DE1180850B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen

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DE1180850B
DE1180850B DEN19703A DEN0019703A DE1180850B DE 1180850 B DE1180850 B DE 1180850B DE N19703 A DEN19703 A DE N19703A DE N0019703 A DEN0019703 A DE N0019703A DE 1180850 B DE1180850 B DE 1180850B
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Frans Martinus Leopold
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1180 850;
Aktenzeichen: N19703 VIIIc /21 j
Anmeldetag: 8. März 1961
Auslegetag: 5. November 1964
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenf abrieken, Eindhoven (Niederlande) ,
Vertreter:
Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt, Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Frans Martinus Leopold, .
Eindhoven (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 12. März 1960 (249 359)
Die Erfindung betrifft ein Legierungsverfahren zur Verfahren zur Herstellung von
Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Transi- Halbleiteranordnungen ;
stören und Kristalldioden, bei dem Elektrodenmaterial im flüssigen Zustand mit einem Halbleiter- "
körper in Berührung gebracht und auf ihn auf- 5
geschmolzen wird.
Bei diesem Aufschmelzen wird ein wenig des Halbleitermaterials in dem Elektrodenmaterial gelöst, aus dem es sich beim Abkühlen abscheidet und am Halbleiterkörper anwächst. Als Halbleiterkörper ίο wird meistens ein Einkristall verwendet. Die rekristallisierte Schicht hat hierbei meistens aktive Verunreinigungen, wie Akzeptoren und/oder Donoren, aus dem Elektrodenmaterial aufgenommen, die die Leitfähigkeit und/oder den Leitfähigkeitstyp der Rekristallisationsschicht beeinflussen. Zwischen dieser Schicht und dem ursprünglichen Halbleitermaterial ist ein Übergang gebildet, der aus Gründen, deren Erörterung hier nicht von Bedeutung ist, vorzugsweise eine regelmäßige und flache Form aufweisen soll.
Anfänglich wurden Elektroden dadurch auf solche 2
Körper aufgeschmolzen, daß eine Menge Elektrodenmaterial, meistens in Form eines Kügelchens, auf Erzielen größerer Auftreffgeschwindigkeiten zu ereinem Halbleiterkörper angeordnet wurde und beide 25 möglichen. Dies wird gemäß der Erfindung dadurch zusammen bis auf eine Temperatur über die des erreicht, daß der Halbleiterkörper und das Elek-Eutektikums der zu verbindenden Materialien er- trodenmaterial getrennt voneinander in einer Zentrihitzt wurden. Nachdem sich ergeben hatte, daß in fuge angeordnet werden, daß? das Elektrodenmaterial diesem Fall das Elektrodenmaterial von einem Be- der Drehachse näher ist als der .'Halbleiterkörper oder rührungspunkt der Materialien aus auf verhältnis- 30 ihr während der Rotation der' Zentrifuge näher gemäßig unregelmäßige Weise anwuchs und dieses bracht wird und dann durch Änderung der es an Legierungsverfahren daher unregelmäßige Über- seinem Ort festhaltenden Bedingungen beweglich gegänge zwischen dem rekristallisierten Material und macht und im geschmolzenen 'Zustand auf den HaIbdem ursprünglichen Halbleitermaterial lieferte, wurde leiterkörper geschleudert wird. Da in diesem Fall vorgeschlagen, das Elektrodenmaterial im un- 35 Kräfte auf das Elektrodenmaterial einwirken können, geschmolzenen Zustand auf den Halbleiterkörper die die Gravitation weit überschreiten,-können auf fallen zu lassen. Dadurch wuchs es von der unmittelbar gebildeten Legierungsfläche aus an, und es wurden flache Übergänge gebildet. Die Geschwindigkeit,
mit der das Elektrodenmaterial den Körper trifft, 40
weiterhin Auftreffgeschwindigkeit genannt, ist hierbei von der Fallhöhe abhängig; da das Legierungsverfahren meistens in einer sogenannten Legierform
durchgeführt wird, ist die Fallhöhe durch die Abmessungen der Legierform beschränkt. Man hat sich bis- 45 werden, wdurch das flüssige aufzulegierende Elekher auf die Verwendung kleiner Fallhöhen be- trodenmaterial von der Fliehkraft gegen den Halbschränkt, weil die Verwendung größerer Formen leiterkörper gedrückt wird. Dabei werden aber das nicht nur kostspielig ist, sondern auch nicht zweck- Elektrodenmaterial und der Halbleiterkörper nicht mäßig, weil mit dem Zunehmen der Größe auch die getrennt voneinander in der Legierungsform anGefahr der Einführung von störenden Verunreini- 50 geordnet. Das vorher geschmolzene Elektrodengungen größer wird. material wird sofort bei Beginn der Rotation der
Der Zweck der Erfindung ist unter anderem, das Zentrifuge gegen den Halbleiterkörper gedrückt. In
diese Weise, auch bei Verwendung von Formen mit kleinen Abmessungen, große Äuftreffgeschwindigkeiten erzielt werden. ' ■■■■■'■
Es wird bemerkt, daß ari sich ein Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen bekannt ist, bei dem Legujrüngsbegrenzungsformen mit auf legiertem Elektrodenmaterial und Halbleiterkörper in einer rotierenden Zentrifuge angeordnet
dieser Weise ist es nicht möglich, eine hohe Auftreffgeschwindigkeit zu erreichen, sondern nur eine sich steigernde Andruckkraft des schon am Halbleiterkörper anliegenden Elektrodenmaterials.
Es bestehen mehrere Möglichkeiten, das Elektrodenmaterial in geschmolzenem Zustand beweglich zu machen.
Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform wird der Halbleiterkörper in einer Legierform zentrifuin der Weise aufzuschmelzen, daß über die Oberfläche des Halbleiterkörpers ein dünner Draht gespannt wird und das Elektrodenmaterial auf diese Oberfläche und diesen Draht geschleudert wird. In dem Schatten des Drahtes bleibt dann ein unbedeckter Streifen zurück.
Beim Aufschmelzen von Elektroden auf Halbleiterkörper werden meistens Formen verwendet, in deren jeder eine Anzahl solcher Körper gleich
giert, die einen Raum besitzt, in den das Elektroden- io zeitig behandelt werden. Obwohl vorstehend For
material eingebracht ist und in dem es in wenigstens einer Lage der Legierform stabil liegt. Diese Legierform ist derart kippbar, daß das Elektrodenmaterial in einer anderen Lage der Legierform unter dem Einfluß der Zentrifugalkraft auf den Halbleiterkörper geschleudert wird.
Bei einer weiteren Ausführungsform kann der Halbleiterkörper in einer Legierform zentrifugiert werden, die einen Raum enthält, in dem sich das Elektrodenmaterial befindet, der mit dem Raum, in dem sich der Halbleiterkörper befindet, durch eine Kapillaröffnung verbunden ist, deren Weite mit Rücksicht auf die Oberflächenspannung des geschmolzenen Elektrodenmaterials derart gewählt ist, daß dieses Material sich erst beim Erreichen einer schnellen Drehung durch die Kapillaröffnung hindurchbewegt und auf den Halbleiterkörper geschleudert wird.
Es ist auch möglich, den Halbleiterkörper in einer Legierform zu zentrifugieren, die einen Raum enthält, in dem das Elektrodenmaterial bei einer Temperatur, bei der es sich im festen Zustand befindet, angeordnet wird und der mittels einer öffnung mit einem Raum der Legierform, in dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, verbunden ist. Diese öffnung ist so klein, daß sich das Elektrodenmaterial in festem Zustand nicht hindurchbewegen kann. Während des Zentrifugierens wird die Temperatur bis zum Schmelzpunkt des Elektrodenmaterials erhöht, men für einen Halbleiterkörper beschrieben sind, können selbstverständlich auch Formen verwendet werden, in denen mehrere Körper gleichzeitig behandelt werden können.
Die Erfindung betrifft weiterhin die Zentrifuge mit Legierformen zum Durchführen des obigen Verfahrens.
Die Erfindung wird jetzt an Hand der Zeichnung näher erläutert.
Die F i g. 1 und 8 sind schematische Schnitte von Zentrifugen mit einigen Legierformen.
Die F i g. 2 bis 5 wie auch die F i g. 9 und 10 sind schematische Schnitte von in einer Zentrifuge angeordneten Legierformen in vergrößertem Maßstab.
Die F i g. 6 ist ein Schnitt einer zum Aufschmelzen von zwei Elektroden in kleinem Abstand voneinander bestimmten Form.
Die F i g. 7 ist ein Schnitt eines Halbleiterkörpers, hergestellt auf die in der F i g. 6 dargestellte Weise. Einfachheitshalber sind die Legierformen als ein Ganzes gezeichnet, in Wirklichkeit bestehen sie, wie es üblich ist, aus mehreren Teilen, um das Hineinschieben und Herausnehmen der Halbleiterkörper zu ermöglichen.
Die üblichen Klemmen zum Zusammenhalten dieser Teile sind ebenfalls nicht gezeichnet.
Eine Zentrifuge, in der die weiter beschriebenen Verfahren durchgeführt werden können, besteht z. B. wie in der F i g. 1 dargestellt ist, aus einem ab-
und dann wird das geschmolzene Elektrodenmaterial 40 schließbaren Gefäß 1 mit einem Deckel 2, in dem
durch die öffnung auf den Halbleiterkörper geschleudert.
Bei einer weiteren Ausführungsform wird der Halbleiterkörper in einer Legierform zentrifugiert, in der das Elektrodenmaterial in einem Raum angeordnet wird, der tiefer liegt als der Raum, in dem der Halbleiterkörper angeordnet ist. Die Legierform enthält einen Kanal, der diese beiden Räume derart verbindet, daß das Elektrodenmaterial sich bewegt, eine durch einen Motor 3 anzutreibende Trommel 4 angeordnet ist. Zum Einstellen einer bestimmten Atmosphäre im Gefäß sind- Zu- und Abführungsleitungen 5 und 6 angeordnet, während die Temperatur mittels eines Heizelementes 7 steuerbar ist An der Innenwand der Trommel sind eine Anzahl in Reihen 8 angeordneter Legierformen vorgesehen.
Eine erste Ausführungsform einer solchen Legierform ist in vergrößertem Maßstab in zwei Lagen in
sobald die Zentrifugalkraft die Wirkung der Schwer- 50 den Fig. 2 und 3 gezeigt. Die Legierform, die mit der
kraft auf der durch den Kanal gebildeten schiefen Ebene übersteigt.
Bei der Durchführung des Verfahrens mit einer beweglichen Legierform kann diese so eingerichtet Ziffer 10 bezeichnet ist, wird von einem drehbaren Halter 11 getragen, der mit einem Arm 12, der bei der Welle 13 drehbar an einer Stütze 14 aufgehängt ist, versehen ist. Diese Stütze befindet sich auf der
sein, daß die Legierform unter der Einwirkung der 55 Innenwand der Trommel 4. Eine sich um die Welle
Zentrifugalkraft gegen die Wirkung einer Feder gekippt wird.
Ferner ist es auch möglich, die Legierform mittels eines von außen her bedienbaren Steuergliedes zu kippen.
Beim Anbringen von Elektroden auf Halbleiterkörpern ist die Verwendung von Masken zum Erhalten bestimmter geometrischer Formen bekannt. Da bei den obigen Verfahren sehr hohe Auftreff-13 erstreckende, mit gestrichelten Linien dargestellte Feder 16 drückt den Halter 11 mit der Legierform 10 in die in F i g. 2 gezeigte Lage, solange die Zentrifuge im Ruhestand ist.
Die Legierform 10, die z. B. aus Graphit oder Chromeisen hergestellt ist und aus mehreren nicht gesondert gezeichneten Teilen bestehen kann, besitzt einen Raum 17, in dem das Elektrodenmaterial 18 angeordnet ist, und einen Raum 19 für den Halb
geschwindigkeiten erzielt werden können, sind diese 65 leiterkörper 20.
Verfahren auch für das Herstellen genauer Figuren Ein Kanal 21, der über dem Halbleiterkörper 22
sehr geeignet. Es ist z. B. möglich, zwei durch einen mündet, verbindet den Raum 19 mit dem Raum 17
schmalen unbedeckten Streifen getrennte Elektroden für das Elektrodenmaterial. Der Halbleiterkörper
kann ζ. B. aus Germanium oder Silizium bestehen, während das Elektrodenmaterial z. B. aus einem Metall, wie Indium, Aluminium, Blei, Zinn, Wismut, oder aus Legierungen dieser Elemente, gegebenenfalls unter Hinzufügung von Akzeptoren und/oder Donoren, wie Gallium, Borium, Phosphor, Arsen und Antimon, bestehen kann.
Nachdem die Legierform 10 in der in der F i g. 2 gezeigten Lage gefüllt ist, wird das Gefäß 1 ge-Da bei diesen Verfahren das Kontaktmaterial mit großer Geschwindigkeit auf den Halbleiterkörper geschleudert wird, wobei es sich schnell ausdehnt, sind diese Verfahren besonders zum Bedecken von verhältnismäßig großen Oberflächen mit wenig Material geeignet. Dadurch können Kontakte erhalten werden, welche eine sehr geringe Eindringtiefe aufweisen. Denn je größer die Menge des Elektrodenmaterials ist, welche eine Einheit der Oberfläche des
schlossen und mit einem meistens indifferenten oder io Körpers bedeckt, um so mehr wird sich vom bedeck
reduzierenden Gas, wie Wasserstoff, gefüllt und darauf bis auf eine Temperatur, bei der das Elektrodenmaterial 18 geschmolzen ist, erhitzt. Bei Verwendung von Indium als Elektrodenmaterial kann diese Temperatur z. B. 520° C betragen.
Die Zentrifugentrommel 4 wird jetzt mittels des Motors 3 gedreht, wodurch die Form 10 mit dem Halter 11 sich gegen die Wirkung der Feder 16 bei Zunehmen der Geschwindigkeit allmählich in die in ten Halbleitermaterial auflösen und um so größer wird also die Eindringtiefe sein.
Der Umstand, daß die Auftreffgesehwindigkeit des Elektrodenmaterials hier so groß ist, kann zur Erzeugung bestimmter geometrischer Formen der erhaltenen Elektroden verwendet werden.
So ist in der F i g. 6 eine Legierform gezeigt, die gleich derjenigen nach der F i g. 4 ist, bei der jedoch über dem Halbleiterkörper 33 ein 10 μ dicker WoIf-
der F i g. 3 gezeigte Lage bewegt. Kurz bevor diese ao ramdraht 50 gespannt ist. Wenn das Elektroden-Lage erreicht ist, hat das Elektrodenmaterial 18 sei- material 35 diesen Draht trifft, wird es seitlich ausnen Raum 17 verlassen und ist mit großer Geschwin- weichen und zwei Elektroden 51 bilden (s. F i g. 7). digkeit auf den Halbleiter 20 geschleudert worden, Es wird noch bemerkt, daß es sich empfiehlt, in
wodurch eine aufgeschmolzene Elektrode 22 entstand. den Fällen, bei denen das Elektrodenmaterial sich Bei einer zweiten Ausführungsform des Verfah- 25 während schneller Drehung längs einer Oberfläche rens nach der Erfindung kann die in der F i g. 4 ge- der Legierungsform verschieben soll, wie bei den zeigte Legierform verwendet werden. Diese besteht Formen nach den F i g. 2 und 3 bzw. nach der z.B. aus einem Graphitstück30, in dem ein Raum Fig. 5, die genannte Oberfläche sehr glatt auszu-31 und ein Raum 32 für den Halbleiterkörper 33 an- bilden, um ein Haften des Materials an dieser Obergebracht sind, während weiter ein zweiter Raum 34 30 fläche zu verhüten. Solch eine Oberfläche kann ge-
für das Elektrodenmaterial 35 vorhanden ist, der durch eine enge Bohrung 36 mit dem Raum 31 verbunden ist. Der Raum 34 ist durch eine Abdeckplatte 37 geschlossen.
gebenenfalls mit einer Rußschicht oder sehr fein verteiltem Siliziumoxyd bedeckt werden. Auch kann die Neigung der Oberfläche veränderlich sein, indem diese abgebogen oder geknickt ist, so daß der
Bei Verwendung dieser Legierform kann die Zen- 35 Widerstand, den das Elektrodenmaterial erfährt, ab-
g g
trifuge wie im vorigen Fall bis auf die erforderliche Temperatur erhitzt werden, ehe sie gedreht wird. Die Weite der Bohrung 36 ist jetzt in Abhängigkeit von der Oberflächenspannung des Materials 35, der
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nimmt, sobald dieses Material in Bewegung kommt (s. zum Beispiel die mit gestrichelter Linie gezeichnete Neigung 60 in der Fig. 5).
Weiter wird noch darauf hingewiesen, daß, wenn
Kohäsion dieses Materials an der Form und dem 40 die Legierungsform mehr als einen Raum für Elek-
Durchmesser der Trommel derart gewählt, daß das Material 35 sich erst bei einer hohen Drehgeschwindigkeit durch die Bohrung 36 hindurchbewegt, um darauf die Oberfläche des Halbleiterkörpers 33 mit hoher Geschwindigkeit zu treffen.
Es ist bei Verwendung dieser Legierform auch möglich, die Reihenfolge der Vorgänge in dem Sinne zu ändern, daß die Trommel 4 schon gedreht wird, ehe das Elektrodenmaterial 35 geschmolzen ist. Die Weite der Bohrung 36 kann in diesem Fall derart gewählt werden, daß das Material sich durch die Bohrung hindurchbewegt, sobald es geschmolzen ist.
Die in der F i g. 5 gezeigte Legierform 40 hat wietrodenmaterial aufweist, wobei jeder der Räume eine Elektrodenmaterialmenge enthält, welche auf mehrere Stellen des Halbleiterkörpers geworfen werden kann, es durch die Wahl verschiedener Neigungswinkel der Kanäle, welche diese Räume mit demjenigen des Halbleiterkörpers verbinden, erreicht werden kann, daß die in den verschiedenen Räumen enthaltenen Elektrodenmaterialmengen nacheinander auf den Halbleiterkörper geschleudert werden.
Auf analoge Weise kann, wenn die Form mehrere Räume für Elektrodenmaterial besitzt, die durch Öffnungen mit dem Raum für den Halbleiterkörper verbunden sind, die Weite dieser öffnungen derart voneinander verschieden sein, daß die Elektroden-
der einen Raum 41 über dem Raum 42 des Halb- 55 materialmengen nacheinander auf den Halbleiterleiterkörpers 43. Der Raum 44 für das Elektroden- körper geschleudert werden. Auch können die
material 45 erstreckt sich nach einer steilen Neigung 46 in der Richtung einer Öffnung 47 im Raum 41. Bei Verwendung dieser Legierfonn wird die Zentrifuge erst gedreht, nachdem das Material 45 geschmolzen ist. Sobald die Drehgeschwindigkeit so groß ist, daß der Quotient Zentrifugalkraft geteilt durch Schwerkraft größer ist als der Tangens des durch die Neigung 45 und die Horizontale ein-Punkte, in denen das aus den verschiedenen öffnungen geschleuderte Elektrodenmaterial den Halbleiterkörper trifft, voneinander verschieden sein.
Der Augenblick, in dem das Elektrodenmaterial auf den Halbleiterkörper geschleudert wird, wird bei den obigen Verfahren entweder durch das Erreichen einer kritischen Drehgeschwindigkeit oder durch das ih d S d Elk
Erreichen der Schmelztemperatur des Elektrodengeschlossenen Winkels, wird das Elektrodenmaterial 65 materials, also ohne Eingriffe von außen her, be-
die schiefe Ebene 45 emporsteigen, um schließlich mit großer Geschwindigkeit auf den Halbleiterkörper geschleudert zu werden.
stimmt.
Es ist jedoch auch möglich, das Aufschleudern des Elektrodenmaterials in jedem willkürlichen Augen-
blick von außen her zu bewerkstelligen. Eine zu diesem Zweck geeignete Vorrichtung besteht z. B. aus einer Zentrifugentrommel70 (s. Fig. 8), in der eine Anzahl von Haltern 71 für Legierformen angeordnet ist. Diese Halter sind um Wellen 72, welche parallel zu der Drehachse und zu der Figurenachse der Trommel sind, drehbar. Jeder Halter hat einen gabelförmigen Bedienungsarm 73, dessen gespaltener Teil außerhalb der Trommel vorspringt und einen Stift 74 umfaßt, der auf einem Ring 75 angeordnet ist. Dieser Ring umschließt die ganze Trommel 70 und ist innerhalb bestimmter Grenzen um die Trommel drehbar, so daß bei Verdrehung des Ringes die Halter 71 der Legierformen gekippt werden. Wenn sich z. B. die Trommel in der durch den Pfeil 76 bezeichneten Richtung dreht und der Ring 75 durch den Bremsbacken 77 abgebremst wird, so werden die Halter 71 nach links gekippt werden. Eine der in den Haltern 71 angeordneten Legierformen 78 ist in den F i g. 9 und 10 in zwei Lagen gezeichnet. In der in der F i g. 9 gezeichneten Lage, die dem Kippen vorangeht, wird das Elektrodenmaterial 79 durch die in die Richtung des Pfeiles 81 wirkende Zentrifugalkraft in seinem Raum 80 festgehalten. Durch das Kippen wird die Legierform derart verschoben, daß der Kanal 82, der sich vom Raum 80 zum Halbleiterkörper 83 erstreckt, die radiale Richtung einnimmt. Das Elektrodenmaterial bewegt sich jetzt aus dem Raum 80 und wird auf den Halbleiterkörper geschleudert (Fig. 10).
Es wird bemerkt, daß die Anordnung der Formen nach der F i g. 8 es ermöglicht, mehr Legierformen auf der Innenwand der Zentrifugentrommel anzuordnen, als es z. B. bei der Vorrichtung nach den F i g. 2 und 3 der Fall ist. Die Anordnung nach der F i g. 8, bei der sich also die Drehachsen der Legierformen in axialer Richtung erstrecken, kann, wenn die aus den Teilen 73, 74, 75 und 77 bestehende Bedienungsvorrichtung durch Federn, die das Kippen erst bei einer bestimmten Drehgeschwindigkeit zulassen, ersetzt wird, auch zu einer nach dem Prinzip der Vorrichtung nach den F i g. 2 und 3 arbeitenden. Vorrichtung ausgebildet werden.

Claims (15)

Patentansprüche: 45
1. Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnung«!, wie Transistoren und Kristalldioden, bei dem Elektrodenmaterial im flüssigen Zustand mit einem Halbleiterkörper in Berührung gebracht und auf ihn aufgeschmolzen wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (20, 33, 43 und 83) und das Elektrodenmaterial (18, 35, 45, 79) getrennt voneinander in einer Zentrifuge (10) angeordnet werden, daß das Elektrodenmaterial der Drehachse näher ist als der Halbleiterkörper oder ihr während der Rotation der Zentrifuge näher gebracht wird und dann durch Änderung der es an seinem Ort festhaltenden Bedingungen beweglich gemacht und im geschmolzenen Zustand auf den Halbleiterkörper geschleudert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (20, 83) in einer kippbaren Legierform (10, 78) zentrifugiert wird, die einen Raum (17, 80) besitzt, in den das Elektrodenmaterial (18, 79) eingebracht ist und in welchem das Elektrodenmaterial in wenigstens einer Lage der Legierform (10, 78) stabil liegt, und daß die Legierform derart gekippt wird, daß das Elektrodenmaterial in einer anderen Lage der Legierform unter dem Einfluß der Zentrifugalkraft auf den Halbleiterkörper geschleudert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (33) in einer Legierform (30) zentrifugiert wird, die einen Raum (34) enthält, in dem sich das Elektrodenmaterial (35) befindet, welcher Raum mit dem Raum (31), in dem sich der Halbleiterkörper befindet, mittels einer Kapillaröffnung (36) verbunden ist, deren Weite mit Rücksicht auf die Oberflächenspannung des geschmolzenen Elektrodenmaterials derart gewählt ist, daß dieses Material sich erst beim Erreichen einer schnellen Drehung durch die Kapillaröffnung hindurchbewegt und auf den Halbleiterkörper geschleudert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (33) in einer Legierform (30) zentrifugiert wird, die einen Raum (34) enthält, in dem das Elektrodenmaterial (35) bei einer Temperatur angeordnet wird, bei der es sich in festem Zustand befindet, welcher Raum (34) mit einem Raum (31) der Legierform, in dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, mittels einer öffnung (36) verbunden ist, die so klein ist, daß sich das Elektrodenmaterial in festem Zustand nicht durch diese hindurchbewegen kann, worauf während der Drehung der Zentrifuge die Temperatur bis zum Schmelzpunkt des Elektrodenmaterials erhöht wird, so daß das geschmolzene Elektrodenmaterial durch die öffnung auf den Halbleiterkörper geschleudert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierform mehr als einen Raum aufweist, in dem sich festes Elektrodenmaterial befindet, welche Räume ■ durch öffnungen mit dem Raum, in dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, verbunden sind, wobei diö Schmelzpunkte der verschiedenen Mengen Elektrodenmaterial derart unterschiedlich sind, daß bei Erhöhung der Temperatur die Elektrodenmaterialmengen nacheinander auf den Halbleiterkörper geschleudert werden.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper zum Teil durch eine Maske (50) bedeckt wird.
7. Zentrifuge mit einer drehbaren Trommel zur Durchführung eines der Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Zentrifuge mindestens eine Legierform mit einem Raum für einen Halbleiterkörper und einem von diesem Raum getrennten Raum für das Elektrodenmaterial enthält, die sich während des Drehens der Zentrifuge in einer stabilen Lage derart befindet, daß der Raum für dea Halbleiterkörper weiter von der Trommelachse entfernt ist, und daß die Räume durch einen Kanal verbunden sind.
8. Zentrifuge nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanal für das Elektrodenmaterial eine schiefe Ebene bildet und die bei-:
den Räume derart verbindet, daß das Elektrodenmaterial sich bewegt, sobald die Zentrifugalkraft die Komponente der Schwerkraft auf der schiefen Ebene übersteigt.
9. Zentrifuge nach Anspruch?, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierform mehrere Räume für Elektrodenmaterial hat, welche durch Kapillaröffnungen mit dem Raum verbunden sind, in dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, und daß die Weite der Kapillaröffnungen derart verschieden ist, daß mit steigender Umdrehungszahl der Zentrifuge die in den erstgenannten Räumen angeordneten Elektrodenmaterialmengen eine nach der anderen auf den Halbleiterkörper geschleudert werden.
10. Zentrifuge nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierform oder die Legierformen kippbar sind.
11. Zentrifuge nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Kippen der Legierfonn ao oder der Legierformen unter Einwirkung der Zentrifugalkraft gegen die Wirkung einer Feder (16) erfolgt.
12. Zentrifuge nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Kippen der Legierfonn oder der Legierformen durch einen Mechanismus steuerbar ist, der durch ein außerhalb der Trommel liegendes Glied erfolgt
13. Zentrifuge nach einem oder mehreren der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die kippbare Legierfonn mehrere Räume für Elektrodenmaterial besitzt und daß die Neigung der Kanäle, welche diese Räume mit demjenigen für den Halbleiterkörper verbinden, derart verschieden ist, daß beim Kippen der Legierfonn die in den erstgenannten Räumen angeordneten Elektrodenmaterialmengen eine, nach der anderen auf den Halbleiterkörper geschleudert werden.
14. Zentrifuge nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß sie mit einer Heizvorrichtung (7) versehen ist.
15. Zentrifuge nach einem der Ansprüche 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Trommel in einem luftdicht abschließbaren Gehäuse (1) angeordnet ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 060052;
Anmeldungsunterlagen zum französischen Patent Nr. 1224318.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 710/300 10.64 © Bundesdruckerei Berlin
DEN19703A 1960-03-12 1961-03-08 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen Pending DE1180850B (de)

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