DE1282793B - Transistoranordnung mit Gehaeuse - Google Patents

Transistoranordnung mit Gehaeuse

Info

Publication number
DE1282793B
DE1282793B DES85392A DES0085392A DE1282793B DE 1282793 B DE1282793 B DE 1282793B DE S85392 A DES85392 A DE S85392A DE S0085392 A DES0085392 A DE S0085392A DE 1282793 B DE1282793 B DE 1282793B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
transistor
ring
housing
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES85392A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Hargasser
Dipl-Ing Cornelius Noss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES85392A priority Critical patent/DE1282793B/de
Priority to DES85393A priority patent/DE1283397B/de
Priority to CH452964A priority patent/CH426017A/de
Priority to US369489A priority patent/US3310717A/en
Priority to NL646405731A priority patent/NL146329B/xx
Priority to GB21610/64A priority patent/GB1034745A/en
Priority to FR975883A priority patent/FR1396201A/fr
Publication of DE1282793B publication Critical patent/DE1282793B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES 4MVWt PATENTAMT Int. α.:
HOIl
AUSLEGESCHRIFT
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1282 793
Aktenzeichen: P 12 82 793.9-33 (S 85392)
Anmeldetag: 27. Mai 1963
Auslegetag: 14. November 1968
Es ist eine Transistoranordnung mit Gehäuse bekannt, bei der der — insbesondere mit seiner Kollektorzone — an der Stirnseite einer zylindrischen, insbesondere stempelartig geformten Elektrodenzuführung befestigte Transistor mit mindestens zwei weiteren gegeneinander isolierten Elektrodenzuführungen derart versehen ist, daß die konzentrischen Elektrodenzuführungen mit je einer Elektrode des Transistors leitend verbunden sind und die konzentrischen Elektrodenzuführungen und das Gehäuse rotationssymmetrisch zur Achse der zylindrischen Elektrodenzuführung angeordnet sind.
Es ist Aufgabe der Erfindung, bei einer solchen Anordnung noch weitere Verbesserungen, insbesondere bezüglich des Hochfrequenzverhaltens, mit möglichst geringem Aufwand zu erzielen, der eine noch bessere Entkopplung zwischen Transistoreingang und Transistorausgang ermöglicht.
Dies gelingt bei einer Anordnung gemäß der Erfindung dadurch, daß zwei im wesentlichen zueinander konzentrisch und koaxial angeordnete, aus isolierendem Material bestehende Ringe unterschiedlicher Größe derart im Unterteil des Gehäuses vorgesehen sind, daß die durch die Öffnung des kleinsten und inneren Ringes geführte zylindrische Elektrodenzuführung und die zwischen den beiden isolierenden Ringen hindurchgeführte ringförmige Elektrode bzw. Elektrodenzuführung hermetisch miteinander verbunden sind und daß eine der ringförmigen Zuleitungen als Schirmung gegen die andere zylindrische Zuführung ausgebildet ist, indem die ringförmige Elektrodenzuführung im allgemeinen näher an das Transistorsystem als die andere — abzuschirmende — ringförmige Elektrodenzuführung hingeführt ist.
Der Begriff »ringartig« besagt, daß die Verwendung nicht nur eines runden, insbesondere kreisrunden Ringes, sondern auch die Verwendung dreieckiger, viereckiger und anderer »Ringformen« zulässig ist. Ferner darf die Peripherie des Ringumfanges auch eine von der Peripherie der Ringöffnung verschiedene Gestalt besitzen. Schließlich ist es zulässig, wenn die Gestalt der Ringfläche längs der die »ringartige« Berührung zwischen der ringartigen Elektrode bzw. Elektrodenzuleitung und dem Gehäuse stattfindet, eine von der Gestalt der Ringelektrode bzw. Elektrodenzuführung verschiedene Gestalt besitzt.
Die bevorzugte Ausführungsform, die vor allem auch der angestrebten, möglichst raumsparenden Bauart entgegenkommt, besteht jedoch darin, daß sowohl das Gehäuse als auch der stempel- oder Transistoranordnung mit Gehäuse
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8000 München 2, Witteisbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Hans Hargasser,
Dipl.-Ing. Cornelius Noss, 8000 München
plattenförmige Träger des Halbleitersystems und schließlich die ringartigen Elektroden bzw. Elektrodenzuführungen zueinander koaxial bzw. konaxial angeordnet sind und dabei im wesentlichen rotationssymmetrisch bezüglich der gemeinsamen Achse, zu der gleichzeitig das Halbleitersystem zentriert ist, ausgebildet sind.
Eine entsprechend der Lehre der Erfindung durchgeführte Montage eines Mesatransistors ist vorzugsweise derart ausgestaltet, daß der stempel- oder plattenförmige Träger des Halbleitersystems den Kollektor kontaktiert, während die beiden ringförmigen Gebilde als Elektrodenzuleitungen mit dem Emitter bzw. mit der Basis des Mesatransistors leitend verbunden sind. Die leitende Verbindung kann entweder unter unmittelbarer Berührung zwischen Halbleiterelektrode und ringförmiger Elektrodenzuleitung oder unter Verwendung eines leitenden Zwischengliedes, z. B. einer mit je einer der Elektroden des Halbleitersystems in Kontakt gebrachten Spitze, vorgenommen sein. Bevorzugt wird hierbei wegen der Kleinheit des Transistors ein dünner, z. B. aus Gold oder Goldlegierung bestehender Draht, der sowohl mit der ringartigen Elektrodenzuführung als auch mit der Elektrode an der Halbleiteroberfläche (vorzugsweise durch Thermokompression) fest verbunden ist. Ein derart kontaktierter Mesatransistor ist bei der in den Figuren dargestellten Montageart entsprechend der Lehre der Erfindung verwendet.
F i g. 1 stellt dabei einen Längsschnitt durch die vollständige Anordnung,
F i g. 2 eine Aufsicht nach Entfernung der Deckkappe des Gehäuses dar. Die Bezugszeichen stimmen in beiden Figuren überein.
809 637/1104-
Der Mesatransistor 2 ist mit seiner Kollektorzone sperrfrei auf dem" als Kollektorelektrode bzw. Kollektoranschluß dienenden stempeiförmigen Träger festgelötet oder festlegiert. Die Kollektorelektrode 1 weist im oberen Teil einen Kragen 1 α auf, auf welchem ein aus isolierendem Material bestehender, mit dem oberhalb des Kragens 1 α befindlichen Teil der Kollektorelektrode 1 verschmolzener oder anderweitig hermetisch verbundener Ring 3 angebracht ist,
dünnen 'Golddrahtes 7' kontaktieren zu können, ohne daß es zu einer Berührung mit der Kollektorzone des Transistors kommen kann. Im übrigen sind die Ausführungen bezüglich der Kontaktierung der Emitter-5 elektrode auf die Kontaktierung der Basiselektrode übertragbar.
Der Basisring erstreckt sich, wie die Figuren erkennen lassen, radial weit nach außen, teils um den elektrischen Anschluß der Basis beim Einbau in ein
der etwa in der Höhe der Unterseite des Mesa- ίο Gerät zu erleichtern, teils um eine entsprechende transistors abgeschnitten ist. Kühlung des Systems während des Betriebes zu er-
Außerhalb dieses Ringes 3 ist ein ähnlicher aus halten.
isolierendem Material bestehender Ring 4 ange- Bei der Bemessung der Einzelteile des Gehäuses
bracht. Zwischen den beiden Ringen 3 und 4 ist der und der Anschlüsse empfiehlt es sich, darauf zu ringförmige Basiselektrodenanschluß 5 ringartig hin- 15 achten, daß die Anschlußstellen für Emitter, Kollekdurchgeführt. Ein weiterer als Emitteranschluß tor und Basis möglichst in einer Ebene liegen, was dienender Metallring 6 ist ringartig zwischen dem stark zur Verminderung der Wirkung der Kopplungsisolierenden Ring 4 und der Deckkappe 9 des Ge- kapazitäten beiträgt. Bei der in den Figuren darhäuses hindurehgeführt. gestellten Anordnung ist dies mit guter Annäherung
Um den gewünschten hermetischen Abschluß des ao verwirklicht.
Gehäuses zu erzielen, verwendet man für die Isolier- Eine weitere Verminderung der Kopplungsringe 3 und 4 zweckmäßig (dunkles) Glas oder kapazitäten kann in Weiterbildung der Erfindung Keramik als Werkstoff, so daß die Ringe vakuum- durch Verwendung von Abschirmblechen erfolgen, dicht mit den angrenzenden Metallteilen, nämlich Für den am häufigsten vorkommenden Fall der Verden ringartigen Elektrodenanschlüssen 5 und 6 so- 25 wendung des Transistors in Basisschaltung liegt die wie der Kollektorelektrode 1, verschmolzen werden Basis des Transistors an Masse. In diesem Falle wird können. Um die nötige Festigkeit der Verbindung das Abschirmblech zweckmäßig mit dem Basiszu gewährleisten, empfiehlt es sich, darauf zu achten, elektrodenanschlußring 5 verbunden, wie dies auch daß das Material der Isolierteile 3 und 4 einen mög- in den F i g. 1 und 2 dargestellt ist. Liegt hingegen liehst dem der (aus demselben Material bestehenden) 30 der Transistor mit seiner Emitterelektrode an Masse Metallteile 1, 5 und 6 angeglichenen thermischen ^ (Emitterschaltung), so wird das Abschirmblech zweck-Ausdehnungskoeffizienten besitzt. Da die Deck- mäßig mit dem Emitteranschlußring verbunden. In kappe 9 nur mit dem Metall des Emitterelektroden- diesem Falle kann genau die gleiche Konstruktion, anschlußringes 6 in Verbindung gebracht ist, was wie sie in der Figur dargestellt ist, Verwendung insbesondere durch Verlöten geschieht, ist eine der- 35 finden. Zum Unterschied zu dem in den Figuren darartige Forderung für die Deckkappe 9 nicht not- gestellten Fall wird dann die Emitterelektrode mit wendig. dem Elektrodenanschlußring 5 und die Basiselektrode
Der Emitterelektrodenanschlußring 6 ist im wesent- mit dem Elektrodenanschlußring 6 verbunden, liehen eben und umgibt das System des Mesa- Bei der Anordnung des Schirmbleches 8, das mit
transistors 2 (ebenso wie der Basiselektroden- 40 dem Anschlußring 5 durch Punktschweißung veranschlußring 5) koaxial. Mindestens die Oberseite bunden sein kann, empfiehlt es sich, darauf zu des Elektrodenanschlußringes 6 für die Emitter- achten, die Abschirmung möglichst dicht über der elektrode 2 α sollte etwas höher als die Ebene der Oberseite des. Mesatransistors anzubringen und so Oberseite des Mesatransistors 2 (Oberfläche des zu wählen, daß das Abschirmblech das Transistor-Mesaberges des Transistors) liegen, wenn die 45 system vollständig überdeckt. Auf diese Weise wird Emitterelektrode 2 α, wie bei den in den Figuren dar- eine elektrische Wirkung auf Grund der Kapazität gestellten Beispielen, durch einen dünnen Draht 7, T1 zwischen Gehäuse (insbesondere Gehäusekappe 9) insbesondere aus Gold oder Goldlegierung, ver- und dem Transistor 2 weitgehend vermieden, da das bunden ist. Abschirmblech die kapazitive Kopplung zwischen
Der Emitterelektrodenanschlußring 6, dessen Ge- 50 den sich großflächig gegenüberstehenden Anschlüssen stalt insbesondere aus Fig. 2 klar erkennbar ist, verhindert. Um die Zuleitungsinduktivität zu reduzieren, wird der Emitterelektrodenanschluß mit relativ großem Leitungsquerschnitt (als Ring) möglichst nahe an das Transistorsystem herangeführt, 55 was durch die Zunge 6 a begünstigt wird. Die Zunge verkürzt nämlich die Lunge des Zuführungsdrahtes 7 und damit dessen Induktivität. Falls erwünscht, kann an der anderen ringförmigen Elektrodenzuführung (die dem Transistor wesentlich näher kommt) ebendient vor allem dazu, um die mechanische Stabilität 60 falls eine Zunge vorgesehen sein, der Gesamtanordnung zu erhöhen. Zum anderen Die Deckkappe, die zweckmäßig aus Metall be-
aber wirkt sisTTm Sinne~~der lihgestrebten Ver- steht, dient im Falle der iii denΓ Figuren" dargestellten" besserungen der elektrischen Eigenschaften der Anordnung als äußerer Emitteranschluß, über den Montage. Dabei ist auch hier vorgesehen, daß die die zum Betrieb der Anordnung notwendige Emitter-Oberseite des inneren Teils des Basiselektroden- 65 spannung zugeführt wird. Der oberste Teil dieses anschlußringes5 mindestens die Höhe der Oberseite Anschlusses kann, wie in der Fig. 1 angedeutet, ein des Mesatransistors 2 hat, um die Basiselektrode 2 b Schraubgewinde aufweisen. Sie läßt genügend Raum, mit dem Basiselektrodenanschlußring 5 mittels eines um über dem Abschirmblech noch der Stabilisierung
weist einen zungenartigen Fortsatz 6 α nach innen auf, an dem der Golddraht 7, der die Emitterelektrode 2 α mit dem Emitterelektrodenanschlußring 6 verbindet, befestigt ist.
Im Gegensatz zum Emitterelektrodenanschlußring 6 ist der Basiselektrodenanschlußring 5 nicht eben, sondern besitzt, wie die Fig. 1 klar erkennen läßt, eine ausgeprägte Profilierung. Diese Profilierung
des Transistors dienende Stoffe aufnehmen zu können.
F i g. 2 stellt im wesentlichen die gleiche Anordnung wie F i g. 1 (nach Entfernung der Deckkappe 9 und des Schirmbleches 8) von oben gesehen dar. Der Mesatransistor ist jedoch im Falle der Fig. 2 mit zwei Basiselektroden 2b und einer Emitterelektrode 2 α ausgerüstet. Die beiden Basisanschlußdrähte 7 gehen von den Basiselektroden 2 b zum Basiselektrodenanschluß 5, während die Emitterelektrode 2 α mit der Zunge 6 a des Emitteranschlußringes über den Draht T verbunden ist.
Um auf die Größenordnung solcher Vorrichtungen hinzuweisen, wird bemerkt/ daß gewöhnlich der zylinderförmige Kollektoranschluß 1 einen Durchmesser von etwa 1 mm und eine Länge von etwa 0,8 bis 1 cm hat. Das an der Stirnseite des Kollektoranschlusses befestigte Halbleitersystem besitzt eine Fläche von 0,5 mm und eine Stärke von 0,1 bis 0,2 mm. Die radiale Ausdehnung des Basisringes ist etwa 1 cm, der Radius und die Höhe der Gehäusekappe 9 etwa 0,5 bis 0,6 cm. Die Anschlüsse für Emitter, Kollektor und Basis sind weniger als 0,5 mm von einer mittleren Ebene entfernt.
Die Fig. 2 weist im Vergleich zur Fig. 1 noch eine weitere Besonderheit auf, da die Emitterelektrode 2 α mittels zweier Drähte 7 mit der Zunge 6 a des Emitterelektrodenanschlusses verbunden ist, wobei beide Drähte 7 etwas auseinanderlaufen. Durch eine solche Maßnahme kann eine weitere Verringerung der Gesamtinduktivität der Montage erreicht werden, insbesondere dann, wenn die Zunge 6 α möglichst in die Nähe der Emitterelektrode reicht und die Drähte 7 entsprechend kurz gehalten werden können. Eine solche Maßnahme ist auch bei anderen Elektroden, insbesondere auch in Fällen, bei denen mehrere Emitter- und Basiselektroden vorhanden sind, vorteilhaft.
Eine Anordnung gemäß der Erfindung ist stets dann vorteilhaft, wenn es sich um die Montage eines Mesa- oder Planartransistors für kurze Frequenzen handelt.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Transistoranordnung, insbesondere Mesa- oder Planartransistoranordnung mit Gehäuse, bei der der — insbesondere mit seiner Kollektorzone — an der Stirnseite einer zylindrischen, insbesondere stempelartig geformten Elektrodenzuführung befestigte Transistor mit mindestens zwei weiteren, gegeneinander isolierten Elektrodenzuführungen derart versehen ist, daß die konzentrischen Elektrodenzuführungen mit je einer Elektrode des Transistors leitend verbunden sind und die konzentrischen Elektrodenzuführungen und das Gehäuse rotationssymmetrisch zur Achse der zylindrischen Elektrodenzuführung angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwei im wesentlichen zueinander konzentrisch und koaxial angeordnete, aus isolierendem Material bestehende Ringe (3, 4) unterschiedlicher Größe derart im Unterteil des Gehäuses vorgesehen sind, daß die durch die Öffnung des kleinsten und inneren Ringes (3) geführte zylindrische Elektrodenzuführung (1) und die zwischen den beiden isolierenden Ringen (3, 4) hindurchgeführte ringförmige Elektrode bzw. Elektrodenzuführung (5) hermetisch miteinander verbunden sind und daß eine (5) der ringförmigen Zuleitungen (5, 6) als Schirmung gegen die andere zylindrische Zuführung (6) ausgebildet ist, indem die ringförmige Elektrodenzuführung (5) im allgemeinen näher an das Transistorsystem als die andere — abzuschirmende — ringförmigeElektrodenzuf ührung (6) hingeführt ist.
2. Transistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie für den Betrieb in Emitterschaltung derart ausgebildet ist, daß die Emitterelektrodenzuführung (6) als Schirm zwischen Basis und Kollektor verwendet ist.
3. Transistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie für den Betrieb in Basisschaltung derart ausgebildet ist, daß die Basiselektrodenzuführung (5) als Schirm zwischen Emitter und Kollektor verwendet ist.
4. Transistoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die als Schirm dienende Zuführung an Masse gelegt und mit einem Abschirmblech (8) versehen ist, welches in den Raum zwischen Transistor (2) und Gehäusedeckel (9) hineinragt.
5. Transistoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckel des Gehäuses (9) mindestens teilweise aus Metall besteht und die weitere Kontaktierung mindestens einer der ringförmigen Elektrodenzuführungen (6, 5) vermittelt.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierenden Ringe und die an sie angrenzenden Metallteile etwa den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzen.
7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußstelle für Emitter, Kollektor und Basis etwa in einer Ebene liegen.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1068 816;
deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 837 646;
britische Patentschriften Nr. 919 571, 922 617, 622, 881 579, 859 025, 831295, 824 255,
804011, 715 268;
schweizerische Patentschrift Nr. 337 949;
französische Patentschrift Nr. 1304 251;
USA.-Patentschriften Nr. 2 999 964, 2 878 399,
880 383, 3 001110, 3 196 203;
RCA-Receiving Tube Manual, 1956, S. 7/8.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 637/1104 11.68 © Bundesdruckerei Berlin
DES85392A 1963-05-27 1963-05-27 Transistoranordnung mit Gehaeuse Pending DE1282793B (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES85392A DE1282793B (de) 1963-05-27 1963-05-27 Transistoranordnung mit Gehaeuse
DES85393A DE1283397B (de) 1963-05-27 1963-05-27 Transistoranordnung
CH452964A CH426017A (de) 1963-05-27 1964-04-09 Transistoranordnung mit Gehäuse
US369489A US3310717A (en) 1963-05-27 1964-05-22 Encapsulated semiconductor device with minimized coupling capacitance
NL646405731A NL146329B (nl) 1963-05-27 1964-05-22 Halfgeleider-constructiedeel met ten minste drie elektroden en een gedeeltelijk uit metaal bestaand huis.
GB21610/64A GB1034745A (en) 1963-05-27 1964-05-26 Encapsulation of transistor assemblies
FR975883A FR1396201A (fr) 1963-05-27 1964-05-26 Composant à semi-conducteurs

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES85392A DE1282793B (de) 1963-05-27 1963-05-27 Transistoranordnung mit Gehaeuse
DES85393A DE1283397B (de) 1963-05-27 1963-05-27 Transistoranordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1282793B true DE1282793B (de) 1968-11-14

Family

ID=25997250

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES85393A Pending DE1283397B (de) 1963-05-27 1963-05-27 Transistoranordnung
DES85392A Pending DE1282793B (de) 1963-05-27 1963-05-27 Transistoranordnung mit Gehaeuse

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES85393A Pending DE1283397B (de) 1963-05-27 1963-05-27 Transistoranordnung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3310717A (de)
CH (1) CH426017A (de)
DE (2) DE1283397B (de)
GB (1) GB1034745A (de)
NL (1) NL146329B (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3515952A (en) * 1965-02-17 1970-06-02 Motorola Inc Mounting structure for high power transistors
US3484661A (en) * 1968-01-10 1969-12-16 Us Army Miniature solid state microwave source
US3705255A (en) * 1970-10-27 1972-12-05 Nasa Hermetically sealed semiconductor

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB715268A (en) * 1950-01-11 1954-09-08 Western Electric Co Methods of treating semi-conductive bodies with electric discharges and devices utilizing such bodies
GB804011A (en) * 1955-03-24 1958-11-05 Hughes Aircraft Co Semiconductor transistor device
US2878399A (en) * 1954-11-04 1959-03-17 Itt Crystal semiconductor device
US2880383A (en) * 1956-10-05 1959-03-31 Motorola Inc High frequency transistor package
DE1068816B (de) * 1955-09-12 1959-11-12
GB831295A (en) * 1957-08-08 1960-03-30 Pye Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
GB859025A (en) * 1958-08-13 1961-01-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electrical devices having hermetically sealed envelopes
US2999964A (en) * 1959-07-22 1961-09-12 Mannes N Glickman Holders for electrical devices
DE1837646U (de) * 1958-07-25 1961-09-14 Telefunken Patent Gehaeuse fuer halbleiteranordnungen.
US3001110A (en) * 1960-11-03 1961-09-19 Pacific Semiconductors Inc Coaxial semiconductors
GB881579A (en) * 1959-08-27 1961-11-08 Philips Electrical Ind Ltd Improvements in or relating to semi-conductor devices
FR1304251A (fr) * 1960-10-21 1962-09-21 Gen Electric Co Ltd Transistor
GB907622A (en) * 1959-09-17 1962-10-10 Westinghouse Brake & Signal Improvements in or relating to semi-conductor devices
GB919571A (en) * 1960-10-21 1963-02-27 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to transistors
GB922617A (en) * 1958-08-13 1963-04-03 Western Electric Co Semiconductor translating devices and processes for making them
US3196203A (en) * 1962-03-23 1965-07-20 Aktiengeselslchaft Brown Bover Semiconductor device with stress resistant support for semiconductor disc

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB715268A (en) * 1950-01-11 1954-09-08 Western Electric Co Methods of treating semi-conductive bodies with electric discharges and devices utilizing such bodies
US2878399A (en) * 1954-11-04 1959-03-17 Itt Crystal semiconductor device
CH337949A (de) * 1954-11-04 1959-04-30 Standard Telephon & Radio Ag Punktkontakt-Halbleitervorrichtung
GB804011A (en) * 1955-03-24 1958-11-05 Hughes Aircraft Co Semiconductor transistor device
DE1068816B (de) * 1955-09-12 1959-11-12
GB824255A (en) * 1955-09-12 1959-11-25 Pye Ltd Improvements in or relating to transistors
US2880383A (en) * 1956-10-05 1959-03-31 Motorola Inc High frequency transistor package
GB831295A (en) * 1957-08-08 1960-03-30 Pye Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
DE1837646U (de) * 1958-07-25 1961-09-14 Telefunken Patent Gehaeuse fuer halbleiteranordnungen.
GB859025A (en) * 1958-08-13 1961-01-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electrical devices having hermetically sealed envelopes
GB922617A (en) * 1958-08-13 1963-04-03 Western Electric Co Semiconductor translating devices and processes for making them
US2999964A (en) * 1959-07-22 1961-09-12 Mannes N Glickman Holders for electrical devices
GB881579A (en) * 1959-08-27 1961-11-08 Philips Electrical Ind Ltd Improvements in or relating to semi-conductor devices
GB907622A (en) * 1959-09-17 1962-10-10 Westinghouse Brake & Signal Improvements in or relating to semi-conductor devices
FR1304251A (fr) * 1960-10-21 1962-09-21 Gen Electric Co Ltd Transistor
GB919571A (en) * 1960-10-21 1963-02-27 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to transistors
US3001110A (en) * 1960-11-03 1961-09-19 Pacific Semiconductors Inc Coaxial semiconductors
US3196203A (en) * 1962-03-23 1965-07-20 Aktiengeselslchaft Brown Bover Semiconductor device with stress resistant support for semiconductor disc

Also Published As

Publication number Publication date
DE1283397B (de) 1968-11-21
NL146329B (nl) 1975-06-16
CH426017A (de) 1966-12-15
US3310717A (en) 1967-03-21
GB1034745A (en) 1966-07-06
NL6405731A (de) 1964-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0149232B1 (de) Halbleiterbauelement mit einem metallischen Sockel
DE2707160C2 (de) Steckverbinder
DE1248813B (de) Federnde halbleiter-anschlusskontaktanordnung
DE1241536B (de) In ein Gehaeuse eingeschlossene Halbleiteranordnung
DE102017115225A1 (de) Kabelmontage für Koaxialkabel auf dicken Leiterplatten
DE1068816B (de)
DE102011078333A1 (de) Überspannungsableiter
DE1282793B (de) Transistoranordnung mit Gehaeuse
DE2220264A1 (de)
EP0378963B1 (de) Funkenstreckenbauelement für geschirmte Anordnung
WO2002049056A1 (de) Verbindungsbereich zwischen gehäuseteilen einer vakuumschaltröhre und vakuumschaltröhre mit einem solchen verbindungsbereich
CH658552A5 (de) Funkenstrecke fuer die begrenzung von ueberspannungen.
EP3649708A1 (de) Ableiter zum schutz vor überspannungen
AT243320B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens drei Elektroden und einem zum Teil aus Metall bestehenden Gehäuse
DE3118137A1 (de) Gasentladungs-ueberspannungsableiter mit parallel geschalteter luftfunkenstrecke
DE2816138A1 (de) Schutzvorrichtung fuer insbesondere fernmeldeleitungen u.dgl. gegen ueberspannungen
EP3232448A1 (de) Überspannungsableiter
DE1262407B (de) Kontaktanordnung fuer Vakuumschalter
DE2346173C3 (de) überspannungsableiter mit metallischer Rohrfassung
DE3329302A1 (de) Thyristor mit abgeglichener triggerfuehrung
DE3718598A1 (de) Halbleiteranordnung
DE935977C (de) Verdrahtungshalter fuer hohe Spannungen
AT210034B (de) Trimmerkondensator
DE1761660U (de) Schutzkontakt-kupplung.
DE1246884B (de) Halbleitendes Elektrodensystem