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Verfahren und Legierform zum Aufschmelzen eines Kontaktes auf einen halbleitenden
Körper
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufschmelzen eines Kontaktes auf einen halbleitenden Körper in einer Legierform und auf die bei diesem Verfahren anzuwendende Legierform. Ein solcher, mit mindestens einem aufgeschmolzenen Kontakt versehener, halbleitender Körper kann zur Herstellung von halbleitenden Elektrodensystemen, z. B. Transistoren, Dioden, Photozellen u. dgl. verwendet werden.
Es war bisher üblich, Kontakte auf halbleitende Körper dadurch aufzuschmelzen, dass dieser Körper in einer Legierform untergebracht, eine Menge Kontaktmaterial auf diesen Körper gelegt und das Ganze darauf in einem Ofen im Vakuum oder in einem Schutzgas erhitzt wurde, bis das Kontaktmaterial schmolz und sich an den Körper anlegierte.
Es ist bekannt, dass diese Haftung durch Anwendung eines Flussmittels, z. B. Salzsäuregas, zu fördern ist. Trotz der Anwendung eines solchen Flussmittels tritt häufig der Nachteil auf, dass die Haftung zwischen dem Kontaktmaterial und dem Halbleiter nicht gleichmässig ist, wodurch der Übergang zwischen diesen Teilen eine unregelmässige, von der ursprünglichen, halbleitenden Oberfläche abweichende Form annimmt.
Es wurde bereits vorgeschlagen, die Bildung einer gleichmässigeren Form dadurch zu fördern, dass ein Tropfen des Kontaktmaterials auf den halbleitenden Körper niedergelassen wird, damit die Verschmelzung sich von dem ersten Berührungspunkt her gleichmässig verbreiten würde. Bei diesem Verfahren erzielte man einen gekrümmten Übergang. Es war bereits vorher eine Einrichtung bekannt, bei der ein Tropfen des Kontaktmaterials auf die halbleitende Oberfläche geworfen wurde.
Die bekannten Einrichtungen zum Niederlassen eines Tropfens Kontaktmaterials auf den halbleitenden Körper bestehen aus einem Ofen, durch dessen Wand Betätigungsorgane vakuumdicht durchgeführt sind, was in Hinblick auf die auftretenden hohen Temperaturen und auf eine genaue Überwachung des Vakuums oder der Atmosphäre im Ofen Schwierigkeiten bereitet. Ausserdem sind solche Einrichtungen, wenn sie sich zum Aufschmelzen von Kontakten auf grosse Anzahlen halbleitender Körper eignen sollen, äusserst kompliziert. Überdies weisen diese bekannten Einrichtungen den Nachteil auf, dass der Tropfen nicht oder nur sehr schwierig auf eine genau vorherbestimmte Stelle auf dem halbleitenden Körper gebracht werden kann, was besonders bei der Herstellung von Transistoren sehr wichtig ist.
Die Erfindung bezweckt u. a., ein Verfahren und eine Einrichtung zu schaffen, durch die es auf einfache Weise möglich ist, mindestens einen Tropfen Kontaktmaterial auf einen halbleitenden Körper fallen zu lassen, wobei genau wirkende Betätigungsorgane vermieden werden können. Sie bezweckt weiter, die Bildung eines flachen Überganges zwischen diesem Material und dem Körper zu fördern. Die angewandte Einrichtung kann zum Aufschmelzen von Kontakten auf grosse Anzahlen halbleitender Körper eingerichtet werden, ohne dass dies Komplikationen mit sich bringt. Diese Einrichtung kann weiter auch derart zusammengebaut werden, dass durch die Wand eines Ofens hindurchgeführte Betätigungsorgane entbehrlich sind.
Sie ermöglicht, die Kontakte an einer genau bestimmbaren Stelle auf einem halbleitenden Körper anzubringen, entweder auf einer Seite eines solchen Körpers, oder auf zwei oder mehr Seiten.
Gemäss der Erfindung werden ein halbleitender Körper und mindestens eine Menge Kontaktmaterial in voneinander getrennte Lagerstellen einer Legierform gebracht, wobei eine solche Lagerstelle für das Kontaktmaterial durch einen Kanal mit einer Lagerstelle für den halbleitenden Körper verbunden ist, worauf die Legierform mit dem Inhalt bis oberhalb des Schmelzpunktes des Kontaktmaterials in einem Ofen erhitzt und darauf die Lage der Legierform derart geändert wird, dass mindestens eine Menge Kontaktmaterial aus einer Lagerstelle durch einen Kanal auf den halbleitenden Körper fliesst.
Diese Lagenänderung kann darin bestehen, dass die Legierform gekippt oder umgekehrt wird. Selbstverständlich kann, wie bei dieser Technik üblich, eine Anzahl solcher Formen zu einem einzigen Stück vereinigt werden, das weiter unten eine Mehrfachform genannt wird.
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Die Form kann derart eingerichtet sein, dass eine Lagerstelle für den halbleitenden Körper durch Kanäle mit mehr als einer Lagerstelle für Kontaktmaterial verbunden ist. Die darin vorgesehenen Mengen Kontaktmaterial kann man entweder durch eine oder zwei oder mehr Lagenänderungen auf einen solchen halbleitenden Körper fliessen lassen.
Die Lagenänderungen können auf verschiedene Weise durchgeführt werden. Wenn ein verschlossener Ofen verwendet wird, so kann er als Ganzes gekippt werden. Wird ein rohrförmiger Ofen verwendet, durch dessen Enden gegebenenfalls ein Schutzgas zu-oder abgeführt wird, so kann meistens ohne Komplikationen ein Stützglied, das die Legierform kippen lassen kann, durch ein solches Ende hindurchgeführt werden. Die Lagenänderung kann auf besonders einfache Weise in einem Ofen bewerkstelligt werden, der mit einem Transportband versehen ist, das mindestens zwei verschiedene Neigungen aufweist, wobei die Legierform während des Transportes über eine Neigung bis oberhalb des Schmelzpunktes des Kontaktmaterials erhitzt und beim Übergang auf die andere Neigung derart gekippt wird, dass das Material aus seiner Lagerstelle fällt.
Selbstverständlich können in einem einzigen Ofen eine Anzahl von Einfach- oder Mehrfachformen gleichzeitig oder nacheinander auf die vorstehend geschilderte Weise behandelt werden.
Die Erfindung kann zum Anbringen von Kontakten auf den üblichen Halbleitern, z. B.
Germanium und Silizium, verwendet werden. Die Art dieser Kontakte, d. h. ob sie ohmische oder gleichrichtende Kontakte sind, ist für die Erfindung nicht wesentlich, obgleich die Erfindung sich besonders zur Herstellung solcher Dioden und Transistoren eignet, bei denen zwei Kontakte auf einander gegenüberliegenden Seiten eines halbleitenden Körpers angebracht sind, da unter anderem die Durchführung der Erfindung das Erzielen von flachen Übergängen fördert, welche zum Erzielen guter Halbleitervorrichtungen erwünscht sind. Die Ausübung der Erfindung ermöglicht, zwei oder mehr solcher Kontakte auf verschiedenen Seiten eines halbleitenden
Körpers anzubringen, ohne dass die Legierform in den Intervallen zwischen diesen Arbeits- vorgängen aus dem Ofen entfernt zu werden braucht.
Das Kontaktmaterial kann aus den üblichen
Donatoren und/oder Akzeptoren oder aus Legie- rungen bestehen, die diese Elemente enthalten.
Die Erfindung bezieht sich weiter auf eine
Legierform zur Herstellung von halbleitenden
Einrichtungen, die eine Lagerstelle für einen halbleitenden Körper besitzt und die dadurch gekennzeichnet ist, dass ausserdem mindestens eine Lagerstelle für eine Menge Kontaktmaterial vorhanden ist, die durch einen Kanal mit der
Lagerstelle für den Körper derart verbunden ist, dass dieses Material durch eine Lagenänderung der Form in den Kanal und aufden Körper gebracht
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Nachdem die Legierform in einem Ofen bis oberhalb des Schmelzpunktes des Kontaktmaterials 6 erhitzt worden ist, wird sie in die in Fig. 2 dargestellte umgekehrte Lage gebracht. Dabei fällt das Kügelchen 6 auf den halbleitenden Körper 3, schmilzt an ihm fest und bildet somit einen Kontakt : 9.
Der halbleitende Körper 4 kann darauf aus der Form entfernt werden. Es können darauf auf ähnliche oder auf andere Weise weitere Kontakte angebracht werden, damit der halbleitende Körper sich für eine Diode, einen Transistor oder allgemein ein halbleitendes System eignet.
Die Form nach Fig. 3 ist derart eingerichtet, dass eine kleine Lagenänderung genügt, um das Kontaktmaterial aufzuschmelzen. Diese Form besteht aus einem Block hitzebeständigen Materials 11 mit einer Bohrung 12, deren unteres Ende eine Lagerstelle 13 für einen halbleitenden Körper 14 bildet. Auf diesen Körper ist ein Pfropfen 15 gelegt, der in der Mitte eine Bohrung 16 besitzt, die mit einer Nut 17 in der oberen Fläche des Pfropfens 15 und in dem Block 11 verbunden ist. Diese Nut endet in eine Lagerstelle 18 für das Kontaktmaterial 19.
Nach einer Erhitzung dieses Materials bis oberhalb des Schmelzpunktes genügt ein Kippen über einen Winkel u (s. Fig. 4), um dieses Kontaktmaterial auf den halbleitenden Körper 14 fallen zu lassen. In dieser Form bilden die Bohrung 16 und die Nut 17 den Kanal, der die Lagerstellen des halbleitenden Körpers und des Kontaktmaterials verbindet.
Die Form nach den Fig. 5,6 und 7 eignet sich zum Anbringen eines Kontaktes auf zwei
Seiten eines halbleitenden Körpers.
Diese Legierform besteht aus einem auf einer Achse 20 sitzenden Boden 21 und einer Deckplatte 22, die auf den Boden auf nicht dargestellte Weise geklemmt ist. Die Achse ist in einem oder mehreren Achsenlagern 23 drehbar. Die Abdeckplatte 22 hat eine Bohrung 24, die sich kegelförmig zum Bilden eines kurzen Kanals 25 verengt, der oberhalb eines halbleitenden Körpers 26 mündet, der sich in einer im Boden 21 ausgesparten Lagerstelle befindet. In diesem
Boden ist eine zweite Bohrung 27, vorgesehen, die durch den erwähnten Körper 26 abgedeckt wird.
Die kegelförmige Bohrung 24 bildet eine
Lagerstelle für eine Menge Kontaktmaterial S ; die Bohrung 27 bildet eine Lagerstelle für eine zweite Menge Kontaktmaterial 29. Nachdem das Kontaktmaterial 28 geschmolzen worden ist, wird die Form 21, 22 aus der in Fig. 5 ver- anschaulichten Lage in die Lage nach Fig. 6 gedreht ; das Kontaktmaterial fällt auf den
Körper 26 und bildet einen Kontakt 30 ; nachdem das Material aufgeschmolzen ist, ist die Haftung üblicherweise so gross, dass die Form unbedenklich weiter in die in Fig. 7 dargestellte Lage gedreht werden kann, wobei der Kontakt 30 sich unterhalb des halbleitenden Körpers befindet und das Kontaktmaterial 29 auch auf den Körper aufgeschmolzen ist und einen Kontakt 31 bildet.
Es sei bemerkt, dass es bei Anwendung dieser Legierform möglich ist, verschiedene Temperaturen zum Aufschmelzen der Kontaktmaterialien zu wählen ; dabei ist es im allgemeinen vorzuziehen, zunächst denjenigen Kontakt anzubringen, der die höchste Aufschmelztemperatur erfordert. Eine einfache Weise zum Kippen einer solchen Legierform wird an Hand der Fig. 16-18 erörtert.
Die durch Anwendung der Legierform nach den Fig. 5-7 erhaltene halbleitende Einrichtung eignet sich vorzüglich zur Herstellung eines Transistors. In diesem Falle werden die Materialien 28 und 29 derart gewählt, dass gleichrichtende Kontakte 30 und 31 gebildet werden. Ein ohmscher Basisanschluss kann nachträglich an dem Körper 26 befestigt werden. Es ist selbstverständlich auch möglich, den Körper 26 bereits vor dessen Einführung in die Form mit einem Basisanschluss zu versehen.
Fig. 8 zeigt eine fünffache Legierform in einer perspektivischen Ansicht, welche Form im wesentlichen der Form nach den Fig. 3 und 4 im Schnitt entspricht. In diesem Falle ist die Legierform jedoch zum Aufschmelzen von zwei nebeneinanderliegenden Kontakten auf einer Seite des halbleitenden Körpers eingerichtet. Dazu hat jeder Pfropfen 15 zwei Bohrungen 16 ; diese stehen durch je eine Nut 17 mit einer Lagerstelle18 für Kontaktmaterial 19 in Verbindung. Fig. 8 zeigt somit gleichzeitig, auf welche Weise eine Anzahl von Formen zum Bilden einer Mehrfachform zusammengebaut werden können, um eine ganze Reihe von halbleitenden Körpern zu behandeln.
Selbstverständlich sind innerhalb des Rahmens der Erfindung viele Abarten in der Gestaltung und der Einrichtung der Legierform möglich.
Man kann z. B. auf einer Seite eines halbleitenden Körpers zwei Kontakte und auf der gegenüberliegenden Seite nur einen Kontakt anbringen, indem der in Fig. 8 veranschaulichte Gedanke mit dem aus Fig. 5 ersichtlichen kombiniert wird.
Oberhalb des halbleitenden Körpers werden dann zwei Lagerstellen 18 (s. die Fig. 3 und 8) und unterhalb des Körpers eine Lagerstelle 27 (s. Fig. 5) mit zugehörenden Kanälen vorgesehen.
Das Verfahren nach der Erfindung lässt sich z. B. in einem in Fig. 9 schematisch dargestellten, halbfeststehenden Ofen 41 mit einem Heizelement 42 durchführen. In diesem Ofen sind an einer Stelle 43 eine Anzahl von Legierformen 44 angeordnet, die des in den Fig. 3 oder 8 dargestellten Typs sein können. Nachdem sie auf die erforderliche Temperatur erhitzt worden sind, wird das rechte Ende des Ofens mittels eines Hebels 45 hochgehoben, wodurch das Kontaktmaterial auf die halbleitenden Körper fällt. Es wird einleuchten, dass es auf diese Weise möglich ist, das Kontaktmaterial fallen zu lassen, ohne dass irgendeine Gefahr einer Verunreinigung des
Ofeninhaltes vorliegt.
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Ein anderer, zur Herstellung halbleitender Einrichtungen häufig angewandter Ofen ist schematisch in Fig. 10 dargestellt. Dieser Ofen besteht aus einem feuerfesten Rohr 51, z. B. aus Quarz, mit einem lösbaren Endstück 52. Der Ofen kann durch eine Spule 53 erhitzt werden ; ein Schutzgas kann durch Rohre 54 zu- und abgeführt werden. Die Formen 55, die z. B. nach den Fig. 5-7 ausgebildet sind, aber ohne die in diesen Figuren angegebene Achse 20 und Achsenlager 23, sind in einer Klemme 56 festgesetzt, die in Fig. 11 gesondert dargestellt ist. Diese Klemme wird von Stäben 57 abgestützt, die durch Ofenenden geführt und örtlich durch Rohrstücke 58 aus plastischem Material abgedichtet sind.
Die Legierformen 55 können in dem gewünschten Augenblick dadurch gekippt werden, dass der Ofen 51 um seine Längsachse gedreht wird oder auch auf einfache Weise dadurch, dass die Stäbe 57 in ihren elastischen Abdichtungen gedreht werden.
Ein dritter Ofentyp, der häufig zur Herstellung von halbleitenden Einrichtungen, z. B. Transistoren und Dioden verwendet wird, ist der sogenannte Buckelofen. Dieser ist in Fig. 12 schematisch dargestellt. Dieser Ofen ist ein Tunnelofen mit einem höher liegenden Mittelteil 61 und zwei abwärtsgeneigten Enden 62 und 63. Im Tunnel wird ein Transportband 64 langsam in der Pfeilrichtung über Rollen 65 fortbewegt. In dem Tunnelteil 62 ist eine Öffnung 66 vorgesehen, die es ermöglicht, Legierformen 67 auf das Transportband 64 zu legen.
Nachdem die Formen durch den Ofen hindurch- gegangen sind, können sie durch eine Öffnung 68 entfernt werden. Die Temperatur im Ofen kann mittels einer Anzahl von Heizelementen 69 geregelt werden. Dieser Ofen verdankt seinen
Namen dem hohen Mittelteil 61, der es er- möglicht, den Ofen mit einem Schutzgas, z. B. einem Gemisch aus Stickstoff und Wasserstoff, zu füllen, das leichter ist als Luft, ohne Gefahr, dass dieses durch die niedrigerliegenden Öff- nungen 66 und 68 entweichen wird. Dieser
Ofen ermöglicht somit einen ununterbrochenen
Arbeitsvorgang.
Die Formen können z. B. gemäss dem in den
Fig. 3 und 4 veranschaulichten Prinzip ein- gerichtet sein, u. zw. derart, dass das Kontakt- material 19 (s. Fig. 3), solange die Formen 67 sich auf dem geneigten Teil des Transport- bandes 64 in dem Tunnelende 62 befinden, in den Lagerstellen 18 bleibt. Sobald die
Formen jedoch den waagrechten Teil 61 erreichen, werden sie selbsttätig gekippt und das Kontaktmaterial fällt auf den halbleitenden
Körper.
Dieser Ofen lässt sich somit ohne Abänderung für das Verfahren nach der Erfindung anwenden.
Das Transportband kann eine grössere Anzahl von Neigungen bilden, um die Formen drei oder mehr verschiedene Lagen einnehmen zu lassen.
In den dargestellten Beispielen werden die Formen jeweils um eine, meistens imaginäre Achse gekippt. Es ist selbstverständlich, dass innerhalb des Rahmens der Erfindung Verfahren durchführbar sind, bei denen die Form um mehr, z. B. zwei zueinander senkrechte Achsen, gekippt wird, um verschiedene Mengen von Kontaktmaterial nacheinander mit einem halbleitenden Körper in Berührung zu bringen.
Ein Beispiel einer solchen Form ist schematisch in Fig. 13 dargestellt. Die Legierform 71 entspricht grundsätzlich der Form 11, die in Fig. 3 veranschaulicht ist. Der Pfropfen 72 hat jedoch vier Bohrungen 73 und in der oberen Fläche sind vier Nuten 74 vorgesehen, die in Lagerstellen für Mengen Kontaktmaterial 75-78 enden. Indem diese Form um die Achse X-X in zwei entgegengesetzten Richtungen etwas gekippt wird, kann man die Mengen Kontaktmaterial 75 und 77 nacheinander in die Bohrung 73fallenlassen, während die Mengen 76und 78 an ihrer Stelle bleiben. Indem darauf die Legierform um die Achse Y-Y auch in zwei entgegengesetzten Richtungen gekippt wird, kann man die letzteren Mengen auch in die zugehörenden Bohrungen einführen.
In den in den Fig. 1-7 angegebenen Beispielen wurde das Kontaktmaterial jeweils auf eine flache Seite eines halbleitenden Körpers durch einen Kanal gebracht, der in einer Richtung senkrecht zu dieser Seite mündete. Auch in dieser Hinsicht sind Abänderungen innerhalb des Rahmens der Erfindung möglich.
Fig. 14 zeigt eine Legierform, in der die
Grundsätze der Formen nach den Fig. 3 und 5 kombiniert sind. Sie besteht aus einem Block hitzebeständigen Materials 81 mit einer Bohrung 82, auf deren Boden ein halbleitender
Körper 83 liegt. Unterhalb dieses Körpers ist eine Lagerstelle 84 für eine Menge Kontaktmaterial 85 vorgesehen. In der Bohrung 82 ist ein Pfropfen 86 angebracht. Eine Bohrung 87 und eine Nut 88 bilden einen Kanal, der zu einer
Lagerstelle für Kontaktmaterial 89 führt. Neben der Bohrung 82 ist in dem Block 81 eine zweite
Bohrung 90 vorgesehen, die am unteren Ende abbiegt und gegenüber der Seitenkante des halb- leitenden Körpers 83 mündet. Die Bohrung 90 bildet mit einer Nut 91 einen Kanal, der zu einer
Lagerstelle für eine Menge Kontaktmaterial 92 führt.
Wenn diese Form etwas nach vorne um die Achse Y-Y gekippt wird, bilden die
Mengen Kontaktmaterial 89 und 92 Kontakte in der Mitte der oberen Fläche des halbleitenden
Körpers bzw. auf der Seitenkante dieses Körpers.
Indem die Form weitergekippt und vollständig umgekehrt wird, bildet das Kontaktmaterial 85 einen Kontakt auf der unteren Seite des Körpers.
Die Kontaktmaterialien 85 und 89 können z. B. derart gewählt werden, dass sie gleichrichtende
Kontakte bilden, die in Reihenfolge als
Kollektor und Emitter geschaltet werden können, während das Material 92 einen ohmschen Basis- kontakt bilden kann.
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Es wurde bereits bemerkt, dass es möglich ist, eine Form derart zu gestalten, dass zwei oder mehr Lagerstellen für Kontaktmaterial mit einer
Lagerstelle für einen halbleitenden Körper durch
Kanäle verbunden sind, die an einer Stelle in die zuletztgenannte Lagerstelle münden.
Eine solche Form ist in Fig. 15 dargestellt.
Sie entspricht in manchen Hinsichten, die nicht weiter erörtert werden, der Form nach Fig. 14.
In der oberen Fläche des Blocks 101 sind je- doch zwei Lagerstellen für Kontaktmaterial 102 und 103 vorgesehen, die durch Nuten 104 und
105 mit einer Bohrung 106 in dem Pfropfen 107 in Verbindung stehen.
In den Lagern können Mengen Kontakt- material mit verschiedener Zusammensetzung angebracht werden, die nacheinander an der- selben Stelle auf den halbleitenden Körper auf- geschmolzen werden. Es ist bekannt, Kontakte aufzuschmelzen, die verschiedene aktive Ver- unreinigungen (Akzeptoren und Donatoren) ent- halten und die ausserdem hinsichtlich der Dif- fusionsgeschwindigkeit in dem halbleitenden Kör- per grosse Unterschiede aufweisen. Indem jede dieser aktiven Verunreinigungen in einer ge- sonderten Menge Kontaktmaterial untergebracht wird, kann man für diese Verunreinigungen verschiedene Aufschmelztemperaturen und Auf- schmelzzeiten einstellen.
Dieses Verfahren lässt sich auch vorteilhaft zum Aufschmelzen aluminiumhaltiger Kontakte verwenden. Es hat sich nämlich gezeigt, dass eine aluminiumhaltige Legierung sich schwieriger auf einen halbleitenden Körper, z. B. einen Ger- maniumkristall, aufschmelzen lässt, als sie sich mit einem bereits auf einen solchen Körper aufgeschmolzenen Kristall verschmelzen lässt.
Ein aluminiumhaltiger Kontakt kann mittels der in Fig. 15 dargestellten Legierform da- durch aufgeschmolzen werden, dass zunächst eine Menge Kontaktmaterial, das sich gut mit dem halbleitenden Körper verschmelzen lässt, aus einer Lagerstelle geführt und auf den Körper gebracht wird, indem die Form in einer Richtung gekippt wird. Dieses Kontaktmaterial besteht z. B. aus Wismut, das bei 600 C in Wasserstoff aufgeschmolzen wird. In der andern Lagerstelle wurde eine Legierung aus Wismut mit 3 Gew.-% Aluminium vorgesehen.
Die Temperatur wird darauf bis zu 750 C gesteigert, worauf die zweite Menge Kontaktmaterial auf die erste gebracht wird, indem die Form in einer andern Richtung gekippt wird. Das Aluminium wird sich durch den ganzen Kontakt verbreiten und nach Abkühlung auf bekannte Weise eine segregierte, halbleitende Schicht des p-Typs bilden.
Der Vorteil der Ausübung der Erfindung äussert sich in diesen Fällen darin, dass die verschiedenen Mengen Kontaktmaterial ohne Schwierigkeiten und ohne die Form aus dem Ofen zu entfernen genau an derselben Stelle auf den halbleitenden Körper aufgeschmolzen werden können.
Um durch eine verhältnismässig kleine Änderung der Lage der Fläche, auf der eine Form aufruht, eine grössere Änderung der Formenlage zu bewerkstelligen, kann man eine Form verwenden, die über eine labile Lage von einer stabilen Lage in eine andere stabile Lage bewegt wird.
Die Fig. 16-18 zeigen auf welche Weise eine Form 111, die des in Fig. 5-7 dargestellten Typs sein kann, mit einem Arm 112 und mit einem Gewicht 113 versehen ist. Das Ganze ist um eine Achse 114 drehbar. In der in Fig. 16 dargestellten Lage ruht der Arm 112 auf einem mit der nicht dargestellten Stützfläche vereinten Nocken 115 auf. In dieser Lage wird die Form erhitzt, bis das Kontaktmaterial geschmolzen ist. Darauf wird das Ganze in die in Fig. 17 gezeigte Lage gekippt, die noch stabil ist, wobei eine Menge Kontaktmaterial auf den halbleitenden Körper fliessen kann. Indem die Stützfläche etwas weiter geneigt wird, wird die Form durch eine labile Lage geführt, so dass sie vollkommen gekippt in die in Fig. 18 gezeigte Lage gelangt, wobei das Kontaktmaterial z. B. auf die andere Seite des Körpers fallen kann.
In dieser Lage ruht der Arm 112 auf einem andern Nocken, 116, au±
Innerhalb des Rahmens der Erfindung sind noch viele andere Verfahren zur Steuerung der Lage einer Form möglich. Man kann z. B. in einem Tunnelofen an bestimmten Stellen feststehende Nocken oder magnetische Vorrichtungen vorsehen, die eine Form während des Transportes auf dem Band kippen lassen.
PATENTANSPRÜCHE :
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