DE1121224B - Transistor mit dicht nebeneinander einlegierten Emitter- und Basiselektroden und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Transistor mit dicht nebeneinander einlegierten Emitter- und Basiselektroden und Verfahren zu dessen Herstellung

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DE1121224B
DE1121224B DEN19306A DEN0019306A DE1121224B DE 1121224 B DE1121224 B DE 1121224B DE N19306 A DEN19306 A DE N19306A DE N0019306 A DEN0019306 A DE N0019306A DE 1121224 B DE1121224 B DE 1121224B
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DE
Germany
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transistor
emitter
base
electrode
electrodes
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Pending
Application number
DEN19306A
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German (de)
English (en)
Inventor
Julian Robert Anthony Beale
Andrew Francis Beer
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P50/613—
    • H10P50/691—
    • H10P95/00—
    • H10W72/07552—
    • H10W72/07554—
    • H10W72/527—

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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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ES263136A1 (es) 1961-05-01
GB940443A (en) 1963-10-30
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