DE1248167B - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements durch Einlegieren einer Elektrode in einen Halbleiterkoerper aus Germanium - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements durch Einlegieren einer Elektrode in einen Halbleiterkoerper aus GermaniumInfo
- Publication number
- DE1248167B DE1248167B DEP25418A DEP0025418A DE1248167B DE 1248167 B DE1248167 B DE 1248167B DE P25418 A DEP25418 A DE P25418A DE P0025418 A DEP0025418 A DE P0025418A DE 1248167 B DE1248167 B DE 1248167B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cadmium
- tin
- gallium
- solder
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 33
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims description 23
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005275 alloying Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 58
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 33
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 25
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 12
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 10
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 3
- WJCRZORJJRCRAW-UHFFFAOYSA-N cadmium gold Chemical compound [Cd].[Au] WJCRZORJJRCRAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001007 Tl alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- YVIMHTIMVIIXBQ-UHFFFAOYSA-N [SnH3][Al] Chemical compound [SnH3][Al] YVIMHTIMVIIXBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- APAWRDGVSNYWSL-UHFFFAOYSA-N arsenic cadmium Chemical compound [As].[Cd] APAWRDGVSNYWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZIXVIWRPMFITIT-UHFFFAOYSA-N cadmium lead Chemical compound [Cd].[Pb] ZIXVIWRPMFITIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- -1 tin-cadmium-aluminum Chemical compound 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPPYUAGTYWFEKJ-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Ge] Chemical compound [Cd].[Ge] BPPYUAGTYWFEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOll
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer: 1 248 167
Aktenzeichen: P 25418 VIII c/21 j
Anmeldetag: 25. Juli 1960
Auslegetag: 24. August 1967
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements durch Einlegieren
einer Elektrode in einen Halbleiterkörper aus Germanium, bei welchem in einem Oberflächenbereich
des Halbleiterkörpers ein Legierungsmetall oder -metallgemisch unter Bildung einer aus einer Halbleiter-Metall-Legierung
bestehenden Rekristallisationszone einlegiert wird. Derartige Legierungselektroden
finden bei Halbleiteranordnungen, wie beispielsweise bei Transistoren oder Halbleiterdioden,
vielfach Anwendung, insbesondere als legierte p-n-Übergänge mit Richtleitwirkung, etwa der Emitteroder
Kollektorelektrode von Transistoren oder der Gleichrichterelektrode von Halbleiterdioden.
Legierungselektroden der genannten Art sind an sich bekannt. Bisher sind als Legierungsstoffe zur
Herstellung von legierten p-n-Übergängen von Legierungs- und Mikrolegierungsflächentransistoren und
-dioden aus n-Germaniumkörpern oder eigenleitenden Germaniumkörpern fast ausschließlich das
Akzeptormetall Indium und Legierungen aus diesem verwendet worden. Indium schmilzt jedoch bei einer
verhältnismäßig niedrigen Temperatur (155° C) und hat eine verhältnismäßig geringe thermische Leitfähigkeit
(0,057 cal cm/sec cm2 °C). Da Indium schon bei 155° C schmilzt, können mit Indium hergestellte
Transistoren und Dioden nicht bei Temperaturen wesentlich oberhalb IOO0C verwendet oder
aufbewahrt werden. Werden beispielsweise Transistoren mit mit Indium legierten Kollektorübergängen
mit solchen Kollektorströmen betrieben, daß die durchschnittliche Temperatur des Transistors in der
Nähe von 100° C liegt, so steigt die Temperatur in bestimmten begrenzten Bereichen des Indiumkollektors
häufig auf Werte über 155° C. An diesen »Heißstellen« schmilzt das Indium und beginnt, das daran
angrenzende Germanium aufzulösen. Als Folge hiervon durchdringt das geschmolzene Indium häufig
die äußerst dünne Gennanium-Basis-Schicht des Transistors und schließt den Kollektor mit dem
gegenüberliegenden Emitter kurz, wodurch der Transistor zerstört wird. Wegen der geringen Wärmeleitfähigkeit
des Indiums leitet die indiumhaltige Elektrode die Wärme nur langsam von dem p-n-Übergang,
in welchem sie erzeugt wird, ab. Aus diesem Grund und weil Indium schon bei 155° C schmilzt, muß die
maximale Verlustleistung, bei welcher mit Indium hergestellte Transistoren und Dioden betrieben werden
können, verhältnismäßig niedrig gehalten werden, um eine bleibende Beschädigung derartiger Anordnungen
durch Überhitzung zu vermeiden.
Ferner bereitet es wegen des niedrigen Schmelz-
Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterbauelements durch Einlegieren
einer Elektrode in einen Halbleiterkörper aus
Germanium
Halbleiterbauelements durch Einlegieren
einer Elektrode in einen Halbleiterkörper aus
Germanium
Anmelder:
Philco-Fort Corporation,
eine Gesellschaft nach den Gesetzen des Staates
Delaware, Philadelphia, Pa. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. C Wallach, Dipl.-Ing. G. Koch
und Dr. T. Haibach, Patentanwälte,
München 2, Kaufingerstr. 8
und Dr. T. Haibach, Patentanwälte,
München 2, Kaufingerstr. 8
Als Erfinder benannt:
George Luther Schnäble,
Lansdale, Pa. (V. St. A.)
George Luther Schnäble,
Lansdale, Pa. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 24. Juli 1959 (829 436) --
punktes von Indium auch Schwierigkeiten, eine Anordnung mit einem unter Verwendung von Indium
legierten p-n-Übergang bei der Herstellung im Vakuum auszuheizen, um aus ihren Elektroden und aus
dem Halbleiterkörper unerwünschte Verunreinigungen wie beispielsweise Einschlüsse von bei der Herstellung
verwendeten Gasen, Salzen und Lösungsmitfei zu entfernen. Als Folge davon haben derartige
Anordnungen häufig nur verhältnismäßig kurze Betriebslebensdauer, da sie durch die auch nach der
Ausheizung noch vorhandenen Verunreinigungen zunehmend vergiftet werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die geschilderten Nachteile von Halbleiteranordnungen
mit Legierungseiektroden nach dem Stand der Technik zu überwinden. Durch die Erfindung
sollen Legierungselektroden der genannten Art geschaffen werden, welche bei der Herstellung die
Anwendung höherer Temperaturen zulassen und für die fertiggestellte Halbleiteranordnung ebenfalls die
709 638/425
Aufbewahrung bzw. den Betrieb bei höheren Temperaturen gestatten als dies bisher der Fall war.
Zu diesem Zweck ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß als Legierungsmetall für die Herstellung
und Dotierung der Rekristallisationszone Kadmium oder ein Kadmium enthaltendes Metallgemisch verwendet
wird, welches neben Kadmium noch Zinn, Zinn und Gallium, Zinn und Aluminium, Zinn und
Aluminium sowie Gallium, Gallium, Aluminium oder Aluminium und Gallium enthält.
Es ist bereits ein Verfahren zur Herstellung von legierten p-n-Übergängen bekannt, bei welchem
Aluminium oder Antimon als Dotierungsmaterial auf einen Germanium- oder Siliziumhalbleiterkörper aufgebracht
und auf eine oberhalb der Eutektikumstemperatur des Dotierungsmaterials und des Halbleiterkörpers,
jedoch unterhalb des Schmelzpunktes des Halbleitermaterials liegende Temperatur erhitzt
wird, worauf man die so erhaltene Zweistofflegierung langsam auf eine noch oberhalb der eutektischen
Temperatur liegende Temperatur abgekühlt wird, wobei der den p-n-Übergang bildende Rekristallisationsbereich
entsteht; zur Vermeidung übermäßiger mechanischer Spannungen und dadurch bedingter
eventueller Rißbildungen in dem Halbleiterkörper als Folge des Erhitzens und Abkühlens ist bei dem
bekannten Verfahren vorgesehen, daß man die Zweistofflegierung, während sie auf der erwähnten gerade
noch oberhalb der eutektischen Temperatur liegenden Temperatur gehalten wird, mit einem geschmolzenen
Metall übergießt, das einen niedrigen Schmelzpunkt besitzt, mechanisch weich und mit dem geschmolzenen
Dotierungsmaterial nur unvollständig mischbar sein soll; unter anderem kommt auf
Grund seiner Eigenschaften auch Kadmium als derartiges Übergußmittel in Frage. Die das Überzugsmetall enthaltenden Außenschichten werden nach
dem vollständigen Abkühlen der Gesamtanordnung durch Ätzung wieder entfernt und sodann die Außenzuleitungen
angebracht. Bei dem bekannten Verfahren dient somit das Kadmium ausschließlich als
Weichmacherübergußmetall, das erst nach der Bildung des die eigentliche p-n-Legierungsschicht darstellenden
Rekristallisationsbereich auf diesen aufgebracht wird und lediglich das Auftreten übermäßiger
mechanischer Spannungen bei dem nachfolgenden vollständigen Abkühlvorgang verhindern soll.
An der die eigentliche p-n-Schicht bildenden Dotierungszone ist das Kadmium bei dem bekannten Verfahren
nicht beteiligt. Insbesondere enthält der fertiggestellte p-n-Übergang bei dem bekannten Verfahren,
da die kadmiumhaltigen Außenschichten abschließend wieder weggeätzt werden, praktisch kein
Kadmium mehr. Die Verwendung von Kadmium als Dotierungsmetall bei der Herstellung von Legierungsp-n-Übergängen
gemäß der Erfindung ist der Entgegenhaltung nicht zu entnehmen.
Die Verwendung einiger der obengenannten Aktivatorsubstanzen, die gegebenenfalls neben Kadmium
bei dem Verfahren gemäß der Erfindung verwendet werden können, insbesondere von Gallium und Aluminium,
ist an sich bekannt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Herstellung der Legierungselektrode
in der Weise, daß eine Metallmenge aus dem Kadmium bzw. aus dem Kadmium enthaltenden
Metallgemisch in an sich bekannter Weise auf den für die Legierungselektrode vorgesehenen Ober-
flächenbereich des Halbleiterkörpers aufgebracht und so weit erhitzt wird, daß sich eine Schmelze aus dem
Legierungsmetall und dem Halbleitermaterial bildet und daß diese Schmelze sodann unter seine Solidustemperatur
abgekühlt wird, wodurch unmittelbar unterhalb der Oberfläche die Rekristallisationszone entsteht.
Eine bevorzugte Verfahrensführung besteht dabei darin, daß der für die Legierungselektrode vorgesehene
Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers
ίο vor dem Aufbringen des Legierungsmetalls mit einem Überzug aus Kadmium versehen wird, und daß das
Legierungsmetall anschließend so weit erhitzt wird, daß sich eine Schmelze aus dem Legierungsmetall,
dem genannten Kadmiumüberzug und dem darunter befindlichen Bereich des Germaniumhalbleiterkörpers
bildet.
Das Verfahren gemäß der Erfindung hat den besonderen Vorteil, daß gleichzeitig mit der Herstel·
lung der eigentlichen Legierungselektrode die Ver-
ao bindung einer äußeren Zuleitung mit der Legierungselektrode in einem Arbeitsgang erfolgen kann; zu
diesem Zweck wird der für die Legierungselektrode vorgesehene Bereich des Germaniumhalbleiterkörpers mit einem Kadmiumüberzug versehen und zwi-
sehen die äußere Zuleitung und dem Kadmiumüberzug das Legierungsmaterial eingebracht, so daß beim
Legieren die Zuleitung befestigt wird. Das Einbruvgen des Lots zwischen das Ende der äußeren Zuleitung
und den Kadmiumüberzug erfolgt dabei zweckmäßig in der Weise, daß das mit dem Halbleiterkörper
zu verbindende Ende der äußeren Zuleitung mit dem Lot überzogen und dieser mit der
Lotperle versehene Bereich der äußeren Zuleitung sodann gegen den mit dem Kadmiumüberzug versehene
Bereich des Halbleiterkörpers gelegt wird. Der Kadmiumüberzug kann vorzugsweise auf galvanischem
Wege, beispielsweise durch elektrolytische Strahlplattierung, auf die Halbleiterkörperoberfiäche
aufgebracht werden.
Da das Kadmium-Germanium-Eutektikum bei 319° C schmilzt, d. h. 164° C oberhalb des Schmelzpunktes
von Indium, können die Verbindungen mit der Kadmiumelektrode unter Verwendung von Loten
hergestellt werden, deren Solidustemperatur wesentlieh höher als die von Loten ist, wie sie zur Befestigung
von Leitern an indiumhaltigen Elektroden verwendet werden können.
Kadmium bzw. die angegebenen Kadmium enthaltenden Metallgemische besitzen Akzeptoreigenschäften
und ergeben daher bei Herstellung an einem n-Halbleiterkörper einen p-n-Übergang.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ist jedoch nicht auf die Herstellung von Legierungselektroden
an η-Germanium beschränkt. Es eignet sich beispielsweise auch zur Herstellung eines p-n-Überganges an
einem p-Germaniumhalbleiterkörper; 2x1 diesem Zweck braucht lediglich das Legierungsmaterial zusätzlich
eine Donorsubstanz in hinreichender Menge enthalten, welche die Akzeptoreigenschaften des
Kadmiums und eventuell anderer Legierungsbestandteile mit Akzeptoreigenschaften überkompensiert.
Schließlich eignet sich das Verfahren ersichtlich auch zur Herstellung einer ohmschen Elektrode an
einem p-Germaniumkörper.
Die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten Legierungselektroden besitzen gegenüber
den bisher bekannten wesentliche Vorteile. Da die obengenannten Lotlegierungen erst bei wesent-
lieh oberhalb des Schmelzpunktes von Indium liegenden Temperaturen zu schmelzen beginnen, können
damit hergestellte Halbleiteranordnungen bei entsprechend höheren Temperaturen im Vakuum ausgeheizt
werden; die Oberfläche des Germaniumhalbleiterkörpers kann daher besser von Verunreinigungen
befreit werden, als dies bisher bei mit Indium hergestellten Anordnungen praktisch möglich war.
Ferner können die gemäß der Erfindung hergestellten Halbleiterbauelemente wesentlich höhere Betriebsund
Lagertemperaturen vertragen, ohne daß eine Auflösung von Teilen ihrer Elektroden eintritt. Da
ferner Kadmium eine Wärmeleitfähigkeit von etwa 0,22 cal cm/sec cm2 °C, d. h. eine etwa 4mal so
große Wärmeleitfähigkeit wie Indium besitzt, können derartige Bauelemente je Volumeneinheit wesentlich
mehr Wärme für einen gegebenen zulässigen Temperaturanstieg des p-n-Überganges ableiten als
ein mit Indium legiertes Bauelement.
Das Verfahren nach der Erfindung wird an Hand der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen
der Zeichnung erläutert. In dieser zeigen
Fig. 1 bis 3 schematische Schnittdarstellungen eines gemäß der Erfindung hergestellten Transistors
in verschiedenen Stadien seiner Herstellung,
Fig.4 eine schematische Schnittdarstellung einer anderen Ausführangsform eines Transistors,
F i g. 5 bis 7 schematische Schnittdarstellungen einer Diode in verschiedenen Herstellungsstadien.
F i g. 1 zeigt einen teilweise fertiggestellten Transistor, der ein rechteckiges Plättchen 10 aus n-Germanium
mit einem spezifischen Widerstand von etwa 1 Ohm-cm als typischen Wert besitzt, dessen Länge
etwa 0,18 cm, dessen Breite 0,125 cm und dessen Dicke 0,125 mm betragen. An dem Plättchen 10 ist
eine dünne Basisschicht 12 herausgearbeitet, beispielsweise durch elektrolytische Strahlätzung in solcher
Weise, daß einander gegenüberliegende koaxiale Vertiefungen entstehen, deren Oberflächen 14, 16 in
wesentlichen ebene Bereiche haben, die parallel zueinander in einem sehr geringen Abstand von beispielsweise
etwa 2,5 · IO-3 cm voneinander verlaufen. Eine üblicherweise als Nickellasche ausgebildete
Basiselektrode 18 ist an dem einen Ende des Plättchens 10 mit Hilfe eines Lotkörpers 20 befestigt,
der einen im wesentlichen ohmschen Kontakt ergibt und z. B. aus Zinn—Blei mit einem Arsengehalt von
etwa 0,5 Gewichtsprozent oder einem Bleit(Iot) mit einem Antimongehalt von etwa 2 Gewichtsprozent
besteht.
Auf die Oberflächen 14 bzw. 16 des Plättchens 10 werden Scheibchen 22 bzw. 24, die im wesentlichen
aus reinem Kadmium bestehen, aufgebracht, beispielsweise im elektrolytischen Strahlplattierverfahren.
Die Scheibe 22, unterhalb welcher der Emitterübergang erzeugt werden soll, hat etwas kleineren
Durchmesser als die Scheibe 24, unterhalb der der Kollektorübergang hergestellt werden soll. In einem
typischen Fall hat die Scheibe 22 einen Durchmesser von etwa 0,1 mm, die Scheibe 24 einen solchen von
etwa 0,15 mm.
Als nächstes wird in dem unter der Scheibe 22 liegenden Bereich des Plättchens 10 ein Emitter-Mikrolegierungs-p-n-Übergang
erzeugt. Zu diesem Zweck wird das im Elektroplattierverfahren mit einem Kügelchen 28 aus einem Zinn-Kadmium-Gallium-Lot
versehene Ende eines Nickelzuleitungsdrahtes 26 koaxial gegen die Kadmiumscheibe 22 gelegt.
Vorzugsweise liegt der Kadmiumgehalt des Kügelchens 28 zwischen etwa 15 und etwa 20 Gewichtsprozent;
der Galliumgehalt beträgt etwa 1,5 Gewichtsprozent. Ein derartiges Lot beginnt bei etwa
170° C zu schmelzen. Das Kügelchen 28 wird sodann geschmolzen, indem es durch Strahlung oder
Wärmeleitung über den Draht 26 beispielsweise auf eine Temperatur von etwa 300° C erhitzt wird, derart,
daß das Kügelchen 28, die Scheibe 22 und ein ίο außerordentlich dünner Bereich des Halbleiterkörpers
unmittelbar unterhalb der Scheibe 22 eine Schmelze bilden. Fast unmittelbar nach Bildung dieser
Schmelze wird die Erhitzung abgebrochen und die Schmelze unter ihre Solidustemperatur abgekühlt.
Als Folge dieser Abkühlung bildet sich in einem Bereich des Plättchens 10 unterhalb der Scheibe 22
ein rekristallisierter Bereich 30, der nur etwa 2,5 · IO-5 mm dick ist und eine verhältnismäßig hohe
Galliumkonzentration aufweist. Auf Grund dieser ao verhältnismäßig hohen Galliumkonzentration ist der
Bereich 30 durch ein vorzügliches Injektionsvermögen für Defektelektronen trotz seiner außerordentlichen
Dünne ausgezeichnet. Außerdem wird der Zuleitungsdraht 26 mit dem Plättchen 10 im Bereich 30
durch einen Lötsaum 32 fest verbunden.
Sodann wird der Kollektor-p-n-Übergang hergestellt, indem man das Ende eines Zuleitungsdrahtes
34 mit einem daran befestigten Kügelchen 36 eines Zinn-Kadmium-Lotes koaxial gegen die Kadmiumscheibe
24 legt, das Kügelchen 36 sodann so weit erhitzt, daß eine Schmelze aus dem Kügelchen,
der Scheibe 24 und einem dünnen darunterliegenden Bereich des Plättchens 10 entsteht, und diese sodann
unter ihre Solidustemperatur abkühlt. Vorzugsweise enthält das Kügelchen 36 etwa 35 Gewichtsprozent
Kadmium. Durch diese Verfahrensschritte wird in dem Plättchen 10 ein rekristallisierter Bereich 38
(vgl. F i g. 3) von p-Leitfähigkeit erzeugt und der Zuleitungsdraht 34 durch einen Lotsaum 40 fest damit
verbunden. Die Akzeptorsubstanz in diesem p-Rekristallisationsbereich stellt das Kadmium der
Scheibe 16 und des Kügelchens 36 dar.
Der elektrolytisch mit dem Kügelchen 28 aus dem Legierungsmaterial versehene Draht 26 kann nun mit
dem Plättchen 10 verbunden werden, indem man die bereits oben beschriebenen Arbeitsschritte: Lötung
und Abkühlung ausführt. Da die benutzte, auch Ammoniumchlorid enthaltende Plattierungslösung bei
140° C verhältnismäßig zähflüssig ist, bleibt eine Schicht dieser Lösung an dem Kügelchen 28 bei der
Herausnahme aus der Lösung haften. Diese Schicht wirkt als vorzügliches Flußmittel für die folgende
Lötung, so daß zur Erzielung einer guten Lötung kein zusätzliches Flußmittel an dem Kügelchen 28 oder
der Scheibe 22 angewandt zu werden braucht.
Das Kügelchen 36 aus Zinn-Kadmium-Lot wird auf galvanischem Wege auf das Ende des Zuführungsdrahtes
34 nach dem in der USA.-Patentschrift 2818 375 beschriebenen Verfahren aufgebracht.
Die vorstehende Beschreibung betrifft Aufbau und Herstellungsverfahren eines Mikrolegierungstransistors mit einer homogenen, n-halbleitenden Basisschicht 12. Mit dem Verfahren nach der Erfindung können jedoch auch hinsichtlich des Aufbaues andere Bauelemente hergestellt und das angegebene Legierungsmetall kann auch bei anderen Verfahren als dem Mikrolegierungsverfahren benutzt werden. In dieser Hinsicht wird auf Fig. 4 verwiesen, die in
Die vorstehende Beschreibung betrifft Aufbau und Herstellungsverfahren eines Mikrolegierungstransistors mit einer homogenen, n-halbleitenden Basisschicht 12. Mit dem Verfahren nach der Erfindung können jedoch auch hinsichtlich des Aufbaues andere Bauelemente hergestellt und das angegebene Legierungsmetall kann auch bei anderen Verfahren als dem Mikrolegierungsverfahren benutzt werden. In dieser Hinsicht wird auf Fig. 4 verwiesen, die in
Teildarstellung einen nach der Erfindung hergestellten Mikrolegierungsleistungstransistor mit einer Diffusionsbasisschicht
zeigt. Dieser Transistor weist ein Plättchen 50 aus η-Germanium mit einem Bereich 52
hohen spezifischen Widerstandes von beispielsweise 20 Ohm-cm und Bereichen 54 und 56 mit niedrigerem
spezifischem Widerstand auf. Im einzelnen hat jeder der Bereiche 54 und 56, die im typischen Fall
in der Weise hergestellt werden, daß man einen Dotierungsstoff vom η-Typ, beispielsweise gasförmiges
Arsen, in die Oberflächen des Plättchens eindiffundieren läßt, einen spezifischen Widerstand von
nur etwa 0,0005 Ohm-cm an der Außenoberfläche des Plättchens. Dieser spezifische Widerstand nimmt
von den Oberflächen des Plättchens 50 aus mit zunehmendem Abstand annähernd exponentiell zu und
wird schließlich gleich dem hohen spezifischen Widerstand des Bereichs 52 in etwa 2,5 · IO-3 mm
Entfernung unterhalb dessen Oberfläche.
Wie aus der F i g. 4 ersichtlich, sind zwei gegenüberliegende, im wesentlichen koaxiale Vertiefungen
58 und 60 im elektrolytischen Strahlverfahren in das Plättchen 50 geätzt. Die Vertiefung 58 ist flach, derart,
daß ihre Oberfläche 62 völlig innerhalb des Bereiches 54 mit niedrigerem spezifischem Widerstand
liegt, während die Vertiefung 60 tief ist, so daß ihre Oberfläche 64 ganz durch den Bereich 56 hindurch
weit in den Bereich 52 einschneidet. In Fällen, in denen ein bei hohen Kollektorspannungen zu betreibender
Transistor gewünscht wird, wird der Bereich der Oberfläche 64, welcher der Oberfläche 62 am
nächsten kommt und in welchem die Kollektorp-n-Schicht erzeugt werden soll, so hergestellt, daß
sie innerhalb des Bereiches 52 mit hohem spezifischem Widerstand liegt, wie dies in Fig.4 dargestellt
ist. In Fällen, in denen ein bei verhältnismäßig niedrigen Kollektorspannungen zu betreibender
Transistor erwünscht ist, wird derjenige Teil der Oberfläche 64, welcher der Oberfläche 62 am nächsten
kommt, so hergestellt, daß er innerhalb der Schicht 54 mit niedrigerem spezifischem Widerstand
hegt. Vorzugsweise sind diejenigen Teile der Oberflächen 62 und 64, innerhalb welcher die Emitter-
und Kollektor-p-n-Schichten angebracht werden sollen, im wesentlichen eben und zueinander parallel.
Zur Herstellung eines Basisanschlusses an den Bereich 54 des Plättchens 50 wird an diesem eine
Nickelscheibe 65 angebracht, d. h. im elektrolytischen Strahlplattierverfahren aufgalvanisiert, und ein
Zuleitungsdraht 66 an die Scheibe 65 mit einem Kadmium-Zinn-Lot 68, das etwa 35 Gewichtsprozent
Kadmium enthält, angelötet.
Die Emitter- und Kollektorübergänge in dem Plättchen 50 werden in der oben bereits mit Bezug
auf den in den F i g. 1 bis 3 dargestellten Transistor beschriebenen Weise erzeugt. Kurz gesagt werden
(nicht dargestellte) Kadmiumscheiben im elektrolytischen Strahlplattierverfahren auf die Oberflächen
62 und 64 aufgalvanisiert. Das mit einem Lot, aus 15 bis 20 Gewichtsprozent Kadmium, etwa 1,5 Gewichtsprozent
Gallium und dem Rest Zinn bestehend, überzogene Ende eines Drahtes 70 wird
gegen die auf die Oberfläche 62 plattierte Kadmiumscheibe gelegt. Dieses Lot wird sodann so weit erhitzt,
daß es mit der Kadmiumscheibe und einem darunterliegenden, extrem dünnen Bereich des Bereiches
54 legiert und die Schmelze fast unmittelbar danach unter ihre Solidustemperatur abgekühlt wird,
wodurch der rekristallisierte Bereich 72 entsteht und der Zuleitungsdraht 70 mit diesem durch einen Lotsaum
74 verbunden wird.
Zur Erzeugung eines Kollektorüberganges und zur Befestigung eines verhältnismäßig massiven Silberstiftes 76 an dem mit diesem p-n-Übergang verbundenen rekristallisierten Bereich wird das Ende 78 des Silberstiftes 76 mit einem im wesentlichen aus etwa 60 Gewichtsprozent Kadmium und etwa 40 Gewichtsprozent Zinn bestehenden Lot überzogen. Das Ende 78 wird sodann gegen die auf der Oberfläche 64 plattierte Kadmiumscheibe gelegt und das Lot auf eine Temperatur erhitzt, welche ausreicht, daß das Lot, die Scheibe und ein dünner darunterliegender Bereich des Bereichs 52 eine Schmelze bilden. Beim Abkühlen dieser Schmelze entsteht ein rekristallisierter Bereich 80, der Kadmium als eine Akzeptorverunreinigung enthält. Der Stift 76 ist mit diesem rekristallisierten Bereich durch den Lötsaum 82 verao bunden. Hierauf wird die gesamte Vorrichtung durch elektrolytische Ätzung des dem Lötsaum 82 benachbarten Oberflächenbereichs 64 mit einem Strahl einer wäßrigen Kaliumhydroxydlösung gereinigt. Sodann wird der Metallstift in innigem thermischem Kontakt mit dem (nicht dargestellten) metallischen Gehäuse des Transistors befestigt.
Zur Erzeugung eines Kollektorüberganges und zur Befestigung eines verhältnismäßig massiven Silberstiftes 76 an dem mit diesem p-n-Übergang verbundenen rekristallisierten Bereich wird das Ende 78 des Silberstiftes 76 mit einem im wesentlichen aus etwa 60 Gewichtsprozent Kadmium und etwa 40 Gewichtsprozent Zinn bestehenden Lot überzogen. Das Ende 78 wird sodann gegen die auf der Oberfläche 64 plattierte Kadmiumscheibe gelegt und das Lot auf eine Temperatur erhitzt, welche ausreicht, daß das Lot, die Scheibe und ein dünner darunterliegender Bereich des Bereichs 52 eine Schmelze bilden. Beim Abkühlen dieser Schmelze entsteht ein rekristallisierter Bereich 80, der Kadmium als eine Akzeptorverunreinigung enthält. Der Stift 76 ist mit diesem rekristallisierten Bereich durch den Lötsaum 82 verao bunden. Hierauf wird die gesamte Vorrichtung durch elektrolytische Ätzung des dem Lötsaum 82 benachbarten Oberflächenbereichs 64 mit einem Strahl einer wäßrigen Kaliumhydroxydlösung gereinigt. Sodann wird der Metallstift in innigem thermischem Kontakt mit dem (nicht dargestellten) metallischen Gehäuse des Transistors befestigt.
Im Betrieb des Transistors dient dieses Gehäuse zur Ableitung der im Kollektorübergang erzeugten
und über den Silberstift 76 wirksam an das Gehäuse übertragenen Wärme. Da der wärmeleitende Silberstift
76 an dem Plättchen 52 mittels eines Zinn-Kadmium-Lotes befestigt ist, wird die Wärme auf den
Stift 76 viel besser übertragen, als dies bei einer Anordnung, in welcher der Silberstift mittels eines Indiumlotes
befestigt ist, möglich ist. Der Leistungstransistor nach Fig. 4 kann daher bei höheren
Leistungen betrieben werden als ein mit einem Indiumlot hergestellter Transistor gleicher Abmessungen.
Nach einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens kann der p-n-Übergang so hergestellt werden,
daß eine Pille aus der angegebenen Kadmiumlegierung auf den Halbleiterkörper gelegt und in diesen
einlegiert wird. Dieses zuletzt genannt Verfahren wird nun an Hand der F i g. 5, 6 und 7 im einzelnen
beschrieben.
F i g. 5 zeigt im einzelnen ein Plättchen 100 aus η-Germanium, auf dessen einer Oberfläche eine
Tablette 102 aus Kadmium liegt. Das Plättchen 100 hat einen spezifischen Widerstand von etwa
1 Ohm-cm. Da Kadmium verhältnismäßig schwache Akzeptoreigenschaften hat, die leicht durch die Gegenwart
von Donorfremdatomen überdeckt werden können, soll das Kadmium der Tablette 102 von
hohem Reinheitsgrad sein, d. h., es darf praktisch keine Donorsubstanzen enthalten, damit ein p-n-Übergang
entsteht.
Beim Abkühlen des geschmolzenen Kadmium-Germanium-Gemisches unter dessen Solidustemperatür
entsteht ein rekristallisierter p-Bereich 104 in dem Plättchen 100, der aus mit Kadmium dotierten
Germanium besteht und einen p-n-Übergang 106 (s. F i g. 6) aufweist. Zur Fertigstellung der Diode
wird eine aus Nickel bestehende Basislasche 108 an der gegenüberliegenden Oberfläche des Plättchens
100 mit einem Lot 110 befestigt, das zweckmäßig aus Zinn oder einer der oben erwähnten Blei-Arsen-:
oder Blei-Antimon-Legierungen besteht. Ferner wird
Claims (1)
1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements durch Einlegieren einer Elektrode
in einen Halbleiterkörper aus Germanium, bei
709 638/425
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US829436A US3005735A (en) | 1959-07-24 | 1959-07-24 | Method of fabricating semiconductor devices comprising cadmium-containing contacts |
US134352A US3186879A (en) | 1959-07-24 | 1961-08-28 | Semiconductor devices utilizing cadmium alloy regions |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1248167B true DE1248167B (de) | 1967-08-24 |
Family
ID=26832237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP25418A Pending DE1248167B (de) | 1959-07-24 | 1960-07-25 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements durch Einlegieren einer Elektrode in einen Halbleiterkoerper aus Germanium |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3186879A (de) |
DE (1) | DE1248167B (de) |
GB (1) | GB958795A (de) |
NL (1) | NL252974A (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3463972A (en) * | 1966-06-15 | 1969-08-26 | Fairchild Camera Instr Co | Transistor structure with steep impurity gradients having fast transition between the conducting and nonconducting state |
US3584268A (en) * | 1967-03-03 | 1971-06-08 | Xerox Corp | Inverted space charge limited triode |
JPS5750053B1 (de) * | 1970-06-30 | 1982-10-25 | ||
US3769563A (en) * | 1972-05-03 | 1973-10-30 | Westinghouse Electric Corp | High speed, high voltage transistor |
US3771028A (en) * | 1972-05-26 | 1973-11-06 | Westinghouse Electric Corp | High gain, low saturation transistor |
US3777227A (en) * | 1972-08-21 | 1973-12-04 | Westinghouse Electric Corp | Double diffused high voltage, high current npn transistor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1005646B (de) * | 1953-10-26 | 1957-04-04 | Western Electric Co | Verfahren zur Erzeugung von grossflaechigen, rissefreien Halbleiter-p-n-Verbindungen |
FR1140519A (fr) * | 1954-12-23 | 1957-07-24 | Gen Electric Co Ltd | Fabrication de semi-conducteurs |
FR1141491A (fr) * | 1954-11-24 | 1957-09-03 | Philips Nv | Système d'électrodes |
DE1036392B (de) * | 1954-02-27 | 1958-08-14 | Philips Nv | Transistor mit Mehrstoffemitter |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2496692A (en) * | 1947-03-20 | 1950-02-07 | Westinghouse Electric Corp | Selenium rectifier |
US2742383A (en) * | 1952-08-09 | 1956-04-17 | Hughes Aircraft Co | Germanium junction-type semiconductor devices |
-
0
- NL NL252974D patent/NL252974A/xx unknown
-
1960
- 1960-07-25 DE DEP25418A patent/DE1248167B/de active Pending
- 1960-07-25 GB GB25797/60A patent/GB958795A/en not_active Expired
-
1961
- 1961-08-28 US US134352A patent/US3186879A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1005646B (de) * | 1953-10-26 | 1957-04-04 | Western Electric Co | Verfahren zur Erzeugung von grossflaechigen, rissefreien Halbleiter-p-n-Verbindungen |
DE1036392B (de) * | 1954-02-27 | 1958-08-14 | Philips Nv | Transistor mit Mehrstoffemitter |
FR1141491A (fr) * | 1954-11-24 | 1957-09-03 | Philips Nv | Système d'électrodes |
FR1140519A (fr) * | 1954-12-23 | 1957-07-24 | Gen Electric Co Ltd | Fabrication de semi-conducteurs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3186879A (en) | 1965-06-01 |
GB958795A (en) | 1964-05-27 |
NL252974A (de) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1086350B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, z. B. eines Siliziumgleichrichters | |
DE112014002345B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für die Halbleitervorrichtung | |
DE1292260B (de) | Silicium-Halbleiteranordnung mit Legierungselektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE976348C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergaengen und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente | |
DE1084381B (de) | Legierungsverfahren zur Herstellung von pn-UEbergaengen an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers | |
DE1464622A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
CH359211A (de) | Silicium-Halbleitervorrichtung | |
DE1093484B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere pnp- oder npn-Leistungstransistoren | |
DE3650544T2 (de) | Bleibasislegierungen und Verwendung zum Herabsetzen der Elektromigrationsaktivität | |
DE1236660B (de) | Halbleiteranordnung mit einem plattenfoermigen, im wesentlichen einkristallinen halbleiterkoerper | |
DE1248167B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements durch Einlegieren einer Elektrode in einen Halbleiterkoerper aus Germanium | |
DE1508356A1 (de) | Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung | |
DE2943863A1 (de) | Halbleiterbauelement und verfahren zur kontaktierung eines teilbereichs einer halbleiterflaeche | |
DE1113519B (de) | Siliziumgleichrichter fuer hohe Stromstaerken | |
DE1125551B (de) | Verfahren zur Herstellung eines legierten pn-UEbergangs sehr geringer Eindringtiefe in einem Halbleiterkoerper | |
DE4306871C2 (de) | Lötverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1298387C2 (de) | Halbleiter-Anordnung | |
DE1093911B (de) | Verfahren zur Befestigung einer metallischen Kontakt-Elektrode an dem Koerper aus halbleitendem Material einer Halbleiteranordnung | |
DE1116827B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mindestens einer Legierungselektrode | |
DE1266510B (de) | Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkoerper mit mindestens einem Kontakt und Verfahren zum Herstellen | |
DE1414540C (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1170758B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung | |
DE1197551B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-anordnungen fuer grosse Stromstaerken, insbesondere von Silizium-Leistungsgleichrichtern | |
DE2041448C3 (de) | Eleetrolumineszenzeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1483293C (de) | Legierung fur eine Siliziumdiode mit ubersteüer Grenzflache und veränderlicher Kapazität und Verfahren zu ihrer Herstel lung |