FR1224318A - Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur - Google Patents

Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur

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DEP20396A DE1230911B (de) 1958-02-22 1958-03-26 Verfahren zum Aufschmelzen wenigstens eines Kontaktes auf einen Halbleiterkoerper und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens

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NL (2) NL236288A (fr)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3152373A (en) * 1960-11-21 1964-10-13 Philips Corp Method of manufacturing semiconductor devices
DE1180850B (de) * 1960-03-12 1964-11-05 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1229193B (de) * 1961-02-02 1966-11-24 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1231033B (de) * 1963-09-13 1966-12-22 Siemens Ag Druckempfindliches Halbleiterbauelement mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetztenLeitungstyps und einem Stempel auf einer Zone
DE1279646B (de) * 1965-09-29 1968-10-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung kristalliner Staebe aus halbleitenden Verbindungen
GB1331028A (en) * 1971-08-07 1973-09-19 Matsushita Electronics Corp Method of soldering a semiconductor plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE482041C (de) * 1929-09-05 Wilhelm Buess Nebeneinander zu einer Batterie vereinigte und um eine gemeinsame Achse einzeln kippbare, doppelseitig ausgebildete Kokillen, insbesondere fuer Masselguss
US1574598A (en) * 1924-10-09 1926-02-23 Mrs Sarah Moses Metal melting and pouring device
US2648167A (en) * 1948-12-18 1953-08-11 Bell Telephone Labor Inc Machine for manufacturing switches
NL88391C (fr) * 1952-08-14
US2748325A (en) * 1953-04-16 1956-05-29 Rca Corp Semi-conductor devices and methods for treating same
US2756483A (en) * 1953-05-11 1956-07-31 Sylvania Electric Prod Junction forming crucible
AT186670B (de) * 1953-12-23 1956-09-10 Philips Nv Elektrodensystem mit einem halbleitenden Körper
NL98719C (fr) * 1954-02-27
US2743693A (en) * 1954-11-22 1956-05-01 Motorola Inc Transistor assembly jig
US2779877A (en) * 1955-06-17 1957-01-29 Sprague Electric Co Multiple junction transistor unit
GB794128A (en) * 1955-08-04 1958-04-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to methods of forming a junction in a semiconductor
GB797304A (en) * 1955-12-19 1958-07-02 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor devices
US2862840A (en) * 1956-09-26 1958-12-02 Gen Electric Semiconductor devices
US2897555A (en) * 1956-12-22 1959-08-04 Nishikiori Seiji Steel ingot making composition, method and apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1180850B (de) * 1960-03-12 1964-11-05 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
US3152373A (en) * 1960-11-21 1964-10-13 Philips Corp Method of manufacturing semiconductor devices
DE1229193B (de) * 1961-02-02 1966-11-24 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen

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Publication number Publication date
NL131155C (fr)
GB907568A (en) 1962-10-10
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NL236288A (fr)
BE575988A (fr)
DE1230911B (de) 1966-12-22
DE1150455B (de) 1963-06-20

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