DE1170081B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen

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DE1170081B DET21831A DET0021831A DE1170081B DE 1170081 B DE1170081 B DE 1170081B DE T21831 A DET21831 A DE T21831A DE T0021831 A DET0021831 A DE T0021831A DE 1170081 B DE1170081 B DE 1170081B
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Germany
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alloyed
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Dr Rer Nat Heinz Beneking
Gerhard Grust
Dipl-Ing Elmar Mueller
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1163048A (fr) * 1955-09-02 1958-09-22 Gen Electric Co Ltd Diffusion différentielle d'impuretés dans les semi-conducteurs
GB836851A (en) * 1956-09-26 1960-06-09 Gen Electric Improvements in semiconductor devices and methods of making same
DE1094371B (de) * 1955-07-21 1960-12-08 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode auf einem aus Germanium bestehenden halbleitenden Koerper
DE1101624B (de) * 1958-06-27 1961-03-09 Ibm Deutschland Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode an einer Halbleiteranordnung

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