DE1696411U - Elektrode fuer kristalloden. - Google Patents

Elektrode fuer kristalloden.

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DE1696411U DE1953S0009190 DES0009190U DE1696411U DE 1696411 U DE1696411 U DE 1696411U DE 1953S0009190 DE1953S0009190 DE 1953S0009190 DE S0009190 U DES0009190 U DE S0009190U DE 1696411 U DE1696411 U DE 1696411U
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au 20 516*1 IU5 %
Siemens & Halske München.
Aktiengesellschaft fittelsbacherplatz 4
Berlin und München
Es ist "bekannt, Elektroden für Kristalloden, d.h., für aus Halbleitermaterial hergestellte lichtleiter, Transistoren o.dgl,, aus mehreren Stoffen zusammenzusetzen. Bs ist insbesondere bekannt, daß eine solche Elektrode mit vorzugsweise spitzen oder sehneidenförniigem Kontakt aus einem harten KernbzYi. Trägermaterial besteht, das mit einem anderen, im allge meinen weicheren, Material überzogen ist, welches sich elektrisch besser als das Kernmaterial zur Yer?/en,dung als kontakt auf einem Mbleitenden Kristall, beispielsweise Sinkristall, eignet. Eine solche bekannte Elektrode besteht z.B. aus einem oberflächlich platinierten Wolframdraht. Diese Anordnung hatte jedoch den lachteil, daß sieh auf Wolfram kein ausreichend gleichmässiger ELatinüberzug herstellen lässt und dass sich infolgedessen derartige Elektroden fertigungsmässig nicht mit der erforderliehen G-leiehmässigkeit herstellen lassen..
— 2 —
M 9/550/11
15.2.53 Dr.Joh/yp
— 2 —
PA 9/550/11
Der Neuerung gemäss werden die geschilderten lacht ei le dadurch vermieden, daß eine aus mehreren, mindestens zwei verschiedenen Hateriallien, zusammengesetzte Elektrode für Kristalloden, iron denen "beispielsweise eines einen Kern und das andere einen Übersug auf diesem "bildet, aus einem als G-anzes hergestellten Hanteldraht derart und/oder auf den Kristall aufgesetzt, abceteilt ist, dass am Kontaktende des Drahtstückes der Mantel ganz oder teilweise über den Kern hinausragt! Sinn der Massnahme nach der Erfindung ist, dass nicht mehr, wie "bisher, jede Elektrode einzeln hergestellt, "beispielsweise ein Wolframdrahtstück mit Platin überzogen wird., sondern' dass zunächst ein langer, vorzugsweise harter Draht, "beispielsweise aus Wolfram, Molybdän, Hartbronze, Stahl o.dgl, mit einem als Emitter oder Kollektor geeigneten Stoff wie z.B. Ehodium, Palladium, Tridium, vorzugsweise Platin als Emitter oder z.B. Zupfer als Kollektor überzogen wird. Dieser Draht wird dann, "beispielsweise schräg, abgeschnitten, so dass eine Kontaktspitze aus dem Mantelmaterial entdaht, Ba sich der Draht als G-anzes technisch sehr gleichmässig herstellen lässt,, fallen die einzelnen Elektrodenstücke unter sich besonders gleichmäseig aus, Zweckmässigerweise wird zur Herstellung derartiger Elektroden ein handelsüblicher Manteldraht z.B. Platinmanteldraht verwendet.
In--der Zeichnung sind einige Ausführungsformen der Anordnung nach der !feuerung beispielsweise dargestellt. !Figur 1 zeigt in starker Tergrösserung eine Elektrode, die durch schräges abschneiden eines handelsüblichen Platinmanteldrahtes entstan-
den ist. 1 bedeutet die Seele eines solchen Drahtes, welcher aus Molybdän besteht und von einem Mantel 2 aus Platin überzogen ist.
1<
Das tubers teilen des Mantels über den Kern des Drahtes kann auch auf andere leise "bewirkt werden« Der Draht kann beispielsweise gerade abgeschnitten werden und am Ende des Drahtes dann ein Stück der Seele herausgeätzt werden. Es kann u.U. der Draht am Ende umgebogen werden, so dass ein kleiner Haken entsteht, dessen Hakenspitze gemäss !ig. 2 aus dem lantelmaterial "besteht und auf einen Halbleiterkristall 3 aufgesetzt ist. Bei der Anordnung gemäss ffig, 3 ist die Elektrode derart schräg auf den Kristall 3 aufgesetzt, dass nur der Mantel 2 den Kristall 3 berührt.
1 Bl, Zeichnungen
6 Schutzansprüche,

Claims (6)

- i PA 9/550/11 Sch χι % ζ a η spr ti ehe
1. Elektrode für Kristallαden, welche aus mindestens zwei verschiedenen Materialien zusammengesetzt ist, von denen "beispielsweise eines einen Kern und das andere einen überzug auf diesem bildet,'dadurch gekennzeichnet, dass sie durch ATd teil en von einem als G-anzes hergestellten Manteldraht hergestellt ist.
2. Elektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Manteldraht derart abgeschnitten und/oder nach dem Abschneiden am Ende bearbeitet ist, dass am Kontaktende des Drahtstrickes der Mantel ganz oder teilweise über den Kern hinausragt.
3. Elektrode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Manteldraht schräg abgeschnitten ist.
4. Elektrode nach einem der Ansprüche t bis 3, dadurch gekennzeichent, dass am Koniaktende ein !eil der Drahtseele herausgeätzt oder herausgebrannt ist,
5. Elektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichent, dass der Manteldraht am Kontaktende umgebogen, beispielsweise zu einem Haken geknickt ist.
6. Elektrode nach einem.der Anspräche 1 bis 4, dadurch gekennzeiehent, dass das Drahtende derart schräg auf dem Kristall aufgesetzt ist, dass nur der Mantel mit dem Kristall in Berührung steht.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1071847B (de) * 1956-03-07 1959-12-24 Western Electric Company, Incorporated, New York, N. Y. (V. St. A.) Verfahren zur Herstellung einer im wesentlichen nicht gleichrichtenden flächenhaften Elektrode an dem Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung durch Legierung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1071847B (de) * 1956-03-07 1959-12-24 Western Electric Company, Incorporated, New York, N. Y. (V. St. A.) Verfahren zur Herstellung einer im wesentlichen nicht gleichrichtenden flächenhaften Elektrode an dem Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung durch Legierung

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