FR1224318A - Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur - Google Patents

Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur

Info

Publication number
FR1224318A
FR1224318A FR787406A FR787406A FR1224318A FR 1224318 A FR1224318 A FR 1224318A FR 787406 A FR787406 A FR 787406A FR 787406 A FR787406 A FR 787406A FR 1224318 A FR1224318 A FR 1224318A
Authority
FR
France
Prior art keywords
applying
contact
semiconductor body
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR787406A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Application granted granted Critical
Publication of FR1224318A publication Critical patent/FR1224318A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S228/00—Metal fusion bonding
    • Y10S228/903—Metal to nonmetal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
FR787406A 1958-02-22 1959-02-20 Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur Expired FR1224318A (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP20194A DE1150455B (de) 1958-02-22 1958-02-22 Legierform zur Herstellung von Legierungstransistoren mit grossflaechigen pn-UEbergaengen
DEP20396A DE1230911B (de) 1958-02-22 1958-03-26 Verfahren zum Aufschmelzen wenigstens eines Kontaktes auf einen Halbleiterkoerper und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1224318A true FR1224318A (fr) 1960-06-23

Family

ID=25989851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR787406A Expired FR1224318A (fr) 1958-02-22 1959-02-20 Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3209436A (fr)
BE (1) BE575988A (fr)
CH (1) CH372759A (fr)
DE (2) DE1150455B (fr)
FR (1) FR1224318A (fr)
GB (1) GB907568A (fr)
NL (2) NL236288A (fr)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3152373A (en) * 1960-11-21 1964-10-13 Philips Corp Method of manufacturing semiconductor devices
DE1180850B (de) * 1960-03-12 1964-11-05 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1229193B (de) * 1961-02-02 1966-11-24 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1231033B (de) * 1963-09-13 1966-12-22 Siemens Ag Druckempfindliches Halbleiterbauelement mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetztenLeitungstyps und einem Stempel auf einer Zone
DE1279646B (de) * 1965-09-29 1968-10-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung kristalliner Staebe aus halbleitenden Verbindungen
GB1331028A (en) * 1971-08-07 1973-09-19 Matsushita Electronics Corp Method of soldering a semiconductor plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE482041C (de) * 1929-09-05 Wilhelm Buess Nebeneinander zu einer Batterie vereinigte und um eine gemeinsame Achse einzeln kippbare, doppelseitig ausgebildete Kokillen, insbesondere fuer Masselguss
US1574598A (en) * 1924-10-09 1926-02-23 Mrs Sarah Moses Metal melting and pouring device
US2648167A (en) * 1948-12-18 1953-08-11 Bell Telephone Labor Inc Machine for manufacturing switches
NL88391C (fr) * 1952-08-14
US2748325A (en) * 1953-04-16 1956-05-29 Rca Corp Semi-conductor devices and methods for treating same
US2756483A (en) * 1953-05-11 1956-07-31 Sylvania Electric Prod Junction forming crucible
AT186670B (de) * 1953-12-23 1956-09-10 Philips Nv Elektrodensystem mit einem halbleitenden Körper
NL98710C (fr) * 1954-02-27
US2743693A (en) * 1954-11-22 1956-05-01 Motorola Inc Transistor assembly jig
US2779877A (en) * 1955-06-17 1957-01-29 Sprague Electric Co Multiple junction transistor unit
GB794128A (en) * 1955-08-04 1958-04-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to methods of forming a junction in a semiconductor
GB797304A (en) * 1955-12-19 1958-07-02 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor devices
US2862840A (en) * 1956-09-26 1958-12-02 Gen Electric Semiconductor devices
US2897555A (en) * 1956-12-22 1959-08-04 Nishikiori Seiji Steel ingot making composition, method and apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1180850B (de) * 1960-03-12 1964-11-05 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
US3152373A (en) * 1960-11-21 1964-10-13 Philips Corp Method of manufacturing semiconductor devices
DE1229193B (de) * 1961-02-02 1966-11-24 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen

Also Published As

Publication number Publication date
US3209436A (en) 1965-10-05
NL236288A (fr)
CH372759A (de) 1963-10-31
BE575988A (fr)
GB907568A (en) 1962-10-10
DE1230911B (de) 1966-12-22
DE1150455B (de) 1963-06-20
NL131155C (fr)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH356210A (fr) Procédé d'obtention d'une jonction p-n dans un corps semi-conducteur
BE603573A (fr) Procédé de formation d'un corps en matière semi-conductrice
BE604422A (fr) Procédé de déposition d'un matériau semi-conducteur
FR1326252A (fr) Procédé de fabrication d'un corps monocristallin
FR1224318A (fr) Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur
FR1143213A (fr) Procédé d'application de couches de métal précieux sur un corps semi-conducteur
BE614420A (fr) Procédé de réglage d'une grandeur à asservir
FR1171850A (fr) Procédé d'application d'une électrode sur un corps semi-conducteur
FR1226166A (fr) Procédé d'application d'une couche dure sur la surface de pièces
CH416091A (fr) Procédé d'application d'un polymère acrylique sur un substrat rigide
CH404202A (fr) Procédé de fabrication d'un corps métallique
FR1233270A (fr) Procédé d'exécution de corps semi-conducteurs
FR1234099A (fr) Procédé pour l'application d'un contact sur un corps semi-conducteur et corps fabriqué suivant ledit procédé
FR1238813A (fr) Procédé perfectionné d'application de polytétrafluoroéthylène sur un corps
FR1197761A (fr) Procédé d'application d'électrodes sur des corps semi-conducteurs
FR1136612A (fr) Procédé d'application d'un contact ohmique sur un corps semi-conducteur
FR1136797A (fr) Procédé d'application par fusion d'un contact redresseur sur un corps semi-conducteur
FR1201878A (fr) Procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur
FR1151354A (fr) Procédé d'application d'un contact sur du silicium
FR1283258A (fr) Procédé d'application d'un moyen de garantie sur des objets et objets comportant ce moyen
FR1247526A (fr) Procédé d'application de couches de soudure sur les métaux
CH425394A (fr) Procédé d'application du zinc sur l'aluminium
CH1044061A4 (fr) Procédé de décoration d'un cadran d'horlogerie
FR1123537A (fr) Procédé d'application de couches isolantes sur métaux
FR1140304A (fr) Procédé d'application d'un revêtement métallique sur un objet métallique