DE1071847B - Verfahren zur Herstellung einer im wesentlichen nicht gleichrichtenden flächenhaften Elektrode an dem Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung durch Legierung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer im wesentlichen nicht gleichrichtenden flächenhaften Elektrode an dem Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung durch Legierung

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DE1071847B
DE1071847B DENDAT1071847D DE1071847DA DE1071847B DE 1071847 B DE1071847 B DE 1071847B DE NDAT1071847 D DENDAT1071847 D DE NDAT1071847D DE 1071847D A DE1071847D A DE 1071847DA DE 1071847 B DE1071847 B DE 1071847B
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Summit N. J. Duncan Hutchings Looney (V. St. A.)
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Description

ν=·
BUNDESKEPUBLIK DEUTSCHLAND
C 30 B 3 I/O i*
» kl. 21 a ii/o
DEUTSCHES
g 11/02
INTERNAT. KL. H 01 1
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT 1071847
W 20413 VIHc/21g
ANMELDETAG: 10. JANUAR 1957
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UND AUSGABE DER
AÜSLEGESCHRIFT: 24. DEZEMBER 1959
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer im wesentlichen nicht gleichrichtenden flächenhaften Elektrode an dem Halbleiterkörper, z. B. aus Germanium, Silizium oder einer Germanium-Silizium-Legierung, einer Halbleiteranordnung durch Legierung.
Bei vielen Halbleiteranordnungen ist es wesentlich, eine Elektrode derart an dem Halbleiterkörper anzubringen, daß die Kontaktstelle keine Gleichrichterwirkung hat und einen möglichst kleinen Widerstand aufweist. Dabei ist es sehr erwünscht, wenn die Elektrode auch mechanisch fest mit dem Halbleiterkörper verbunden ist und darüber hinaus weder die elektrischen noch die mechanischen Eigenschaften der Verbindung zwischen Elektrode und Halbleiterkörper durch Temperatureinflüsse verändert werden. Diese Bedingungen sind besonders schwer zu erfüllen, wenn Halbleiterkörper eines Leitfähigkeitstyps mit einer dünnen Oberflächenschicht eines anderen Leitfähigkeitstyps verwendet werden sollen. Solche dünnen Oberflächenschichten können z. B. durch Dampfdiffusionsverfahren mit sehr genau einstellbarer Tiefe und genau spezifischem Widerstand hergestellt werden. Es ist nun außerordentlich schwierig, Elektroden auf solche dünnen diffundierten, sehr hitzeempfindlichen Schichten anzubringen.
Bisher wurden ohmsche Anschlüsse an Halbleiterkörpern mittels üblicher Legierungs- oder Lötverfahren hergestellt, oder es wurden Druckkontakte verwendet. Eine andere Möglichkeit war, sehr dünne, zusammenhängende metallische Filme galvanisch anzubringen, an welche dann ein Leiter angelötet wurde. Solche Verbindungen waren jedoch sehr unbefriedigend. Insbesondere ließ die mechanische Festigkeit und die Tetnperaturempfindlichkeit solcher Verbindüngen sehr zu wünschen übrig.
Bei der Herstellung von Punktkontaktelektroden an Halbleiterkörpern, die Gleichrichtereigenschaften aufweisen, ist es bereits bekannt, Anschluß drähte als Elektroden zu verwenden, die mit einem dem Leitungstyp des Halbleitermaterials bestimmenden Material plattiert sind. Es wurde dazu auch schon vorgeschlagen, den Anschlußdraht mit zwei verschiedenen Metallen zu plattieren. Diese bekannten Verfahren können jedoch nicht zur Lösung der Aufgabe dienen, nicht gleichrichtende Elektroden an Halbleiterkörpern anzubringen.
Zur Herstellung einer nicht gleichrichtenden, flächenhaften Elektrode an Germaniumkörpern ist es bereits bekannt, an den Germaniumkörper eine Silberunterlage oder eine auf einen metallischen Kontaktkörper aufgebrachte Silberzwischenschicht durch kurzzeitige Erwärmung des Germaniums anzulegieren. Solche Elektroden lassen einmal in mechanischer und Verfahren zur Herstellung
einer im wesentlichen
nicht gleichrichtenden flächenhaften
Elektrode an dem Halbleiterkörper
einer Halbleiteranordnung durch Legierung
Anmelder:
Western Electric Company, Incorporated, New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. Fecht, Patentanwalt,
Wiesbaden, Hohenlohestr. 21
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 7. März 1956
Duncan Hutchings Looney, Summit, N. J. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
thermischer Hinsicht zu wünschen übrig; vor allem ist jedoch die Eindringtiefe des anlegierten Silbers in den Germaniumkörper nur sehr schwer genau zu bestimmen.
Die Erfindung will die Nachteile dieser bekannten Verfahren vermeiden und empfiehlt erfindungsgemäß dazu, daß die Elektrode, d. h. der Kern der Elektrode, vor dem Anlegieren mit einem Überzug versehen wird, der sich aus einer ersten unmittelbar anliegenden Schicht aus Silber, einer zweiten Schicht aus Blei, welche auf der ersten Silberschicht angebracht wird, und einer weiteren dritten Schicht, einer zweiten Silberschicht, welche auf der Bleischicht angebracht wird, zusammensetzt. Besonders geeignete Materialien für den Kern der Elektrode sind Molybdän, Wolfram, Tantal oder eine Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung, die z. B. unter dem Handelsnamen Korar bekanntgeworden ist.
Die Anlegierung der Elektrode erfolgt vorteilhafterweise so, daß die Elektrode an den Halbleiterkörper angelegt und der Bereich zwischen dem Halbleiterkörper und der Elektrode auf eine solche Temperatur unterhalb des Schmelzpunktes der Elektrode erhitzt wird, daß zwischen Elektrode und Halbleiterkörper eine Legierungsverbindung entsteht. Bei Halbleiterkörpern aus Silizium hat sich dabei eine Temperatur oberhalb 500 und unterhalb 800° C als besfl
eignet erwiesen.
Nähere Einzelheiten des Verfahrens gemäß der Erfindung ergeben sich aus der folgenden, ins einzelne gehenden Beschreibung, in der auf die Zeichnung Bezug genommen wird; in der Zeichnung zeigt
Fig. i einen Transistor, welcher Elektroden nach dem Verfahren gemäß der Erfindung enthält,
Fig. 2 eine Elektrode der in Fig. 1 gezeigten Art,
Fig. 3 einen vergrößerten Querschnitt durch eine Elektrode nach Fig. 2,
Fig. 4 einen vergrößerten Schnitt und Aufriß eines p-n-i-p-Flächentransistors, an den ohmsche Basiselektroden gemäß der Erfindung angebracht sind.
Fig. 1 zeigt eine Scheibe 11 aus halbleitendem Material mit einer dünnen, geraden, aufgedampften Steuerelektrode 12, die mit ihrer Oberfläche im Gebiet zwischen den beiden ohmschen Kontaktelementen 14 mit niedrigem Widerstand verbunden ist, \velche nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt und mit der Oberfläche des halbleitenden Körpers verbunden sind. Bei dieser Ausführung wurden U-förmige leitende Teile aus z. B. Molybdändraht mit einem Durchmesser von 0,25 mm auf einem beschränkten Teil ihrer Länge mit einem metallischen Überzug 15 bedeckt und die Kontaktelemente durch Legieren mit der halbleitenden Scheibe verbunden, welche z. B. eine Kantenlänge von etwa 1U cm aufweisen und etwa 0,12 bis 0,25 mm dick sein kann.
Der Überzug 15 ist gemäß der Erfindung aus Silber und Blei zusammengesetzt und wird wenigstens auf einem Teil der Oberfläche eines leitenden Teils mit einer Dicke gebildet, welche z. B. etwa 0,025 mm betragen kann. Das darunterliegende Elektrodenmaterial kann irgendeine geeignete Form aufweisen und aus irgendeinem geeigneten leitenden Material bestehen. Flache Streifen mit verschiedenen Abmessungen, unregelmäßig geformte flexible Kabel und gerade oder gebogene Drähte sind für dieses Verfahren mit Vorteil verwendet worden.
Diese leitenden Teile bestehen vorteilhafterweise aus Materialien, wie Molybdän, Wolfram, Tantal oder einer FeNiCo-Legierung, welche thermische Ausdehnungskoeffizienten haben, die sich nahezu den Ausdehnungskoeffizienten von Silizium und Germanium anpassen. Ein besonderer Vorteil der vorliegenden Erfindung beruht auf der Tatsache, daß hierbei Kontaktanordnungen hergestellt und zur Vorbereitung für eine nachfolgende Befestigung an halbleitenden Körpern in einem einzigen Erwärmungsvorgang auf Lager genommen werden können. Eine weitere Behandlung des Kontakts ist vor der Legierung nicht erforderlich. Da Lot- und Flußmittel nicht verwendet werden, sind Verunreinigungsprobleme bei diesem Verfahren auf ein Minimum herabgesetzt.
Eine typische Kontaktanordnung, die erfindungsgemäß hergestellt ist, ist in Fig. 2 dargestellt. Der Draht 21, welcher aus einem der obenerwähnten Metalle bestehen kann, wurde in eine U-Form mit einem flachen Grundteil gebracht, die sich zur Befestigung an einer halbleitenden Oberfläche eignet. Dieser Teil des Drahtes wurde mit dem metallischen Überzug 15 auf einem Teil seiner Länge bedeckt, der nur etwa 1,2 mm beträgt.
Fig. 3 zeigt einen vergrößerten Querschnitt der in Fig. 2 dargestellten Kontaktanordnung und stellt die einzelne Schichtanordnung des metallischen Überzugs dar, welche auf dem leitenden Teil angebracht ist. Dieser metallische Überzug besteht aus zwei verschiedenen Bestandteilen. Ein Bestandteil muß ein Metall Silizium und Germanium in einem Ausmaß löst. Silber stellt ein Beispiel
eines Metalls dar, das sich für diesen Zweck gut eignet. Es zeigt eine Löslichkeit für Silizium, die größer als 5 Atomprozent unterhalb 800° C beträgt.
Der zweite Bestandteil kann vorteilhafterweise ein weiches Metall mit niedrigem Schmelzpunkt sein, welches als Verdünnungsmittel bei dem Legierungsprozeß betrachtet werden kann. Ein solches Metall soll unterhalb 1200 und oberhalb 200° C schmelzen. Es ist erwünscht, daß es eine niedrige Verdampfung aufweist,
ίο d. h. z. B. einen Schmelzpunkt, der größer als 1000° C ist, und daß durch das Lösungsmetall keine Verbindungen mit Halbleitermaterialien gebildet werden, welche Schmelzpunkte oberhalb 12000C haben. Als zusätzliches Kriterium sei angeführt, daß Metalle, welche eine Mohssche Härte in reiner Form von weniger als 3,0 zeigen, zur Verwendung als Lösungsmetalle bei diesem Verfahren als zweckmäßig betrachtet werden. Als Beispiel für ein Metall, das die obige Forderung erfüllt, sei Blei genannt.
Fig. 3 zeigt eine besondere Anordnung der beiden Metalle, die verwendet werden kann, den mit dem leitenden Metall 21 verbundenen metallischen Überzug herztistellen. Die innerste Schicht 33 besteht aus Silber; sie ist unmittelbar auf dem leitenden Teil angebracht, welcher z.B. ein FeNiCo-Draht ist. Diese Silberschicht wurde mit einer Schicht aus Blei 34 bedeckt, die wiederum mit einer Schicht aus Silber 35 als äußerste Schicht überzogen ist.
Bei dem folgenden Beispiel, das zur eingehenderen Erläuterung einer speziellen Ausführung der Erfindung dienen soll, wurde ein FeNiCo-Teil benutzt, das aus einem Draht von 0,25 mm besteht. Dieser wurde zunächst entfettet und gereinigt, z. B. in heißen Lösungen aus Kohlenstofftetratchlorid und SaIzsäure; nach dem Abspülen in Wasser wurde der Draht in ein Silbercyanidglättungsbad gebracht und bei einer Stromdichte von 5 Ampere pro m2 2 bis 4 Minuten lang galvanisiert bzw. bis ein grauer Film zu erscheinen begann. Der Draht wurde dann in einem Silbercyanidbad bei 50 Ampere pro m2 13 Minuten lang galvanisiert. Danach wurde die Bleischicht in einem Sulfanat-Blei-Galvanisierungsbad bei einer Stromdichte von 150 Ampere pro m2 30 Minuten lang aufgebracht. Danach wurde der FeNiCo-Draht abermais in dem Silberglättungsbad bei 5 Ampere pro· m2 2 bis 3 Minuten lang behandelt und nachfolgend im Silbergalvanisierungbad bei 50 Ampere pro m2 4 Minuten lang behandelt. Hierdurch wurde ein Überzug von etwa 0,025 mm Dicke erhalten, der 20 bis 25 Gewichtsprozent Silber enthielt. Der unter einem Mikroskop beobachtete Überzug war glatt und feinkörnig.
Kontaktanordnungen, die entsprechend dem oben geschilderten GaI vanisierungs verfahren gebildet waren, wurden in eine Graphitlehre eingesetzt und Siliziumscheiben über ihnen angeordnet. Die gesamte Anordnung wurde dann in einem Ofen unter Anwesenheit von Formierungsgas mit der Zusammensetzung 85% Stickstoff, 15 °/o Wasserstoff, Vjo bis '/20A Sauerstoff auf eine Temperatur von 650 bis 700° C erhitzt. Es wurde festgestellt, daß Kontakte, die mit Siliziumoberflächen entsprechend diesem Verfahren verbunden waren, Verbindungen bilden, die fester als die Siliziumscheiben selbst sind. Der Überzug bildete eine gute Naht zwischen dem FeNiCo-Draht und der Siliziumoberfläche, und es wurde beobachtet, daß die Benetzung gleichmäßig war. Es trat eine innige Verbindung infolge der Legierung auf.
Es wurden Kontaktelemente aus FeNiCo und Molybdän, welche mit Silber-Blei-Silber-überzügen mit einem Silbergehalt von 20 bis 25°/o überzogen
waren, mit Erfolg mit Siliziumoberflächen in einem Bereich der Bindungstemperatur von 500 bis 800° C verbunden. Oberhalb 800° C neigt der Überzug dazu, übermäßig vom leitenden Teil wegzufließen, und die Festigkeit der Bindung zwischen ihm und dem Überzug nimmt ab. Unterhalb 500° C bildet sich auch noch eine Naht in einem gewissen Ausmaß, doch neigt sie dazu, dünn zu sein, und die Festigkeit des Kontakts wird herabgesetzt. Vorteilhafterweise können Kontaktelemente, welche mit Silber-Blei-Silber-Überzügen gemäß der Erfindung bedeckt sind, mit einer Silizium-Oberfläche bei einer Temperatur im Bereich von 650 bis 700° C legiert werden. Hervorragende Ergebnisse wurden bei Germaniumoberflächen bei 500° C erreicht. Die Temperatur scheint dabei nicht sehr kritisch zu sein.
Das von dieser Erfindung benutzte Silber-Blei-Legierungssystem bietet zahlreiche Vorteile bei der Bildung von legierten ohmschen Kontakten an halbleitenden Körpern. Zusammen mit Germanium oder Silizium bildet es ein System mit einer Flüssigkeitsphase, die sich herab zu verhältnismäßig niedrigen Temperaturen erstreckt. So kann sich eine beträchtliche Menge des halbleitenden Materials in der flüssigen Phase bei Temperaturen weit unterhalb des Schmelzpunkts des halbleitenden Materials finden. Von beträchtlicher Bedeutung ist die Tatsache, daß eine gute Benetzung des Siliziums oder Germaniums bei einer Temperatur unterhalb derjenigen stattfindet, bei der eine beträchtliche Lösung des Halbleiters auftritt. Hierdurch ergibt sich, daß eine Lösung gleichmäßig über der ganzen legierten Fläche stattfindet. Ebenso wird bezüglich der mechanischen Festigkeit eine ernsthafte Beanspruchung der halbleitenden Oberfläche während der Abkühlung, welche der Verfestigung des metallischen Systems folgt, durch die Verwendung einer Verbindung mit einem durch Blei und Silber überzogenen Teil vermieden. Die Dehnbarkeit dieses verfestigten metallischen Systems ist groß, und der thermische Ausdehnungskoeffizient des leitenden Teils ist demjenigen des halbleitenden Körpers nahezu angepaßt.
Man hat festgestellt, daß die besondere Verbindung zwischen Silber, Blei und Silber außerordentlich vorteilhafte Ergebnisse bei der Herstellung von legierten ohmschen Verbindungen der oben beschriebenen Art ergibt. Dieb bedeutet nicht, daß die genannte Reihenfolge der aufgebrachten Schichten absolut notwendig ist oder daß tatsächlich das besondere Metallsystem bei diesem Verfahren als einzelne Schichtanordnung verwendet werden muß. Zum Beispiel liegt es im Umfang der Erfindung, einen zusammenhängenden Silber-Blei-Überzug auf einen geeigneten leitenden Teil zu verwenden oder einen Blei-Silber-Legierungsknopf zu benutzen, um eine ohmsche Verbindung mit einem halbleitenden Körper zu bilden. Es kann zweckmäßig sein, Blei und Silber auf den leitenden Teil aufzudampfen oder in manchen Fällen den Silber-Blei-Überzug auf die Oberfläche des halbleitenden Materials selbst aufzubringen und dann einen leitenden Teil durch Wärmebehandlung zu befestigen. Obgleich eine genaue Kontrolle der verschiedenen Parameter bei der Durchführung der Erfindung nicht wesentlich ist, hat man gefunden, daß die äußere Schicht au.s Silber eine gleichmäßigere Benetzung einer halbleitenden Oberfläche ergibt. Es hat sich ferner gezeigt, daß eine innere Schicht aus Silber bessere Ergebnisse ergibt, da sie eine festere Verbindung zwischen dem leitenden Teil und der legierten Verbindung ermöglicht. Galvanisierte leitende Teile aus FeNiCo oder Molybdän, in denen der Silbergehalt des Überzugs aus Silber, Blei und Silber im Bereich von 10 bis 40% liegt, können zur Herstellung hervorragender ohmscher Verbindungen an Germanium und Silizium verwendet werden. Besonders vorteilhafte Ergebnisse hat man mit 20- bis 25°/oigen Silberüberzügen erhalten. Die bei dem oben beschriebenen Prozeß verwendeten Blei- und Silbergalvanisierungsbäder waren normale wäßrige Galvanisierungsbäder, die ohne Bewegung bei Raumtemperatur verwendet wurden. Zum Beispiel kann die Silbergalvanisierung in einem Silber-Cyanidbad geschehen. Ein Sulfanat- oder Fluorborat-Blei-Bad hat sich als sehr geeignet für die Aufbringung der Bleischicht erwiesen.
Das Silber-Blei-Kontaktelement der Erfindung hat den bemerkenswerten Vorteil, daß es vollkommen ohmisch ist, wenn e& durch Legieren an n- und p-Typ-Stücken von Silizium und Germanium angebracht wird. Es kann in üblicher Weise ein Strom in jede Richtung durch einen ohmschai Kontakt in einen Halbleiter geleitet werden, ohne die Minderheitsträgerdichte zu verändern. Ein solcher Kontakt kann als ein Kontakt definiert werden, der eine lineare Stromspannungskennlinie aufweist. Da die Stromspannungskennlinie des Silber-Blei-Kontakts eine gerade Linie für n- oder p-Typ-Stücke von Germanium oder Silizium ist, ist es offensichtlich, daß der Kontakt im wesentlichen nicht gleichrichtend ist und einen geringen Widerstand aufweist.
Eine einfache Stromspannungskennlinie für einen Kontakt enthält eine unmittelbare Information über den Kontaktwiderstand. Diese Kennlinie kann durch einfaches Benutzen eines zweiten Kontakts gemessen werden in der Form, daß die Spannung vom Halbleiter zum Leiter beobachtet werden kann. Das Verfahren hat den Vorteil, daß die sich ergebende Kennlinie leicht auf einem Oszillographen aufgezeichnet werden kann und daß die Widerstände von erfindungsgemäß hergestellten Kontaktpaaren auf diese Weise bestimmt werden können.
In typischer Weise wird die halbleitende Scheibe nach Größe und spezifischem Widerstand gemessen und ihr Körperwiderstand berechnet. Eine geeignete Siliziumscheibe kann z. B. etwa 0,15 mm dick sein und einen spezifischen Widerstand im Bereich von 2 bis 7 Ohmzentimeter aufweisen. Der Widerstand jedes Kontakts war etwa S Ohm. Wenn die Fläche der Kontakte etwa 1,0 · 10"2cm2 beträgt, sieht man, daß der Kontaktwider,stand von solchen Blei-Silber-Verbindungen in der Tat sehr gering ist.
Fig. 4 zeigt im Querschnitt einen p-n-i-p-Flächentransistor, an den ohmsche Basisverbindungen erfindungsgemäß angebracht sind.
Man hat gefunden, daß es bei der Herstellung von Flächentransistoren für eine bessere Kontrolle vorteihaft ist, die Basiszone durch Diffusionsverfahren zu bilden. Zu diesem Zweck wird ein halbleitender Körper eines Leitfähigkeitstyps im Dampf eines geeigneten, den Leitfähigkeitstyp bestimmenden Stoffs erhitzt, und eine dünne Oberflächenschicht des Körpers wird in den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp durch Eindiffundieren des Stoffs geändert. Nachfolgend wird ein ausgewählter Teil der Oberfläche dieser diffundierten Schicht in ihren ursprünglichen Leitfähigkeitstyp zurückverwandelt. Infolgedessen bleibt von dem diffundierten Gebiet mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp ein Oberflächenteil, der außen liegt und an dem eine Basisverbindung nachfolgend angebracht werden muß, ferner ein Teil, der zwischen dem Hauptteil des Körpers und dem zurückverwandelten Oberflächenteil liegt. Dieser Zwischenteil, welcher
zwischen den Gebieten mit dem einen Leitfähigkeitstyp liegt, dient als Basiszone.
Es soll nun besonders auf die Herstellung eines typischen Aufbaues einer Germanium-p-n-i-p-Einheit der Art eingegangen werden, wie sie im Querschnitt der Fig. 4 dargestellt ist. Eine diffundierte n-Typ-Oberflächenschicht 41, die eine Dicke von 0,025 mm aufweist, wird auf einer monokristallinen Germaniumscheibe 42 von im wesentlichen eigenleitendem Leitfähigkeitstyp gebildet. Danach wird durch geeignete Ätzverfahren die n-Typ-Oberflächenschicht von dem Germaniumkörper entfernt, mit Ausnahme desjenigen Teils der Oberfläche, welcher die Frontfläche bildet, d. h. die Fläche, an der die Emitterzone anzubringen ist. Ein Oberflächenteil der übrigen n-Typ-Oberfiächenschicht wird dann in p-Typ verwandelt, um die Emitterzone 44 zu bilden, und zusätzlich wird ein Oberflächenteil der rückwärtigen Fläche der eigenleitenden Zone in p-Typ umgewandelt, um die Kollektorzone 45 zu bilden.
Die beiden Basiskontakte 21 werden entsprechend dem Verfahren gemäß der Erfindung an die Basiszone angebracht. Diese sind z.B. FeNiCo-Drähte, welche vorher auf dem Teil ihrer Länge, welcher nunmehr in Kontakt mit der Germaniumoberfläche ist, mit einem Silber-Blei-Überzug versehen waren. Sie werden mit der Basiszone bei einer Temperatur von 500° C legiert, und zwar weit unterhalb 900 bis 1000° C, wobei dies der Temperaturbereich ist, bei dem im allgemeinen die Oberflächendiffusion stattfindet. Die legierten Verbindungen 46 zwischen den Kontakten 21 und der Germaniumoberfläche sind nicht gleichrichtend, außerordentlich fest und besitzen geringen Widerstand. Die verwendeten Verfahren besitzen eine gute Reproduzierbarkeit bei der Massenfertigung von Halbleiteranordnungen.
Selbstverständlich sind die oben beschriebenen Anordnungen und Verfahren nur Beispiele für die Anwendung der Erfindungsprinzipien. So ist die Vorschrift der Erfindung auch auf die Herstellung von ohmschen legierten Kontakten mit niedrigem Widerstand an Halbleiterkörpern aus halbleitenden Verbindungen, z. B. aus Indiumarsenid, Galliumarsenid, Indiumantimonid, Zinksulfid oder Cadmiumsulfid, anwendbar.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer im wesentlichen nicht gleichrichtenden flächenhaften Elektrode an dem Halbleiterkörper, ζ. Β. aus Germanium, Silizium oder einer Germanium-Silizium-Legierung, einer Halbleiteranordnung durch Legierung, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode, d. h. der Kern der Elektrode, vor dem Anlegieren mit einem Überzug versehen wird, der sich aus einer ersten, unmittelbar anliegenden Schicht aus Silber, einer zweiten Schicht aus Blei, welche auf der ersten Silberschicht angebracht wird, und einer weiteren dritten Schicht, einer zweiten Silberschicht, welche auf der Bleischicht angebracht wird, zusammensetzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kern der Elektrode aus Molybdän, Wolfram, Tantal oder einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung hergestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode an den Halbleiterkörper angelegt und der Bereich zwischen dem Halbleiterkörper und der Elektrode auf eine solche Temperatur unterhalb des Schmelzpunktes der Elektrode erhitzt wird, daß zwischen Elektrode und Halbleiterkörper eine Legierungsverbindung entsteht.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Temperatur oberhalb 500 und unterhalb 800° C bei einem Halbleiterkörper aus Silizium verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentanmeldung T 4658 VIIIc/21g (bekanntgemacht am 6. 11. 1952);
deutsche Auslegeschrift S 30333 VIIIc/21g (bekanntgemacht am 5.1.1956);
deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 696 411;
belgische Patentschrift Nr. 499 900;
USA.-Patentschriften Nr. 2 429 222, 2 555 001.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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