AT186670B - Elektrodensystem mit einem halbleitenden Körper - Google Patents
Elektrodensystem mit einem halbleitenden KörperInfo
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- AT186670B AT186670B AT186670DA AT186670B AT 186670 B AT186670 B AT 186670B AT 186670D A AT186670D A AT 186670DA AT 186670 B AT186670 B AT 186670B
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- Austria
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- electrode system
- semiconducting body
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- electrode
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Links
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL186670X | 1953-12-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT186670B true AT186670B (de) | 1956-09-10 |
Family
ID=19777625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT186670D AT186670B (de) | 1953-12-23 | 1954-12-20 | Elektrodensystem mit einem halbleitenden Körper |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT186670B (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1058635B (de) * | 1957-01-26 | 1959-06-04 | Telefunken Gmbh | Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkoerper zur Herstellung eines Sperrschicht-UEbergangs oder sperrfreien ohmschen Anschlusses |
| DE1067935B (de) * | 1958-01-17 | 1959-10-29 | ||
| DE1230911B (de) * | 1958-02-22 | 1966-12-22 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zum Aufschmelzen wenigstens eines Kontaktes auf einen Halbleiterkoerper und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
-
1954
- 1954-12-20 AT AT186670D patent/AT186670B/de active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1058635B (de) * | 1957-01-26 | 1959-06-04 | Telefunken Gmbh | Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkoerper zur Herstellung eines Sperrschicht-UEbergangs oder sperrfreien ohmschen Anschlusses |
| DE1067935B (de) * | 1958-01-17 | 1959-10-29 | ||
| DE1230911B (de) * | 1958-02-22 | 1966-12-22 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zum Aufschmelzen wenigstens eines Kontaktes auf einen Halbleiterkoerper und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
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