem Elektrodenanschlußring 5 und die DerEmitterelektrodenanschlußringöistimwesent- Basiselektrode mit dem Elektrodenanschlußring 6
liehen eben und umgibt das System des Mesa- verbunden.
transistors 2 (ebenso wie der Basiselektroden- Bei der Anordnung des Schirmblechs 8, das mit
anschlußring 5) koaxial. Mindestens die Oberseite dem Basiselektrodenanschlußring 5 durch Punktdes
Elektrodenanschlußringes 6 für die Emitter- 25 schweißung verbunden sein kann, empfiehlt es sich,
elektrode 2 α sollte etwas höher als die Ebene der darauf zu achten, die Abschirmung möglichst dicht
Oberseite des Mesatransistors 2 (Oberfläche des über der Oberseite des Mesatransistors anzubringen
Mesaberges des Transistors) liegen, wenn die und so zu wählen, daß das Abschirmblech das Tran-Emitterelektrode
2 a, wie bei den in den Figuren sistorsystem vollständig überdeckt. Auf diese Weise
dargestellten Beispielen, durch einen dünnen 30 wird eine elektrische Wirkung auf Grund der
Draht 7, 7', insbesondere aus Gold oder Gold- Kapazität zwischen Gehäuse (insbesondere Gehäuselegierung,
verbunden ist. deckel 9) und dem Transistor 2 weitgehend ver-Der Emitterelektrodenanschlußring 6, dessen Ge- mieden, da das Abschirmblech die kapazitive Koppstalt
insbesondere aus Fig. 2 klar erkennbar ist, lung zwischen den sich großflächig gegenüberstehenweist
einen zungenartigen Fortsatz 6 α nach innen 35 den Anschlüssen verhindert. Um die Zuleitungsauf,
an dem der Golddraht 7, der die Emitter- induktivitäten zu reduzieren, wird der Emitterelektrode
2ö mit dem Emitterelektrodenanschluß- elektrodenanschluß mit relativ großem Leitungsring 6 verbindet, befestigt ist. querschnitt (als Ring) möglichst nahe an das Tran-Im
Gegensatz zum Emitterelektrodenanschluß- sistorsystem herangeführt, was durch die Zunge 6 a
ring 6 ist der Basiselektrodenanschlußring 5 nicht 40 begünstigt wird. Die Zunge verkürzt nämlich die
eben, sondern besitzt, wie die F i g. 1 klar erkennen Länge des Zuführungsdrahtes 7 und damit dessen
läßt, eine ausgeprägte Profilierung. Diese Profilierung Induktivität. Falls erwünscht, kann an der anderen
dient vor allem dazu, um die mechanische Stabilität ringförmigen Elektrodenzuführung (die dem Trander
Gesamtanordnung zu erhöhen. Zum anderen sistor wesentlich näher kommt) ebenfalls eine Zunge
aber wirkt sie im Sinne der angestrebten Ver- 45 vorgesehen sein.
besserungen der elektrischen Eigenschaften der Der Gehäusedeckel 9, der zweckmäßig aus Metall
Montage. Dabei ist auch hier vorgesehen, daß die besteht, dient im Falle der in den Figuren dargestell-Oberseite
des inneren Teils des Basiselektroden- ten Anordnung als äußerer Emitteranschluß, über
anschlußringes 5 mindestens die Höhe der Oberseite den die zum Betrieb der Anordnung notwendige
des Mesatransistors 2 hat, um die Basiselektrode 2 b 50 Emitterspannung zugeführt wird. Der oberste Teil
mit dem Basiselektrodenanschlußring 5 mittels eines dieses Anschlusses kann, wie in der F i g. 1 angedünnen
Golddrahtes T kontaktieren zu können, ohne deutet, ein Schraubgewinde aufweisen. Sie läßt gedaß
es zu einer Berührung mit der Kollektorzone des nügend Raum, um über dem Abschirmblech noch
Transistors kommen kann. Im übrigen sind die der Stabilisierung des Transistors dienende Stoffe
Ausführungen bezüglich der Kontaktierung der 55 aufnehmen zu können.
Emitterelektrode auf die Kontaktierung der Basis- F i g. 2 stellt im wesentlichen die gleiche Anelektrode
übertragbar. Ordnung wie Fig. 1 (nach Entfernung des Gehäuse-Der Basisring erstreckt sich, wie die Figuren er- deckeis 9 und des Schirmblechs 8) von oben gesehen
kennen lassen, radial weit nach außen, teils um den dar. Der Mesatransistor ist jedoch im Falle der
elektrischen Anschluß der Basis beim Einbau in ein 60 F i g. 2 mit zwei Basiselektroden 2 b und einer
Gerät zu erleichtern, teils um eine entsprechende Emitterelektrode 2 α ausgerüstet. Die beiden Basis-Kühlung
des Systems während des Betriebes zu er- anschlußdrähte 7 gehen von den Basiselektroden 2 b
halten. zum Basiselektrodenanschlußring 5, während die Bei der Bemessung der Einzelteile des Gehäuses Emitterelektrode 2 α mit der Zunge 6 α des Emitter-
und der Anschlüsse empfiehlt es sich, darauf zu 65 elektrodenanschlußringes über den Draht T verachten,
daß die Anschlußstellen für Emitter, Kollek- bunden ist.
tor und Basis möglichst in einer Ebene liegen, was Um auf die Größenordnung solcher Vorrichtungen
stark zur Verminderung der Wirkung der Kopplungs- hinzuweisen, wird bemerkt, daß gewöhnlich der
zylinderförmige Kollektoranschluß 1 einen Durchmesser von etwa 1 mm hat und eine Länge von etwa
0,8 bis 1 cm hat. Das an der Stirnseite des Kollektoranschlusses befestigte Halbleitersystem besitzt eine
Fläche von 0,5 mm und eine Stärke von 0,1 bis 0,2 mm. Die radiale Ausdehnung des Basisringes ist
etwa 1 cm, der Radius und die Höhe der Gehäusekappe 9 etwa 0,5 bis 0,6 cm. Die Anschlüsse für
Emitter, Kollektor und Basis sind weniger als 0,5 mm von einer mittleren Ebene entfernt.
Die F i g. 2 weist im Vergleich zur F i g. 1 noch eine weitere Besonderheit auf, da die Emitterelektrode
2 α mittels zweier Drähte 7 mit der Zunge 6 a des Emitterelektrodenanschlusses verbunden ist,
wobei beide Drähte 7 etwas auseinanderlaufen. Durch eine solche Maßnahme kann eine weitere
Verringerung der Gesamtinduktivität der Montage erreicht werden, insbesondere dann, wenn die Zunge
6 α möglichst in die Nähe der Emitterelektrode reicht und die Drähte 7 entsprechend kurz gehalten werden
können. Eine solche Maßnahme ist auch bei anderen Elektroden, insbesondere auch in Fällen,
bei denen mehrere Emitter- und Basiselektroden vorhanden sind, vorteilhaft.
Eine Anordnung gemäß der Erfindung ist stets dann vorteilhaft, wenn es sich um die Montage eines
Mesa- oder Planartransistors für kurze Frequenzen handelt.
Claims (3)
1. Transistoranordnung, insbesondere Mesa- oder Planartransistoranordnung, mit einem aus
Boden und Deckel bestehenden Gehäuse, bei der der Transistor — insbesondere mit seiner KoI-lektorzone
— an der Stirnseite einer zylindrischen, insbesondere stempelartig geformten Elektrodenzuführung
befestigt ist und konzentrisch zur Achse der zylindrischen Elektrodenzuführung mindestens zwei weitere Elektrodenzuführungen
gegeneinander isoliert angeordnet sind, daß die konzentrischen Elektrodenzuführungen mit je
einer Elektrode des Transistors leitend verbunden sind und schließlich die konzentrischen Elektrodenzuführungen
und das Gehäuse des Transistors rotationssymmetrisch zur Achse der zylindrischen
Elektrodenzuführungen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwei konzentrische ringförmige Elektrodenzuführungen
und zwei zu diesen Elektrodenzuführungen konzentrische Isolierringe mit unterschiedlichen
Durchmessern unter Entstehung eines den Boden des Transistorgehäuses bildenden Tellers oder
Napfes hermetisch miteinander verbunden sind, daß sich an der zentralen zylindrischen Elektrodenzuführung
zunächst der kleinere Isolierring, an diesen die erste der konzentrischen Elektrodenzuführungen,
an diese der größere Isolierring, an diesen die zweite der konzentrischen Elektrodenzuführungen und an diese sich der
— insbesondere glocken- oder napfförmige — Deckel der Anordnung anschließen und daß die
untere der ringförmigen Elektrodenzuführungen an ihrer Durchführungsstelle durch das Gehäuse
zylindrisch und parallel zur gemeinsamen Achse der Anordnung verläuft.
2. Transistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die zweite ringförmige
Elektrodenzuführung scheibenartig durch die Wand des Gehäuses erstreckt.
3. Transistoranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die untere
profilierte Elektrodenzuführung mit einem schirmartigen Fortsatz versehen ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1068 816;
deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 837 646;
schweizerische Patentschrift Nr. 337 949;
französische Patentschrift Nr. 1 304 251;
USA.-Patentschriften Nr. 2 999 964, 2 878 399,
880 383, 3 001110, 3 196 203;
880 383, 3 001110, 3 196 203;
britische Patentschriften Nr. 919 571, 922 617,
622, 881579, 859 025, 831 295, 824 255,
011, 715 268;
622, 881579, 859 025, 831 295, 824 255,
011, 715 268;
RCA-Receiving Tube Manual, 1956, S. 57/58.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 638/1527 11.68 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Families Citing this family (3)
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---|---|---|---|---|
US3515952A (en) * | 1965-02-17 | 1970-06-02 | Motorola Inc | Mounting structure for high power transistors |
US3484661A (en) * | 1968-01-10 | 1969-12-16 | Us Army | Miniature solid state microwave source |
US3705255A (en) * | 1970-10-27 | 1972-12-05 | Nasa | Hermetically sealed semiconductor |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB715268A (en) * | 1950-01-11 | 1954-09-08 | Western Electric Co | Methods of treating semi-conductive bodies with electric discharges and devices utilizing such bodies |
GB804011A (en) * | 1955-03-24 | 1958-11-05 | Hughes Aircraft Co | Semiconductor transistor device |
US2878399A (en) * | 1954-11-04 | 1959-03-17 | Itt | Crystal semiconductor device |
US2880383A (en) * | 1956-10-05 | 1959-03-31 | Motorola Inc | High frequency transistor package |
DE1068816B (de) * | 1955-09-12 | 1959-11-12 | ||
GB831295A (en) * | 1957-08-08 | 1960-03-30 | Pye Ltd | Improvements in or relating to semiconductor devices |
GB859025A (en) * | 1958-08-13 | 1961-01-18 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to electrical devices having hermetically sealed envelopes |
US2999964A (en) * | 1959-07-22 | 1961-09-12 | Mannes N Glickman | Holders for electrical devices |
DE1837646U (de) * | 1958-07-25 | 1961-09-14 | Telefunken Patent | Gehaeuse fuer halbleiteranordnungen. |
US3001110A (en) * | 1960-11-03 | 1961-09-19 | Pacific Semiconductors Inc | Coaxial semiconductors |
GB881579A (en) * | 1959-08-27 | 1961-11-08 | Philips Electrical Ind Ltd | Improvements in or relating to semi-conductor devices |
FR1304251A (fr) * | 1960-10-21 | 1962-09-21 | Gen Electric Co Ltd | Transistor |
GB907622A (en) * | 1959-09-17 | 1962-10-10 | Westinghouse Brake & Signal | Improvements in or relating to semi-conductor devices |
GB919571A (en) * | 1960-10-21 | 1963-02-27 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to transistors |
GB922617A (en) * | 1958-08-13 | 1963-04-03 | Western Electric Co | Semiconductor translating devices and processes for making them |
US3196203A (en) * | 1962-03-23 | 1965-07-20 | Aktiengeselslchaft Brown Bover | Semiconductor device with stress resistant support for semiconductor disc |
-
1963
- 1963-05-27 DE DES85393A patent/DE1283397B/de active Pending
- 1963-05-27 DE DES85392A patent/DE1282793B/de active Pending
-
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- 1964-05-22 US US369489A patent/US3310717A/en not_active Expired - Lifetime
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Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB715268A (en) * | 1950-01-11 | 1954-09-08 | Western Electric Co | Methods of treating semi-conductive bodies with electric discharges and devices utilizing such bodies |
US2878399A (en) * | 1954-11-04 | 1959-03-17 | Itt | Crystal semiconductor device |
CH337949A (de) * | 1954-11-04 | 1959-04-30 | Standard Telephon & Radio Ag | Punktkontakt-Halbleitervorrichtung |
GB804011A (en) * | 1955-03-24 | 1958-11-05 | Hughes Aircraft Co | Semiconductor transistor device |
DE1068816B (de) * | 1955-09-12 | 1959-11-12 | ||
GB824255A (en) * | 1955-09-12 | 1959-11-25 | Pye Ltd | Improvements in or relating to transistors |
US2880383A (en) * | 1956-10-05 | 1959-03-31 | Motorola Inc | High frequency transistor package |
GB831295A (en) * | 1957-08-08 | 1960-03-30 | Pye Ltd | Improvements in or relating to semiconductor devices |
DE1837646U (de) * | 1958-07-25 | 1961-09-14 | Telefunken Patent | Gehaeuse fuer halbleiteranordnungen. |
GB859025A (en) * | 1958-08-13 | 1961-01-18 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to electrical devices having hermetically sealed envelopes |
GB922617A (en) * | 1958-08-13 | 1963-04-03 | Western Electric Co | Semiconductor translating devices and processes for making them |
US2999964A (en) * | 1959-07-22 | 1961-09-12 | Mannes N Glickman | Holders for electrical devices |
GB881579A (en) * | 1959-08-27 | 1961-11-08 | Philips Electrical Ind Ltd | Improvements in or relating to semi-conductor devices |
GB907622A (en) * | 1959-09-17 | 1962-10-10 | Westinghouse Brake & Signal | Improvements in or relating to semi-conductor devices |
FR1304251A (fr) * | 1960-10-21 | 1962-09-21 | Gen Electric Co Ltd | Transistor |
GB919571A (en) * | 1960-10-21 | 1963-02-27 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to transistors |
US3001110A (en) * | 1960-11-03 | 1961-09-19 | Pacific Semiconductors Inc | Coaxial semiconductors |
US3196203A (en) * | 1962-03-23 | 1965-07-20 | Aktiengeselslchaft Brown Bover | Semiconductor device with stress resistant support for semiconductor disc |
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---|---|
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