DE1146204B - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-UEbergang - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-UEbergang

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DE1146204B DES59287A DES0059287A DE1146204B DE 1146204 B DE1146204 B DE 1146204B DE S59287 A DES59287 A DE S59287A DE S0059287 A DES0059287 A DE S0059287A DE 1146204 B DE1146204 B DE 1146204B
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Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
S 59287 Vmc/21g
ANMELDETAG: 5. AUGUST 1958
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT: 28. MÄRZ 1963
Die Erfindung betrifft; ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-übergang, bei dem nach dem Einlegieren einer Metallpille in einen Halbleiterkörper bei einer Temperatur des Legierungsmetalls, die mindestens gleich der Schmelztemperatur dieses Metalls, aber niedriger als die Einlegierungstemperatur ist, ein Metallkörper in die Metallpüle eingesetzt wird.
Es ist bekannt, bei Halbleiteranordnungen mit hoher zulässiger Verlustleistung die Elektroden großflächig auszubilden und durch Anschmelzen an eine gut wärmeleitende Trägerplatte eine gute Wärmeabfuhr zu gewährleisten. Es ist dabei notwendig, den zu kühlenden pn-übergang möglichst dicht auf die dicke, die Wärme gut leitende Trägerplatte, z. B. ein Kupferstück, aufzulöten. Neben Kupfer kann auch Silber oder eine andere gut wärmeleitende Substanz verwendet werden. Die Wärme fließt dann auf die Trägerplatte ab, verteilt sich dort und tritt dann, gegebenenfalls über eine großflächig elektrisch isolierende Kittschicht, in das Gehäuse über. Es bereitet Schwierigkeiten, die nur mäßig wärmeleitende Metallpille so weit durch Abschneiden oder Ablösen zu beseitigen, daß der zu kühlende pn-übergang möglichst dicht auf die gut wärmeleitende Trägerplatte zu liegen kommt.
Es ist weiter bekannt, die Trägerplatte so auszubilden, daß sie eine stufenförmige Querschnittsverminderung aufweist. Dabei taucht die verminderte Querschnittsfläche, die kleiner als die Fläche des zu kühlenden pn-Übergangs ist, in das flüssige Elektrodenmetall und wird in Richtung des pn-Übergangs so bewegt, daß ein Teil des Elektrodenmetalls seitlich herausgepreßt wird und auf die Trägerplatte abfließt, wo es durch seine Oberflächenspannung gehalten wird und dort erstarrt.
In diesem Fall muß aber die Kühlfläche, die in das Elektrodenmetall eintaucht, wesentlich kleiner als die Fläche des zu kühlenden pn-Ubergangs sein, was für die Wärmeableitung nachteilig ist, da sonst die Gefahr besteht, daß das Elektrodenmetall auch seitlich auf den Halbleiterkörper gepreßt wird und dort erstarrt und somit den pn-übergang kurzschließt.
Weiter ist es bekannt, bei einer Halbleiteranordnung mit einlegierten Elektroden als Stromzuführung einen Metallklotz mit Bohrungen, vorzugsweise kapillarer Größe, zu verwenden und in das flüssige Elektrodenmetall einzuführen, so daß dieses in den Bohrungen hochsteigt.
Durch die vorliegende Erfindung wird ein Weg aufgezeigt, der es ermöglicht, praktisch die ganze Fläche des pn-Übergangs gleichmäßig zu kühlen und Verfahren zum Herstellen
einer Halbleiteranordnung mit wenigstens
einem pn-übergang
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
Dipl.-Phys. Walter Schroem, Clausthal-Zellerfeld,
und Dipl.-Phys. Eberhard Thürmel, München,
sind als Erfinder genannt worden
außerdem den Metallkörper sehr dicht an den pn-übergang heranzuführen. Bei dem eingangs genannten Verfahren wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, den Metallkörper als aufgewölbte Platte auszubilden, deren Kuppe mit einer durchgehenden Bohrung versehen ist, und die Kuppe so dicht an den Halbleiterkörper heranzuführen, daß das Legierungsmetall in die Bohrung des Metallkörpers eindringt und durch die Bohrung hindurch bis auf die der Metallpille abgewandte Hohlseite des Metallkörpers fließt und das Legierungsmetall danach in dieser relativen Lage des Halbleiterkörpers zum Metallkörper zum Erstarren zu bringen.
Beim vorliegenden Verfahren wird also der Absaugvorgang durch die Kapillarwirkung der in der Kuppe der aufgewölbten Platte angebrachten Bohrung eingeleitet, die Saugwirkung wird jedoch dadurch, daß das Legierungsmetall bis auf die Hohlseite der aufgewölbten Metallplatte fließt, durch die dann zusätzlich wirksame Oberflächenspannung noch erhöht. Außerdem können praktisch beliebig große Mengen des Legierungsmetalls entfernt werden, da das Metall auf die Hohlseite der Platte abfließt. Dabei kann die Platte selbst relativ dünn ausgebildet sein, und auch die Aufwölbung selbst muß nicht besonders hoch sein. Die Möglichkeit der Verwendung einer dünnen Metallplatte hat dabei vor
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3 4
allem den Vorteil, daß die Bohrung kurz ist und durch die Bohrung 5 hindurch auf die dem Kollektor damit ein Erstarren des Metalls am freien Ende der abgewandte Seite des Metallkörpers 1 fließt. Dann Bohrung vor Beendigung des Absaugvorgangs viel wird das Legierungsmetall in dieser relativen Lage leichter zu vermeiden ist. des Halbleiterkörpers 7 zur Trägerplatte 1 zum Er-
Nähere Einzelheiten der Erfindung sind an Hand 5 starren gebracht. Die Dicke der am Kollektorbevorzugter Ausführungsbeispiele in den Figuren pn-übergang verbleibenden Indiumschicht liegt bei dargestellt und werden im folgenden beschrieben. den Ausführungsbeispielen zwischen 20 und 50 μ.
In Fig. 1 ist eine Halbleiteranordnung dargestellt, Der Wärmewiderstand wird gegenüber einer Anbei der die Trägerplatte 1 aus einer aufgewölbten Ordnung ohne Loch um den Faktor 3 gesenkt. Metallplatte besteht, auf deren Kuppe ein Transistor- io In Fig. 2 ist eine besonders günstige Ausführungssystem mit seiner Kollektorfläche 2 aufgelötet ist. form eines Leistungstransistors dargestellt, der nach Das Kollektormaterial füllt die Bohrung 5 und auch dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt ist. die Hohlseite der Trägerplatte 1. Der Durchmesser Die Grundplatte 11 besitzt eine Einschmelzung 9 von der Bohrung 5 liegt vorzugsweise zwischen 0,5 und lichtundurchlässigem Glas, welche die drei elek-1,2 mm, z. B. bei 0,8 mm- Die Kapillarkräfte eines 15 irischen Zuführungen vom Gehäuse isoliert. Im so dünnen, zum pn-übergang senkrechten Kanals Schnitt der Fig. 2 sind zwei Zuführungen 10 und 16 bedingen eine starke Saugwirkung, die vorteilhaft zu sehen, während die dritte Zuführung 17 in der zur Abführung des überflüssigen Elektrodenmetalls Aufsicht der Fig. 2 a auf den Transistor bei abgebei der Herstellung einer solchen Halbleiteranord- nommenem Gehäuse 12 zu sehen ist. Mittels eines nung ausgenutzt wird. Die Bohrung 5 der Träger- ao mit Aluminiumoxydpulver vermischten Kunststoffplatte ist dabei etwa konzentrisch zu der etwa kreis- klebers ist die Trägerplatte 1 aus Kupfer auf die zur förmigen Kollektorfläche angebracht. Dies ist günstig, Wärmeableitung dienende metallische Grundplatte 11 da die Mitte des Kollektor-pn-Übergangs am wenig- elektrisch isoliert, aber gut wärmeleitend aufgeklebt, sten zur Wärmeableitung beiträgt. Die Bohrung 5 Der Kunststoff kittet Grundplatte 11 und Trägerund die dem Kollektor abgewandte Seite der Träger- 25 platte 1, isoliert sie elektrisch und trägt durch die platte 1 ist mit einem vom Legierungsmetall gut Benetzung von Grundplatte und Trägerplatte zur benetzbaren Stoff überzogen. Außerdem kann auf Wärmeleitung bei.
der Kuppe zur Verbesserung der Haftung Zinn oder Die Trägerplatte 1 hat gemäß der Erfindung eine
Indium aufgebracht sein. Zum Erzielen einer beson- Bohrung 5 zum Absaugen des überschüssigen Kollekders guten Benetzung ist ein Lötmittel auf der Hohl- 30 tormaterials 2. 14 ist der Emitteranschluß, der mit seite und an den Wänden der Bohrung 5 und der elektrischen Zuführung 10 verbunden ist. 15 ist gegebenenfalls auf der Kuppe Γ der Trägerplatte der Anschluß an den Basisring 4, dessen Duorch- oder ein Überzug aus Gold, aufgebracht. Durch die führung durch das Gehäuse im Schnitt der Fig. 2 Legierungspille 6 wird der Emitter-pn-Übergang 8 nicht sichtbar ist, in Fig. 2 a jedoch durch die gegebildet, dessen wirksame Fläche im vorliegenden 35 strichelte Linie 15 angedeutet ist. 16 ist die Ζτί Falle kleiner als die des Kollektor-pn-Übergangs 3 führung für den Kollektor. Die Kappe 12 ist mit ist. Auf den Halbleiterkörper 7 ist der ringförmige ihrem nach auswärts gebogenen Rand 12' auf die Basisanschluß 4 aufgelötet. Grundplatte 11 dicht aufgeschweißt, gegebenenfalls
In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung be- durch Kaltverschweißen. Sie weist eine öffnung 13 steht das Legierungsmetall im wesentlichen aus 40 auf, um das Gehäuse evakuieren oder mit einem Indium und die Trägerplatte aus Kupfer und ist mit trockenen Gas, vorzugsweise Sauerstoff, füllen und Gold überzogen. Der Halbleiterkörper 7 besteht aus dann zulöten zu können. Das Transitorsystem ist η-dotiertem Germanium, in dem durch Einlegieren somit gegen Licht und Luftfeuchtigkeit geschützt, von Indium die p-dotierten Kristallzonen 3 und 8 Die Bohrung in der Trägerplatte 1 wird vorteilhaft
erzeugt sind. Der metallische Basisanschluß 4 besteht 45 derart ausgestaltet, daß sie sich nach unten erweitert, aus Nickel und ist mit einem Anschlußlot aus Zum Ausführungsformen dieses Gedankens sind in den und Arsenzusatz auf dem Germaniumkristall 7 auf- Fig. 3 a, 3 b und 3 c dargestellt, aus denen hervorgeht, gebracht. daß die Bohrung 5 sich entweder facettenartig an
Das bei der Halbleiteranordnung zur Legierung ihrem unteren, der Halbleiteranordnung abgewandten verwendete Metall 2, 6 hat einen Schmelzpunkt, der 50 Ende erweitern kann, oder sich auf ihre ganze Länge unter dem der Legierung liegt, die das Metall mit stetig oder stufenweise nach unten erweitert. Durch dem Halbleiter bildet. Dies ist günstig, da man sonst die enge Öffnung der Bohrung auf der dem Kollekdie Legierungsbildung und das Auflöten auf die tor 2 zugewandten Seite der Trägerplatte 1 wird die Trägerplatte in einem Arbeitsgang durchführen Saugwirkung erzielt. Die Erweiterung am anderen müßte und dadurch leicht Verunreinigungen, insbe- 55 Ende der Bohrung erleichtert das Abfließen des sondere Kupfer aus der Trägerplatte, zum Kollektor- Kollektormaterials auf die Unterseite der Trägerpn-Übergang gelangen könnten. platte, so daß es nicht die Bohrung verstopfen und
Bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung damit unwirksam machen kann, nach dem Verfahren gemäß der Erfindung wird die Die mit den Kreuzen bezeichnete Fläche der
Metallpille 2, die z. B. aus Indium besteht, in den 60 Trägerplatte 1 kann mit einem Metall, z. B. 7mn Halbleiterkörper 7, der z. B. aus η-Germanium her- oder Indium oder einem Weichlot überzogen sein, gestellt ist, einlegiert. Nach dem Legierungsvorgang so daß diese Kuppel' durch das Metall der Elekwird bei einer Temperatur, die mindestens gleich der trode 2 gut benetzt wird.
Schmelztemperatur des Legierungsmetalls (etwa Ferner hat es sich also vorteilhaft erwiesen, beim
160° C bei Indium), aber niedriger als die Ein- 65 Aufsetzen der auf der Trägerplatte 1 zu befestigenden legierungstemperatur ist, die Trägerplatte 1 so dicht Elektrode 2 das flüssig gemachte Metall der Elekan den Halbleiterkörper 7 herangeführt, daß das trode durch Unterdruck in die Bohrung 5 der Träger-Legierungsmetall 2 in die Bohrung 5 eindringt und platte 1 hineinzusaugen.

Claims (10)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-übergang, bei dem nach dem Einlegieren einer Metallpille in einen Halbleiterkörper, bei einer Temperatur des Legierungsmetalls, die mindestens gleich der Schmelztemperatur dieses Metalls, aber niedriger als die Einlegierungstemperatur ist, ein Metallkörper in die Metallpille eingesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallkörper (1) als aufgewölbte Platte ausgebildet wird, deren Kuppe mit einer durchgehenden Bohrung (5) versehen ist, und daß die Kuppe so dicht an den Halbleiterkörper (7) herangeführt wird, daß das Legierungsmetall (2) in die Bohrung (5) des Metallkörpers (1) eindringt und durch die Bohrung (5) hindurch bis auf die der Metallpille abgewandte Hohlseite des Metallkörpers (1) fließt und das Legierungsmetall danach in dieser relativen Lage des Halbleiterkörpers (7) zum Metallkörper (1) zum Erstarren gebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das flüssig gemachte Legierungsmetall (2) der auf dem Metallkörper (1) zu befestigenden Elektrode durch Unterdruck in die Bohrung (S) hineingesaugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Metallkörper (1) verwendet wird, bei dem der Querschnitt der Bohrung (5) stetig oder stufenweise nach unten hin zunimmt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Kuppe der Tragplatte ein Transistorsystem mit seiner Kollektorfläche (2) aufgelötet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrung (5) des Metallkörpers (1) konzentrisch zur scheibenförmigen Fläche des pn-Übergangs angebracht wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kuppe des Metallkörpers (1) mit einem von Legierungsmetall gut benetzbaren Stoff, z. B. Zinn oder Indium, überzogen wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrung (5) und die dem Halbleiterkörper abgewandte Seite des Metallkörpers (1) mit einem vom Legierungsmetall gut benetzbaren Stoff, überzogen wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Legierungsmetall verwendet wird, das mit dem Halbleitermaterial eine Legierung bildet, deren Schmelzpunkt über dem des Legierungsmetalls liegt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein im wesentlichen aus Indium bestehendes Legierungsmetall verwendet und der Metallkörper (1) mit Gold überzogen wird.
10. Nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, hergestellte Halbleiteranordnung, dadurch gekennzeichnet, daß sie mit ihrer zu kühlenden Elektrode, insbesondere der Kollektorelektrode (2) eines Leistungstransistors, auf einen gut wärmeleitenden, konzentrisch zum Gehäuse (12) angeordneten und durch eine sehr dünne Isolierschicht in gutem Wärmekontakt auf einen gut wärmeleitenden, ringförmigen Metallblock (11) festgeklebten Metallkörper (1) angelötet ist, daß ferner das Gehäuse (12) mit seinem nach auswärts gebogenen Rand (12') mit dem Metallkörper (1) bzw. mit dem Metallblock (11) allseitig, insbesondere durch Kaltverschweißung, dicht verbunden ist und daß ferner Öffnungen des Metallkörpers (1) bzw. des Metallblocks (11), die sich überdeckend angeordnet sind, zur dichten Einführung der Stromzuführungen (10, 16, 17) in das Gehäuse (12) dienen.
In Betracht gezogene Druckschriften:
österreichische Patentschrift Nr. 187598;
USA.-Patentschriften Nr. 2725 505, 2779 877.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1230912B (de) * 1960-06-09 1966-12-22 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2725505A (en) * 1953-11-30 1955-11-29 Rca Corp Semiconductor power devices
AT187598B (de) * 1954-04-07 1956-11-10 Int Standard Electric Corp Kristallgleichrichter oder Kristallverstärker
US2779877A (en) * 1955-06-17 1957-01-29 Sprague Electric Co Multiple junction transistor unit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2725505A (en) * 1953-11-30 1955-11-29 Rca Corp Semiconductor power devices
AT187598B (de) * 1954-04-07 1956-11-10 Int Standard Electric Corp Kristallgleichrichter oder Kristallverstärker
US2779877A (en) * 1955-06-17 1957-01-29 Sprague Electric Co Multiple junction transistor unit

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