DE1058158B - Verfahren zum Anbringen einer Legierungs-Elektrode auf einem halbleitenden Koerper - Google Patents
Verfahren zum Anbringen einer Legierungs-Elektrode auf einem halbleitenden KoerperInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Anbringen einer Elektrode auf einem halbleitenden
Körper durch Aufschmelzung einer Menge von Elektrodenmaterial in einer Lehre, die mit ihrer öffnung
derart auf den halbleitenden Körper gelegt wird, daß diese öffnung nahezu senkrecht liegt, und in die
öffnung der Lehre ein Draht aus Elektrodenmaterial derart eingeführt wird, daß er mit einem Ende auf
dem halbleitenden Körper auf ruht. Dieses Aufschmelzverfahren, auch Legieren genannt, wird häufig bei
der Herstellung halbleitender Einrichtungen, z. B. Kristalldioden oder Transistoren, durchgeführt, wobei
die Lehre dazu verwendet wird, auf reproduzierbare Weise Elektroden mit einer gewünschten Oberfläche
herzustellen.
Die Erfindung bezweckt, eine besondere Abart dieses Legierungsverfahrens zu schaffen.
Gemäß der Erfindung werden Mittel vorgesehen, damit der Draht bei der darauf erfolgenden Aufschmelzung
bei einer Temperatur unter den Schmelztemperaturen des Elektrodenmaterials und des Halbleiters
nur über einen Teil seiner Länge durch die Lehrenöffnung bis zum Halbleiter gelangen kann.
Selbstverständlich kann als Elektrodenmaterial nur ein Material benutzt werden, das mit dem Halbleiter
eine Legierung bildet, die einen Schmelzpunkt hat, der niedriger ist als der des betreffenden Elektrodenmaterials
und des Halbleiters, wobei in einem solchen Temperaturbereich des Phasendiagramms dieser Legierungskomponenten
erhitzt wird, daß beim Kühlen anfangs eine nicht eutektische Legierung erstarrt, in der
der Halbleiter in bezug auf das eutektische Verhältnis in Übermaß vorhanden ist.
Dieses Verfahren läßt sich durchführen bei der Anbringung von Ohmschen Elektroden und von gleichrichtenden
Elektroden. Die Anwendung dieses Verfahrens ermöglicht es, bei der Aufschmelzung von
Elektrodendraht eine dosierte Menge von Elektrodenmaterial von nur einem Teil des Elektrodendrahtes,
d. h. von einem durch die Öffnung der Lehre bis zum Halbleiter gelangenden Teil, aufzuschmelzen.
Die Vorkehrungen, um zu sichern, daß der Elektrodendraht während des Aufschmelzvorgangs nur
über einen Teil seiner Länge durch die Lehrenöffnung bis zum Halbleiter gelangen kann, können z. B. darin
bestehen, daß ein Teil des Elektrodendrahtes, der über der Lehre vorsteht, abgebogen wird, so daß während
der Erhitzung beim Aufschmelzen der abgebogene Teil die obere Seite der Lehre berührt, so daß selbsttätig
erreicht wird, daß nur ein Teil des Drahtes in die Öffnung sinken und die Schmelze auf dem Halbleiter
erreichen kann. Eine gleiche Wirkung kann erzielt werden, indem z. B. eine örtliche Verdickung des
Drahtes vorgesehen wird, z. B. indem eine Perle um Verfahren zum Anbringen
einer Legierungs-Elektrode
. auf einem halbleitenden Körper
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbaeh, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 25. April 1956
Großbritannien vom 25. April 1956
Julian Robert Anthony Beale, Wraysbury,
Middlesex (Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
den Draht geklemmt oder indem der Draht auf eine andere als die vorerwähnte Weise abgebogen wird.
An der vorerwähnten Elektrode kann ein Zuführungsdraht festgelötet oder ein Punktkontakt angebracht
werden.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger schematischer Figuren und Ausführungsbeispiele
näher erläutert.
Fig. 1 und 2 zeigen im Schnitt verschiedene Stufen der Herstellung eines halbleitenden Körpers und einer
Einrichtung nach der Erfindung;
Fig. 3 zeigt einen Schnitt durch einen Teil eines halbleitenden Körpers und einer halbleitenden Ein-4-0
richtung, die durch das Verfahren nach der Erfindung erhalten werden.
Nach Fig. 1 ist eine Lehre 1 auf die Oberfläche eines halbleitenden Einkristallteiles 2 aus Germanium des
n-Leitfähigkeitstyps gelegt. Die Lehre 1 besteht aus +5 Kohlenstoff und hat eine öffnung 3. Die Lehre wird
derart angeordnet, daß die Öffnung 3 nahezu vertikal und senkrecht zur Oberfläche des Kristalls 2 ist.
Die Querabmessungen der Öffnung 3 sind derart,
daß ein Draht 4 aus Gold leicht hineingeführt werden kann. Wenn das untere Ende des Drahtes 4 den
Kristall 2 berührt, steht ein abgebogener Teil 5 am anderen Ende über der Lehre 1 vor.
Das Ganze wird darauf in einen Ofen eingeführt und auf eine Temperatur von mindestens 356 und
509 528/306
Claims (3)
1. Verfahren zum Anbringen einer Elektrode auf einem halbleitenden Körper durch Aufschmelzung
einer Menge von Elektrodenmaterial in einer Lehre, die mit ihrer Öffnung derart auf den halbleitenden Körper gelegt wird, daß diese Öffnung
nahezu vertikal ist, und in die Öffnung der Lehre ein Draht aus dem Elektrodenmaterial derart eingeführt
wird, daß ein Ende des Drahtes auf dem halbleitenden Körper aufruht, dadurch gekennzeichnet,
daß Mittel vorgesehen werden, damit der Draht bei der darauf erfolgenden Aufschmelzung
bei einer Temperatur unter den Schmelztemperaturen des Materials der Elektrode und des Halbleiters
nur über einen Teil seiner Länge durch die Lehrenöffnung-bis zum Halbleiter gelangen kann.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgesehenen Mittel darin bestehen,
daß ein Teil des Drahtes, der über der Lehre vorsteht, abgebogen wird, so daß bei der
Aufschmelzung der abgebogene Teil mit der oberen Seite der Lehre in Berührung kommt und ein
weiteres Herabsinken des Drahtes in der Lehrenöffnung verhütet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an der aufgeschmolzenen
Elektrode ein Zuführungsdraht festgelötet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschriften Nr. 1115 250,
565, 1118488.
Französische Patentschriften Nr. 1115 250,
565, 1118488.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Citations (3)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1103565A (fr) * | 1953-05-28 | 1955-11-04 | Rca Corp | Procédé et appareil pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
FR1115250A (fr) * | 1953-12-09 | 1956-04-20 | Philips Nv | Système d'électrodes, en particulier diode à cristal ou transisteur |
FR1118488A (fr) * | 1953-12-23 | 1956-06-06 | Philips Nv | Systèmes d'électrodes comportant un corps semi-conducteur et au moins une électrode combinée |
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