DE1125551B - Verfahren zur Herstellung eines legierten pn-UEbergangs sehr geringer Eindringtiefe in einem Halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines legierten pn-UEbergangs sehr geringer Eindringtiefe in einem Halbleiterkoerper

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DE1125551B
DE1125551B DEP18467A DEP0018467A DE1125551B DE 1125551 B DE1125551 B DE 1125551B DE P18467 A DEP18467 A DE P18467A DE P0018467 A DEP0018467 A DE P0018467A DE 1125551 B DE1125551 B DE 1125551B
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Richard Austin Williams
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Philco Ford Corp
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